南昌大學(xué)材料科學(xué)導(dǎo)論期末試卷試題重點(diǎn)_第1頁
南昌大學(xué)材料科學(xué)導(dǎo)論期末試卷試題重點(diǎn)_第2頁
南昌大學(xué)材料科學(xué)導(dǎo)論期末試卷試題重點(diǎn)_第3頁
南昌大學(xué)材料科學(xué)導(dǎo)論期末試卷試題重點(diǎn)_第4頁
南昌大學(xué)材料科學(xué)導(dǎo)論期末試卷試題重點(diǎn)_第5頁
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文檔簡介

1、材料科學(xué)導(dǎo)論復(fù)習(xí)題第一章1、重要概念【結(jié)構(gòu)材料】是指具有抵抗外場作用而保持自己的形狀、結(jié)構(gòu)不變的優(yōu)良力學(xué)性能(強(qiáng)度和韌性等),用于結(jié)構(gòu)目的的材料?!竟δ懿牧稀渴蔷哂袃?yōu)良的電學(xué)、磁學(xué)、光學(xué)、熱學(xué)、聲學(xué)、力學(xué)、化學(xué)和生物學(xué)功能及其相互轉(zhuǎn)化的功能,被用于非結(jié)構(gòu)目的的高技術(shù)材料。【結(jié)合鍵】指由原子結(jié)合成分子或固體的方式和結(jié)合力的大小。結(jié)合鍵決定了物質(zhì)的一系列物理、化學(xué)、力學(xué)等性質(zhì)。【離子鍵】正負(fù)離子間的靜電作用?!竟矁r(jià)鍵】同號電荷聚集在兩個(gè)原子之間,形成共用電子對?!窘饘冁I】在金屬中的自由電子與金屬正離子相互作用所構(gòu)成的鍵合稱為金屬鍵?!練滏I】【強(qiáng)健(一次鍵)】【弱鍵(二次鍵)】【對稱性】若一個(gè)物體(

2、或晶體圖形)當(dāng)對其施行某種規(guī)律的動作以后,它仍然能夠恢復(fù)原狀(即其中點(diǎn)、線、面都與原始的點(diǎn)、線、面完全重合)時(shí),就把該物體(圖形)所具有的這種特性稱之為“對稱性”?!居行驘o序轉(zhuǎn)變】【對稱破缺】原來具有較高對稱性的系統(tǒng)出現(xiàn)不對稱因素,其對稱程度自發(fā)降低的現(xiàn)象。2、問答題離子鍵及其晶體特點(diǎn)答:鍵合特點(diǎn):無飽和性、方向性不明顯、配位數(shù)大、強(qiáng)鍵(一次鍵)離子鍵材料的性能特點(diǎn):高熔點(diǎn)、高硬度、低塑性、絕緣性能好共價(jià)鍵及其晶體特點(diǎn)答:鍵合特點(diǎn):方向性明顯,配位數(shù)小,密度小,有飽和性金屬鍵及其晶體特點(diǎn)答:鍵合特點(diǎn):無方向性無飽和性,強(qiáng)鍵金屬鍵材料性能特點(diǎn):良好的導(dǎo)電性及導(dǎo)熱性、正的電阻溫度系數(shù)、良好的強(qiáng)度及

3、塑性、特有的金屬光澤、密度比較大。有序無序轉(zhuǎn)變方式為什么高熔點(diǎn)的元素具有強(qiáng)的一次鍵和低的線膨脹系數(shù)?下圖為A、B兩種材料的鍵能曲線,請比較兩種材料線膨脹系數(shù)的大小,簡要說明理由。第二章1、重要概念【晶體】是內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)在三維空間呈周期性重復(fù)排列的固體【非晶體】物質(zhì)的分子(或原子、離子)不呈空間有規(guī)則周期性排列的固體?!究臻g點(diǎn)陣】向空間三維方向伸展的點(diǎn)陣稱為空間點(diǎn)陣【七大晶系】等軸晶系、六方晶系、四方晶系、三方晶系、斜方晶系、單斜晶系、三斜晶系【十四種布拉菲點(diǎn)陣】【晶向】通過晶體中原子中心的不同方向的原子列?!揪蜃濉吭优帕星闆r相同在空間位向不同(即不平行)的晶向統(tǒng)稱為晶向族?!揪妗吭诰w學(xué)中,

4、通過晶體中原子中心的平面叫作晶面【晶面族】在立方晶系中,由于原子的排列具有高度的對稱性,往往存在有許多原子排列完全相同但在空間位向不同(即不平行)的晶面,這些晶面總稱為晶面族。其用大括號表示,即abc?!揪骈g距】同一晶面族相鄰兩晶面間的距離?!靖飨蛲浴烤w在不同的方向所測得的性能數(shù)值完全相同【各向異性】晶體的各向異性即沿晶格的不同方向,原子排列的周期性和疏密程度不盡相同,由此導(dǎo)致晶體在不同方向的物理化學(xué)特性也不同,這就是晶體的各向異性。【四面體間隙】由一個(gè)頂點(diǎn)原子和三個(gè)面心原子圍成,其大小:rB=0.225R,間隙數(shù)量為8個(gè)。【八面體間隙】位于晶胞體中心和每個(gè)棱邊的中點(diǎn),由 6 個(gè)面心原子

5、所圍成,大小rB=0.414R,rB為間隙半徑,R為原子半徑,間隙數(shù)量為4個(gè)?!緹o公度相】在一定的溫度(或壓強(qiáng))范圍內(nèi),某些晶體中出現(xiàn)某種局域的原子特性的周期性分布,稱做調(diào)制結(jié)構(gòu)。它的調(diào)制波長和點(diǎn)陣常數(shù)之間,可以有簡單整數(shù)比的關(guān)系,也可以偏離簡單整數(shù)比的關(guān)系。如果有簡單整數(shù)比關(guān)系,便稱做公度,如果偏離簡單整數(shù)比關(guān)系,便稱做無公度。存在公度調(diào)制結(jié)構(gòu)的相稱做公度相,存在無公度調(diào)制結(jié)構(gòu)的相稱做無公度相。公度相和無公度相之間的轉(zhuǎn)變,叫做公度-無公度相變。【面心立方】原子分布在立方體的八個(gè)角上和六個(gè)面的中心。面中心的原子與該面四個(gè)角上的原子緊靠?!倔w心立方】八個(gè)原子處于立方體的角上,一個(gè)原子處于立方體的

6、中心,角上八個(gè)原子與中心原子緊靠?!久芘帕健吭优帕性谡嬷w的各頂點(diǎn)和上下面的中心,在正六面柱體的中間還有3個(gè)原子?!局旅芏取恐旅芏仁侵妇О性铀俭w積與晶胞體積之比,用K表示,(對一個(gè)晶胞而言)?!揪О訑?shù)】頂點(diǎn)*1/8+面心*1/2+體心*1【密排面】原子密度最大的面【配位數(shù)】配位數(shù)是指晶體結(jié)構(gòu)中與任一原子最近鄰并且等距離的原子數(shù)。2、問答及計(jì)算題晶體與非晶體有什么重要的差別?畫出面心立方金屬晶體中的任一最密排面和最密排方向,寫出其晶面、晶向簇指數(shù)。畫出體心立方晶體結(jié)構(gòu)的基本單胞及間隙,寫出單胞的原 子數(shù)和致密度下圖為立方點(diǎn)陣晶胞,寫出或計(jì)算出下列試題的答案:(1)寫出以O(shè)為起點(diǎn)

7、的OA、OB、OC、OP1、OP4各方向的 晶向指數(shù)。幾何條件:P4P6 = 3 AP4,P6P7 = 3 BP6,P1P7 = 2 CP1。 (2)寫出晶面P2P3P5P7的晶面指數(shù),并寫出圖中所包含的不通過O點(diǎn)的所有與其同一晶面族的晶面指數(shù)。課堂練習(xí)題等第三章1、重要概念晶體融化的判據(jù):當(dāng)原子熱振動的均方根位移與原子間距之比值超過一定限度后,晶體即產(chǎn)生熔化。玻璃化轉(zhuǎn)變溫度:玻璃化過程的體積變化是連續(xù)的,但在體積連續(xù)變化過程中在溫度Tg處斜率產(chǎn)生了明顯的轉(zhuǎn)折,這一轉(zhuǎn)折稱為玻璃化轉(zhuǎn)變,對應(yīng)于過冷液體轉(zhuǎn)變?yōu)椴AB(tài),對應(yīng)的溫度Tg即為玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。玻璃化轉(zhuǎn)變的實(shí)質(zhì):玻璃化轉(zhuǎn)變對應(yīng)于液體原子非定域

8、性的喪失,原子被凍結(jié)在無序結(jié)構(gòu)中,這就是玻璃化轉(zhuǎn)變的實(shí)質(zhì),即結(jié)構(gòu)無序的液體變成了結(jié)構(gòu)無序的固體。結(jié)晶曲線示意圖:見書(上)P73頁位置無序的統(tǒng)計(jì)描述:由于非靜態(tài)的長程無序特征,因此對非晶態(tài)的結(jié)構(gòu)描述,一般都是用統(tǒng)計(jì)的方法來描述,即用它的徑向分布函數(shù)來描述。伏龍諾依多面體。利用鏡像分布函數(shù)來描述非晶態(tài)結(jié)構(gòu)信息存在一定局限性。要獲得結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié),還得乞助于構(gòu)造模型:無規(guī)密堆模型:將液體是為均勻的,相干的而且基本上是無規(guī)的分子集合,其中并不包含晶態(tài)的區(qū)域,或在低溫下存在大到足夠容納其他分子的空洞,只考慮了球形原子的堆積問題的球桿模型。無規(guī)網(wǎng)絡(luò)模型:機(jī)構(gòu)的基本單元為4個(gè)氧原子構(gòu)成的四面體,并處于中心處的

9、四價(jià)硅原子鍵合;即相鄰的四面體是拱頂點(diǎn)的,因而無線結(jié)構(gòu)形成后,化學(xué)式保持為SiO2。這樣可以形成一個(gè)無規(guī)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),無線性的引入使Si-OSi鍵角可以對平均值產(chǎn)生偏離,鍵長也可以相應(yīng)地予以伸縮,還可以沿SiO鍵來旋轉(zhuǎn)四面體的方位。聚合物:由長鏈大分子(又稱高分子)所構(gòu)成的。高分子是由大量一種或幾種較簡單結(jié)構(gòu)單元組成的大型分子,其中每一結(jié)構(gòu)單元都包含幾個(gè)連結(jié)在一起的原子,整個(gè)高分子所含原子數(shù)目一般在幾萬以上,而且這些原子是通過共價(jià)鍵連接起來的。液晶態(tài):一些物質(zhì)的晶態(tài)結(jié)構(gòu)受熱熔融或被溶劑溶解后,變成具有流動性的液體,分子位置無序,但結(jié)構(gòu)上仍然保持有序排列,即分子取向仍具有長程序,從而在物理性質(zhì)上呈現(xiàn)

10、各向異性,形成一種兼有部分晶和液體性質(zhì)的過渡狀態(tài),這種中間狀態(tài)稱為液晶態(tài),具有這種狀態(tài)的物質(zhì)稱為液晶。液晶的組成:形成液晶的有機(jī)分子通常是具有剛性結(jié)構(gòu)的分子,分子量在200500g/mol,長度達(dá)幾十個(gè)埃,長寬比在48之間。液晶的結(jié)構(gòu)單元:可分為四類:1)棒狀分子; 2)盤狀分子; 3)友邦裝貨盤狀分子連接而成的(柔性)長鏈聚合物; 4)有雙親分子自組裝而成的膜。液晶的結(jié)構(gòu):一:熱致液晶:1、向列相 第四章1、重要概念【合金】兩種或兩種以上的金屬或金屬與非金屬經(jīng)冶煉、燒結(jié)或其他方法組合而成并具有金屬特性的物質(zhì)。【相】合金中具有同一聚集狀態(tài),同一結(jié)構(gòu),以及成分性質(zhì)完全相同的均勻組成部分。【點(diǎn)缺陷

11、】現(xiàn)在我們設(shè)想這樣一種情況:當(dāng)溫度足夠高使得原子的振幅變得很大,以致于能掙脫周圍原子對其的束縛(請讀者考慮為什么振幅大,原子可以脫離平衡位置)。因此,這個(gè)原子就成為“自由的”,它將會在晶體中以多余的原子方式出現(xiàn)?如果沒有正常的格點(diǎn)供該原子“棲身”,那么這個(gè)原子就處在非正常格點(diǎn)上即間隙位置。顯然,這就是我們前面所說的間隙式原子。由于原子掙脫束縛而在原來的格點(diǎn)上留下了空位。這就是點(diǎn)缺陷形成的本質(zhì)?!揪€缺陷】晶體中某處一列或若干列原子有規(guī)律的錯(cuò)排。【面缺陷】一塊晶體常常被一些界面分隔成許多較小的疇區(qū),疇區(qū)內(nèi)具有較高的原子排列完整性,疇區(qū)之間的界面附近存在著較嚴(yán)重的原子錯(cuò)排。這種發(fā)生于整個(gè)界面上的廣延

12、缺陷被稱作面缺陷【肖特基空位】離位原子進(jìn)入其它空位或遷移至晶界或表面?!靖ヌm克空位】離位原子進(jìn)入晶體間隙?!竟倘荏w】是一種組元(溶質(zhì))溶解在另一種組元中(溶劑,一般為金屬中),保持溶劑的點(diǎn)陣類型不變?!净衔铩坑蓛煞N或多種組元按一定比例(一定的成分)構(gòu)成一個(gè)新的點(diǎn)陣,即不是溶劑的點(diǎn)陣也不是溶質(zhì)的點(diǎn)陣?!竟倘荏w特點(diǎn)】溶劑的點(diǎn)陣類型不變,溶質(zhì)原子或是代替部分溶劑原子(置換式固溶體),或是進(jìn)入溶劑組元的間隙(間隙式固溶體)。【置換固溶體】溶質(zhì)原子置換了溶劑點(diǎn)陣中部分溶劑原子。【間隙固溶體】溶質(zhì)原子分布于溶劑晶格間隙中。【一次固溶體】以純金屬元素為溶劑形成的固溶體?!径喂倘荏w】以化合物為溶劑,組元元

13、素之一為溶質(zhì)而形成的固溶體。【點(diǎn)缺陷平衡濃度】在某一溫度下,晶體自由焓最低時(shí)隨對應(yīng)的點(diǎn)缺陷濃度為點(diǎn)缺陷的平衡濃度。【點(diǎn)缺陷過飽和平衡濃度】給定溫度下,晶體中存在一平衡的點(diǎn)缺陷濃度,通過一些方法,如高溫淬火、輻照或冷加工,使晶體中的點(diǎn)缺陷濃度超過平衡濃度?!旧摹客该骶w中由點(diǎn)缺陷、點(diǎn)缺陷對或點(diǎn)缺陷群捕獲電子或空穴而構(gòu)成的一種缺陷。【超點(diǎn)陣】置換固溶體和間隙固溶體在一定條件下局部或全部成為有序排列,溶質(zhì)原子和溶劑原子分別占據(jù)固定的位置,而且每個(gè)晶胞中溶質(zhì)和溶劑原子之比是一定的,這種有序結(jié)構(gòu)稱為超點(diǎn)陣?!境Ц瘛?、問答及計(jì)算題點(diǎn)缺陷對離子晶體與金屬晶體的導(dǎo)電性影響有何差別?置換固溶體和間隙固溶體

14、有什么差別它們的形成條件如何為什么說點(diǎn)缺陷是熱力學(xué)平衡缺陷如何獲得過飽和點(diǎn)缺陷 固溶體如何分類?答:1、按溶質(zhì)原子在點(diǎn)陣中所占位置分為:置換固溶體和間隙固溶體;2、按固溶體溶解度大小分為:有限固溶體和無限固溶體;3、按溶質(zhì)原子在溶劑中的分布特點(diǎn)分為:有序固溶體和無序固溶體;4、按基體類型分為:一次固溶體和二次固溶體。弗蘭克空位和肖特基空位的差別答:肖脫基(Schottky)空位: 離位原子進(jìn)入其它空位或遷移至晶界或表面。弗蘭克爾(Frenkel)缺陷:離位原子進(jìn)入晶體間隙。在Fe中形成1mol空位的能量為104.675 kJ,計(jì)算從20升溫至850時(shí)空數(shù)目增加多少倍(玻爾茲曼常數(shù)為:1.38&

15、#215;10-23J/K)(6.2×1013)答:根據(jù)空位在T溫度時(shí)的平衡濃度公式C=Ae-EkT,代入數(shù)據(jù)得, C2/C1=exp(-E/k)(1/T2-1/T1)=6.2×1013某晶體中形成一個(gè)空位所需要的激活能為0.32×1018J。在800時(shí),1×104個(gè)原子中有一個(gè)空位,在何溫度時(shí),103個(gè)原子中含有一個(gè)空位?(T=1201K)答:11×104 =Aexp(-0.32×10-181.38×10-23 ×1073)·······

16、83;···(1) 11×103=Aexp(-0.32×10-181.38×10-23×T)··················(2)由(1)、(2)得 T=1201K第五章1、重要概念【位錯(cuò)】晶體中某處一列或若干列原子有規(guī)律的錯(cuò)排?!救形诲e(cuò)】晶體在大于屈服值的切應(yīng)力t作用下,以ABCD面為滑移面發(fā)生滑移。EF是晶體已滑移部分和未滑移部分的交線,猶

17、如砍入晶體的一把刀的刀刃,即刃位錯(cuò)(或棱位錯(cuò))?!韭菸诲e(cuò)】晶體在外加切應(yīng)力t作用下,沿ABCD面滑移,圖中BC線為已滑移區(qū)與未滑移區(qū)的分界處。在BC與aa線之間上下兩層原子發(fā)生了錯(cuò)排現(xiàn)象,連接紊亂區(qū)原子,會畫出一螺旋路徑,該路徑所包圍的管狀原子畸變區(qū)就是螺型位錯(cuò)。【混合位錯(cuò)】在外力t作用下,兩部分之間發(fā)生相對滑移,在晶體內(nèi)部已滑移和未滑移部分的交線既不垂直也不平行滑移方向(柏氏矢量b),這樣的位錯(cuò)稱為混合位錯(cuò)?!九室啤恐冈跓崛毕莸淖饔孟拢诲e(cuò)在垂直滑移方向的運(yùn)動,結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少?!净啤课诲e(cuò)在外力作用下,在滑移面上的運(yùn)動,結(jié)果導(dǎo)致永久形變。【位錯(cuò)線能量與柏式矢量關(guān)系】柏氏矢

18、量的守恒性:對一條位錯(cuò)線而言,其柏氏矢量是固定不變的,此即位錯(cuò)的柏氏矢量的守恒性。推論: 1.一條位錯(cuò)線只有一個(gè)柏氏矢量。 2.如果幾條位錯(cuò)線在晶體內(nèi)部相交(交點(diǎn)稱為節(jié)點(diǎn)),則指向節(jié)點(diǎn)的各位錯(cuò)的柏氏矢量之和,必然等于離開節(jié)點(diǎn)的各位錯(cuò)的柏氏矢量之和。【派-納力】位錯(cuò)移動受到一阻力點(diǎn)陣阻力,又叫派納力。【不全位錯(cuò)】b小于滑移方向的原子間距的位錯(cuò)。面心立方晶體中,存在兩種不全位錯(cuò):肖克萊不全位錯(cuò)和弗蘭克不全位錯(cuò)?!救诲e(cuò)】單位位錯(cuò)(全位錯(cuò))b為沿滑移方向的原子間距的整數(shù)倍的位錯(cuò)?!疚诲e(cuò)反應(yīng)條件】其一,必須滿足伯氏矢量的守恒性; b前 b后 其二,必須滿足能量條件。 b2前> b2后【Cottr

19、ell氣團(tuán)】通常把圍繞位錯(cuò)而形成的溶質(zhì)原子聚集物,稱為“科垂耳氣團(tuán)”(Cottrell Atmosphere),這種氣團(tuán)阻礙位錯(cuò)運(yùn)動,產(chǎn)生強(qiáng)化。用柯氏氣團(tuán)可解釋合金中出現(xiàn)的應(yīng)變時(shí)效和屈服點(diǎn)現(xiàn)象。2、問 答及計(jì)算題判斷位錯(cuò)反應(yīng)1/21111/8110+1/4112+1/8 110 能否進(jìn)行,為什么?為什么晶體滑移面和滑移方向都是密排面和密排方向?課堂練習(xí)第六章1、重要概念【小角度晶界】晶界兩側(cè)晶粒的位相差很小(<10 °),小角度晶界基本上由位錯(cuò)組成。其結(jié)構(gòu)為位錯(cuò)列,又分為對稱傾側(cè)晶界和扭轉(zhuǎn)晶界?!敬蠼嵌染Ы纭烤Ы鐑蓚?cè)晶粒的位相差很小(>10 °)一半多晶體各晶粒

20、之間的晶界屬于大角度晶界。其結(jié)構(gòu)為幾個(gè)原子范圍內(nèi)的原的混亂排列,可視為一個(gè)過渡區(qū)?!緦\晶】孿晶面兩側(cè)原子排列的規(guī)則不同 ,所以孿晶面也是一種面缺陷 。經(jīng)孿晶變形后形成的新取向的晶體部分稱為孿晶。【相界】兩種不同相的分界面?!竟哺窠缑妗拷缑尜|(zhì)點(diǎn)同時(shí)處于兩點(diǎn)陣的結(jié)點(diǎn)上,將構(gòu)成共格界面【半共格界面】半共格界面的界面能可以近似地認(rèn)為由兩部分組成:一項(xiàng)是共格界面的化學(xué)項(xiàng)化學(xué),另一項(xiàng)是結(jié)構(gòu)項(xiàng)結(jié)構(gòu),它是由失配位錯(cuò)產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)扭曲而引起的額外能量,【非共格界面】一般的說,兩種任意取向的晶體沿任意面結(jié)合時(shí)就可能得到非共格界面【反相疇界】 第八章1重要概念:波粒二象性:與一個(gè)動量為P、能量為E的

21、粒子相聯(lián)系的單色場的波長或頻率通過普朗克常量相聯(lián)系:=h/p,=E/h.海森伯不確定原理:xph。玻色子:粒子不受泡利不相容原理的約束,因此系統(tǒng)對于能夠處于相同量子態(tài)Ei的粒子數(shù)目沒有限制,描寫粒子系統(tǒng)的波函數(shù)必然是對稱的,滿足這些要求的粒子稱為玻色子。費(fèi)米子:粒遵從泡利不相容原理,因而不能有2個(gè)粒子處于同一量子態(tài)Ei,系統(tǒng)的波函數(shù)必然是反對稱的,滿足這些要求的粒子稱為費(fèi)米子。波爾茲曼統(tǒng)計(jì):a=1/e(E-)/ kT愛因斯坦統(tǒng)計(jì):a=1/(e(E-)/ kT-1)金屬自由電子:根據(jù)特魯?shù)?索末菲的自由電子模型,價(jià)電子完全公有化,構(gòu)成了金屬中導(dǎo)電的自由電子。能帶:N個(gè)近自由電子在周期性勢場中運(yùn)動

22、,每一個(gè)原子態(tài)的能及都分裂成N個(gè)相距很近的能及,每一個(gè)能級都離域與晶體的所有原子,當(dāng)N非常大時(shí),各能級相距非常近,因此可以說它們形成一連續(xù)的能帶。金屬導(dǎo)體:金屬能帶結(jié)構(gòu)特征為:最高占有帶(價(jià)帶)僅部分充滿,在能帶的費(fèi)米能級附近的某些電子,在熱激發(fā)或外電場作用下,能夠獲得附加的能量,而過度到該能帶內(nèi)的許多鄰近的空能態(tài)中的任何一個(gè),而不違背不相容原理。絕緣體:能帶結(jié)構(gòu)一個(gè)布里淵區(qū)(價(jià)帶)是填滿的,并且不與下一個(gè)全空的布里淵區(qū)(導(dǎo)帶)重疊,由于價(jià)帶的所有能級全部被占有,電子的能量被凍結(jié),在價(jià)帶中只有很少的電子具有足夠的熱能被激發(fā)到上面的空帶上去,在一般外電場下,不能加速價(jià)帶中的電子。半導(dǎo)體:能帶結(jié)構(gòu)

23、和絕緣體類似,但在原子平衡間距處,價(jià)帶和導(dǎo)帶間的間隙要小得多,使得把價(jià)帶中最上面的電子激發(fā)到導(dǎo)帶中去要容易的多。聲子:能量為h/的晶格震動的簡正模能量量子,稱為聲子。 第九章經(jīng)典點(diǎn)導(dǎo)論:電導(dǎo)率因數(shù):=q2vf2N(EF)0/3,材料的電導(dǎo)率正比于費(fèi)米面處單位能量間隔的電子數(shù)N(EF).不同的材料有不同的電導(dǎo)率。熱點(diǎn)效應(yīng):塞貝克效應(yīng)(應(yīng)用:熱電偶),帕爾貼效應(yīng)(應(yīng)用:制冷和制熱)N型半導(dǎo)體:摻有施主雜質(zhì)的半導(dǎo)體為n型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體:摻有受主雜質(zhì)的半導(dǎo)體為p型半導(dǎo)體半導(dǎo)體能帶:在硅原子的外層電子態(tài)結(jié)構(gòu)中有2個(gè)3s態(tài)和6個(gè)3p態(tài),隨著原子間距離的縮短,雜化了s、p態(tài)能帶發(fā)生交疊,且又分裂成2個(gè)能帶

24、。每個(gè)硅原子有4個(gè)價(jià)電子,這些價(jià)電子正好填滿下面一個(gè)能帶,該能帶稱為價(jià)帶或滿帶,上面的一個(gè)能帶完全空著,稱為導(dǎo)帶,價(jià)帶和導(dǎo)帶由禁帶隔開,其能隙為Eg。遷移率:載流子在單位電場作用下的漂移速度稱為載流子的遷移率,只取正值,他描述了載流子的導(dǎo)電能力=|v/E|.散射:霍爾效應(yīng):將一半導(dǎo)體放在磁場中,磁場沿Z方向,磁感應(yīng)強(qiáng)度為BZ,如在半導(dǎo)體中沿x方向通以電流,電流密度為Jx,則沿y方向?qū)a(chǎn)生一電廠,這稱為霍爾效應(yīng)?;魻栂禂?shù):霍爾電場場強(qiáng)為Ey=RJXBZ,比例系數(shù)R稱為霍爾系數(shù)PN結(jié):當(dāng)p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體接觸在一起是便形成了p-n結(jié)。光電導(dǎo):當(dāng)光子能量大于禁帶寬度的光照射在半導(dǎo)體材料上時(shí),價(jià)帶

25、電子吸收光子能量躍遷到導(dǎo)帶,從而產(chǎn)生電子-空穴對,光生載流子是由光注入產(chǎn)生的非平衡載流子,光生載流子的產(chǎn)生使材料的電導(dǎo)率升高。光伏效應(yīng):當(dāng)光子能量大于禁帶寬度的光照射到p-n結(jié)時(shí),同樣也會產(chǎn)生光生電子空穴。由于p-n結(jié)空間電荷層有自建電場存在,在該電場的作用下,光生電子被掃向n型區(qū)一邊,光生空穴被掃向p型區(qū)一邊,如此便產(chǎn)生光生電動勢,這被稱為光伏效應(yīng)。導(dǎo)電聚合物:孤子:反式聚乙炔有兩個(gè)能量最低的二聚化狀態(tài)A相和B相,這2個(gè)狀態(tài)的結(jié)構(gòu)對稱,能量相同,如果A相和B相在同一反式聚乙炔分子鏈上共存,2者之間就會形成疇壁,疇壁處蛋、雙鍵交替的結(jié)構(gòu)被破壞,此疇壁被稱為孤子第十章1、重要概念【磁性來源】物理

26、學(xué)原理:任何帶電體的運(yùn)動都必然在周圍的空間產(chǎn)生磁場。電動力學(xué)定律:一個(gè)環(huán)形電流還應(yīng)該具有一定的磁矩,即它在磁場中行為像個(gè)磁性偶極子?!敬判苑诸悺课镔|(zhì)的磁性大體可分為五類:抗磁性、順磁性、反鐵磁性、鐵磁性和亞鐵磁性。前三種為弱磁性、后兩種為強(qiáng)磁性。【鐵磁性轉(zhuǎn)變】【居里點(diǎn)】當(dāng)溫度升高到居里點(diǎn)時(shí),劇烈的熱運(yùn)動使磁疇全部瓦解,這時(shí)鐵磁質(zhì)就成為一般的順磁質(zhì)了?!痉磋F磁轉(zhuǎn)變】【Neel點(diǎn)】磁狀態(tài)轉(zhuǎn)變的一個(gè)溫度點(diǎn),在此點(diǎn)之下物質(zhì)是反鐵磁性的,在此點(diǎn)之上則是順磁性的【磁化率】磁化強(qiáng)度與磁場強(qiáng)度的比值定義為磁化率:=M/H【飽和磁化強(qiáng)度】在強(qiáng)磁性物質(zhì)中,原子間的交換作用使得原子磁矩保持有秩序地排列,即產(chǎn)生謂自發(fā)

27、磁化。原子磁矩方向排列規(guī)律一致的自發(fā)磁化區(qū)域叫做磁疇。該區(qū)域的磁化強(qiáng)度稱為自發(fā)磁化強(qiáng)度,它也是宏觀物質(zhì)的極限磁化強(qiáng)度,即飽和磁化強(qiáng)度,通常用符號Ms表示?!緩?qiáng)磁材料的本征性能】【弱磁體】自發(fā)磁化強(qiáng)度為零。但在外磁場作用下仍具有相當(dāng)于強(qiáng)順磁性物質(zhì)的磁化率的磁材料?!居?硬)磁材料】矯頑力較大,磁滯回線胖而大,剩磁也大的材料(單疇型永磁“AlNiCo“、永磁鐵氧體、稀土永磁、碳鋼、鎢鋼等)【軟磁材料】高磁導(dǎo)率、矯頑力很小,磁滯回線比較瘦小,磁滯損耗較小的材料(硅鋼、坡莫合金、純鐵、鐵鈷合金、非晶軟磁合金、軟磁鐵氧體等)?!敬庞行颉俊敬艤鼐€】當(dāng)鐵磁質(zhì)達(dá)到磁飽和狀態(tài)后,如果減小磁化場H,介質(zhì)的磁化強(qiáng)

28、度M(或磁感應(yīng)強(qiáng)度B)并不沿著起始磁化曲線減小,M(或B)的變化滯后于H的變化。這種現(xiàn)象叫磁滯。 在磁場中,鐵磁體的磁感應(yīng)強(qiáng)度與磁場強(qiáng)度的關(guān)系可用曲線來表示,當(dāng)磁化磁場作周期的變化時(shí),鐵磁體中的磁感應(yīng)強(qiáng)度與磁場強(qiáng)度的關(guān)系是一條閉合線,這條閉合線叫做磁滯回線第十四章1、 重要概念【彈性】金屬材料受外力作用時(shí)產(chǎn)生變形,當(dāng)外力去掉后能恢復(fù)到原來形狀及尺寸的性能?!緩椥詷O限】【塑性】材料受力,應(yīng)力超過屈服點(diǎn)后,仍能繼續(xù)變形而不發(fā)生斷裂的性質(zhì)。 【韌性】材料斷裂前吸收塑性變形功和斷裂功的能力?!敬嘈浴俊締尉w滑移的臨界切應(yīng)力公式】【蠕變】金屬或非金屬晶體在恒應(yīng)力作用下,除發(fā)生瞬時(shí)形變外,還要發(fā)生緩慢而持

29、續(xù)的形變,這種形變量隨著時(shí)間的延長而逐漸增加的現(xiàn)象?!净葡怠炕泼婧突葡虻慕M合。 滑移系越多,材料的塑性越好?!敬嘈詳嗔选刻岣咔?qiáng)度,機(jī)件不易產(chǎn)生塑性變形;但過高,又不利于某些應(yīng)力集中部位的應(yīng)力重新分布,這種斷裂為脆性斷裂。(1)斷裂特點(diǎn):斷裂前基本不發(fā)生塑性變形,無明顯前兆;斷口與正應(yīng)力垂直。(2)斷口特征:平齊光亮,常呈放射狀或結(jié)晶狀;人字紋花樣的放射方向與裂紋擴(kuò)展方向平行?!狙有詳嗔选俊炯庸び不拷饘俳?jīng)冷加工變形后,其強(qiáng)度、硬度增加、塑 性降低。意義:(1)應(yīng)變硬化和塑性變形適當(dāng)配合,可使金屬進(jìn)行均勻塑性形變。(2)使構(gòu)件具有一定的抗偶然過載能力。(3)強(qiáng)化金屬,提高力學(xué)性能。(4)提高低碳鋼的切削加工性能?!咎沾稍鲰g】陶瓷的主要增韌機(jī)制有相變增韌和微裂紋增韌?!炯?xì)晶強(qiáng)化】多晶體金屬的晶粒通常是大角度晶界,相鄰取向不同的的晶粒受力發(fā)生塑性變形時(shí),部分晶粒內(nèi)部的位錯(cuò)先開動,并沿一定晶體學(xué)平面滑移和增殖,位錯(cuò)在晶界前被阻擋,當(dāng)晶

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