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1、1.書(shū)寫化學(xué)方程式的原那么(1)必須以 為根底,絕不能憑空臆想、臆造事實(shí)上不存在的 和 。(2)要遵守 ,等號(hào)兩邊的各原子的 與 必須相等。課題2如何正確書(shū)寫化學(xué)方程式客觀事實(shí)物質(zhì)化學(xué)反響質(zhì)量守恒定律種類數(shù)目1第一頁(yè),編輯于星期一:二十一點(diǎn)十三分。2.書(shū)寫化學(xué)方程式的步驟(1)寫:在式子的左、右兩邊分別寫出反響物和生成物的 ,中間畫(huà)一條短線(或標(biāo)出一個(gè)指向生成物的箭頭),反響物或生成物不止一種用“+連接。(2)配:在反響物和生成物的前面配上適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)計(jì)量數(shù),使左、右兩邊每一種元素的 總數(shù)相等。(3)等:配平后把短線改成 。(4)注:在等號(hào)的上下方注明 ,生成物的后面要用“或“注明生成物的狀態(tài)。
2、(5)查:檢查化學(xué)式是否寫錯(cuò)、化學(xué)方程式是否配平、條件和生成物的狀態(tài)是否注明、標(biāo)注是否恰當(dāng)?;瘜W(xué)式原子等號(hào)反響條件3.化學(xué)方程式的讀法和表示的意義(1)概念用 來(lái)表示化學(xué)反響的式子?;瘜W(xué)式2第二頁(yè),編輯于星期一:二十一點(diǎn)十三分。反響物 生成物粒子數(shù)目生成物反響物 氧氣水432362個(gè)1個(gè)水分子3第三頁(yè),編輯于星期一:二十一點(diǎn)十三分?;瘜W(xué)方程式書(shū)寫D4第四頁(yè),編輯于星期一:二十一點(diǎn)十三分。D5第五頁(yè),編輯于星期一:二十一點(diǎn)十三分。(1)書(shū)寫化學(xué)方程式必須依據(jù)的原那么以客觀事實(shí)為根底;遵守質(zhì)量守恒定律。(2)書(shū)寫步驟寫:根據(jù)事實(shí)寫出反響物、生成物的化學(xué)式,中間用短線相連;配:配平化學(xué)方程式;等:將
3、短線改為等號(hào);注:注明反響條件以及生成物的狀態(tài)“或“;查:檢查化學(xué)式是否寫錯(cuò)、化學(xué)方程式是否配平、條件和生成物的狀態(tài)是否注明、標(biāo)注是否恰當(dāng)。6第六頁(yè),編輯于星期一:二十一點(diǎn)十三分。化學(xué)方程式的配平7第七頁(yè),編輯于星期一:二十一點(diǎn)十三分。+5+4141428第八頁(yè),編輯于星期一:二十一點(diǎn)十三分。CD9第九頁(yè),編輯于星期一:二十一點(diǎn)十三分。BC 10第十頁(yè),編輯于星期一:二十一點(diǎn)十三分。BA11第十一頁(yè),編輯于星期一:二十一點(diǎn)十三分。7.(2017天津改編)寫出以下反響的化學(xué)方程式。(1)鎂在氧氣中燃燒生成氧化鎂: 。(2)鋅和稀硫酸反響生成硫酸鋅和氫氣: 。(3)氫氧化鈉溶液與稀鹽酸混合生成氯化鈉和水: 。12第十二頁(yè),編輯于星期一:二十一點(diǎn)十三分。8.(實(shí)驗(yàn)題)晶體硅在電子工業(yè)中有廣泛的應(yīng)用。工業(yè)上生產(chǎn)高純硅的流程如下:二氧化硅粗硅SiHCl3(粗)SiHCl3(純)高純硅物理
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