高中化學(xué)選修三第三章《晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)復(fù)習(xí)》課件新人教

1、晶體晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)復(fù)習(xí)復(fù)習(xí)知識(shí)網(wǎng)絡(luò)知識(shí)網(wǎng)絡(luò)固體固體非晶體非晶體晶體晶體1、晶體的定義、晶體的定義2、晶體的性質(zhì)、晶體的性質(zhì)3、晶體的分類、晶體的分類4、得到晶體的、得到晶體的 途徑途徑分子晶體分子晶體原子晶體原子晶體金屬晶體金屬晶體離子晶體離子晶體本質(zhì)本質(zhì)差異差異有無(wú)自范性有無(wú)自范性(1)(1)晶體自范性的本質(zhì)晶體自范性的本質(zhì): :是晶體中粒子在微觀空間里呈現(xiàn)是晶體中粒子在微觀空間里呈現(xiàn)周期性的有序排列的宏觀表象周期性的有序排列的宏觀表象. .(2)(2)晶體自范性的條件之一晶體自范性的條件之一: :生長(zhǎng)速率適當(dāng)生長(zhǎng)速率適當(dāng). .自范性自范性微觀結(jié)構(gòu)微觀結(jié)構(gòu)晶體晶體有有( (能能自發(fā)

2、自發(fā)呈現(xiàn)多面體外呈現(xiàn)多面體外形形) )粒子在三維空間里粒子在三維空間里呈周期性有序排列呈周期性有序排列非晶體非晶體沒(méi)有沒(méi)有( (不能自發(fā)呈現(xiàn)多面不能自發(fā)呈現(xiàn)多面體外形體外形) )粒子排列相對(duì)無(wú)序粒子排列相對(duì)無(wú)序一、晶體與非晶體1.晶體與非晶體的區(qū)別2.晶體形成的途徑 熔融態(tài)物質(zhì)凝固熔融態(tài)物質(zhì)凝固. . 氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固( (凝華凝華).). 溶質(zhì)從溶液中析出溶質(zhì)從溶液中析出. .3.晶體的特性 有規(guī)則的幾何外形有規(guī)則的幾何外形 有固定的熔沸點(diǎn)（合金除外）有固定的熔沸點(diǎn)（合金除外） 物理性質(zhì)物理性質(zhì)( (強(qiáng)度、導(dǎo)熱性、光學(xué)性質(zhì)等）各向異性強(qiáng)度、導(dǎo)熱性、光學(xué)

3、性質(zhì)等）各向異性二.晶胞 1.1.定義定義: :晶體中重復(fù)出現(xiàn)的最基本的結(jié)構(gòu)單元晶體中重復(fù)出現(xiàn)的最基本的結(jié)構(gòu)單元三種典型立方晶體結(jié)構(gòu)立方晶胞立方晶胞體心：體心：1面心：面心： 1/2棱邊：棱邊：1/4頂點(diǎn)：頂點(diǎn)：1/8晶胞對(duì)質(zhì)點(diǎn)的占有率晶胞對(duì)質(zhì)點(diǎn)的占有率1 1、如圖所示，晶體硼的基本結(jié)構(gòu)單元都是由硼原子組、如圖所示，晶體硼的基本結(jié)構(gòu)單元都是由硼原子組成的正二十面體的原子晶體，其中含有成的正二十面體的原子晶體，其中含有2020個(gè)等邊三角形個(gè)等邊三角形和一定數(shù)目的頂角，每個(gè)頂角上各有一個(gè)原子，觀察和一定數(shù)目的頂角，每個(gè)頂角上各有一個(gè)原子，觀察圖形回答圖形回答：這個(gè)基本單元由這個(gè)基本單元由 個(gè)硼原子

4、個(gè)硼原子組成，鍵角是組成，鍵角是 ，共含有，共含有 個(gè)個(gè)B BB B鍵。鍵。1260o30練習(xí)練習(xí)2 2、最近發(fā)現(xiàn)一種有鈦原子和、最近發(fā)現(xiàn)一種有鈦原子和碳原子構(gòu)成的氣態(tài)團(tuán)簇分子，碳原子構(gòu)成的氣態(tài)團(tuán)簇分子，結(jié)構(gòu)如圖所示，頂角和面心的結(jié)構(gòu)如圖所示，頂角和面心的原子是鈦原子，棱的中心和體原子是鈦原子，棱的中心和體心的原子是碳原子，它的化學(xué)心的原子是碳原子，它的化學(xué)式為式為_(kāi) Ti14C13練習(xí)練習(xí)三.四種晶體的比較晶體類型晶體類型 離子晶體離子晶體 原子晶體原子晶體 分子晶體分子晶體 金屬晶體金屬晶體 晶體粒子晶體粒子陰、陽(yáng)離子陰、陽(yáng)離子 原子原子 分子分子 金屬陽(yáng)離子、自由金屬陽(yáng)離子、自由電子電子

5、 粒子間作粒子間作用力用力 離子鍵離子鍵共價(jià)鍵共價(jià)鍵 分子間作分子間作用力用力金屬鍵金屬鍵熔沸點(diǎn)熔沸點(diǎn) 硬度硬度 較高較高 較硬較硬 很高很高 很硬很硬 較低較低 一般較軟一般較軟 一般較高，少部分一般較高，少部分低低 , ,一般較硬，少一般較硬，少部分軟部分軟 溶解性溶解性 易溶于水，難易溶于水，難溶于有機(jī)溶劑溶于有機(jī)溶劑難溶解難溶解相似相溶相似相溶難溶難溶導(dǎo)電情況導(dǎo)電情況 固體不導(dǎo)電，固體不導(dǎo)電，熔化或溶于水熔化或溶于水后導(dǎo)電后導(dǎo)電 不導(dǎo)電不導(dǎo)電（除硅）（除硅） 一般不導(dǎo)一般不導(dǎo)電電 良導(dǎo)體良導(dǎo)體 離子晶體離子晶體 原子晶體原子晶體 分子晶體分子晶體 1.1.金屬氧化金屬氧化物（物（K K

6、2 2O O、NaNa2 2O O2 2） 2.2.強(qiáng)堿強(qiáng)堿（NaOHNaOH、KOHKOH、 Ba(OHBa(OH ) )2 23.3.絕大多數(shù)絕大多數(shù)的鹽類的鹽類 1.1.金剛石、金剛石、石墨、晶體石墨、晶體硅、晶體硼硅、晶體硼 2. 2. SiCSiC 、 SiOSiO2 2晶體、晶體、 BNBN晶體晶體1.1.大多數(shù)非金屬單質(zhì)大多數(shù)非金屬單質(zhì): : X X2 2,O,O2 2,H,H2 2, S, S8 8,P,P4 4, C, C6060 （除（除金剛石、石墨、晶體硅、金剛石、石墨、晶體硅、晶體硼外）晶體硼外） 2.2.氣態(tài)氫化物氣態(tài)氫化物: :H H2 2O,NHO,NH3 3,C

7、H,CH4 4,HX,HX3.3.非金屬氧化物非金屬氧化物: CO: CO2 2, SO, SO2 2, , NONO2 2（除（除SiOSiO2 2外）外） 3.3.酸酸:H:H2 2SOSO4 4,HNO,HNO3 34.4.大多數(shù)有機(jī)物大多數(shù)有機(jī)物: :乙醇，蔗乙醇，蔗糖（除有機(jī)鹽）糖（除有機(jī)鹽） 電荷數(shù)越大，半徑越小電荷數(shù)越大，半徑越小分子的極性越大分子的極性越大3、將下列各組物質(zhì)按熔沸點(diǎn)由高到低的順序排列：、將下列各組物質(zhì)按熔沸點(diǎn)由高到低的順序排列：1、CaCl2、H2O 、KCl 、晶體硅、晶體硅 2、SiC 、晶體硅、晶體硅 、金剛石、金剛石3、CH4 、CCl4 、CBr4、C

8、F44、CaCl2 、NH4Cl 、KCl 、NaCl5、Na 、Al 、Ar 、Hg 6、NH3 、Hg 、Br2 、金剛石、金剛石7、 H2O 、I2 、H2S練習(xí)練習(xí)1、 晶體硅晶體硅 CaCl2 KCl H2O2、 金剛石金剛石 SiC 晶體硅晶體硅3、 CBr4 CCl4 CF4 CH44、 CaCl2 NaCl KCl NH4Cl 5、 Al Na Hg Ar 6、 金剛石金剛石 Hg Br2 NH3 7、 I2 H2O H2S 四、分子晶體四、分子晶體PPPP練習(xí)練習(xí)五、原子晶體五、原子晶體5、甲、乙、丙、丁為前三周期元素形成的微粒，它們、甲、乙、丙、丁為前三周期元素形成的微粒，

9、它們的電子總數(shù)相等。已知：甲、乙、丙為雙原子分子或的電子總數(shù)相等。已知：甲、乙、丙為雙原子分子或負(fù)二價(jià)雙原子離子，丁為原子。負(fù)二價(jià)雙原子離子，丁為原子。（1）丙與鈣離子組成的離子化合物跟水反應(yīng)產(chǎn)生一種）丙與鈣離子組成的離子化合物跟水反應(yīng)產(chǎn)生一種可燃性氣體，反應(yīng)的化學(xué)方程式為：可燃性氣體，反應(yīng)的化學(xué)方程式為： 。（2）乙在高溫時(shí)是一種還原劑，請(qǐng)用化學(xué)反應(yīng)方程式）乙在高溫時(shí)是一種還原劑，請(qǐng)用化學(xué)反應(yīng)方程式表示它在工業(yè)上的一種重要的用途表示它在工業(yè)上的一種重要的用途： 。（3）在一定條件下，甲與）在一定條件下，甲與O2反應(yīng)的化學(xué)方程式反應(yīng)的化學(xué)方程式是是： 。（4）丁的元素符號(hào)是）丁的元素符號(hào)是 ，

10、它的原子結(jié)構(gòu)示意圖，它的原子結(jié)構(gòu)示意圖為為 。（5）丁的氧化物的晶體結(jié)構(gòu)與）丁的氧化物的晶體結(jié)構(gòu)與 的晶體結(jié)構(gòu)相似的晶體結(jié)構(gòu)相似六、金屬晶體六、金屬晶體原子原子在在二維二維平面上的平面上的兩種放置方式兩種放置方式非密置層和密置層非密置層和密置層非密置層非密置層配位數(shù)為配位數(shù)為密置層密置層配位數(shù)為配位數(shù)為三維堆積三維堆積四種方式四種方式金屬晶體的原子堆積模型金屬晶體的原子堆積模型簡(jiǎn)簡(jiǎn)單單立立方方堆堆積積鉀型（體鉀型（體心立方）心立方）由由非非密密置置層層一一層層一一層層堆堆積積而而成成鎂型鎂型銅型銅型金屬晶體的兩種最密堆積方式金屬晶體的兩種最密堆積方式金屬晶體的原子堆積模型金屬晶體的原子堆積模型

11、金屬晶體的四種堆積模型對(duì)比金屬晶體的四種堆積模型對(duì)比堆積模型堆積模型典型代表典型代表空間利用率空間利用率配位數(shù)配位數(shù)晶胞晶胞簡(jiǎn)單立方簡(jiǎn)單立方PoPo52%52%6 6鉀型鉀型( ( bcpbcp ) )K K、NaNa、FeFe68%68%8 8鎂型鎂型( (hcphcp) )MgMg、ZnZn、TiTi74%74%1212銅型銅型( (ccpccp) )Cu, Ag, AuCu, Ag, Au74%74%1212七.離子晶體NaCl和和CsCl的晶胞的晶胞NaClNaCl晶體晶體每個(gè)每個(gè)NaNa+ +同時(shí)吸引同時(shí)吸引6 6個(gè)個(gè)ClCl- -，每個(gè)每個(gè)ClCl- -同時(shí)吸引同時(shí)吸引6 6個(gè)個(gè)N

12、aNa+ +每個(gè)每個(gè)ClCl（Na+Na+）同時(shí)吸引）同時(shí)吸引1212個(gè)個(gè)ClCl（NaNa+ +）(1)(1)幾何因素幾何因素-正負(fù)離子的半徑比正負(fù)離子的半徑比(r(r+ +/r/r- - ) )(2)(2)電荷因素電荷因素-正負(fù)離子的電荷比正負(fù)離子的電荷比(3)(3)鍵性因素鍵性因素-離子鍵的純粹程度離子鍵的純粹程度r+/rr+/r- -0.2250.2250.4140.414 0.4140.4140.7320.732 0.7320.7321.001.00配位數(shù)配位數(shù)1.離子晶體中離子的配位數(shù)的決定因素2.晶格能 1.1.晶格能晶格能: :在標(biāo)準(zhǔn)狀況下在標(biāo)準(zhǔn)狀況下, ,氣態(tài)正離子和氣態(tài)負(fù)離

13、子形氣態(tài)正離子和氣態(tài)負(fù)離子形成成1mol1mol離子晶體所釋放的能量離子晶體所釋放的能量. . 2.2.影響影響晶格能的因素晶格能的因素: : (1)(1)與正負(fù)離子電荷成正比與正負(fù)離子電荷成正比 (2)(2)與核間距成反比與核間距成反比( (與半徑成反比與半徑成反比) ) 3.3.晶格能與離子晶體的物理性質(zhì)晶格能與離子晶體的物理性質(zhì): : 晶格能越大晶格能越大, ,離子晶體越穩(wěn)定離子晶體越穩(wěn)定, ,熔沸點(diǎn)越高、硬度越熔沸點(diǎn)越高、硬度越大大. .八、混合型晶體八、混合型晶體達(dá)標(biāo)潛能練習(xí)達(dá)標(biāo)潛能練習(xí)1、下列不存在化學(xué)鍵的晶體是：、下列不存在化學(xué)鍵的晶體是：A.硝酸鉀硝酸鉀 B.干冰干冰 C.石墨

14、石墨 D.固體氬固體氬2、常溫常壓下的分子晶體是：、常溫常壓下的分子晶體是：A.碘碘 B.水水 C. 硫酸銨硫酸銨 D.干冰干冰3、同組物質(zhì)中化學(xué)鍵類型相同、晶體類型也相、同組物質(zhì)中化學(xué)鍵類型相同、晶體類型也相同的是：同的是：A、I2 Ar N2 Si B、金剛石、金剛石 O2 F2C、Ba(OH)2 K2O CaCl2 D、HCHO CO2 C2H5OH4 4、下列有關(guān)共價(jià)化合物的說(shuō)：具有較低的熔沸點(diǎn)、下列有關(guān)共價(jià)化合物的說(shuō)：具有較低的熔沸點(diǎn)不是電解質(zhì)固態(tài)時(shí)是分子晶體都由分子構(gòu)成不是電解質(zhì)固態(tài)時(shí)是分子晶體都由分子構(gòu)成液態(tài)時(shí)不導(dǎo)電，其中一定正確的說(shuō)法是：液態(tài)時(shí)不導(dǎo)電，其中一定正確的說(shuō)法是：A.A. B. B. C. C. D. D.全部正確全部正確5 5、關(guān)于晶體的下列說(shuō)法正確的是：、關(guān)于晶體的下列說(shuō)法正確的是： A A、在晶體中只要有陰離子就一定有陽(yáng)離子、在晶體中只要有陰離子就一定有陽(yáng)離子 B B、在晶體中只要有陽(yáng)離子就一定有陰離子、在晶體中只要有陽(yáng)離子就一定有陰離子 C C、 原子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的高原子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的高 D