第三章-真空蒸鍍

1、加熱器高閥AB擋板蒸發(fā)源支架加熱源襯底真空室加熱器擴(kuò)散泵高閥AB擋板蒸發(fā)源支架加熱源襯底真空室往機(jī)械泵擴(kuò)散泵機(jī)械泵磁力充氣閥低真空磁力閥AC高真空閥機(jī)械泵低真空磁力閥BAnswer 2Answer 12) (1rrnr2) (rrPkTr工 件2) (rrPkTrLrrPkTr10) (22) (10rrLkTPr22PkT/0 xxeNN/011xxeNNf lgTBAp）柱（蒸汽壓，單位：微米汞）絕對(duì)溫度（mHg K TpABABAB10.998.0710310.717.8310312.722.1310410.725.4910310.708.7610312.502.3210410.284.

2、4810311.636.5410312.333.031049.913.8010311.565.7210312.522.8410411.961.69810413.072.96210411.71 1.80310411.851.42710411.791.59410410.88 1.48710411.891.75810411.602.08510410.779.7110312.011.64710411.411.38410411.158.6310311.647.6510311.231.24810411.189.5310311.228.9410315.73410412.942.010411.643.0851

3、0412.702.11110413.593.710412.404.06810412.752.09610413.07 3.12310411.592.33110413.503.3810412.53 2.72810412.141.37410412.942.77210413.07 2.57210412.441.99710411.781.97110413.04 4.021104 2 mkTpJ 2 mkTpJvcm分子質(zhì)量；T絕對(duì)溫度；k玻耳茲曼常數(shù)冷凝系數(shù) ( 1 ）；pv飽和蒸汽壓； 2)(mkTppAdtdNJhvee式中，dN為蒸發(fā)分子（原子）數(shù)；A為蒸發(fā)表面積；e為蒸發(fā)系數(shù) ；t為時(shí)間（秒）

4、；pv和ph分別為飽和蒸汽壓和液相靜壓（Pa）。 )scm( 21 -2-個(gè)mkTpJvm 2vmpkTmmJG )3020(TdTGdGGO )scm( 2 1 -2-個(gè)由mkTpJvm、反射鏡反射鏡GOMoreMoreMoreMoreMoreMoreMoreMoreGOv鍍膜之前應(yīng)對(duì)基材做預(yù)處理，以獲得薄膜與基材較好的粘結(jié)性能。銅板鍍膜之前應(yīng)對(duì)基材做預(yù)處理，以獲得薄膜與基材較好的粘結(jié)性能。銅板和不銹鋼板先用細(xì)砂紙和不銹鋼板先用細(xì)砂紙(600#) 打磨平整打磨平整,然后依次用丙酮、無(wú)水乙醇、去然后依次用丙酮、無(wú)水乙醇、去離子水清洗；玻璃板直接用丙酮、無(wú)水乙醇、去離子水清洗。本文使用離子水清洗

5、；玻璃板直接用丙酮、無(wú)水乙醇、去離子水清洗。本文使用蘭州交通大學(xué)光電技術(shù)與智能控制教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的大型真空蒸發(fā)鍍蘭州交通大學(xué)光電技術(shù)與智能控制教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的大型真空蒸發(fā)鍍膜機(jī)制備膜機(jī)制備TiO2 薄膜。其鍍膜工藝流程為：商品薄膜。其鍍膜工藝流程為：商品TiO2涂敷在蒸發(fā)源上涂敷在蒸發(fā)源上抽抽真空真空離子清洗離子清洗延時(shí)延時(shí)60s鍍膜。離子清洗是通過(guò)鍍膜。離子清洗是通過(guò)N2氣等離子體轟擊氣等離子體轟擊鍍膜基材，去除污染物，保證表面清潔，獲得最佳的粘結(jié)效果。本試驗(yàn)鍍膜基材，去除污染物，保證表面清潔，獲得最佳的粘結(jié)效果。本試驗(yàn)中離子清洗條件是：電壓中離子清洗條件是：電壓14001500V，電流，電流1.952.04A，壓力，壓力3.010-23.210- 2 Pa；鍍膜機(jī)內(nèi)預(yù)鍍材料的轉(zhuǎn)速；鍍膜機(jī)內(nèi)預(yù)鍍材料的轉(zhuǎn)速4r/min，運(yùn)行時(shí)間，運(yùn)行時(shí)間120s。鍍膜時(shí)：電壓。鍍膜時(shí)