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文檔簡介
1、陶瓷粉體制備 (氣相和固相法) 劉杏芹 中國科學技術(shù)大學,材料科學與工程系(一)氣相法制粉體 1.方法分類 惰 性 氣 體 蒸 發(fā) 法蒸 發(fā) ( 煙 粒 子 ) 法反 應 氣 體 蒸 發(fā) 法氣 相 合 成氣 相 反 應 法氣 相 分 解氣 相 氧 化例:氣相合成,TiCl4NH3+ H2 TiN +HCl 氣相分解,3Si(NH)2 Si3N4 +2NH3 氣相氧化, ZrCl4+2H2O ZrO2+4HCl2.過飽和度和核生成及核成長 有一定過飽和度,或者說過飽和度越大,成核 就越快,成核后,有一定過飽和度核才會長大。 假定有一反應式: aA+bB dD+eE過飽和比SS) 1 (PP(BA
2、bBaAbaePP(平衡時反應物壓力)反應物實際壓力)另有bBaAeEdDpPPPPK所以有peEdDbBaAKPPPP代入式(1),則有:abABPPPdeDES SKPP即過飽和度和平衡常數(shù)及反應物濃度成正比,而和生成物濃度成反比,要保持一定過飽和度,必須不斷抽去生成物或加大反應物壓力。 從蒸汽生成液滴核時,成核速率用下式表示: 223221221)(316exp)()exp()(eoonRTKTTPIRTGTPII 增大45倍,核生成速率增大10倍實際上,當e3.氣相反應法,化學氣相淀積法(CVD) (Chemical Vapor Deposition) 指用氣態(tài)原料,在氣相中通過化學反
3、應,形 成構(gòu)成物質(zhì)的基本粒子、分子、原子、離子 等,經(jīng)過成核、生長二步而合成粉(粒子)、 膜、晶須、晶體等的工藝過程。 作為新材料的合成技術(shù),有如下特點: 多功能性,可合成陶瓷、金屬、半導體、 有機高分子,粉(粒子)、膜、晶須、晶體或塊 材等??纱罅恳部尚×恐苽?產(chǎn)品純度高,用高純氣體,用固體時,固體的蒸 氣壓要大,(生產(chǎn)規(guī)模大時,產(chǎn)品成本就可降低) 工藝可實現(xiàn)精密控制可調(diào) 通過原子層之間界面的控制,可從相同原料 體系合成組成、晶型、晶體結(jié)構(gòu)不同的材料。 例如: SiH4與NH3合成Si3N4時, 700C時生成非晶 1200 C時生成晶體 用低溫等離子體可生成SiNXHY反應器可以是臥式、立
4、式、自公轉(zhuǎn)式加熱方式 氣相體積大,加熱、冷卻、保溫都難以控制, 所以要選擇加熱方式,如:等離子體、激光、 電子束、高頻感應等加熱方式 熱CVD 電爐絲加熱反應管(石英玻璃,氧化鋯等) 特點:氣體與反應管直接接觸,經(jīng)常在管壁 上非均相成核,污染管壁并使產(chǎn)物量下降。 但簡單、方便且便宜,適合多種氧化物制備 (TiO2,SiO2,SnO2等) 等離子體CVD(Plasma CVD) 就是把原料離解成離子、分子、原子或游離基,使處于正負電荷數(shù)相等狀態(tài)叫等離子體??煞譃楦邷氐入x子體和低溫等離子體。 高溫等離子體的宏觀溫度1000C,熱力學上平衡,各粒子(陽離子、陰離子、中性粒子)動能相等。 低溫等離子體
5、的宏觀溫度300C,熱力學上不平衡,中性粒子動能小。 可以是原料等離子體化,或是在等離子體中導入反應原料,使原料分解成活性高的離子(離子、分子、原子或游離基)或吸收等離子體的能量變的活性高,反應形成所需化合物。如:等離子體合成SiC【用Si(CH3)Cl3】用 ZrO(NO3)22H2O Al(NO3)3 9H2O 的水溶液噴霧在等離子體中,可合成0 40nm 的ZrO2或Al2O3。激光CVD 氣體分子吸收了激光,自身被加熱,引起化學反應。 與間接加熱方式比較有如下優(yōu)點: 只有反應分子被加熱,反應器溫度低,不會因器壁 而混入雜質(zhì);反應氣體分子經(jīng)歷同樣溫度和經(jīng)歷, 所以均一,易控制,合成條件重
6、現(xiàn)性好。 如,合成Si,SiC,Si3N4,Al2O3氣相反應生成粉體過程機理 原料 TiCl4 + NH3 TiN + HCl ( 600C )原料粉體中間產(chǎn)物熱分解反應 反應成核粒長大核成長粉體 熱分解反應氣體金屬粉體WCl3+ CH4 WC + HCl ( 900C )(二)固相法制粉(1)方法分類固相反應法熱分解法粉碎法 (2)粉碎法 最基本的方法,粒徑1數(shù)m,粒度分布寬, 粒子不規(guī)則。 球磨 力:壓縮應力,剪切、沖擊、摩擦力 容器:聚四氟乙烯,聚氨酯,不銹鋼,瓷 球:ZrO2,Al2O3,不銹鋼,不銹鋼外包聚氨酯,選容器和球要以耐磨、不污染粉體為原則。球磨時粉和球的體積不能超過容器的
7、3/4;球的大小要有一定比例;球磨分為干磨和濕磨:I)干磨 球:原料(V:V)= (1.31.6) :1.0II) 濕磨:一般可用水,或有機試劑 球:原料:水(Wt)= (1.5 2.0) :1.0 : (0.8 1.2) 濕磨和干磨相比,新鮮表面可以不斷暴露,外力易起 作用,更有效。球磨法是方便、有效的一種方法。但有易受污染,有死角存在的缺點。 碾磨 不是靠逥轉(zhuǎn),而是靠軸轉(zhuǎn)并帶動攪拌臂達到磨碎的目的。氣氛軸轉(zhuǎn)動容器內(nèi)也可放球。優(yōu)點:比上述球磨更有效,粒 子可磨到更小,還可通 入氣氛,因筒不轉(zhuǎn),相 對不易污染缺點:仍有死角存在震蕩磨 把粉,介質(zhì),液體裝在磨室內(nèi),升起后,通過震蕩,把能量從磨碎機
8、的底部中心通過磨室向介質(zhì) 和粉體粒子傳遞, a)可以混合 b)通過局部碰撞是相鄰介質(zhì)之間的粒子產(chǎn)生剪切 斷裂,達到磨碎的目的 優(yōu)點:比球磨快,污染少,還可用于金屬元件清 洗和毛口清洗流體能量磨(氣流粉碎) 利用高速流體中的粒子和粒子之間的碰撞來使粒子變小。流體:壓縮空氣,氮氣,二氧化碳,超高溫水蒸氣或 其他液、氣粉體加入流體 加速到音速或接近音速 通過 噴嘴導入研磨腔,靠粒子碰撞達到目的。 研磨腔要設計成具有最大粒子粒子碰撞 最小粒子腔壁碰撞優(yōu)點:污染小,無移動部件,根據(jù)設計,可生產(chǎn) 數(shù)克/小時數(shù)千克/小時缺點:粉體收集有一定困難,因為要處理大量分體, 粒子越小,越易阻塞過濾器,使氣旋無效 氣
9、流粉碎機工作原理圖(3)熱分解法 母體選擇:氫氧化物,碳酸鹽,硝酸鹽, 一般盡量不選分解溫度高的硫酸鹽,也不選堿金屬和部分4價的鹽 溫度控制:失去結(jié)晶水,氫氧基脫水,碳酸鹽, 硝酸鹽,硫酸鹽(溫度從高到低的順序) 母體粒子細、缺陷多、非晶態(tài)等都會易分解 粒子形狀:有水放出,形不成形?。幢3衷?狀)粒子 粒子比表面積(粒子大?。?表面積是分解反應比表面增大和燒結(jié)比表面減小的綜合效應。 分解反應是界面反應率速,遵從界面減少反應的 速度式: 是反應率;ro為粒經(jīng);t為時間;是速率常數(shù) 燒結(jié)速率用表面積減少速度表示: orta21)1(1)(fssAAkdtdAA是面積;Af是最終面積;s為燒結(jié)速
10、度常數(shù)/ s可反應出面積增減的規(guī)律。A/ s 2.00.50.10.00.51.0反應率 表面積增加當s 0 時,即/ s 即無燒結(jié)發(fā)生,比表面積隨著的增大線性增加。在實際反應中要復雜得多,請看以下兩例:反應率比表面50001000T(C)Al2(C2O4)34H2OZnC2O42H2O反應率比表面05001000T(C)從上面這兩個分解反應可以看到,在多高溫度下使之分解,要針對要求而確定。母鹽制備條件控制: 母鹽制備條件對分解過程、分解產(chǎn)物性能都有影響 母鹽制備時,濃度大,沉淀速度快,使母鹽粒子小, 結(jié)晶表面不完整,缺陷多,所以分解時快,產(chǎn)物粒 子活性高,易燒結(jié)。 例:從Al2(SO4)3熱
11、分解制Al2O3 a. 鹽原始濃度61.3%,加入沉淀劑后1分鐘析出 沉淀。 b.鹽原始濃度51.5%,加入沉淀劑后3分鐘析出 沉淀。 把沉淀1000C1小時灼燒后,發(fā)現(xiàn),a樣在窄 范圍內(nèi)有團聚,粒子表面有凹凸不平,易燒 結(jié);而b樣則團聚較“硬”,粒子表面較平滑, 燒結(jié)活性相對差一些 分解加熱時應注意,升溫速度不宜太快,太快可能會使內(nèi)部還沒分解而表面開始燒結(jié); 有些分解反應,像Al(OH)3脫水時吸熱,但中間態(tài)Al2O3 轉(zhuǎn)變 成 a- Al2O3時,卻是放熱反應,如果一直 繼續(xù)加熱,可能會引起燒結(jié),所以應采取間斷、交替加熱。(4)固相反應法 固相固相 固相 像:加成反應: MgO Al2O3 MgAl2O4 置
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