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帶電載子(電子.電洞)的移動(dòng)會(huì)形成電流。電洞帶正電，故形成之電洞電流方向和電洞流動(dòng)方向相同。但是電子帶負(fù)電，故形成之電子電流方向和電子流動(dòng)方向相反。 電洞在電場(chǎng)中會(huì)順著電場(chǎng)走，但是電子在電場(chǎng)中會(huì)逆著電場(chǎng)走，二者形成之電流都是順著電場(chǎng)的。半導(dǎo)體中之電流可分成二種：l 漂移電流-由於外加電場(chǎng)外加電場(chǎng)( (電位電位) ) 電子漂移電流：Jn.drift=nqn 電洞漂移電流：Jp.drift=pqpl 擴(kuò)散電流-由於濃度分佈不均濃度分佈不均 電子擴(kuò)散電流：Jn.diff.=qDndn/dx 電洞擴(kuò)散電流：Jp.diff.=-qDpdp/dx：不可移動(dòng)之正離子：不可移動(dòng)之負(fù)離子：可移動(dòng)之自由電子：可移動(dòng)之自由電洞P-typeN-typeSTEP 1：STEP 2：STEP 3：內(nèi)建電場(chǎng)內(nèi)建電場(chǎng)- 內(nèi)建電位 Vbi +P側(cè)中性區(qū) N側(cè)中性區(qū) 空乏區(qū) 內(nèi)建電場(chǎng)內(nèi)建電場(chǎng)u 載子的移動(dòng)主要是擴(kuò)散作用u 內(nèi)建電場(chǎng)建立後，中性區(qū)的多數(shù)載子會(huì)因?yàn)榇穗妶?chǎng)的存在而無(wú)法再擴(kuò)散過(guò)去(P側(cè)中性區(qū)之電洞必須逆著內(nèi)建電場(chǎng)走才可以擴(kuò)散到N側(cè)中性區(qū))u 內(nèi)建電位就形成一個(gè)電位障，阻止中性區(qū)的多數(shù)載子再擴(kuò)散u 內(nèi)建電位無(wú)法用電表量測(cè)u 空乏區(qū)之寬度是由摻雜濃度及外加的偏壓(若是有)決定u 外加的順

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