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1、精選文檔深圳市中晶太陽能有限公司 SHENZHEN ZHONGJING SOLAR CO.,LTD生效日期制定部門記錄日期記錄人頁 次核 準(zhǔn)2009.01.16工程部2009-01-16周朝銳1/1耐壓絕緣測(cè)試報(bào)告測(cè)試時(shí)間：2009-01-16太陽能板：175W/36V 1580*808*46 S=1.58*0.808=1.277 m2 Rmin=40 M/m2（標(biāo)準(zhǔn)）*S=51 M太陽能板序列號(hào)：SZS0001 ZJ-0902090001 SZS0002 ZJ-0902090002 SZS0003 ZJ-0902090003 SZS0004 ZJ-0902090004 （以下簡(jiǎn)稱001，00

2、2，003，004）測(cè)試項(xiàng)目：一、干絕緣測(cè)試 二、濕絕緣測(cè)試測(cè)試記錄：一、干絕緣測(cè)試：1. 參數(shù)設(shè)置：電壓（W-Volage）:3000VDC 電流上限(HI-Limit)： 0.06mA 電流下限(Low-Limit)： 0mA緩升時(shí)間（W-Ramp）：10S 測(cè)試時(shí)間（W-Dwell）： 30S2. 測(cè)試數(shù)據(jù)記錄：產(chǎn)品 電流（mA） 產(chǎn)品 電流（mA）001 0.03 002 0.03003 0.03 004 0.033. 計(jì)算：漏電流：I=0.03mA<0.06mA【<0.05mA/m2(標(biāo)準(zhǔn))】 4.結(jié)論：測(cè)試通過二、 濕絕緣測(cè)試：1.參數(shù)設(shè)置：電壓（W-Volage）:3

3、000VDC 電阻上限(HI-Limit)： 1000 M 電阻下限(Low-Limit)： 51 M緩升時(shí)間（W-Ramp）：20S 測(cè)試時(shí)間（W-Dwell）： 60S2.測(cè)試數(shù)據(jù)記錄：產(chǎn)品 電阻（M） 產(chǎn)品 電阻（M）001 > 1000 002 > 1000 003 > 1000 004 > 1000 3.比較：濕絕緣電阻：R >51M 4.結(jié)論：測(cè)試通過深圳市中晶太陽能有限公司 SHENZHEN ZHONGJING SOLAR CO.,LTD生效日期制定部門記錄日期記錄人頁 次核 準(zhǔn)2009.01.17工程部2009-01-17周朝銳1/1耐壓絕緣測(cè)試報(bào)

4、告測(cè)試時(shí)間：2009-01-17太陽能板：175W/36V 1580*808*46 S=1.58*0.808=1.277 m2 Rmin=40 M/m2（標(biāo)準(zhǔn)）*S=51 M太陽能板序列號(hào)：SZS0005 ZJ-0902090005 SZS0006 ZJ-0902090006 SZS0007 ZJ-0902090007 SZS0008 ZJ-0902090008 （以下簡(jiǎn)稱005，006，007，008）測(cè)試項(xiàng)目：一、干絕緣測(cè)試 二、濕絕緣測(cè)試測(cè)試記錄：一、干絕緣測(cè)試：1參數(shù)設(shè)置：電壓（W-Volage）:3000VDC 電流上限(HI-Limit)： 0.06mA 電流下限(Low-Limi

5、t)： 0mA緩升時(shí)間（W-Ramp）：10S 測(cè)試時(shí)間（W-Dwell）： 30S2測(cè)試數(shù)據(jù)記錄：產(chǎn)品 電流（mA） 產(chǎn)品 電流（mA）005 0.03 006 0.03007 0.03 008 0.033計(jì)算：漏電流：I=0.03mA<0.06mA【<0.05mA/m2(標(biāo)準(zhǔn))】 4.結(jié)論：測(cè)試通過二、 濕絕緣測(cè)試：1.參數(shù)設(shè)置：電壓（W-Volage）:3000VDC 電流上限(HI-Limit)： 5mA 電流下限(Low-Limit)： 0mA緩升時(shí)間（W-Ramp）：20S 測(cè)試時(shí)間（W-Dwell）： 60S2.測(cè)試數(shù)據(jù)記錄：產(chǎn)品 電阻（M） 產(chǎn)品 電阻（M）005

6、> 1000 006 > 1000 007 > 1000 008 > 1000 3.比較：濕絕緣電阻：R>51 M（標(biāo)準(zhǔn)） 4.結(jié)論：測(cè)試通過深圳市中晶太陽能有限公司 SHENZHEN ZHONGJING SOLAR CO.,LTD生效日期制定部門記錄日期記錄人頁 次核 準(zhǔn)2009.01.18工程部2009-01-18周朝銳1/1耐壓絕緣測(cè)試報(bào)告測(cè)試時(shí)間：2009-01-18太陽能板：175W/36V 1580*808*46 S=1.58*0.808=1.277 m2 Rmin=40 M/m2（標(biāo)準(zhǔn)）*S=51 M太陽能板序列號(hào)：SZS0009 ZJ-090209

7、0009 SZS0010 ZJ-0902090010 SZS0011 ZJ-0902090011 SZS0012 ZJ-0902090012 （以下簡(jiǎn)稱009，010，011，012）測(cè)試項(xiàng)目：一、干絕緣測(cè)試 二、濕絕緣測(cè)試測(cè)試記錄：一、干絕緣測(cè)試：1參數(shù)設(shè)置：電壓（W-Volage）:3000VDC 電流上限(HI-Limit)： 0.06mA 電流下限(Low-Limit)： 0mA緩升時(shí)間（W-Ramp）：10S 測(cè)試時(shí)間（W-Dwell）： 30S2測(cè)試數(shù)據(jù)記錄：產(chǎn)品 電流（mA） 產(chǎn)品 電流（mA）009 0.03 010 0.03011 0.03 012 0.033計(jì)算：漏電流：I

8、=0.03mA<0.06mA【<0.05mA/m2(標(biāo)準(zhǔn))】 4.結(jié)論：測(cè)試通過三、 濕絕緣測(cè)試：1.參數(shù)設(shè)置：電壓（W-Volage）:3000VDC 電流上限(HI-Limit)： 5mA 電流下限(Low-Limit)： 0mA緩升時(shí)間（W-Ramp）：20S 測(cè)試時(shí)間（W-Dwell）： 60S2.測(cè)試數(shù)據(jù)記錄：產(chǎn)品 電阻（M） 產(chǎn)品 電阻（M）009 > 1000 010 > 1000 011 > 1000 012 > 1000 3.比較：濕絕緣電阻：R >51 M 4.結(jié)論：測(cè)試通過深圳市中晶太陽能有限公司 SHENZHEN ZHONGJI

9、NG SOLAR CO.,LTD生效日期制定部門記錄日期記錄人頁 次核 準(zhǔn)2009.01.19工程部2009-01-19周朝銳1/1耐壓絕緣測(cè)試報(bào)告測(cè)試時(shí)間：2009-01-19太陽能板：175W/36V 1580*808*46 S=1.58*0.808=1.277 m2 Rmin=40 M/m2（標(biāo)準(zhǔn)）*S=51 M太陽能板序列號(hào)：SZS0013 ZJ-0902090013 SZS0020 ZJ-0902110020 （以下簡(jiǎn)稱013，020）測(cè)試項(xiàng)目：一、干絕緣測(cè)試 二、濕絕緣測(cè)試測(cè)試記錄：一、干絕緣測(cè)試：1參數(shù)設(shè)置：電壓（W-Volage）:3000VDC 電流上限(HI-Limit)： 0.06mA 電流下限(Low-Limit)： 0mA緩升時(shí)間（W-Ramp）：10S 測(cè)試時(shí)間（W-Dwell）： 30S2測(cè)試數(shù)據(jù)記錄：產(chǎn)品 電流（mA） 產(chǎn)品 電流（mA）013 0.03 020 0.033.計(jì)算：漏電流：I=0.03mA<0.06mA【<0.05mA/m2(標(biāo)準(zhǔn))】 4.結(jié)論：測(cè)試通過二、 濕絕緣測(cè)試：1.參數(shù)設(shè)置：電壓（W-Volage）:3000VDC 電流上限(HI

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