電工二極管知識大全之原理、應用、分類、特性、參數、識別、命名等等

1、二極管-知識大全之 原理、應用、分類、特性、參數、識別、命名等等二極管又稱晶體二極管,簡稱二極管(diode);它只往一個方向傳送電流的電子零件。它是一種具有1個零件號接合的2個端子的器件，具有按照外加電壓的方向，使電流流動或不流動的性質。晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。二極管圖示編輯本段二極管的特性二極管是一種具有單向導電的二端器件，有電子二極管和晶體二極管之分，電子二極管現以很少見到，比較常見和常用的多是晶體二極

2、管。二極管的單向導電特性，幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導體器件之一，其應用也非常1廣泛。 二極管的管壓降：硅二極管（不發(fā)光類型）正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降為0.3V,發(fā)光二極管正向管壓降為隨不同發(fā)光顏色而不同。 二極管的電壓與電流不是線性關系，所以在將不同的二極管并聯的時候要接相適應的電阻。 編輯本段二極管的應用1、整流二極管利用二極管單向導電性，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈沖直流電。 2、開關元件二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導通狀態(tài)，相當于一只接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止狀態(tài)

3、，如同一只斷開的開關。利用二極管的開關特性，可以組成各種邏輯電路。 3、限幅元件 二極管正向導通后，它的正向壓降基本保持不變（硅管為0.7V，鍺管為0.3V）。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限制在一定范圍內。 4、繼流二極管 在開關電源的電感中和繼電器等感性負載中起繼流作用。 5、檢波二極管在收音機中起檢波作用。 6、變容二極管使用于電視機的高頻頭中。 7、顯示元件 用于VCD、DVD、計算器等顯示器上。 8、穩(wěn)壓二極管 反向擊穿電壓恒定，且擊穿后可恢復，利用這一特性可以實現穩(wěn)壓電路。 編輯本段二極管的工作原理二極管實物晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結

4、，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。p-n結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。 編輯本段二極管的類

5、型二極管種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據其不同用途，可分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關二極管、隔離二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率開關二極管、旋轉二極管等。按照管芯結構，又可分為點接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。點接觸型二極管是用一根很細的金屬絲壓在光潔的半導體晶片表面，通以脈沖電流，使觸絲一端與晶片牢固地燒結在一起，形成一個“PN結”。由于是點接觸，只允許通過較小的電流（不超過幾十毫安），適用于高頻小電流電路，如收音機的檢波等。面接觸型二極管的“PN結”面積較大，允許通過較大的電流（幾安到幾十安），主要用于把

6、交流電變換成直流電的“整流”電路中。平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩(wěn)定可靠，多用于開關、脈沖及高頻電路中。 貼片二極管編輯本段根據構造分類半導體二極管主要是依靠PN結而工作的。與PN結不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內。包括這兩種型號在內，根據PN結構造面的特點，把晶體二極管分類如下： 點接觸型二極管點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結型相比較，點接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因為構造簡單，所以價格便宜

7、。對于小信號的檢波、整流、調制、混頻和限幅等一般用途而言，它是應用范圍較廣的類型。 鍵型二極管鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結電容量稍有增加，但正向特性特別優(yōu)良。多作開關用，有時也被應用于檢波和電源整流（不大于50mA）。在鍵型二極管中，熔接金絲的二極管有時被稱金鍵型，熔接銀絲的二極管有時被稱為銀鍵型。 合金型二極管在N型鍺或硅的單晶片上，通過合金銦、鋁等金屬的方法制作PN結而形成的。正向電壓降小，適于大電流整流。因其PN結反向時靜電容量大，所以不適于高頻檢波和高頻整流。 擴散型二極管在高

8、溫的P型雜質氣體中，加熱N型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成P型，以此法PN結。因PN結正向電壓降小，適用于大電流整流。最近，使用大電流整流器的主流已由硅合金型轉移到硅擴散型。 臺面型二極管PN結的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留PN結及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現出臺面形，因而得名。初期生產的臺面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴散臺面型。對于這一類型來說，似乎大電流整流用的產品型號很少，而小電流開關用的產品型號卻很多。 平面型二極管在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，

9、在N型硅單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩(wěn)定性好和壽命長的類型。最初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。 合金擴散型二極管它是合金型的一種。合金材料是容易被擴散的材料。把難以制作的材料通過巧妙地摻配雜質，就能與合金一起過擴散，以便在已經形成的PN結中獲得雜質的恰當的濃度分布。此法適用于制造高靈敏度的變容二極管。 外延型二極管用外延面長

10、的過程制造PN結而形成的二極管。制造時需要非常高超的技術。因能隨意地控制雜質的不同濃度的分布，故適宜于制造高靈敏度的變容二極管。 肖特基二極管基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N型硅片）的接觸面上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長是：開關速度非?？欤悍聪蚧謴蜁r間trr特別地短。因此，能制作開關二極和低壓大電流整流二極管。 編輯本段根據用途分類1、檢波用二極管就原理而言，從輸入信號中取出調制信號是檢波，以整流電流的大?。?00mA）作為界線通常把輸出電流小于100mA的叫檢波。鍺材料點接觸型、工作頻率可達400MHz

11、，正向壓降小，結電容小，檢波效率高，頻率特性好，為2AP型。類似點觸型那樣檢波用的二極管，除用于檢波外，還能夠用于限幅、削波、調制、混頻、開關等電路。也有為調頻檢波專用的特性一致性好的兩只二極管組合件。 2、整流用二極管就原理而言，從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大?。?00mA）作為界線通常把輸出電流大于100mA的叫整流。面結型，工作頻率小于KHz，最高反向電壓從25伏至3000伏分AX共22檔。分類如下：硅半導體整流二極管2CZ型、硅橋式整流器QL型、用于電視機高壓硅堆工作頻率近100KHz的2CLG型。 內部結構3、限幅用二極管大多數二極管能作為限幅使用。也有象保護儀表用

12、和高頻齊納管那樣的專用限幅二極管。為了使這些二極管具有特別強的限制尖銳振幅的作用，通常使用硅材料制造的二極管。也有這樣的組件出售：依據限制電壓需要，把若干個必要的整流二極管串聯起來形成一個整體。 4、調制用二極管通常指的是環(huán)形調制專用的二極管。就是正向特性一致性好的四個二極管的組合件。即使其它變容二極管也有調制用途，但它們通常是直接作為調頻用。 5、混頻用二極管使用二極管混頻方式時，在50010,000Hz的頻率范圍內，多采用肖特基型和點接觸型二極管。 6、放大用二極管用二極管放大，大致有依靠隧道二極管和體效應二極管那樣的負阻性器件的放大，以及用變容二極管的參量放大。因此，放大用二極管通常是指

13、隧道二極管、體效應二極管和變容二極管。 7、開關用二極管有在小電流下（10mA程度）使用的邏輯運算和在數百毫安下使用的磁芯激勵用開關二極管。小電流的開關二極管通常有點接觸型和鍵型等二極管，也有在高溫下還可能工作的硅擴散型、臺面型和平面型二極管。開關二極管的特長是開關速度快。而肖特基型二極管的開關時間特短，因而是理想的開關二極管。2AK型點接觸為中速開關電路用；2CK型平面接觸為高速開關電路用；用于開關、限幅、鉗位或檢波等電路；肖特基（SBD）硅大電流開關，正向壓降小，速度快、效率高。 8、變容二極管 用于自動頻率控制（AFC）和調諧用的小功率二極管稱變容二極管。日本廠商方面也有其它許多叫法。通

14、過施加反向電壓， 使其PN結的靜電容量發(fā)生變化。因此，被使用于自動頻率控制、掃描振蕩、調頻和調諧等用途。通常，雖然是采用硅的擴散型二極管，但是也可采用合金擴散型、外延結合型、雙重擴散型等特殊制作的二極管，因為這些二極管對于電壓而言，其靜電容量的變化率特別大。結電容隨反向電壓VR變化，取代可變電容，用作調諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路，常用于電視機高頻頭的頻道轉換和調諧電路，多以硅材料制作。 9、頻率倍增用二極管對二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變容二極管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變容二極管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變容二極管的工作原理相同，但

15、電抗器的構造卻能承受大功率。階躍二極管又被稱為階躍恢復二極管，從導通切換到關閉時的反向恢復時間trr短，因此，其特長是急速地變成關閉的轉移時間顯著地短。如果對階躍二極管施加正弦波，那么，因tt（轉移時間）短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產生很多高頻諧波。 10、穩(wěn)壓二極管 是代替穩(wěn)壓電子二極管的產品。被制作成為硅的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管。作為控制電壓和標準電壓使用而制作的。二極管工作時的端電壓（又稱齊納電壓）從3V左右到150V，按每隔10%，能劃分成許多等級。在功率方面，也有從200mW至100W以上的產品。工作在反向擊穿狀態(tài)，硅材料制作，動態(tài)電阻RZ很小，一般

16、為2CW型；將兩個互補二極管反向串接以減少溫度系數則為2DW型。 11、PIN型二極管（PIN Diode） 這是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導體（或低濃度雜質的半導體）構造的晶體二極管。PIN中的I是"本征"意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時，由于少數載流子的存貯效應和"本征"層中的渡越時間效應，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時，"本征"區(qū)的阻抗很高；在直流正向偏置時，由于載流子注入"本征"區(qū)，而使"本征"區(qū)呈現出低阻抗狀

17、態(tài)。因此，可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應用于高頻開關（即微波開關）、移相、調制、限幅等電路中。 12、 雪崩二極管 (Avalanche Diode) 它是在外加電壓作用下可以產生高頻振蕩的晶體管。產生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯后于電壓，出現延遲時間，若適當地控制渡越時間，那么，在電流和電壓關系上就會出現負阻效應，從而產生高頻振蕩。它常被應用于微波領域的振蕩電路中。 13、江崎二極管 （Tunnel Diode） 它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區(qū)的N型區(qū)是高

18、摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態(tài)半導體的量子力學效應所產生。發(fā)生隧道效應具備如下三個條件：費米能級位于導帶和滿帶內；空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；簡并半導體P型區(qū)和N型區(qū)中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比（IPPV），其中，下標"P"代表"峰"；而下標"V"代表"谷"。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關電路中。 14、快速關斷（階躍恢復）二極管 (Step Rec

19、ovary Diode) 它也是一種具有PN結的二極管。其結構上的特點是：在PN結邊界處具有陡峭的雜質分布區(qū)，從而形成"自助電場"。由于PN結在正向偏壓下，以少數載流子導電，并在PN結附近具有電荷存貯效應，使其反向電流需要經歷一個"存貯時間"后才能降至最小值（反向飽和電流值）。階躍恢復二極管的"自助電場"縮短了存貯時間，使反向電流快速截止，并產生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發(fā)生電路。快速關斷（階躍恢復）二極管用于脈沖和高次諧波電路中。 15、肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode） 二極管電路

20、它是具有肖特基特性的"金屬半導體結"的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且，MIS（金屬絕緣體半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。 16、阻尼二極管具有較高的反向工作電壓和峰值電流，正向壓降小，高頻高壓整流二極管，用在電視機行掃描電路作阻尼和升

21、壓整流用。 17、瞬變電壓抑制二極管TVP管，對電路進行快速過壓保護，分雙極型和單極型兩種，按峰值功率（500W5000W）和電壓（8.2V200V）分類。 18、雙基極二極管（單結晶體管） 兩個基極，一個發(fā)射極的三端負阻器件，用于張馳振蕩電路，定時電壓讀出電路中，它具有頻率易調、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點。 19、發(fā)光二極管 用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成，體積小，正向驅動發(fā)光。工作電壓低，工作電流小，發(fā)光均勻、壽命長、可發(fā)紅、黃、綠單色光。 20.、硅功率開關二極管 硅功率開關二極管具有高速導通與截止的能力。它主要用于大功率開關或穩(wěn)壓電路、直流變換器、高速電機調速及在驅動電路中作高頻整流及續(xù)流箝拉,具

22、有恢復特性軟、過載能力強的優(yōu)點、廣泛用于計算機、雷達電源、步進電機調速等方面。 21、旋轉二極管 主要用于無刷電機勵磁、也可作普通整流用。 編輯本段根據特性分類點接觸型二極管，按正向和反向特性分類如下。 1、一般用點接觸型二極管 這種二極管正如標題所說的那樣，通常被使用于檢波和整流電路中，是正向和反向特性既不特別好，也不特別壞的中間產品。如：SD34、SD46、1N34A等等屬于這一類。 2、高反向耐壓點接觸型二極管 是最大峰值反向電壓和最大直流反向電壓很高的產品。使用于高壓電路的檢波和整流。這種型號的二極管一般正向特性不太好或一般。在點接觸型鍺二極管中，有SD38、1N38A、OA81等等。

23、這種鍺材料二極管，其耐壓受到限制。要求更高時有硅合金和擴散型。 3、高反向電阻點接觸型二極管 正向電壓特性和一般用二極管相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高，但反向電流小，因此其特長是反向電阻高。使用于高輸入電阻的電路和高阻負荷電阻的電路中，就鍺材料高反向電阻型二極管而言，SD54、1N54A等等屬于這類二極管。 4、高傳導點接觸型二極管 它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠小。對高傳導點接觸型二極管而言，有SD56、1N56A等等。對高傳導鍵型二極管而言，能夠得到更優(yōu)良的特性。這類二極管，在負荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。 編輯本段二極管的導電特性二極管最重要的

24、特性就是單方向導電性。在電路中，電流只能從二極管的正極流入，負極流出。下面通過簡單的實驗說明二極管的正向特性和反向特性。 正向特性在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負極接在低電位端，二極管就會導通，這種連接方式，稱為正向偏置。必須說明，當加在二極管兩端的正向電壓很小時，二極管仍然不能導通，流過二極管的正向電流十分微弱。只有當正向電壓達到某一數值（這一數值稱為“門坎電壓”，又稱“死區(qū)電壓”，鍺管約為0.1V，硅管約為0.5V）以后，二極管才能直正導通。導通后二極管兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0.3V，硅管約為0.7V），稱為二極管的“正向壓降”。 反向特性在電子電路中，二極管的正極

25、接在低電位端，負極接在高電位端，此時二極管中幾乎沒有電流流過，此時二極管處于截止狀態(tài)，這種連接方式，稱為反向偏置。二極管處于反向偏置時，仍然會有微弱的反向電流流過二極管，稱為漏電流。當二極管兩端的反向電壓增大到某一數值，反向電流會急劇增大，二極管將失去單方向導電特性，這種狀態(tài)稱為二極管的擊穿。 編輯本段二極管的主要參數用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術指標，稱為二極管的參數。不同類型的二極管有不同的特性參數。對初學者而言，必須了解以下幾個主要參數： 1、最大整流電流是指二極管長期連續(xù)工作時允許通過的最大正向電流值，其值與PN結面積及外部散熱條件等有關。因為電流通過管子時會使管芯發(fā)熱，溫度

26、上升，溫度超過容許限度（硅管為141左右，鍺管為90左右）時，就會使管芯過熱而損壞。所以在規(guī)定散熱條件下，二極管使用中不要超過二極管最大整流電流值。例如，常用的IN40014007型鍺二極管的額定正向工作電流為1A。 2、最高反向工作電壓加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時，會將管子擊穿，失去單向導電能力。為了保證使用安全，規(guī)定了最高反向工作電壓值。例如，IN4001二極管反向耐壓為50V，IN4007反向耐壓為1000V。 3、反向電流反向電流是指二極管在規(guī)定的溫度和最高反向電壓作用下，流過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系，大

27、約溫度每升高10，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25時反向電流若為250uA，溫度升高到35，反向電流將上升到500uA，依此類推，在75時，它的反向電流已達8mA，不僅失去了單方向導電特性，還會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25時反向電流僅為5uA，溫度升高到75時，反向電流也不過160uA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。 4.動態(tài)電阻Rd 二極管特性曲線靜態(tài)工作點Q附近電壓的變化與相應電流的變化量之比。 編輯本段半導體二極管參數符號及其意義CT-勢壘電容Cj-結（極間）電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容 Cjv-偏壓結電

28、容 Co-零偏壓電容 Cjo-零偏壓結電容 Cjo/Cjn-結電容變化 Cs-管殼電容或封裝電容 Ct-總電容 CTV-電壓溫度系數。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比 CTC-電容溫度系數 Cvn-標稱電容 IF-正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數時給定的電流 IF（AV）-正向平均電流 IFM（IM）-正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大

29、正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。 IH-恒定電流、維持電流。 Ii- 發(fā)光二極管起輝電流 IFRM-正向重復峰值電流 IFSM-正向不重復峰值電流（浪涌電流） Io-整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流 IF(ov)-正向過載電流 IL-光電流或穩(wěn)流二極管極限電流 ID-暗電流 IB2-單結晶體管中的基極調制電流 IEM-發(fā)射極峰值電流 IEB10-雙基極單結晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流 IEB20-雙基極單結晶體管中發(fā)射極向電流 ICM-最大輸出平均電流 IFMP-正向脈沖電流 IP-峰點電流 IV-谷點電流 IGT-晶閘管控制極觸發(fā)電流 IGD-晶閘管控制

30、極不觸發(fā)電流 IGFM-控制極正向峰值電流 IR（AV）-反向平均電流 IR（In）-反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。 IRM-反向峰值電流 IRR-晶閘管反向重復平均電流 IDR-晶閘管斷態(tài)平均重復電流 IRRM-反向重復峰值電流 IRSM-反向不重復峰值電流（反向浪涌電流） Irp-反向恢復電流 Iz-穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流 I

31、zk-穩(wěn)壓管膝點電流 IOM-最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流 IZSM-穩(wěn)壓二極管浪涌電流 IZM-最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流 iF-正向總瞬時電流 iR-反向總瞬時電流 ir-反向恢復電流 Iop-工作電流 Is-穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流 f-頻率 n-電容變化指數；電容比 Q-優(yōu)值（品質因素） vz-穩(wěn)壓管電壓漂移 di/dt-通態(tài)電流臨界上升率 dv/dt-通態(tài)電壓臨界上升率 PB-承受脈沖燒毀功率 PFT（AV）-正向導通平均耗散功率 PFTM-正向峰值耗散功率

32、PFT-正向導通總瞬時耗散功率 Pd-耗散功率 PG-門極平均功率PGM-門極峰值功率 PC-控制極平均功率或集電極耗散功率 Pi-輸入功率 PK-最大開關功率 PM-額定功率。硅二極管結溫不高于150度所能承受的最大功率 PMP-最大漏過脈沖功率 PMS-最大承受脈沖功率 Po-輸出功率 PR-反向浪涌功率 Ptot-總耗散功率 Pomax-最大輸出功率 Psc-連續(xù)輸出功率 PSM-不重復浪涌功率 PZM-最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率 RF（r）-正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量V，正向

33、電流相應增加I，則V/I稱微分電阻 RBB-雙基極晶體管的基極間電阻 RE-射頻電阻 RL-負載電阻 Rs(rs)-串聯電阻 Rth-熱阻 R(th)ja-結到環(huán)境的熱阻 Rz(ru)-動態(tài)電阻 R(th)jc-結到殼的熱阻 r -衰減電阻 r(th)-瞬態(tài)電阻 Ta-環(huán)境溫度 Tc-殼溫 td-延遲時間 tf-下降時間 tfr-正向恢復時間 tg-電路換向關斷時間 tgt-門極控制極開通時間 Tj-結溫 Tjm-最高結溫 ton-開通時間 toff-關斷時間 tr-上升時間 trr-反向恢復時間 ts-存儲時間 tstg-溫度補償二極管的貯成溫度 a-溫度系數 p-發(fā)光峰值波長 -光譜半寬度

34、 -單結晶體管分壓比或效率 VB-反向峰值擊穿電壓Vc-整流輸入電壓 VB2B1-基極間電壓 VBE10-發(fā)射極與第一基極反向電壓 VEB-飽和壓降 VFM-最大正向壓降（正向峰值電壓） VF-正向壓降（正向直流電壓） VF-正向壓降差 VDRM-斷態(tài)重復峰值電壓 VGT-門極觸發(fā)電壓 VGD-門極不觸發(fā)電壓 VGFM-門極正向峰值電壓 VGRM-門極反向峰值電壓 VF（AV）-正向平均電壓 Vo-交流輸入電壓 VOM-最大輸出平均電壓 Vop-工作電壓 Vn-中心電壓 Vp-峰點電壓 VR-反向工作電壓（反向直流電壓） VRM-反向峰值電壓（最高測試電壓） V（BR）-擊穿電壓 Vth-閥電

35、壓（門限電壓、死區(qū)電壓） VRRM-反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓） VRWM-反向工作峰值電壓V v-谷點電壓 Vz-穩(wěn)定電壓 Vz-穩(wěn)壓范圍電壓增量 Vs-通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓 av-電壓溫度系數 Vk-膝點電壓（穩(wěn)流二極管） VL -極限電壓 編輯本段二極管的識別小功率二極管的N極（負極），在二極管外表大多采用一種色圈標出來，有些二極管也用二極管專用符號來表示P極（正極）或N極（負極）,也有采用符號標志為“P”、“N”來確定二極管極性的。發(fā)光二極管的正負極可從引腳長短來識別，長腳為正，短腳為負。用數字式萬用表去測二極管時，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負極，此時測得的阻值才是二極管的正向導通阻值，這與指針式萬用表的表筆接法剛好相反。 半導體是一種具有特殊性質的物質，它不像導體一樣能夠完全導電，又不像絕緣體那樣不能導電，它介于兩者之間，所以稱為半導體。半導體最重要的兩種元素是硅（讀“gui”）和