紫外檢測(cè)法用于電氣設(shè)備局部放電_第1頁(yè)
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1、紫外檢測(cè)法用于電氣設(shè)備局部放電1.1概述隨著工業(yè)發(fā)展和社會(huì)進(jìn)步,電力系統(tǒng)向大容量、超高壓和特高壓方向發(fā)展,對(duì)系統(tǒng)運(yùn)行可靠性要求越來(lái)越高。電力設(shè)備是組成電力系統(tǒng)的基本元件,其工作狀況直接關(guān)系到電力系統(tǒng)的安全經(jīng)濟(jì)運(yùn)行。電氣設(shè)備絕緣材料多為有機(jī)材料,如礦物油,絕緣紙或各種有機(jī)合成材料,絕緣體各區(qū)域承受的電場(chǎng)一般是不均勻的,而電介質(zhì)本身通常也是不均勻的,有的是由不同材料組成的復(fù)合絕緣體,如氣體一固體復(fù)合絕緣、液體一固體復(fù)合絕緣以及固體一固體復(fù)合絕緣等。有的雖是單一的材料,但是在制造或使用過(guò)程中會(huì)殘留一些氣泡或其他雜質(zhì),于是在絕緣體內(nèi)部或表面就會(huì)出現(xiàn)某些區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度高于平均電場(chǎng)強(qiáng)度,或某些區(qū)域的擊穿場(chǎng)

2、強(qiáng)低于平均擊穿場(chǎng)強(qiáng),因此在某些區(qū)域就會(huì)先發(fā)生放電,而其他區(qū)域仍然保持絕緣特性,這就形成了局部放電。在電場(chǎng)作用下,導(dǎo)體間絕緣僅部分區(qū)域被擊穿的電氣放電現(xiàn)象稱(chēng)為局部放電。對(duì)于被氣體包圍的導(dǎo)體附近發(fā)生的局部放電,可稱(chēng)之為電暈。局部放電可能發(fā)生在導(dǎo)體邊緣,也可能發(fā)生在絕緣體的表面或內(nèi)部,發(fā)生在表面的稱(chēng)為表面局部放電,發(fā)生在內(nèi)部的稱(chēng)為內(nèi)部局部放電。實(shí)踐證明局部放電是造成高壓電氣設(shè)備最終發(fā)生絕緣擊穿的主要原因,故對(duì)電氣設(shè)備局部放電的監(jiān)測(cè)尤為重要。局部放電對(duì)電氣設(shè)備會(huì)帶來(lái)嚴(yán)重的危害,主要表現(xiàn)在由于放電產(chǎn)生的局部發(fā)熱、帶電粒子的撞擊、化學(xué)活性生成物以及射線等因素對(duì)絕緣材料的損害。雖然局部放電能量很小,但在運(yùn)行

3、電壓作用下長(zhǎng)期發(fā)展,最終會(huì)導(dǎo)致絕緣擊穿,對(duì)設(shè)備的安全運(yùn)行構(gòu)成威脅,甚至造成電力設(shè)備運(yùn)行時(shí)出現(xiàn)故障造成供電中斷,其經(jīng)濟(jì)損失不可估量。我國(guó)曾對(duì)110kV及以上的變壓器統(tǒng)計(jì)表明,50%勺事故是匝問(wèn)絕緣事故;1971-1974年我國(guó)對(duì)170臺(tái)6kV及以上的電機(jī)事故進(jìn)行統(tǒng)計(jì),發(fā)現(xiàn)絕緣事故占60%對(duì)1984-1987年間的發(fā)電機(jī)事故調(diào)查表明,定子繞組絕緣擊穿和相間短路占定子事故的48.4%。面對(duì)電力系統(tǒng)口趨完善的保護(hù)措施,要求提高對(duì)設(shè)備的在監(jiān)檢測(cè)能力,對(duì)不同的電力設(shè)備制定出有效的測(cè)試及判斷標(biāo)準(zhǔn),在事故發(fā)展初期提出改善措施,以保證高壓設(shè)備的運(yùn)行安全,節(jié)約維修費(fèi)用。1.2局部放電檢測(cè)的常用方法及存在的問(wèn)題局部

4、放電測(cè)量的方法很多,主要是根據(jù)放電過(guò)程中發(fā)生的物理化學(xué)效應(yīng),通過(guò)測(cè)量局部放電所產(chǎn)生的電荷交換、能量的損耗、發(fā)射的電磁波、聲音和光以及生成的新物質(zhì)來(lái)表征部放電的狀態(tài)。常見(jiàn)的檢測(cè)方法有:脈沖電流法、色譜分析法、超高頻局部放電檢測(cè)技術(shù)、介質(zhì)損耗分析法、紅外熱像法、聲測(cè)法1-20脈沖電流法脈沖電流法是目前在局部放電測(cè)量中應(yīng)用最為廣泛的一種方法。放電電流脈沖信息含量豐富,可通過(guò)電流脈沖的統(tǒng)計(jì)特征和實(shí)際的波形來(lái)判定放電的嚴(yán)重程度,進(jìn)而運(yùn)用其他分析手段了解絕緣劣化的狀況及發(fā)展趨勢(shì)。同時(shí),該方法對(duì)于突變信號(hào)反應(yīng)靈敏,易于定量,能準(zhǔn)確及時(shí)地發(fā)現(xiàn)故障國(guó)際電工技術(shù)委員會(huì)(IEC專(zhuān)門(mén)對(duì)此方法制定了相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)(IEC-6

5、0270)。這種方法可以對(duì)放電量進(jìn)行定量測(cè)量,靈敏度高。但此種方法測(cè)量頻率低、頻帶窄、信息量少、易受外界干擾噪聲(f<l0MHz)影響,抗干擾能力差3,4色譜分析法色譜分析法用來(lái)分析油中溶解氣體的成分和濃度,以判斷局部放電的狀態(tài)。該方法簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)、有效,但檢測(cè)周期長(zhǎng),不能反映突發(fā)性故障,不能定量分析。超高頻(UHF)局部放電檢測(cè)技術(shù)超高頻法檢測(cè)頻帶可達(dá)300MHz-3GHz由于檢測(cè)信號(hào)頻率很高,所以受外界干擾影響小,有較高的靈敏度和可靠性。超高頻檢測(cè)法的局限性在于系統(tǒng)成本高且難以實(shí)現(xiàn)放電量的直接核準(zhǔn),即放電量的準(zhǔn)確標(biāo)定。介質(zhì)損耗分析法(DLA)由于亞輝光放電不產(chǎn)生放電脈沖信號(hào),而亞輝光放

6、電的脈沖上升沿時(shí)間太長(zhǎng),普通的脈沖電流法檢測(cè)裝置難以檢測(cè),介損法特別適用于測(cè)量低氣壓中存在的輝光或亞輝光放電。但是該方法只能定性的檢測(cè)局部放電是否發(fā)生,不能檢測(cè)局部放電量的大小。紅外熱成像技術(shù)紅外熱成像技術(shù)是一種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù),即把紅外輻射圖像轉(zhuǎn)換為可試圖像的技術(shù)。它是利用目標(biāo)內(nèi)有較大的溫度梯度或背景與目標(biāo)有較大熱對(duì)比度的特點(diǎn),使得低可視目標(biāo)很容易在紅外圖像中看到。對(duì)于復(fù)雜的絕緣結(jié)構(gòu),借助計(jì)算機(jī)輔助計(jì)算紅外熱像法可以得到一定的量化關(guān)系。在使用過(guò)程中人們發(fā)現(xiàn)以下環(huán)節(jié)制約著紅外技術(shù)的效果:不同的目標(biāo)有不同的光譜特性,目標(biāo)和探測(cè)間的環(huán)境和距離影響探測(cè)系統(tǒng)的性能;大氣中水汽、二氧化碳等各種氣體分子導(dǎo)致各

7、個(gè)大氣窗口中傳輸?shù)募t外輻射也有相當(dāng)大的衰減;對(duì)于電暈放電,如果看到紅外圖像時(shí),電氣設(shè)備放電已經(jīng)很?chē)?yán)重。聲測(cè)法聲測(cè)法可以對(duì)局部放電進(jìn)行定位,檢測(cè)設(shè)備可以遠(yuǎn)離設(shè)備安裝,很大程度上減小了強(qiáng)電磁場(chǎng)的干擾。但局部放電聲波的傳播過(guò)程很復(fù)雜,傳播過(guò)程中隨頻率的平方衰減,同時(shí)也難于進(jìn)行定量分析。1. 3紫外光檢測(cè)法的國(guó)內(nèi)外研究狀況在局部放電的過(guò)程中除了伴隨著電荷的轉(zhuǎn)移和電能的損耗之外,還會(huì)產(chǎn)生發(fā)光現(xiàn)象,所產(chǎn)生的光輻射主要由粒子從激勵(lì)狀態(tài)回復(fù)到基態(tài)或低能級(jí)過(guò)程及正、負(fù)離子或正離子與電子的復(fù)合過(guò)程產(chǎn)生。針對(duì)這一特性本文提出利用光輻射的光強(qiáng)來(lái)檢測(cè)局放的狀態(tài),并對(duì)典型模型局部放電過(guò)程中產(chǎn)生的光強(qiáng)進(jìn)行基礎(chǔ)性研究。紫外光

8、檢測(cè)法是利用光電探測(cè)器將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),通過(guò)對(duì)電信號(hào)的分析處理來(lái)反映局部部放電的強(qiáng)度。由于光信號(hào)在檢測(cè)的過(guò)程中可以與一次回路完全隔離,抗干擾能力較好,倍受研究人員的青睞;光檢測(cè)法可用于絕緣外部局部放電的檢測(cè),研究表明,高達(dá)26%Z上的電氣故障都與絕緣材料外部缺陷有關(guān)。同時(shí)隨著光電傳感器制造工藝口趨成熟,靈敏度高,體積小,為在線監(jiān)測(cè)提供了可能電力設(shè)備出現(xiàn)絕緣缺陷時(shí),會(huì)產(chǎn)生電暈、閃絡(luò)或電弧等不同形式的放電,此種放電的光譜多集中在紫外波段。根據(jù)檢測(cè)原理的不同,分為紫外光功率檢測(cè)法和紫外光成像檢測(cè)法2大類(lèi)。1)紫外光功率檢測(cè)法研究表明,紫外光輻射強(qiáng)度隨著放電量的增加而增加,因此通過(guò)檢測(cè)局部放電產(chǎn)生

9、的紫外光功率就能得到局放量的大小。紫外光功率檢測(cè)技術(shù)就是利用紫外探測(cè)器接收電力設(shè)備局放產(chǎn)生的紫外光信號(hào),通過(guò)檢測(cè)到的紫外光功率值計(jì)算電暈放電的能量值。該種檢測(cè)系統(tǒng)一般是由紫外光纖探頭、紫外探測(cè)器和信號(hào)采集處理單元等組成,結(jié)構(gòu)如圖1所示。為了能探測(cè)到微弱光信號(hào),光纖探頭采用球狀結(jié)構(gòu)增加入射光通量,探測(cè)器采用紫外光電倍增管放大微弱信號(hào)。為了對(duì)局放位置定位,可以在電力設(shè)備中布置多個(gè)紫外光纖探頭形成局放檢測(cè)矩陣,結(jié)合多個(gè)探關(guān)系。重慶大學(xué)的張占龍等人采用該種方法對(duì)變壓器電暈放電進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究結(jié)果表明,該種方法檢測(cè)放電點(diǎn)位置與實(shí)際的放電點(diǎn)最大誤差為7.8%,速定位放電位置和放電量,檢測(cè)效果靈敏,適用于電力設(shè)

10、備的在線監(jiān)測(cè),好的工程化應(yīng)用價(jià)值。頭的不同檢測(cè)結(jié)果,以確定局放位置。寧波大學(xué)的童嘯霄等人研究了電暈電流大小和紫外探測(cè)器響應(yīng)的光脈沖數(shù)的關(guān)系6,并通過(guò)電光傳遞函數(shù)定量表示二者的可以快具有較er電佶號(hào)圖1紫外光功率檢測(cè)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)2)紫外光成像檢測(cè)法紫外光成像檢測(cè)技術(shù)的工作原理如圖2所示,該系統(tǒng)是由可見(jiàn)光和紫外光2個(gè)通道組成,局部放電產(chǎn)生的信號(hào)源通過(guò)紫外光束分離器分為2束,其中一束經(jīng)過(guò)紫外濾光鏡濾掉紫外光以外的光線進(jìn)入紫外光鏡頭,在紫外相機(jī)中形成紫外圖像;另一束信號(hào)經(jīng)處理后進(jìn)入可見(jiàn)光鏡頭,并在可見(jiàn)光相機(jī)中形成可見(jiàn)光圖像。之后采用特定的圖像處理和融合方法,輸出包含局部放電信號(hào)的圖像,達(dá)到確定局部放電位置

11、和強(qiáng)度的目的。李艷鵬等人已將紫外成像儀應(yīng)用于1000kV特高壓交流輸電工程中變壓器的局放檢測(cè)中網(wǎng),并檢測(cè)到了外部電暈干擾,實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖3所示,實(shí)現(xiàn)了對(duì)變壓器局部放電試驗(yàn)外部干擾的快速準(zhǔn)確定位。目前,紫外成像儀已有產(chǎn)品投入市場(chǎng)。比如以色列OFIL工公司生產(chǎn)的Dayco川型的紫外成像儀,該設(shè)備采用日盲濾光器,實(shí)現(xiàn)白天檢測(cè)電暈放電的目的。南非CSIR公司的研究人員利用紫外太陽(yáng)盲區(qū),開(kāi)發(fā)出CoroCAMK外電暈檢測(cè)系統(tǒng),該儀器的波長(zhǎng)響應(yīng)范圍在240-280nm,因而能探測(cè)出電暈產(chǎn)生的光波,可以用于電力變壓器、輸電線路等局部放電的檢測(cè)。圖2紫外光成像檢測(cè)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖3紫外成像儀檢測(cè)1000kV高壓套管局放

12、紫外光檢測(cè)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是檢測(cè)時(shí)不改變?cè)O(shè)備的運(yùn)行狀態(tài),檢測(cè)方法簡(jiǎn)單操作方便,檢測(cè)結(jié)果形象直觀,且易于數(shù)字化和智能化。但是對(duì)于紫外光功率檢測(cè)技術(shù),只有電壓超過(guò)電暈放電的臨界值的局部放電才能被紫外探測(cè)器檢測(cè)到,檢測(cè)靈敏度低,不利于微弱信號(hào)的檢測(cè);紫外光成像儀容易受到溫度、濕度、氣壓、觀測(cè)距離等環(huán)境和儀器自身增益影響,導(dǎo)致紫外成像技術(shù)很難定量分析局部放電量。1.3.1紫外檢測(cè)法在國(guó)外發(fā)展?fàn)顩r對(duì)放電伴隨產(chǎn)生的光信號(hào)研究,國(guó)外早在70年代后期就已開(kāi)始,80年代則有按IEC112方法研究有機(jī)絕緣介質(zhì)表面的光發(fā)射的論文的發(fā)表,90年代初,有人利用光電測(cè)量系統(tǒng)檢測(cè)SF6絕緣系統(tǒng)的局部放電9,10。目前,國(guó)外的研究

13、重點(diǎn)主要在檢測(cè)電暈放電的儀器開(kāi)發(fā)。南非CSIR公司的研究人員利用紫外太陽(yáng)盲區(qū),開(kāi)發(fā)出CoroCAMR外電暈檢測(cè)系統(tǒng),該儀器的波長(zhǎng)響應(yīng)范圍在240-280nm之間,因而能探測(cè)出電暈產(chǎn)生的光波。利用系統(tǒng)配備的集成模式可以進(jìn)一步觀察到設(shè)備放電區(qū)域的形狀和大小11,12,13(圖4)圖4絕緣了延面放電紫外成像特征Fig.4UVimagingfeatureofchacreepingdischargeCoroCAMS統(tǒng)可提供電暈處的圖像,這一信息足以確定電暈發(fā)生的確切位置印可能的原因。有活動(dòng)的圖像可以確定電暈的特性,放電的危害程度和認(rèn)定問(wèn)題的類(lèi)型,彌補(bǔ)了紅外熱成像儀和望遠(yuǎn)鏡的不足,為高壓設(shè)備外絕緣放電提供

14、了一個(gè)綜合的檢測(cè)結(jié)果14,15o表1給出了幾種典型放電的圖例說(shuō)明。表1.1典型放電圖例說(shuō)明Table1.1Keytosymbleoftypicaldischarge電錄輔射類(lèi)型城外-儀顯平的圖像倒樹(shù)件電蟆像火羊打心狀,萬(wàn)向.大小總在改變火花何期可見(jiàn)小的火北縫吼,拚境而明亮I:一性一葷出現(xiàn)在片體關(guān)鍵用仔,電小眼小.自一個(gè)段光電目前國(guó)際上已有多家電力公司將紫外電暈成像儀應(yīng)用于輸電線路、電力設(shè)備和發(fā)電機(jī)線圈表面放電的檢測(cè),均取得了良好的效果。由美國(guó)EPR!牽頭多家電力公司共同就紫外成像儀檢測(cè)架空線電暈放電進(jìn)行了為期3年的檢測(cè)研究,通過(guò)試驗(yàn)室模擬和大量的現(xiàn)場(chǎng)實(shí)測(cè)經(jīng)驗(yàn),編寫(xiě)了一份架空線電暈現(xiàn)象的正確評(píng)估

15、檢測(cè)導(dǎo)則。與傳統(tǒng)的檢測(cè)方法相比,使用紫外成像儀檢測(cè)輸電線路,有以下顯著優(yōu)點(diǎn):使用紫外成像儀檢測(cè)時(shí),可以做到不停電、不改變系統(tǒng)的運(yùn)行狀態(tài),從而監(jiān)測(cè)設(shè)備在運(yùn)行狀態(tài)下的真實(shí)狀態(tài)信息。由于紫外檢測(cè)基于探測(cè)對(duì)象自身發(fā)射的紫外線,不需另備輔助信號(hào)源和各種檢測(cè)裝置。因此,此種檢測(cè)方法手段單一、操作方便。能夠比較迅速、形象、直觀地顯示出設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)和有無(wú)故障,以及比較明確給出故障的屬性、部位和嚴(yán)重程度。與傳統(tǒng)人工徒步觀測(cè)和登桿塔檢測(cè)方法相比,大大提高了檢測(cè)效率,降低了勞動(dòng)強(qiáng)度,同時(shí)又可以不受地理環(huán)境條件的限制。促進(jìn)向智能化診斷方向的發(fā)展。紫外檢測(cè)和故障診斷有利于實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備的狀態(tài)管理和向狀態(tài)維修體制的過(guò)渡。

16、與目前普遍采用的紅外檢測(cè)方法相比,紫外檢測(cè)法可及早發(fā)現(xiàn)設(shè)備故障,而紅外檢測(cè)法往往等隱患發(fā)展到一定程度才檢測(cè)出。除紫外成像儀外,能較好反應(yīng)光強(qiáng)弱變化的光敏二極管也得到廣泛應(yīng)用。光敏二極管屬于光伏型探測(cè)器,當(dāng)光敏二極管的反向偏壓加大到一定值后,光生載流子的收集達(dá)到極限,光生電流趨于飽和,止匕時(shí),光生電流與光強(qiáng)度成線性關(guān)系,如圖5。由于電暈放電時(shí),紫外光強(qiáng)度隨電壓的增加而增強(qiáng),可以考慮用光敏二極管來(lái)檢測(cè)電暈放電大小。圖5光敏二極管的光照特性Fig.5Irradiantcharacteristicsofphotodiode紫外光敏傳感器的優(yōu)劣很大程度上取決于材料。目前Si材料的紫外光敏傳感器使用比較廣

17、泛,波長(zhǎng)的相應(yīng)范圍大約在300-400nm,但為了避開(kāi)可見(jiàn)光的影響,需要與濾光片配合使用;再者,Si材料的抗輻射能力不夠強(qiáng)。為了覆蓋紫外的光譜范圍,人們開(kāi)始關(guān)注寬禁帶的半導(dǎo)體材料,因?yàn)樵擃?lèi)型半導(dǎo)體材料涵蓋了臭氧層吸收的主要窗口200-280nm,是制作太陽(yáng)盲區(qū)紫外探測(cè)器的理想材料。其中Ga明口SiC倍受青睞16。GaN勺禁帶寬、介電常數(shù)低、耐腐蝕性好、高熱導(dǎo)率電子遷移率高,室溫下它的禁帶寬度為3.43eV,對(duì)應(yīng)能量的光子波長(zhǎng)約為362nm由GaNM料制成的光電探測(cè)器在362nm附近會(huì)出現(xiàn)一個(gè)高響應(yīng)峰,且對(duì)波長(zhǎng)大于362nm的光輻射不敏感,響應(yīng)度可相差三個(gè)數(shù)量級(jí)以上。但田族氮化合物沒(méi)有p/n結(jié),

18、且晶體質(zhì)量較差17o直到1989年A.kasaki首次成功制作了GaNp-n,GaN的研究有了很大進(jìn)展。1992年Khan等人利用GaN材料制出光導(dǎo)型紫外探測(cè)器,響應(yīng)時(shí)間約為1ms隨后,Khan等人又用p型GaN!膜研制出肖特基勢(shì)壘光電二極管。1995年p-n結(jié)GaNK外探測(cè)器研制成功,響應(yīng)時(shí)間也提高到0.4ms。1999年至今,美國(guó)Nitronerx公司與北卡羅那大學(xué)Honeyweft術(shù)中心在GaNS面陣口盲型紫外焦平面探測(cè)器的研究上取得顯著進(jìn)步。從GaND-i-n在室溫條件的光譜響應(yīng)曲線(圖6)看出,它的工作區(qū)域較好的覆蓋在口盲區(qū)"19。圖6室溫下GaNp-i-n光敏二極管光譜響

19、應(yīng)范圍Fig.6SpectalresponserangeofGaNp-i-natroomtemperature1.3.2紫外檢測(cè)法在國(guó)內(nèi)發(fā)展?fàn)顩r從80年代起,國(guó)內(nèi)開(kāi)始了對(duì)局部放電光檢測(cè)法的研究,由于放電涉及很多復(fù)雜的微觀過(guò)程,對(duì)試驗(yàn)設(shè)備和測(cè)試手段的要求很高,使得過(guò)去的研究結(jié)果還存在很多不足之處,但也取得了一些豐碩的成果。清華大學(xué)與武漢大學(xué)分別就典型模型的電暈放電進(jìn)行了光譜分析。針對(duì)普遍認(rèn)為局部放電起始階段會(huì)產(chǎn)生明顯的紫外光20,21,22,文獻(xiàn)23提出不同電壓等級(jí)下光譜的范圍有所不同:電壓低時(shí)主要表現(xiàn)為紅外區(qū),電壓較高時(shí)為紫外區(qū);當(dāng)氣隙變長(zhǎng)時(shí),紫外輻射加強(qiáng),紅外光譜減弱;可見(jiàn)光區(qū)域?qū)ν饧与妷汉?/p>

20、氣隙長(zhǎng)度較不敏感。參考文獻(xiàn)1郭俊,吳廣宇,張血琴,等.局部放電檢測(cè)技術(shù)的現(xiàn)狀和發(fā)展J.電工技術(shù)學(xué)報(bào),2005.20(2):29-35.2劉耀南,邱昌容.電氣絕緣測(cè)試技術(shù)M.北京:機(jī)械工業(yè)出版社,1994.3王曉蓉,楊敏中,嚴(yán)璋.電力設(shè)備局部放電測(cè)量中抗干擾研究的現(xiàn)狀和展望J.變壓器,2002.(9):31-35.4莊興元.電力設(shè)備在線監(jiān)測(cè)技術(shù)現(xiàn)狀及實(shí)際開(kāi)發(fā)應(yīng)用前景J.電工技術(shù),2003,(5):19-225KautholdM,BamjiSSandBulinskiAT.Opticaldetectionofpartialdischargesingas-insulatedsystems,IEEEAn

21、nualReport-conferenceonelectricalinsulationanddielectricphenomena,1996,2(10):618-623.6童嘯霄,袁永剛,吳禮剛,等.電暈放電等級(jí)的光學(xué)測(cè)量J.光電工程,2012,38(12);63-68.7張占龍,王科,唐炬,等.變壓器電暈放電紫外脈沖檢測(cè)法J.電力系統(tǒng)自動(dòng)化,2010,34(2);84-88.8李艷鵬,晉濤,張健,等.紫外成像技術(shù)在特高壓變壓器局部放電試驗(yàn)中的應(yīng)用J.高壓電器,2013,49(11),123-1329 YoshimuraN.Lightemissionfromtrackingdischarges

22、onoragnicinsulation.IEEETransonEI,1984,19:14910 PinnsDF.OpticaldischargedetectioninSF6insulatedsystem.IEEETransonEI,1999,25:40511戴利波.紫外成像技術(shù)在高壓設(shè)備帶電檢測(cè)中的應(yīng)用J.電力系統(tǒng)白動(dòng)化,2003,27(20):97-98.12 M.Lindner,S.Elstein,P.LindnerandJ.M.Topaz.DaylightCoronaDischargeImager.IEEHighVoltageEngineering,1999EleventhInternationalSymposiumonvolume4,23-27Aug.1999Page(s):349-352.13 K.W.Voslo,GR.StolperandP.Baker,"DaylightCoronaDischargeObservationandRecordingsystem".The10thInternationalSymposiumonHVEngineerin

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