2019年高考物理專題12回歸基礎(chǔ)專題訓(xùn)練——電磁學(xué)綜合(含解析)_第1頁
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文檔簡介

1、專題12回歸基礎(chǔ)專題訓(xùn)練一一電磁學(xué)綜合1.如圖1所示,在x軸上方有一豎直向下的勻強(qiáng)電場區(qū)域,電場強(qiáng)度為E= 500 V/m。x軸下方分布有很多磁感應(yīng)強(qiáng)度為 B= 1 T的條形勻強(qiáng)磁場區(qū)域,其寬度均為di = 3 cm,相鄰兩磁場區(qū)域的間距為 d2= 4 cmo現(xiàn)將一質(zhì)量為 m= 5x10 13 kg、電荷量為q=1X10 8 C的帶正電的粒子(不計(jì)重力)從y軸上的某處靜止釋 放,則:17I 111 111 Ln 工無罐場區(qū)域.一二二二:二&一國強(qiáng)場區(qū)墉心無磁場區(qū)修(1)若粒子從坐標(biāo)(0, h)點(diǎn)由靜止釋放,要使它經(jīng)過 x軸下方時(shí),不會(huì)進(jìn)入第二磁場區(qū),h應(yīng)滿足什么條件?取 3.14)。之

2、后進(jìn)入下方磁場區(qū),(2)若粒子從坐標(biāo)(0,5 cm)點(diǎn)由靜止釋放,求自釋放到第二次過x軸的時(shí)間(兀12【解析】(1)粒子經(jīng)電場加速,經(jīng)過x軸時(shí)速度大小為 V1,滿足:Eqh1 = -mv,依據(jù)題意可知運(yùn)動(dòng)半徑應(yīng)滿足:R< dsmv 又 R=qB,r , 口qd2由以上三式可得:<礪=1.8 X10一 2m。(2)當(dāng)粒子從h2=5 cm的位置無初速度釋放后,先在電場中加速,設(shè)加速時(shí)間為11,滿足h2 =智=1X1。4sEq12Eqb = 2mu解得V2 =2Eqh2=1X103 m/s m進(jìn)入磁場的速度大小為V2,圓周運(yùn)動(dòng)半徑為R,故mv -R = ;= 5 cm qB根據(jù)粒子在空間

3、運(yùn)動(dòng)的軌跡可知,它最低能進(jìn)入第二個(gè)磁場區(qū), 它在磁場區(qū)運(yùn)動(dòng)的總時(shí)間為半個(gè)周期t 2號(hào)1.57 X 10 4 s ,它經(jīng)過第一無磁場區(qū)運(yùn)動(dòng)方向與x軸正方向的夾角。滿足:cos "1°.62 d2所以它在無磁場區(qū)的路程s=e =0.1 m在無磁場區(qū)運(yùn)動(dòng)時(shí)間t3=1X10 4 sV2總時(shí)間 t=ti+t2+t3=3.57X10-4s。2 .如圖2所示,相距為d、板間電壓為U的平行金屬板 M N間有垂直紙面向里、磁感應(yīng)強(qiáng)度為R的勻強(qiáng)磁場;在POy區(qū)域內(nèi)有垂直紙面向外、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場;POx區(qū)域?yàn)闊o場區(qū)。一正離子沿平行于金屬板、垂直磁場射入兩板間并做勻速直線運(yùn)動(dòng),從H0,

4、a)點(diǎn)垂直y軸進(jìn)入第I象限。圖2(1)求離子在平行金屬板間的運(yùn)動(dòng)速度;(2)若離子經(jīng)OP上某點(diǎn)離開磁場,最后垂直 x軸離開第I象限,求離子在第I象限磁場區(qū)域的運(yùn)動(dòng)時(shí) 間;要使離子一定能打在x軸上,則離子的荷質(zhì)比m滿足什么條件?U【解析】(1)離子在平行板內(nèi)做勻速直線運(yùn)動(dòng),有Bqv= Eq,又E=U解得離子在平行板內(nèi)的速度為:4南L叼力囪力*尸笛力內(nèi)酌一勤、囪由,# 土,力a(2)dPsl如圖為離子在第一象限內(nèi)的運(yùn)動(dòng)軌跡圖,由幾何關(guān)系可得,軌跡半徑為=萬軌跡對(duì)應(yīng)的圓心角為e=:運(yùn)動(dòng)的周期為:T=1=氣魯、一一lie49 . T 兀 adB運(yùn)動(dòng)時(shí)間為: t = T= = Til。2 7t 44U.

5、' .J2,由幾何關(guān)系可3 3) °要使粒子一定能打到 x軸上,離子在磁場中運(yùn)動(dòng)的最小半徑為得2+ 2r2= aa解得:2=產(chǎn)1 + '2,v2q vU qU由qvB=窄可得:才加=(1+%2)病,即嬴(1+2)而Ba。3 .如圖3所示,間距為L、電阻不計(jì)的足夠長雙斜面型平行導(dǎo)軌,左導(dǎo)軌光滑,右導(dǎo)軌粗糙,左、右 導(dǎo)軌分別與水平面成 “、3角,分別有垂直于導(dǎo)軌斜面向上的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、B2的勻強(qiáng)磁場,兩處的磁場互不影響。質(zhì)量為m電阻均為r的導(dǎo)體棒ab、cd與兩平行導(dǎo)軌垂直放置且接觸良好。ab棒由靜止釋放,cd棒始終靜止不動(dòng)。求:圖3(1) ab棒速度大小為v時(shí)通過cd棒

6、的電流大小和cd棒受到的摩擦力大小。(2) ab棒勻速運(yùn)動(dòng)時(shí)速度大小及此時(shí)cd棒消耗的電功率?!窘馕觥?1)當(dāng)導(dǎo)體棒ab的速度為v時(shí),其切割磁感線產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢大小為:E= BLv導(dǎo)體棒ab、cd串聯(lián),由全電路歐姆定律有:I =5BLv_聯(lián)立式解得流過導(dǎo)體棒 cd的電流大小為:I = -2丁區(qū)導(dǎo)體棒cd所受安培力為:F2= RIL若mgsin 3 >F2,則摩擦力大小為:B1B2L2v f 1 = mgsin 3 F2= mgsin 3 2若mgsin3 WF2,則摩擦力大小為:BB2L2vf2 = F2-mcsin 3 = 2mgsin 3。(2)設(shè)導(dǎo)體棒ab勻速運(yùn)動(dòng)時(shí)速度為v0,此

7、時(shí)導(dǎo)體棒ab產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢為:Eo=BLv。流過導(dǎo)體棒ab的電流大小為:I°=21導(dǎo)體棒ab所受安培力為:Fi = BI oL導(dǎo)體棒ab勻速運(yùn)動(dòng),滿足:mcsin a F1 = 0聯(lián)立式解得:vo= 2婚2: 2 ”2m2g2rsin 2 a此時(shí)cd棒消耗的電功率為:P= 10R=u B2L24 .如圖4所示,在勻強(qiáng)電場中建立直角坐標(biāo)系xOy, y軸豎直向上,一質(zhì)量為 m電荷量為+ q的微粒從x軸上的M點(diǎn)射出,方向與x軸夾角為0 ,微粒恰能以速度 v做勻速直線運(yùn)動(dòng),重力加速度為g。(1)求勻強(qiáng)電場場強(qiáng) E的大小及方向;MN=求磁(2)若再疊加一圓形邊界的勻強(qiáng)磁場,使微粒能到達(dá)x軸上

8、的N點(diǎn),M N兩點(diǎn)關(guān)于原點(diǎn) O對(duì)稱,L,微粒運(yùn)動(dòng)軌跡也關(guān)于 y軸對(duì)稱。已知所疊加磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直xOy平面向外。場區(qū)域的最小面積 S及微粒從M運(yùn)動(dòng)到N的時(shí)間t。【解析】(1)當(dāng)微粒在電場中做勻速直線運(yùn)動(dòng)時(shí),它所受的電場力與重力平衡。所以有:qE mg= 0 由式可解得:E= qE的方向豎直向上。(2)微粒在磁場中運(yùn)動(dòng),由洛倫茲力和向心力公式得:_ rmv _由式得:R= mv qB如圖所示,當(dāng)PQ為圓形磁場的直徑時(shí),圓形磁場面積最小。由幾何知識(shí)可得:r=FSin 02其面積S=兀r兀 >v2sin 2 0q2B2 2" R 一又由圓周運(yùn)動(dòng)規(guī)律可得:T= v根據(jù)

9、幾何關(guān)系可知偏轉(zhuǎn)角為 20 ,則在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間:202 0 m一T 2 qB又 MP= QN =L 2Rsin2cos 0MP且有tT故微粒從M運(yùn)動(dòng)到N的時(shí)間:t=tl+t2+t3=qBL D2m也1n 9 +2誓。?qBvsos 0 qB5 .如圖5甲所示,在xOy平面內(nèi)存在均勻、大小隨時(shí)間周期性變化的磁場和電場,變化規(guī)律分別如圖 乙、丙所示(規(guī)定垂直紙面向里為磁感應(yīng)強(qiáng)度的正方向、沿y軸正方向?yàn)殡妶鰪?qiáng)度的正方向 )。在t = 0時(shí)刻由原點(diǎn)O發(fā)射初速度大小為 V0,方向沿y軸正方向的帶負(fù)電粒子。已知 V0、t0、R,粒子的比荷為不Bot 0計(jì)粒子的重力。求:04 2M &Ur %

10、內(nèi)(1) t= t。時(shí),求粒子的位置坐標(biāo);(2)若t = 5t。時(shí)粒子回到原點(diǎn),求 05t0時(shí)間內(nèi)粒子距x軸的最大距離;(3)若粒子能夠回到原點(diǎn),求滿足條件的所有已值?!窘馕觥坑闪W拥谋群蒻=最則粒子做圓周運(yùn)動(dòng)的周期丁=篇m=2t°則在。to內(nèi)轉(zhuǎn)過的圓心角a =兀2 V0由牛頓第二th律qv0B= mV0t 0兀r i得r i粒子的位置坐標(biāo)為佇蟲,0 ;。 I兀 J(2)粒子在t=5t0時(shí)回到原點(diǎn),軌跡如圖所示2=21兀B0t?2vot 0 r 2兀mv mv r1 = Bq r2=B0q一q得 V2=2v0 又一= m粒子在t°2t0時(shí)間內(nèi)做勻加速直線運(yùn)動(dòng),2 t。3t。

11、時(shí)間內(nèi)做勻速圓周運(yùn)動(dòng),則在 5t0時(shí)間內(nèi)粒子距 x軸的最大距離:x軸上方做圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑為ri,在x軸下方做圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑為 七,由幾何關(guān)系可知,要使粒子經(jīng)過原點(diǎn),則必須滿足:n(2 r 2- 2r i) = 2ri(n=1,2,3 ,)mv mvr1 = B0q r2=B0q一、, n n n n+1聯(lián)立以上解得v=一Vo nEqto又由于v=VoHmVoBo,得 Eo=(n= 1,2,3 ,)。n兀6.如圖6所示,真空中以 O為圓心,半徑 r=0.1 m的圓形區(qū)域內(nèi)只存在垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場, 圓形區(qū)域的最下端與 xOy坐標(biāo)系的x軸相切于坐標(biāo)原點(diǎn) O,圓形區(qū)域的右端與平行y軸的虛

12、線MM目切,在虛線MN&側(cè)x軸的上方足夠大的范圍內(nèi)有方向水平向左的勻強(qiáng)電場,電場強(qiáng)度E= 1.0X105 N/C 。現(xiàn)從坐標(biāo)原點(diǎn)O沿xOy平面在y軸兩側(cè)各30°角的范圍內(nèi)發(fā)射速率均為v°=1.0X106 m/s的帶正電粒子,粒子在磁場中的偏轉(zhuǎn)半徑也為r = 0.1 m ,已知粒子的比荷mm= 1.0X108 C/kg ,不計(jì)粒子的重力、粒子對(duì)電磁場的影響及粒子間的相互作用力,求:圖8(1)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度 B的大?。?2)沿y軸正方向射入磁場的粒子,在磁場和電場中運(yùn)動(dòng)的總時(shí)間;(3)若將勻強(qiáng)電場的方向改為豎直向下,其它條件不變,則粒子達(dá)到x軸的最遠(yuǎn)位置與最近位置的橫

13、坐標(biāo)之差。2v。 一一【解析】(1)帶電粒子在磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),由qv°B= mm;,可得:B= 0.1 T o(2)分析可知,帶電粒子運(yùn)動(dòng)過程如圖所示,由粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的周期271r ,1丁 兀 r ti T42vo粒子在電場中的加速度qE a=一 m粒子在電場中減速到 0的時(shí)間:Vo mvt2 = - = a qE由對(duì)稱性,可知運(yùn)動(dòng)的總時(shí)間:兀 r 2mvt = 2t i + 2t 2=1 voqE即 t =5.i4 X io 7 s。(3)由題意分析可知,當(dāng)粒子沿著y軸兩側(cè)30°角射入時(shí),將會(huì)沿著水平方向射出磁場區(qū)域,之后垂直虛線MN別從P'、Q'

14、;射入電場區(qū),做類平拋運(yùn)動(dòng),最終到達(dá)X軸的位置分別為最遠(yuǎn)位置P和最近位置到x軸的距離yi= 1.5 r,由幾何關(guān)系P'2yi_11 =qE最遠(yuǎn)位置 P坐標(biāo)為Xi=Voti = Vo3mrqEQ到X軸的距離y2= 0.5 rmrqE2y2a 一最近位置Q坐標(biāo)為mrqEX2= Vot 2= Vo所以,坐標(biāo)之差為mrqEA x = xi X2= ( 3 i) VoT=可知粒子第一次在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間:AX=o.o73 2 m 。7 .如圖7所示,在xOy平面直角坐標(biāo)系中,直線 MNT y軸成30。角,P點(diǎn)的坐標(biāo)為'5普a, o ;,在y軸與直線MN間的區(qū)域內(nèi),存在垂直于xOy平面向外

15、、磁感應(yīng)弓雖度為 B的勻強(qiáng)磁場。在直角坐標(biāo)系xOy1的第IV象限區(qū)域內(nèi)存在沿 y軸方向、大小為E= 2Bv0的勻強(qiáng)電場,在x= 3a處垂直于x軸放置一平面天光屏,與x軸交點(diǎn)為Q電子束以相同的速度 V0從y軸上0wyw2 a的區(qū)間垂直于y軸和磁場方向射入磁場。已知從y= 2a點(diǎn)射入的電子在磁場中軌跡恰好經(jīng)過O點(diǎn),忽略電子間的相互作用,不計(jì)電子的重力。求:圖7 e(i)電子的比荷布;(2)電子離開磁場垂直 y軸進(jìn)入電場的位置的范圍;(3)從y軸哪個(gè)位置進(jìn)入電場的電子打到熒光屏上距Q點(diǎn)的距離最遠(yuǎn)?最遠(yuǎn)距離為多少?2vo 一 e vo【解析】(1)由題息可知電子在磁場中的半徑為a,由Bev)=m,得:

16、-=左。r m Ba(2)粒子進(jìn)入磁場中,且在O點(diǎn)下方最遠(yuǎn),則粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)圓軌跡必須與直線MNf切,粒子軌道的圓心為O'點(diǎn),yOPOM則O' M= 2a,由三角函數(shù)關(guān)系可得:tan 30.一 5得:O阱2a,有OO =0.5 a,即粒子在離開磁場離O點(diǎn)下萬最遠(yuǎn)距離為 ym= 1.5 a,從y軸進(jìn)入電場位置在0w y< 1.5 a范圍內(nèi)。(3)電子在電場中做類平拋運(yùn)動(dòng),設(shè)電子在電場的運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t,豎直方向位移為 V,水平位移為x, x=v°t1Ee 2豎直方向有:y= 2 mt2代入得:x2= 4ay設(shè)電子最終打在熒光屏的最遠(yuǎn)點(diǎn)距Q點(diǎn)為H電子射出電場時(shí)與 x軸

17、正方向的夾角為 9 ,則有:tanEqx mvo 4 ay vo 2a有:H= (3 ax)tan0 = (3 a4ay) ,當(dāng)(3 a、4ay) =4ay時(shí),即丫=石2時(shí),H有最大值,由于 a< 1.5 a,所以HUx=-ao 161688 .如圖8所示,在xOy平面內(nèi),以 O (0 ,吊為圓心、R為半徑的圓內(nèi)有垂直平面向外的勻強(qiáng)磁場,x軸下方有垂直平面向里的勻強(qiáng)磁場,兩區(qū)域磁感應(yīng)強(qiáng)度大小相等。第四象限有一與x軸成45。角傾斜放置的擋板PQ P、Q兩點(diǎn)在坐標(biāo)軸上,且 OP兩點(diǎn)間的距離大于 2R,在圓形磁場的左側(cè) 0<y<2R的區(qū)間內(nèi),均勻 分布著質(zhì)量為 m電荷量為+ q的一簇帶電粒子,當(dāng)所有粒子均沿 x軸正向以速度v射入圓形磁場區(qū)域時(shí), 粒子偏轉(zhuǎn)后都從 O點(diǎn)進(jìn)入x軸下方磁場,結(jié)果有一半粒子能打在擋板上。不計(jì)粒子重力、不考慮粒子間相 互作用力。求:圖8(1)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度 B的大?。?2)擋板端點(diǎn)P的坐標(biāo);(3)擋板上被粒子打中的區(qū)域長度?!窘馕觥?1)設(shè)一粒子自磁場邊界A點(diǎn)進(jìn)入磁場,該粒子由O點(diǎn)射出圓形磁場,軌跡如圖甲所示,過點(diǎn)做速度的垂線長度為 r, C為該軌跡圓的圓心。連接 AO2v系可知:粒子在圓形磁場中的軌道半徑r = R,由qvB= m-CO可證得ACOO為菱形,根據(jù)

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