boost電路參數(shù)設(shè)計詳解

1、其中：D為占空比，T為開關(guān)周期。Boost電路參數(shù)設(shè)計Boost電路的原理圖如下圖所示LD當MOSFET開通時，電源給電感L充電，電感儲能，電容放電。電感上的電流增加量(電感線圈未飽和時)為：VinIl():DT當MOSFET關(guān)斷時，電感放電，電感的能量通過二極管傳遞到負載。電感上的電流不斷減小，忽略二極管的壓降，則電流變化為：VoVinIL()：(1D)T電感電流連續(xù)模式時，在穩(wěn)態(tài)條件下，電感上的電流增加等于其電流減小，即IL()IL(),于是整理可得:Vo1V；五因為0<D<1,所以Boost電路是一個升壓型電路。電感電流非連續(xù)模式時，MOSFET開通狀態(tài)下，電感電流的增值為:

2、VinIL():DTMOSFET關(guān)斷狀態(tài)下，電感電流的下降值為:VoVinIL()-D2TL電感電流上升值等于下降值，即IL()IL(),整理得:VoDD2VinD2因為在此模式下電感電流是不連續(xù)的，所以每個周期電感電流都會下降至零。輸出電流等于電感電流的平均值，即Vo11(二IpkD2T)RT2IpkIL()4D21 ：1K2L由上式得，VoVinKJ,K+2 RTs由此可以看出，對于Boost電路，電感電流連續(xù)模式與電感電流非連續(xù)模式有很大的不同，非連續(xù)模式輸出電壓與輸入電壓，電感，負載電阻，占空比還有開關(guān)頻率都有關(guān)系。而連續(xù)模式輸出電壓的大小只取決于輸入電壓和占空比。1.輸出濾波電容的選

3、擇在開關(guān)電源中，輸出電容的作用是存儲能量，維持一個恒定的電壓。Boost電路的電容選擇主要是控制輸出的紋波在指標規(guī)定的范圍內(nèi)。對于Boost電路，電容的阻抗和輸出電流決定了輸出電壓紋波的大小。電容的阻抗由三部分組成，即等效串聯(lián)電感(ESL,等效串聯(lián)電阻(ESR)和電容值(C)o在電感電流連續(xù)模式中，電容的大小取決于輸出電流、開關(guān)頻率和期望的輸出紋波。在MOSFET開通時，輸出濾波電容提供整個負載電流。在Boost電路中，為了滿足期望的輸出紋波電壓，電容值可以按下式選取IomaxDmaxfs其中：Iomax為最大的輸出電流;Dmax為最大的占空比。對電感電流非連續(xù)模式，電容為I(1-2L)Iom

4、ax(1)r:RTsCfsV在實際設(shè)計中，由于電容的ESR為了保證較小的紋波電壓，必須要選擇更大容值的電容。在電感電流連續(xù)模式中，假設(shè)電容值足夠大以至于可以忽略。就要有足夠小的ESR來限制輸出的電壓紋波。ESRI o max1 DmaxVoIL在電感電流非連續(xù)模式下:ESRVoIL紋波電流通過電容的ESR中會產(chǎn)生功率損耗，這個損耗會使電容內(nèi)部的溫度上升。過度的溫升會大大縮短電容的使用壽命。在不同的環(huán)境溫度下，電容都有額定的紋波電流。通過電容的電流不能超過其額定值。通過輸出電容電流的有效值為ESL可以通過選用低ESL的電容，限制引線線長度(PCB以及電容)，和采用多個小電容并聯(lián)的形式來控制它的大

5、小。有三種低阻抗的電容，鋁、有機半導體和固體鋰電容都適合于一般低成本的商業(yè)領(lǐng)域。低阻抗鋁電解電容成本低，在較小的封裝下可以提供更大的容量。但其ESR比較大。有機半導體電解電容在工業(yè)電源中用的越來越普遍。它可以提供較小的ESR和比較大的容量。固體鑰.電容可以提供低的ESR和ESL以及比較大的容量。在開關(guān)電源中是比較理想的選擇。在開關(guān)電源中，電感的作用是存儲能量。電感的作用是維持一個恒定的電流，或者說，是限制電感中電流的變化。在Boost電路中，選擇合適電感量通常用來限制流過它的紋波電流。電感的紋波電流正比于輸入電壓和MOSFET開通時間，反比于電感量。電感量的大小決定了連續(xù)模式和非連續(xù)模式的工作

6、點。除了電感的感量外，選擇電感還應注意它最大直流或者峰值電流，和最大的工作頻率。電感電流超過了其額定電流或者工作頻率超過了其最大工作頻率，都會導致電感飽和及過熱。磁器件廠家提供了很多的電感都可用DC/DC變換器。開關(guān)電源中最常用的磁心是鐵氧體和電工鐵。由于電感繞線的直流電阻，電流通過時產(chǎn)生電感銅損。同時，由于電感的交流電流會導致磁通交變，產(chǎn)生磁損。功率損耗會引起電感的溫度上升，過度的溫升會使導線的絕緣降低。Boost電路中，電感的損耗可以由下式計算，PinductorI L RcuPcore，其中：Rcu為繞線電阻;Pcore為磁損，可以有磁心廠家的數(shù)據(jù)手冊中查到。在小功率的DC/DC變化中，PowerMOSFET是最常用的功率開關(guān)。MOSFET的成本比較低，工作頻率比較高。設(shè)計中選取MOSFET主要考慮到它的導通損耗和開關(guān)損耗。要求MOSFET要有足夠低的導通電阻Rds(on和比較低的柵極電荷Qg。MOSFET的耗散功率可以由下式計算，_Ion2_1Ion2_PMOSFET()RDS(on)D