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文檔簡介

1、軟開關型電力變換器軟開關型電力變換器 應用背景應用背景 主要思路主要思路緩沖方法、諧振方法緩沖方法、諧振方法 基本概念基本概念開關軌跡、安全工作區(qū)、開關損耗開關軌跡、安全工作區(qū)、開關損耗 典型電路典型電路13.1 硬開關的開通、關斷過程及安全工作區(qū)2n開通:斷態(tài)通態(tài),rT從 0,iT從0線性上升至Io,VT從VD 0n關斷:通態(tài)斷態(tài),rT從0,iT從Io線性下降至0,VT從0 VDq 開通過程中工作點如何從開通過程中工作點如何從A過渡到過渡到C? VT按什么規(guī)律降至按什么規(guī)律降至0?q 關斷過程中工作點從關斷過程中工作點從C如何過渡到如何過渡到A?q VT按什么規(guī)律上升至按什么規(guī)律上升至VD?

2、取決于電?取決于電 路中的電感路中的電感L及開關管的并聯(lián)電容及開關管的并聯(lián)電容C3.1.1 線路電感L=0時開關器件開通關斷過程3開通過程:開通過程:q 有有+VG后延時后延時td,rT,iT Io之之前,前,D仍導電,仍導電,VT=VDq 在在tri期間期間it Io,D仍導電,仍導電,VT VD,AB。 此后,在此后,在tfv期間,期間,iT=Io,D截止,截止,rT,rT從從0 ,VT 0,BC 3.1.1 線路電感L=0時開關器件開通關斷過程4關斷過程:關斷過程:q有有-VG,經存儲時間,經存儲時間trv,然后,然后rT,在在trv期間期間VT VD,D仍截止,仍截止,iT Io,CB

3、 此后,在此后,在tfi期間期間VT=VD,D導電,導電,rT,iT 0,rT 從從0,BA3.1.1 線路電感線路電感L=0時開關器件開通關斷過程時開關器件開通關斷過程(續(xù)續(xù)1)53.1.1 線路電感線路電感L=0時開關器件開通關斷過程時開關器件開通關斷過程(續(xù)續(xù)2)n開通電流iT上升期:iT=Iot/tri n關斷電流iT下降期:iT=Io(1-t/tfi) n若認為vT在開關過程中也呈線性變化,則:offtsoffODsfirvODTTsoffftIVfttIVdtivfP021)(21fvriontttfirvoffttt6ontsonODsfvriODTTsonftIVfttIVdt

4、ivfP021)(213.1.2 線路電感線路電感L 0時開通、關斷過程時開通、關斷過程VT7p 開通過程:開通過程: 斷態(tài)時,斷態(tài)時,VT=VD,iT=0。工作點為。工作點為A,有有VG后,后,rT,iT=Io.t/tri,tri 期間上升時,期間上升時,D仍在導電,仍在導電,VT=VD-LdiT/dt=VD-LIo/tri =VQVD時,D導電,iT線性減小,vT= VD-LdiT/dt=VD+LIo/tfi=VCEP,工作點立即從BH,在iT從Io 0期間工作點從HP,一旦iT=0,工作點從PA(iT=0,VT=VD)3.1.2 線路電感線路電感L 0時開通、關斷過程時開通、關斷過程(續(xù)

5、續(xù)2)93.1.3 安全工作區(qū)安全工作區(qū)nL=0時,開通軌跡ABC,關斷軌跡CBAnL 0時,開通軌跡AQEC,關斷軌跡CBHPAnL改善了開通軌跡,惡化了關斷軌跡n安全工作區(qū): vTVCEO,KJ線左側 iTICM,NM線下方 Pt= vT iT,功率限制線左下側103.2 引入引入L、C的緩沖電路的緩沖電路3.2.1 全控型開關管全控型開關管LCRD復合緩沖器復合緩沖器n緩沖電路由緩沖電路由Ls、Cs、Ds、Rs組成,組成,T表示全控型開關管表示全控型開關管GTO、BJT、IGBT、P-MOS。n串聯(lián)電感串聯(lián)電感Ls用于開通緩沖用于開通緩沖vT,類似于線路電感,類似于線路電感L 0時的開時

6、的開通過程,開通軌跡為圖通過程,開通軌跡為圖2.3(b)中的中的AQEC,開通時,開通時iT,使,使vT =VD-LdiT/dt=VD-LIo/tri=VQVDCASLTiDVTDi+-SCSRSDEORiSiCiCvLiTvOD圖2.3(a)RLfLoVfCovofIi oITioICEOAPTV圖2.3(b)BQVQ VD VCEP160V 200V 300V113.2.1 全控型開關管全控型開關管LCRD復合緩沖器復合緩沖器(續(xù)續(xù)1)n并聯(lián)電容Cs用于關斷緩沖vTn關斷T時,rT, vT =rTiT,在vT VD時,D0仍反偏截止。iL=iT+iC Io不變,iT=Io(1-t/tfi)

7、下降,iC=Iot/tfi上升, vc= vT充電上升。若在tfi期間,iT0,iCIo,使f fi iC CT Tt tC CT Tc cD D 0 0S SS SD Df fi iDD1 1V VV Vi i d dt tV V臨臨 界界 關關 斷斷 緩緩 沖沖C C2 2I Io ot t( () )則則 C C t t , v v v vV Vt tf fi i2 2V V工工 作作 點點 從從 C CA ACASLTiDVTDi+-SCSRSDEORiSiCiCvLiTvOD圖2.3(a)RLfLoVfCovofIi oITioICEOAPTV圖2.3(b)BQVQ VD VCEP1

8、60V 200V 300V123.2.1 全控型開關管全控型開關管LCRD復合緩沖器復合緩沖器(續(xù)續(xù)2)此后,此后,T已關斷,已關斷,iL繼續(xù)對繼續(xù)對Cs充電到充電到iL=0,VC=VT=VCEP,解解VD、LS、CS電路微分方程,得到:電路微分方程,得到:O OS SS S/ /2 2a ao om mm mD DC CE EP PI IC CL Le eV VV VV VV V,最后,最后,Vo=VCEP經經RS對電源放電,使對電源放電,使iC=iR0。VC=VT=VD,關斷軌跡為關斷軌跡為CAPA。22001/,1/2,ssssC LR C133.2.1 全控型開關管全控型開關管LCRD

9、復合緩沖器復合緩沖器(續(xù)續(xù)3)圖 7.13 復合緩沖器TiCMIm axCPoICEQOAPDVCEPVCEOVTVQV(c)開關軌跡CASLTiDVTDi+-SCSRSDEORiSiCiCvLiTvOD(a)電路RLfLoVfCovofIi oI(b)開通關斷過程波形圖開通通態(tài)關斷斷態(tài)開通斷態(tài)1t2t3t4t5t6t7tpt8t21t22t23tTrTvGvTioIDVQVdtritfvtfitTiGvTvstCEPVCtifoSLStILV/Tv24tDVoffofft t0 0s soffoffO OD DT TT Ts soffofff ft tI IV V2 21 1dtdti iv

10、 vf fP P無關斷緩沖時:無關斷緩沖時:關斷損耗:關斷損耗:s sfi fio oDDt t0 0T TT Ts st t0 0T TT Ts s offofff ft tI IV V12121 1dtdtv vi if fdtdtv vi if fP Pfi fioffoff缺點:通態(tài)缺點:通態(tài)vC=0,斷態(tài),斷態(tài)vC= vD,開開關一次,關一次,C充放電一次。充放電一次。14例題3.1(Book P.254) BUCK DC/DC變換器VD=200V,Io=10A,Vo=100V,fs=20KHz,Po=1KW。tri=tfr=tfi=trv=0.75s,Ls=3H,Cs取為臨界關斷電

11、容,Rs=40, 求開關損耗并畫出開關軌跡。解:無緩沖電路時,Pon=37.5W,Poff=37.5W 臨界關斷緩沖電容Cs=0.01875F 計算得:有復合緩沖器電路時,VCEP=300V,比VD高50 VQ=160V,只比VD小20 Poff=3.125WPoff=37.5W pon=30W,僅比Pon小20CASLTiDVTDi+-SCSRSDEORiSiCiCvLiTvOD圖 2.3( a)RLfLoVfCovofIi oITioICEOAPTV圖 2.3( b)BQVQ VD VCEP(300V)160V 200V 300V153.2.2 電力二極管、晶閘管的電力二極管、晶閘管的RC

12、緩沖器緩沖器n由上例,串聯(lián)電感由上例,串聯(lián)電感Ls(開通緩沖開通緩沖)對對減少開通損耗作用不大,同時減少開通損耗作用不大,同時Ls使使關斷時關斷時vT增大到增大到VCEP(超過超過VD 50),為了簡化緩沖電路,常不引入串聯(lián)為了簡化緩沖電路,常不引入串聯(lián)電感電感Ls,這時圖,這時圖2.3(a)變?yōu)樽優(yōu)?.4(a)。n圖圖2.4(a)所示所示R、C、D緩沖電路常緩沖電路常用于保護用于保護IGBT、晶閘管等。、晶閘管等。n圖圖2.4(a)再取消再取消DS,僅有,僅有RS、CS的的緩沖電路常用于保護電力二極管。緩沖電路常用于保護電力二極管。CASLTiDVTDi+-SCSRSDEORiSiCiCvL

13、iTvOD圖2.3(a)RLfLoVfCovofIi oIATTEOTvOD圖2.4(a)RLfLoVfCovoISDSRDVSC163.2.3 P-MOSFET、IGBT的限幅箝位緩沖器的限幅箝位緩沖器:C、D、Rn關斷過程:關斷過程: rT,在,在vT從從0 VD期間期間D0、D仍反偏仍反偏截止,截止, iL=iT=Io,工作點從,工作點從CB vT略大于略大于VD后,后,D0導電,導電,iT 0的的tfi期期間,間,iC經經D使使C充電,充電,VC=VT,D導電導電使使iT從從Io 0PCiLL oR oDCRTTvTiEI oDVALiiD o( a )電 路BCvPLOLORDCTT

14、vTiEOIDVALiBCviDoicD oD o( c )下 降 期 間的 等 值 電 路iTt tf il通態(tài)時,iL=iT=Io,D0、D截止,C充電到VC=VDTi0(1 cos)BMLTMCMDoDof if idiVVVLdtLIVtt可求得: 時工作點從PCiLL oR oDCRTTvTiEI oDVALiiDo( a )電路BCvPLOLORDCTTvTiEOIDVALiBCviDoicD oD o( c )下降期間的等值電路iTt tf i圖2.5VTMVTP(b)開關軌跡FBCTFVDVAMPOTvTi,關斷軌跡:開通軌跡:,關斷軌跡:開通軌跡:tritfi(VCM) (V

15、CP)C-B-AA-F-CC-B-M-P-AA-B-C0L0L1717nCB BMnMP,iT=0,VC=VT=VCM=VTM后,后,T關斷,關斷,iL繼續(xù)對繼續(xù)對C充電充電, iL=0時時vC=vT=VTP=VCP3.2.3 P-MOSFET、IGBT的限幅箝位緩沖器的限幅箝位緩沖器(續(xù)續(xù)1)7.14( ):0,2(1 cos)LOTPCPDo fifiLIdiVVVtt由圖時PCiLLoRoDCRTTvTiEIoDVALiiDo(a)電路BCvDo183.2.3 P-MOSFET、IGBT的限幅箝位緩沖器的限幅箝位緩沖器(續(xù)續(xù)2)nPA,vC=vT經經L、電源、電源、R放電至放電至VD ,

16、關斷軌跡為:關斷軌跡為:CBMPAPCiLLoRoDCRTTvTiEIoDVALiiDo(a)電路BCvDoVTMVTP(b)開關軌跡FBCTFVDVAMPOTvTi,關斷軌跡:開通軌跡:,關斷軌跡:開通軌跡:tritfi(VCM)(VCP)C-B-AA-F-CC-B-M-P-AA-B-C0L0LVcf193.2.3 P-MOSFET、IGBT的限幅箝位緩沖器的限幅箝位緩沖器(續(xù)續(xù)3)200e( 1)( 1)1,1( 1)1( 1)r iLTT FDRtOLDr iRtOLDr iTr iCC FDRooLcDr iRooLDr ittr ittr ittr ir itr id ivVVLd

17、tL IVetL IVetiI ottVVVCL IL ILid tVeR CR CRtL IL ILVeR CR CRtr iT0T由圖()得到i從0It = t時的v:時,由于阻尼放電電阻DC FDR2,CVVVr iLtC 在期間,從放電很少,僅略小于開通過程開通過程: 斷態(tài)時,斷態(tài)時,iT=0,VT=VC=VD,D0續(xù)流續(xù)流 開通過程:開通過程:AF,加,加VG后,后,rT,iT=iL Io的的tri期間,期間,D0仍仍導電,導電,vT,C經經T、R放電,放電,D截截止,止,iT=Io時,工作點從時,工作點從AFVTMVTP(b)開關軌跡FBCTFVDVAMPOTvTi,關斷軌跡:開通

18、軌跡:,關斷軌跡:開通軌跡:tritfi(VCM)(VCP)C-B-AA-F-CC-B-M-P-AA-B-C0L0LVcf3.2.3 P-MOSFET、IGBT的限幅箝位緩沖器的限幅箝位緩沖器(續(xù)續(xù)4)開通過程開通過程中:中:FC,iT=Io 時,時,vT=VTF,D0、D截止,截止, rT, iTIo ,vT0, vCVD,工作點從,工作點從FCPCiLLoRoDCRTTvTiEIoDVALiiDo(a)電路BCvDoVTMVTP(b)開關軌跡FBCTFVDVAMPOTvTi,關斷軌跡:開通軌跡:,關斷軌跡:開通軌跡:tritfi(VCM)(VCP)C-B-AA-F-CC-B-M-P-AA-B-C0L0L213.2.3 P-MOSFET、IGBT的限幅箝位緩沖器的限幅箝位緩沖器(續(xù)續(xù)5)n無論通態(tài)、斷態(tài),無論通態(tài)、斷態(tài),vC都為都為VD,開關過,開關過程中程中vC變化也不大,變化也不大,僅在關斷過程中僅在關斷過程中vT超過超過VD后,后,C才起才起作用作用限幅緩沖,限幅緩沖,廣泛應用于廣泛應用于IGBT的的 DC/DC、DC/AC變換器

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