EMC測試總體概述及浪涌測試原理與浪涌防護(hù)元器件使用（課堂PPT）

1、.1EMC測試概述 EMC測試包含EMI與EMS兩部分 電磁兼容測試EMC 干擾發(fā)射EMI 敏 感 度EMSRECE Harmonic Flicker ESD EFTCS RS SURGE DIP PMS.2EMC測試概述 RE&RS測試簡介高度掃描天線桿高度掃描天線桿天線天線金屬地板金屬地板轉(zhuǎn)臺上的受試件轉(zhuǎn)臺上的受試件.3EMC測試概述 CE測試簡介.4EMC測試概述 Harmonic& Flicker簡介.5EMC測試概述 SURGE簡介信號電纜用的耦信號電纜用的耦合解耦網(wǎng)絡(luò)合解耦網(wǎng)絡(luò)接電網(wǎng)接電網(wǎng)接輔助設(shè)備接輔助設(shè)備EUT與發(fā)生器或耦合器之與發(fā)生器或耦合器之間的電纜小于間的

2、電纜小于2米米保護(hù)地線要能夠保護(hù)地線要能夠承受浪涌電流承受浪涌電流.6EMC測試概述 ESD簡介.7EMC測試概述 EFT簡介容性卡鉗距參考地100mm,輪流卡每根電纜EUT與參考地平面之間的距離大于100mm參考地平面的每個邊要超出EUT100mm并與大地相連EUT與發(fā)生器或卡鉗之間的電源線或信號線長度小于1米脈沖群信號源連輔助設(shè)備與端接.8浪涌測試原理 測試波形介紹 耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇.9測試波形介紹 1.2/50uS(8/20uS)組合波介紹：1、開路電壓波形參數(shù)（1.2/50uS）：.10測試波形介紹 2、短路電流波形參數(shù)(8/20uS)：.11測試波形介紹 10/700uS(5/3

3、20uS) 波形介紹：1、開路電壓波形為10/700uS；.12測試波形介紹 2、短路電流波形參數(shù)(5/320uS)：.13測試波形介紹 浪涌測試波形的應(yīng)用場景（對于CE認(rèn)證）1、根據(jù)我司現(xiàn)產(chǎn)品，電源端口采用1.2/50uS（8/20uS）組合波；2、網(wǎng)口采用10/700uS(5/320uS)組合波進(jìn)行試驗(yàn)；3、試驗(yàn)前需對電纜類型、是否存在電源供電、是否屏蔽等進(jìn)行說明；(以便選擇耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)CDN)；.14耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇 耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇1、對于交直流電源線端口.15耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇 交/直流電源端口電容耦合試驗(yàn)配置（差模）.16耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇 交/直流電源端口電容耦合試

4、驗(yàn)配置（共模）.17浪涌防護(hù)元器件使用 浪涌防護(hù)原理 浪涌保護(hù)器的型號、原理介紹 浪涌保護(hù)電路及案例分析（因現(xiàn)產(chǎn)品主要涉及到過壓保護(hù)，這只介紹壓性保護(hù)器件，過流型保護(hù)器件不介紹）.18浪涌防護(hù)元器件使用 浪涌防護(hù)原理1、泄放；（典型應(yīng)用端口：電源口）2、隔離；（典型應(yīng)用端口：網(wǎng)口）.19浪涌防護(hù)元器件使用 浪涌保護(hù)器的型號、原理介紹1、氣體放電管(GDT)的參數(shù)與應(yīng)用utufdcufr u.20浪涌防護(hù)元器件使用 1.1主要技術(shù)參數(shù) a、直流放電電壓 在上升陡度低于100V/s的電壓作用下，放電管開始放電的平均電壓值稱為其直流放電電壓。由于放電的分散性，所以，直流放電電壓是一個數(shù)值范圍。 選擇

5、時應(yīng)大于電路工作電壓120%；.21浪涌防護(hù)元器件使用 b、沖擊放電電壓 在具有規(guī)定上升陡度的暫態(tài)電壓脈沖作用下，放電管開始放電的電壓值稱為其沖擊放電電壓。 放電管的響應(yīng)時間或動作時延與電壓脈沖的上升陡度有關(guān)，對于不同的上升陡度，放電管的沖擊放電電壓是不同的 。 .22浪涌防護(hù)元器件使用 C、沖擊耐受電流 將放電管通過規(guī)定波形和規(guī)定次數(shù)的脈沖電流，使其直流放電電壓和絕緣電阻不會發(fā)生明顯變化的最大值電流峰值稱為管子的沖擊耐受電流。 d、其他參數(shù).23浪涌防護(hù)元器件使用 1.2 氣體放電管的優(yōu)缺點(diǎn)及其應(yīng)用 a 、優(yōu)點(diǎn)： 極間絕緣電阻大極間絕緣電阻大 極間電容小極間電容小 泄放暫態(tài)過電流能力強(qiáng)泄放暫

6、態(tài)過電流能力強(qiáng) .24浪涌防護(hù)元器件使用 b 、缺點(diǎn)： 時延時延導(dǎo)致殘壓大導(dǎo)致殘壓大 續(xù)流續(xù)流導(dǎo)致無法直接應(yīng)用于大部分電壓端導(dǎo)致無法直接應(yīng)用于大部分電壓端口口 C 、應(yīng)用：、應(yīng)用： 用于浪涌防護(hù)最前級；用于浪涌防護(hù)最前級； 單獨(dú)用于共模防護(hù)；單獨(dú)用于共模防護(hù)； 與其他防護(hù)器件串聯(lián)應(yīng)用；與其他防護(hù)器件串聯(lián)應(yīng)用；.25浪涌防護(hù)元器件使用 2、壓敏電阻(MOV)的參數(shù)與應(yīng)用 2.1 壓敏電阻的主要參數(shù) a 、標(biāo)稱壓敏電壓(V)： 通過規(guī)定持續(xù)時間的脈沖電流（一般為1mA 持續(xù)時間一般小于400mS）時壓敏電阻器兩端的電壓值 .26浪涌防護(hù)元器件使用 b 、殘壓 在壓敏電阻能承受的最大脈沖峰值電流Ip

7、及規(guī)定波形下壓敏電阻兩端電壓峰值。 c 、殘壓比 殘壓比則是殘壓與標(biāo)稱電壓之比。（一般約為1.82.2） .27浪涌防護(hù)元器件使用 d 、通流容量 通流容量也稱通流量，是指在規(guī)定的條件（規(guī)定的時間間隔和次數(shù)，施加標(biāo)準(zhǔn)的沖擊電流）下，允許通過壓敏電阻器上的最大脈沖（峰值）電流值。 其他 .28浪涌防護(hù)元器件使用 1.2 壓敏電阻的優(yōu)缺點(diǎn)及其應(yīng)用 a 、優(yōu)點(diǎn)： 通流容量大通流容量大 動作響應(yīng)快動作響應(yīng)快 無續(xù)流無續(xù)流 b 、缺點(diǎn) 極間電容大極間電容大 TVS大家都有用過，TSS較GDT克服了動作時間慢的缺點(diǎn)，此文中不再介紹。 .29浪涌防護(hù)元器件使用 浪涌防護(hù)器件小結(jié)1、GDT、TSS同為開關(guān)型器件，均存在續(xù)流問題；2、MOV、TVS同為鉗位型器件，客服了續(xù)流問題，但通流量較開關(guān)型器件要?。?、GDT動作時間為uS級，MOV動作時間為nS級均較慢；TSS、TVS客服了動作時間，為nS級器件；4、MOV（使用次數(shù)限制）的失效模式以短路為主，所以在應(yīng)用回流中需加入短路保護(hù)型器件；5、以上浪涌保護(hù)器件均為過壓型保護(hù)器件，過流型現(xiàn)AC產(chǎn)品未涉及，不介紹。.30浪涌防護(hù)設(shè)計(jì)介紹 浪涌防護(hù)設(shè)計(jì)介紹（個人看法）1、“標(biāo)準(zhǔn)”資料，GBT 17626.5，ITU K系列建議，主要對波形參數(shù)、內(nèi)阻、耦合方式進(jìn)行了解；2、“測試”技術(shù)了解，主要對差、共模，正、負(fù)極性等情況下的“回流路徑