電子科大微電子工藝第二章知識(shí)回顧_第1頁(yè)
電子科大微電子工藝第二章知識(shí)回顧_第2頁(yè)
電子科大微電子工藝第二章知識(shí)回顧_第3頁(yè)
電子科大微電子工藝第二章知識(shí)回顧_第4頁(yè)
電子科大微電子工藝第二章知識(shí)回顧_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè)，還剩3頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、第二章知識(shí)回顧干氧氧化：Si O2 SiO2水汽氧化：Si H2O SiO2 H2濕氧氧化：Si H2O O2 SiO2 + H2 熱氧化三種氧化方式：熱氧化三種氧化方式：三種熱氧化層質(zhì)量對(duì)比：三種熱氧化層質(zhì)量對(duì)比：氧化速率均勻性重復(fù)性結(jié)構(gòu)掩蔽性干氧氧化慢好致密好水汽氧化最快差疏松較差濕氧氧化快較好適中基本滿足 氧化過(guò)程：氧化過(guò)程：1、氧化劑擴(kuò)散穿過(guò)滯留層到達(dá)SiO2 表面。2、氧化劑擴(kuò)散穿過(guò)SiO2 層到達(dá)SiO2-Si界面。3、氧化劑在Si 表面與Si 反應(yīng)生成SiO2 。4、反應(yīng)的副產(chǎn)物離開界面。n 線性拋物線性模型 t2oxAtoxB(t + ) 線性階段（厚度小于150埃，反應(yīng)速率控

2、制） tox=(B/A)t 拋物線階段（厚度150埃，擴(kuò)散速率控制） tox =(Bt)1/2 氧化生長(zhǎng)速率模型：氧化生長(zhǎng)速率模型： 氧化消耗硅：氧化消耗硅： 氧化前 氧化后 氧化硅在集成電路中的應(yīng)用：氧化硅在集成電路中的應(yīng)用：1. MOS結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)層（柵氧化層）2. 限制帶電載流子的場(chǎng)區(qū)隔離（場(chǎng)氧化層）3. 保護(hù)器件以免劃傷和離子沾污（保護(hù)層/鈍化層）4. 摻雜過(guò)程中的注入阻擋層（摻雜阻擋層）5. 減小氮化硅與下層之間應(yīng)力的墊氧化層（墊氧層）6. 減小注入損傷及溝道效應(yīng)的注入屏蔽氧化層（注入屏蔽氧化層）7. 導(dǎo)電金屬之間的層間介質(zhì)（金屬間的絕緣層） 快速熱處理的優(yōu)點(diǎn)：快速熱處理的優(yōu)點(diǎn)：1. 減少熱預(yù)算2. 硅中雜質(zhì)運(yùn)動(dòng)最小

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論