計算機組裝和維護chap04ppt課件

1、高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社第4章 內(nèi)存儲器計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社第4章 內(nèi)存儲器v4.1 閱讀資料：主內(nèi)存的發(fā)展歷程v4.2 內(nèi)存概述v4.3 內(nèi)存的分類v4.4 內(nèi)存的性能指標(biāo)v4.5 內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范v4.6 內(nèi)存的識別與選購計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.1 閱讀資料：主內(nèi)存的發(fā)展歷程80286時代時代30線、線、256KB80486時代時代30線的線的SIMM FPM和和72線的線的SIMM FP并存，速度是并

2、存，速度是60ns以上以上EDO RAM有有72線和線和168線之分，線之分， 速度是速度是40ns以上以上SDRAM168線線Rambus DRAM184線線DDR SDRAM速度是速度是SDRAM的雙倍的雙倍DDR II速度是速度是DDR SDRAM的兩倍的兩倍計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內(nèi)存概述v4.2.1 內(nèi)存的存在方式v4.2.2 內(nèi)存與外存的區(qū)別計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內(nèi)存概述v4.2.1 內(nèi)存的存在方式vRAM：Random

3、Access Memory，隨機存儲器vROM：Read Only Memory，只讀存儲器vCache：高速緩沖存儲器計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內(nèi)存概述v4.2.2 內(nèi)存與外存的區(qū)別v外存的表現(xiàn)形式有硬盤、軟盤、光盤等。與CPU交換數(shù)據(jù)方式容量價格存取速度內(nèi)存直接交換小每存儲單元價格高快外存間接交換大每存儲單元價格低慢計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內(nèi)存概述v4.2.3 內(nèi)存的結(jié)構(gòu)與封裝v1.內(nèi)存的結(jié)構(gòu) 內(nèi)存結(jié)構(gòu)圖計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲

4、器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內(nèi)存概述v4.2.3 內(nèi)存的結(jié)構(gòu)與封裝 標(biāo)注部件名稱說明1PCB板多為綠色，4層或6層的電路板，內(nèi)部有金屬布線，6層設(shè)計要比4層的電氣性能好，性能更穩(wěn)定，名牌內(nèi)存多采用6層設(shè)計2金手指金黃色的觸點，與主板連接的部分，數(shù)據(jù)通過“金手指”傳輸。金手指是銅質(zhì)導(dǎo)線，易氧化，要定期清理表面的氧化物3內(nèi)存芯片是內(nèi)存的靈魂所在，決定著內(nèi)存的性能、速度、容量等，也叫內(nèi)存顆粒。市場上內(nèi)存種類很多，但內(nèi)存顆粒的型號卻并不多，常見的有HY、KINGMAX、WINBOND、TOSHIBA、SEC、MT、Apacer等幾種品牌。不同品牌的內(nèi)存顆粒

5、，速度、性能不盡相同4內(nèi)存顆粒位預(yù)留的一片內(nèi)存芯片位置，供其他采用這種封裝模式的內(nèi)存條使用。此處預(yù)留的是一個ECC校驗?zāi)K位置5電容是PCB板上必不可少的電子元件之一。一般采用貼片式電容，可以提高內(nèi)存條的穩(wěn)定性，提高電氣性能6電阻是PCB板上必不可少的電子元件之一，也采用貼片式設(shè)計7內(nèi)存固定缺口內(nèi)存插到主板上后，主板內(nèi)存插槽的兩個夾子便扣入該缺口，可以固定內(nèi)存條8內(nèi)存腳缺口防止反插，也可以區(qū)分以前的SDRAM內(nèi)存條，以前的SDRAM內(nèi)存有兩個缺口9SPD是一個八腳的小芯片，實際上是一個EEPROM，可擦寫存儲器。有256字節(jié)的容量，每一位都代表特定的意思，包括內(nèi)存的容量、組成結(jié)構(gòu)、性能參數(shù)和廠

6、家信息計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內(nèi)存概述v4.2.3 內(nèi)存的結(jié)構(gòu)與封裝v2. 內(nèi)存的封裝DIP DIP SOJ SOJ TSOP TSOP BGA BGA 計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內(nèi)存概述v4.2.3 內(nèi)存的結(jié)構(gòu)與封裝v2. 內(nèi)存的封裝Tiny-BGA Tiny-BGA mBGA mBGA 計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內(nèi)存概述v4.2.3 內(nèi)存的結(jié)構(gòu)與封裝v2.

7、內(nèi)存的封裝 CSP CSP WLCSP WLCSP 計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內(nèi)存概述v4.2.4 內(nèi)存的接口方式v1SIMMSIMM 30線線SIMM 72線線計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內(nèi)存概述v4.2.4 內(nèi)存的接口方式v2DIMMSIMM 168線線DIMM 184線線（DDR）DIMM 240線線（DDRII）計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.2 內(nèi)存概述v4.2.4

8、 內(nèi)存的接口方式v3RIMMRIMM 184線線計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.3 內(nèi)存的分類v內(nèi)存：RAM、ROM、Cachev1FPM DRAMvFast Page Mode DRAM快速頁面模式動態(tài)存儲器。v 2EDO DRAMvExtended Data Out DRAM擴展數(shù)據(jù)輸出動態(tài)存儲器。v3SDRAMvSynchronous DRAM同步動態(tài)存儲器。計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.3 內(nèi)存的分類4RDRAMRambus DRAM高頻動態(tài)存儲器。

9、5DDR SDRAMDouble Data Rate SDRAM雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。6DDRDDR內(nèi)存能夠提供比傳統(tǒng)SDRAM內(nèi)存快四倍，比DDR內(nèi)存快兩倍的工作頻率。計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.4 內(nèi)存的性能指標(biāo)v4.4.1 內(nèi)存容量v4.4.2 工作頻率v4.4.3 數(shù)據(jù)帶寬v4.4.4 奇偶校驗與ECC校驗v4.4.5 CAS的延遲時間v4.4.6 工作電壓v4.4.7 SPD計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.4 內(nèi)存的性能指標(biāo)v4.4.1 內(nèi)

10、存容量v是指一根內(nèi)存條可以容納的二進制信息量。v4.4.2 工作頻率v內(nèi)存的工作頻率表示的是內(nèi)存的傳輸數(shù)據(jù)的頻率，一般使MHz為計量單位。v4.4.3 數(shù)據(jù)帶寬v數(shù)據(jù)帶寬是指內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度，也就是內(nèi)存一次能處理的數(shù)據(jù)寬度。它是衡量內(nèi)存性能的重要標(biāo)準(zhǔn)。計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.4 內(nèi)存的性能指標(biāo)v4.4.4 奇偶校驗與ECC校驗v奇偶校驗是最早使用的內(nèi)存軟錯誤的檢測方法。ECC校驗，即Error Checking and Correcting，錯誤檢查和糾正。 v4.4.5 CAS的延遲時間vColumn Addres

11、s Strobe列地址信號。CAS的延遲時間就是指內(nèi)存縱向地址脈沖的反應(yīng)時間，用CLCAS Latency來表示。計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.4 內(nèi)存的性能指標(biāo)v4.4.6 工作電壓v內(nèi)存正常工作所需要的電壓值，不同類型的內(nèi)存電壓也不同，各有各的規(guī)格，不能超出規(guī)格，否則會損壞內(nèi)存。v4.4.7 SPDvSerial Presence Detect，串行存在探測SPD是一個8針的256字節(jié)EEPROM電可擦寫可編程只讀存儲器芯片，里面記錄了諸如內(nèi)存的速度、容量、電壓與行、列地址、帶寬等參數(shù)信息。 計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存

12、儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.5 內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范SDRAM:PC100、PC133DDR SDRAM：PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500、PC3700RDRAM：PC600、PC800、PC1600DDRII：PC2 3200、PC2 4300、PC2 5300、PC2 6400計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.5 內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范v4.5.1 PC100v4.5.2 PC133v4.5.3 DDR與DDRII技術(shù)規(guī)范v4.5.4 RIMM：3200、42

13、00、4800v4.5.5 流行內(nèi)存性能比較計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.5 內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范v4.5.1 PC100vPC100是JEDECJoint Electron Device Engineering Council，電子元件工業(yè)聯(lián)合會和Intel聯(lián)合制定的一種SDRAM內(nèi)存的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，其中100代表該內(nèi)存的工作頻率可達到100MHz。v4.5.2 PC133vPC133是威盛公司聯(lián)合三星、現(xiàn)代、日立、西門子、美光和NEC等數(shù)家著名IT廠商共同推出的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)其中133是指該內(nèi)存的工作頻率可達到133MHz。計算機組裝與

14、維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.5 內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范v4.5.3 DDR與DDRII技術(shù)規(guī)范規(guī)格規(guī)格傳輸標(biāo)準(zhǔn)傳輸標(biāo)準(zhǔn)實際工作頻率實際工作頻率等效頻率等效頻率數(shù)據(jù)傳輸率（帶寬）數(shù)據(jù)傳輸率（帶寬）DDR內(nèi)存內(nèi)存技術(shù)技術(shù)規(guī)范規(guī)范DDR200PC1600100MHz200 MHz1 600MB/SDDR266PC 2100133 MHz266 MHz2 100 MB/SDDR333PC 2700166 MHz333 MHz2 700 MB/SDDR400PC 3200200 MHz400 MHz3 200 MB/SDDR433PC 3500216

15、MHz433 MHz3 500 MB/SDDR533PC 4300266 MHz533 MHz4 300 MB/SDDRII內(nèi)存內(nèi)存技術(shù)技術(shù)規(guī)范規(guī)范DDRII400PC2 3200100 MHz400 MHz3 200 MB/SDDRII533PC2 4300133 MHz533 MHz4 300 MB/SDDRII667PC2 5300166MHz667 MHz5 300 MB/SDDRII800PC2 6400200 MHz800 MHz6 400 MB/S計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.5 內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范v4.5.4 R

16、IMM：3200、4200、4800 工作頻率工作頻率等效工作頻率等效工作頻率數(shù)據(jù)帶寬數(shù)據(jù)帶寬說明說明RIMM 3200400MHz800 MHz3 200MB/S32位的位的RDRAM內(nèi)存，工作速度與內(nèi)存，工作速度與PC800的的RDRAM一致一致RIMM 4200533 MHz1 066MHz4 200MB/S32位的位的RDRAM內(nèi)存，工作速度與內(nèi)存，工作速度與PC1066RDRAM一致一致RIMM 4800600 MHz1 200MHz4 800MB/S32位的位的RDRAM內(nèi)存，工作速度與內(nèi)存，工作速度與PC1200RDRAM一致一致計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與

17、出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.5 內(nèi)存的技術(shù)規(guī)范v4.5.5 流行內(nèi)存性能比較v1HY DDR400v2KimgBox 黑金剛DDR400v3KingSton金士頓 ValueDDR400計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.6 內(nèi)存的識別與選購v4.6.1 內(nèi)存的識別v4.6.2 內(nèi)存的選購計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.6 內(nèi)存的識別與選購v4.6.1 內(nèi)存的識別代號代號廠商名稱廠商名稱HYHyundai（現(xiàn)代電子）（現(xiàn)代電子）HYBSiem

18、ens（西門子）（西門子）KM或或MSamsung（三星）（三星）MBFujitsu（富士通）（富士通）MCMMotorola（摩托羅拉）（摩托羅拉）MTMicron（美光）（美光）TC或或TDToshiba（東芝）（東芝）HMHitachi（日立）（日立）uPDNECBMIBM計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等教育出版社高等教育出版社4.6 內(nèi)存的識別與選購v4.6.1 內(nèi)存的識別編號編號HYXXXXXXXXXXXXXXXX位數(shù)位數(shù)1234567891011第一位：第一位：HYHY代表該產(chǎn)品是現(xiàn)代的產(chǎn)品。代表該產(chǎn)品是現(xiàn)代的產(chǎn)品。第二位：代表內(nèi)存芯片類型。

19、第二位：代表內(nèi)存芯片類型。第三位：代表內(nèi)存工作電壓。第三位：代表內(nèi)存工作電壓。第四位：代表芯片密度和刷新速度。第四位：代表芯片密度和刷新速度。第五位：代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬：第五位：代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬：4040、8080、1616、3232分別代表分別代表4 4位、位、8 8位、位、1616位和位和3232位。位。第六位：代表第六位：代表BANKBANK數(shù)量：數(shù)量：1 1、2 2、3 3分別代表分別代表2 2個、個、3 3個、個、4 4個和個和8 8個個BankBank，是，是2 2的冪次關(guān)系。的冪次關(guān)系。第七位：第七位：I/0I/0界面，界面，1SSTL-31SSTL-3；2SSTL-22SSTL-2。第八位：芯片內(nèi)核版本：可以為空白或第八位：芯片內(nèi)核版本：可以為空白或A A、B B、C C、D D等字母，越往后表示越新。等字母，越往后表示越新。第九位：代表功耗：第九位：代表功耗：L=L=低功耗芯片；空白低功耗芯片；空白= =普通芯片。普通芯片。第十位：內(nèi)存芯片封裝形式。第十位：內(nèi)存芯片封裝形式。第十一位：代表內(nèi)存工作速度。第十一位：代表內(nèi)存工作速度。計算機組裝與維護第4章 內(nèi)存儲器高等職業(yè)教育研究與出版中心計算機分社高等