模擬電路期中試卷含答案

1、精選文檔蘇州高校 模擬電子技術 課程期中試卷 共 5 頁考試形式 開 卷 2014 年 11 月 院系 班級 專業(yè) 學號 姓名 成果 一、（8分）什么是放大？放大的對象是什么？負載上獲得的功率來自何處？答：放大指不失真地將微弱的電信號增加到人們所需要的數(shù)值。放大對象為電信號（電壓、電流或功率）。負載上獲得的功率來自直流電源的能量。二、（10分）半導體材料包括那幾個種類？分別舉例說明。答：包括純潔半導體（或本征半導體）和摻雜半導體（或雜質半導體）。純潔半導體又包括元素半導體和化合物半導體。元素半導體，如硅（Si）、鍺（Ge）等；化合物半導體，如砷化鎵（GaAs）等。摻雜半導體又包括N型和P型半導

2、體。N型半導體：比如在硅材料中摻雜五價元素如磷（P）、砷（As）或銻（Sb）等；P型半導體：比如在硅材料中摻雜三價元素如硼（B）或銦（In）等。三、（10分）說明二極管V-I特性在正向導通區(qū)和截止區(qū)內三種簡化模型的名稱，分別用代數(shù)表達式和函數(shù)曲線的形式描述這三種簡化模型。答：抱負模型，恒壓降模型和折線模型，分別如下圖所示。 四、（12分）圖示電路中二極管為抱負二極管。（1）推斷二極管是否導通；（2）畫出等效電路圖；（3）求輸出電壓vO。解：（1）假設二極管D導通，則二極管可用短路線等效，其電流為iD=(9+6)3=1mA，和假設沖突，所以二極管實際截止；（2）；（3）vO=6V。五、（10分）

3、BJT共射輸出特性曲線上有哪幾個工作區(qū)域？寫出BJT的電壓電流在這些工作區(qū)域內分別具備的特征。答：截止區(qū)，vBE< Von，vCE>vBE，iB=0，iC0。放大區(qū)，vBE³Von，vCE>vBE，iCiBICEO。 飽和區(qū)， vBE ³Von，vCE£vBE，iCiBICEO，vCEVCES。六、（8分）BJT的平安工作區(qū)由哪幾個參數(shù)確定？答：集電極最大允許電流ICM、集電極最大允許功率損耗PCM、基極開路時集電極-放射極間的反向擊穿電壓VBR(CEO)。七、（8分）什么是放大電路的靜態(tài)工作點Q？為什么要設置Q點？答：指放大電路在僅有直流電源激

4、勵時候各個位置的直流電壓電流（也稱作偏置量或偏置點）。設置靜態(tài)工作點的目的是為了將放大管設置在合適的工作區(qū)域（即放大區(qū)）。八、（10分）畫出NPN型雙極結型晶體管（BJT）的低頻小信號電路模型，在模型中標注放射極、基極和集電極，以及溝通小信號量vbe、ib、vce和ic，并寫出基射極間溝通小信號電阻rbe的估算表達式。答：參見教材 p.129 圖4.3.12，p.130 式(4.3.7b)。九、（12分）一個三極管放大電路中，測得BJT三個引腳1、2、3對地電壓分別為V1=0.7V，V2=0V , V3=5V，試分析1、2、3分別對應三極管的哪三個引腳，此BJT為NPN還是PNP管，是硅管還是鍺管。答：硅NPN型三極管，1、2、3引腳分別是基極、射極和集電極。 十、（12分）圖示電路中，已知BJT靜態(tài)時VBEQ=0.7V，共射電流放大系數(shù)為=80，各電阻Rs=1.2k，Rb=500k，Rc=RL=5k，VCC=12V，各電容對溝通可視作短路。小信號等效電路參數(shù)rbe=1.2k，rce忽視不計。（1）畫出該放大電路直流通路圖，并估算放大電路的靜態(tài)工作電流、電壓：IBQ、ICQ、和VCEQ；（2）作出該放大電路中頻狀態(tài)下的溝通