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1、 電子的質(zhì)量 9.109 382 15(45) 10 -31 kg，或 5.485 799 094 3(23) 10-4 amu Bell實(shí)驗(yàn)室實(shí)驗(yàn)室 戴維森戴維森-革末實(shí)驗(yàn)革末實(shí)驗(yàn) mvhPheVmvE221)109788. 01 (25.126VV25.12V陰極陽(yáng)極W絲或LaB6W/ZrO2發(fā)射極陽(yáng)極(提取極)抑制極真實(shí)電子源幾何光學(xué)透鏡使光線聚焦旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)面焦點(diǎn)、焦距、物距、像距電子光學(xué)電磁透鏡（電場(chǎng)和磁場(chǎng)）旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)的電場(chǎng)或磁場(chǎng)產(chǎn)生的等位面焦點(diǎn)、焦距、物距、像距聚焦折射面光學(xué)參量電子在等電位面的折射B等電位面AV1V2v1v2電場(chǎng)中等電位面是對(duì)電子電場(chǎng)中等電位面是對(duì)電子折射率相同的表面折

2、射率相同的表面電子穿過(guò)透鏡磁場(chǎng)時(shí)，速度不變，方向連續(xù)偏轉(zhuǎn)，形成復(fù)雜的空間軌道圓錐螺旋近軸運(yùn)動(dòng)。fvu111ffvfufuvM2)(INVkf BEISEISEI和和BEI比較比較SEI具有高的分辨率具有高的分辨率俄歇電子僅在表面俄歇電子僅在表面1nm層產(chǎn)生層產(chǎn)生，適用于表面分析二次電子在表面二次電子在表面10nm層內(nèi)產(chǎn)生層內(nèi)產(chǎn)生，其發(fā)射的深度和廣度與入射電子束的直徑相差無(wú)幾。SEM成像的各種信號(hào)中，SEI具有最高的具有最高的分辨率分辨率背散射電子能量較高，可從試樣背散射電子能量較高，可從試樣表面較深處射出表面較深處射出，BEI的分辨率比SEI低得多，取決于入射電子能量和試樣原子序數(shù)X射線信號(hào)產(chǎn)生的深度和廣度范射線信號(hào)產(chǎn)生的深度和廣度范圍較大。圍較大。對(duì)于特征X射線，只有能量大于Ek的

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