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1、MEMS壓力傳感器原理與應(yīng)用壓力傳感器原理與應(yīng)用 1410322119 張官濤主要內(nèi)容主要內(nèi)容v1.什么MEMS壓力傳感器v2.壓力傳感器的發(fā)展歷程v3.MEMS壓力傳感器原理與結(jié)構(gòu) 3.1 硅壓阻式MEMS壓力傳感器 3.2 硅電容式MEMS壓力傳感v4.MEMS壓力傳感器的應(yīng)用 1 什么是什么是MEMS壓力傳感器壓力傳感器vMEMS(微機(jī)電系統(tǒng))是指集微型機(jī)構(gòu)、微型傳感器、執(zhí)行器以及信號(hào)處理和控制電路、接口電路、通信和電源于一體的微型器件或系統(tǒng)。vMEMS壓力傳感器可以用類似集成電路(IC)設(shè)計(jì)技術(shù)和制造工藝,進(jìn)行高精度、低成本的大批量生產(chǎn)。傳統(tǒng)的機(jī)械量壓力傳感器是基于金屬?gòu)椥泽w受力變形,

2、由機(jī)械量彈性變形到電量轉(zhuǎn)換輸出,因此它不可能如MEMS壓力傳感器那樣做得像IC那么微小,成本也遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于MEMS壓力傳感器。相對(duì)于傳統(tǒng)的機(jī)械量傳感器,MEMS壓力傳感器的尺寸更小,最大的不超過(guò)1cm,使性價(jià)比相對(duì)于傳統(tǒng)“機(jī)械”制造技術(shù)大幅度提高。 2 壓力傳感器的發(fā)展歷程(1) 發(fā)明階段(1945 - 1960 年) :這個(gè)階段主要是以1947 年雙極性晶體管的發(fā)明為標(biāo)志。此后,半導(dǎo)體材料的這一特性得到較廣泛應(yīng)用。史密斯(C.S. Smith) 與 1945 發(fā)現(xiàn)了硅與鍺的壓阻效應(yīng),即當(dāng)有外力作用于半導(dǎo)體材料時(shí),其電阻將明顯發(fā)生變化。依據(jù)此原理制成的壓力傳感器是把應(yīng)變電阻片粘在金屬薄膜上, 即將

3、力信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)進(jìn)行測(cè)量。此階段最小尺寸大約為 1cm。(2)技術(shù)發(fā)展階段 (1960 - 1970 年): 隨著硅擴(kuò)散技術(shù)的發(fā)展, 技術(shù)人員在硅的 (001)或(110) 晶面選擇合適的晶向直接把應(yīng)變電阻擴(kuò)散在晶面上,然后在背面加工成凹形,形成較薄的硅彈性膜片,稱為硅杯。這種形式的硅杯傳感器具有體積小、重量輕、靈敏度高、穩(wěn)定性好、成本低、便于集成化的優(yōu)點(diǎn), 實(shí)現(xiàn)了金屬- 硅共晶體, 為商業(yè)化發(fā)展提供了可能。(3) 商業(yè)化集成加工階段(1970 - 1980 年) :在硅杯擴(kuò)散理論的基礎(chǔ)上應(yīng)用了硅的各向異性的腐蝕技術(shù),擴(kuò)散硅傳感器其加工工藝以硅的各項(xiàng)異性腐蝕技術(shù)為主,發(fā)展成為可以自動(dòng)控制硅膜

4、厚度的硅各向異性加工技術(shù),主要有 V 形槽法、濃硼自動(dòng)中止法、陽(yáng)極氧化法自動(dòng)中止法和微機(jī)控制自動(dòng)中止法。由于可以在多個(gè)表面同時(shí)進(jìn)行腐蝕,數(shù)千個(gè)硅壓力膜可以同時(shí)生產(chǎn),實(shí)現(xiàn)了集成化的工廠加工模式,成本進(jìn)一步降低。(4) 微機(jī)械加工階段(1980 年-) :上世紀(jì)末出現(xiàn)的納米技術(shù),使得微機(jī)械加工工藝成為可能。通過(guò)微機(jī)械加工工藝可以由計(jì)算機(jī)控制加工出結(jié)構(gòu)型的壓力傳感器,其線度可以控制在微米級(jí)范圍內(nèi)。利用這一技術(shù)可以加工、蝕刻微米級(jí)的溝、條、膜,使得壓力傳感器進(jìn)入了微米階段。3 MEMS壓力傳感器原理壓力傳感器原理與結(jié)構(gòu)v目前的MEMS壓力傳感器有硅壓阻式壓力傳感器和硅電容式壓力傳感器,兩者都是在硅片上

5、生成的微機(jī)械電子傳感器。 半導(dǎo)體受力時(shí),電阻率發(fā)生變化,電阻率隨應(yīng)力變半導(dǎo)體受力時(shí),電阻率發(fā)生變化,電阻率隨應(yīng)力變化的關(guān)系稱為半導(dǎo)體壓阻效應(yīng)。半導(dǎo)體應(yīng)變片電阻的變化的關(guān)系稱為半導(dǎo)體壓阻效應(yīng)。半導(dǎo)體應(yīng)變片電阻的變化主要是電阻率變化引起的,表示為化主要是電阻率變化引起的,表示為 v v由于彈性系數(shù)由于彈性系數(shù)E=/E=/, 上式又可寫(xiě)為上式又可寫(xiě)為 為提高靈敏度半導(dǎo)體應(yīng)變片還有制成柵形的。為提高靈敏度半導(dǎo)體應(yīng)變片還有制成柵形的。 3.1 硅壓阻式壓力傳感器硅壓阻式壓力傳感器 硅壓阻式壓力傳感器是采用高精密半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片組成惠斯頓電橋作為力電變換測(cè)量電路的,具有較高的測(cè)量精度、較低的功耗,極低的成

6、本。由惠斯頓電橋組成的壓阻式傳感器,如無(wú)壓力變化,其輸出為零。 其電原理如圖1所示。硅壓阻式壓力傳感器其應(yīng)變片電橋的光刻版本如圖2。 圖圖1 惠斯頓電橋電原理惠斯頓電橋電原理 MEMS硅壓阻式壓力傳感器采用周邊固定的圓形的應(yīng)力杯硅薄膜內(nèi)壁,采用MEMS技術(shù)直接將四個(gè)高精密半導(dǎo)體應(yīng)變片刻制在其表面應(yīng)力最大處,組成惠斯頓測(cè)量電橋,作為力電變換測(cè)量電路,將壓力這個(gè)物理量直接變換成電量,其測(cè)量精度能達(dá)0.01%0.03%FS。圖圖2 應(yīng)變片電橋的光刻版本應(yīng)變片電橋的光刻版本 硅壓阻式壓力傳感器結(jié)構(gòu)如圖3所示,上下二層是玻璃體,中間是硅片,硅片中部做成一應(yīng)力杯,其應(yīng)力硅薄膜上部有一真空腔,使之成為一個(gè)典

7、型的壓力傳感器。應(yīng)力硅薄膜與真空腔接觸這一面經(jīng)光刻生成如圖2的電阻應(yīng)變片電橋電路。當(dāng)外面的壓力經(jīng)引壓腔進(jìn)入傳感器應(yīng)力杯中,應(yīng)力硅薄膜會(huì)因受外力作用而微微向上鼓起,發(fā)生彈性變形,四個(gè)電阻應(yīng)變片因此而發(fā)生電阻變化,破壞原先的惠斯頓電橋電路平衡,電橋輸出與壓力成正比的電壓信號(hào)。圖4是封裝IC的硅壓阻式壓力傳感器實(shí)物照片。 圖圖3 硅壓阻式壓力傳感器結(jié)構(gòu)硅壓阻式壓力傳感器結(jié)構(gòu) 圖圖4 硅壓阻式壓力傳感器實(shí)物硅壓阻式壓力傳感器實(shí)物 v電容式傳感器的工作原理 v電容式傳感器有三種基本類型:變極距型、變面積型、變介電常數(shù)型。 (1)、變極距型電容傳感器 3.2 硅電容式壓力傳感器硅電容式壓力傳感器 (2)、

8、變面積型電容傳感器 (3)、變介電常數(shù)型電容傳感器 硅電容式壓力傳感器利用MEMS技術(shù)在硅片上制造出橫隔柵狀,上下二根橫隔柵成為一組電容式壓力傳感器,上橫隔柵受壓力作用向下位移,改變了上下二根橫隔柵的間距,也就改變了板間電容量的大?。▓D5)。電容式壓力傳感器實(shí)物如圖6。 圖圖5 電容式壓力傳感器結(jié)構(gòu)電容式壓力傳感器結(jié)構(gòu) 圖圖6 電容式壓力傳感器實(shí)物電容式壓力傳感器實(shí)物 4 MEMS壓力傳感器的應(yīng)用 v MEMS壓力傳感器廣泛應(yīng)用于汽車電子:如TPMS、發(fā)動(dòng)機(jī)機(jī)油壓力傳感器、汽車剎車系統(tǒng)空氣壓力傳感器、汽車發(fā)動(dòng)機(jī)進(jìn)氣歧管壓力傳感器(TMAP)、柴油機(jī)共軌壓力傳感器;消費(fèi)電子:如胎壓計(jì)、血壓計(jì)、櫥

9、用秤、健康秤,洗衣機(jī)、洗碗機(jī)、電冰箱、微波爐、烤箱、吸塵器用壓力傳感器,空調(diào)壓力傳感器,洗衣機(jī)、飲水機(jī)、洗碗機(jī)、太陽(yáng)能熱水器用液位控制壓力傳感器;工業(yè)電子:如數(shù)字壓力表、數(shù)字流量表、工業(yè)配料稱重等。 在計(jì)量部門,汽車工業(yè),航空,石油開(kāi)采,家電產(chǎn)品,醫(yī)療儀器中應(yīng)用廣泛,如下表所示。如圖7所示。MEMS壓力傳感器管芯可以與儀表放大器和ADC管芯封裝在一個(gè)封裝內(nèi)(MCM),使產(chǎn)品設(shè)計(jì)師很容易使用這個(gè)高度集成的產(chǎn)品設(shè)計(jì)最終產(chǎn)品。圖圖7 各種壓力傳感器產(chǎn)品各種壓力傳感器產(chǎn)品 汽車無(wú)疑是MEMS壓力傳感器最大的市場(chǎng)。一輛高端的汽車一般都會(huì)有上百個(gè)傳感器,包括 3050 個(gè) MEMS 傳感器,其中就有十個(gè)左右的壓力傳感器。放眼眾多種類的壓力傳感器的應(yīng)用和市場(chǎng)前景,在輪胎壓力監(jiān)測(cè)系統(tǒng)(Tire Pressure Monitor System,TPMS)中應(yīng)用的壓力傳感器,則是未來(lái)市場(chǎng)中最看好的部分。國(guó)內(nèi)外主要供應(yīng)商v1) 意法半導(dǎo)體(STM) v2) 博世(bosch)v3) 飛思卡爾(freescale) v4) 敏芯微電子技術(shù)有限公司 v5) 北京青鳥(niǎo)元芯微系統(tǒng)

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