微電子器件(35)(1)

1、 ：VBE 0 、VBC = = 0 時(shí)的時(shí)的 IE ，即單個(gè)發(fā)射結(jié)的反向，即單個(gè)發(fā)射結(jié)的反向飽和電流。飽和電流。VBEIES EBCN+PN ：VBC 0 、IE = = 0 時(shí)的時(shí)的 IC ，在共基極電路放大區(qū)中，在共基極電路放大區(qū)中，CBORCS(1)IIVBCICBO EBCN+PN ：VBC 0 、VBE = = 0 時(shí)的時(shí)的 IC ，即單個(gè)集電結(jié)的反向，即單個(gè)集電結(jié)的反向飽和電流。飽和電流。VBCICS EBCN+PNCBOECIII ：VBE 0 、IC = = 0 時(shí)的時(shí)的 IE ，EBORES(1)IIVBEIEBO EBCN+PN ：VBC 0 、IB = = 0 時(shí)的時(shí)的

2、 IC ，在共發(fā)射極電路放大區(qū)中，在共發(fā)射極電路放大區(qū)中， CBOCEOCBO1IIIVCEICEO EBCN+PNCEOBCIII 當(dāng)發(fā)射極開路時(shí)，當(dāng)發(fā)射極開路時(shí)，IE = = 0 ，但這并不意味著，但這并不意味著 VBE = = 0 。那么。那么VBE 應(yīng)當(dāng)為多少呢？根據(jù)邊界條件知，當(dāng)應(yīng)當(dāng)為多少呢？根據(jù)邊界條件知，當(dāng) VBC 0 時(shí)，在基區(qū)中時(shí)，在基區(qū)中靠近集電結(jié)的一側(cè)，靠近集電結(jié)的一側(cè)， 0expBC0pBpkTqVnWnVCBICBOIE = 0浮空電勢(shì)浮空電勢(shì)EBCN+PN 基區(qū)中的部分少子電子被集電結(jié)基區(qū)中的部分少子電子被集電結(jié)上的反偏掃入集電區(qū)，但因上的反偏掃入集電區(qū)，但因 IE

3、 = = 0 ，基區(qū)少子得不到補(bǔ)充，使在靠近發(fā)射基區(qū)少子得不到補(bǔ)充，使在靠近發(fā)射結(jié)一側(cè)結(jié)一側(cè) np(0) np0 ，根據(jù)邊界條件，根據(jù)邊界條件 ，這說明發(fā)射結(jié)上存在一個(gè)反向電壓這說明發(fā)射結(jié)上存在一個(gè)反向電壓 ，這就是這就是 。BCBEEESRCSBCBECESCSexp1exp1 exp1exp1qVqVIIIkTkTqVqVIIIkTkT 已知已知 NPN 管的共基極電流電壓方程為管的共基極電流電壓方程為(3-59b)(3-59a)np0np(x)0WBP 型基區(qū)型基區(qū) 將將 IE = = 0 代入方程（代入方程（3-59a），得），得考慮到考慮到 VBC NB NC ，所以，所以 BVCB

4、O 取決于取決于 NC ， BVEBO 取決于取決于 NB ，且，且 BVCBO BVEBO 。 WBN+NP0 集電結(jié)上的反向電壓增大到其勢(shì)壘區(qū)將基區(qū)全部占據(jù)時(shí)集電結(jié)上的反向電壓增大到其勢(shì)壘區(qū)將基區(qū)全部占據(jù)時(shí) ，WB = = 0，這種現(xiàn)象稱為，這種現(xiàn)象稱為 ，相應(yīng)的集電結(jié)反向電壓稱為，相應(yīng)的集電結(jié)反向電壓稱為 ，記為，記為 。 基區(qū)穿通時(shí)，進(jìn)入基區(qū)中的勢(shì)壘區(qū)寬度與基區(qū)寬度相等?；鶇^(qū)穿通時(shí)，進(jìn)入基區(qū)中的勢(shì)壘區(qū)寬度與基區(qū)寬度相等。對(duì)于突變結(jié)，對(duì)于突變結(jié)，2BptCBBsC()2NqVNNWN 增大增大 WB 與與 NB 。這與防止厄爾利。這與防止厄爾利效應(yīng)的措施一致，但與提高放大系數(shù)效應(yīng)的措施一致，但與提高放大系數(shù) 與與 的要求相矛盾。的要求相矛盾。12sCdBptBBCB2()NxVWqNNN 基區(qū)穿通電壓基區(qū)穿通電壓 在平面晶體管中在平面晶體管中 ，NB NC ，勢(shì)壘區(qū)主要向集電區(qū)擴(kuò)展，勢(shì)壘區(qū)主要向集電區(qū)擴(kuò)展 ，一般不易發(fā)生基區(qū)穿通。但可能由于材