模電知識要點總結(jié)期末復(fù)習(xí)用較全面適合考前時間充分的全面復(fù)習(xí)

1、模電知識要點總結(jié)_期末復(fù)習(xí)用_較全面【適合考前時間充分的全面復(fù)習(xí)】第一章 半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識1.半導(dǎo)體-導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。2.特性-光敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導(dǎo)體-純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。 4. 兩種載流子 -帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。 5.雜質(zhì)半導(dǎo)體-在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。 *P型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）。 *N型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）。6. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性 *載流子的濃度

2、-多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。 *體電阻-通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。 *轉(zhuǎn)型-通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。7. PN結(jié) * PN結(jié)的接觸電位差-硅材料約為0.60.8V，鍺材料約為0.20.3V。 * PN結(jié)的單向?qū)щ娦?正偏導(dǎo)通，反偏截止。 8. PN結(jié)的伏安特性二. 半導(dǎo)體二極管 *單向?qū)щ娦?正向?qū)ǎ聪蚪刂埂?*二極管伏安特性-同結(jié)。 *正向?qū)▔航?硅管0.60.7V，鍺管0.20.3V。 *死區(qū)電壓-硅管0.5V，鍺管0.1V。3.分析方法-將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 >V陰( 正偏 )，

3、二極管導(dǎo)通(短路); 若 V陽 <V陰( 反偏 )，二極管截止(開路)。1）圖解分析法 該式與伏安特性曲線的交點叫靜態(tài)工作點Q。 2) 等效電路法Ø 直流等效電路法 *總的解題手段-將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 >V陰( 正偏 )，二極管導(dǎo)通(短路); 若 V陽 <V陰( 反偏 )，二極管截止(開路)。 *三種模型Ø 微變等效電路法 3. 穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路*穩(wěn)壓二極管的特性-正常工作時處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。第二章 三極管及其基本放大電路一. 三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點1.類型-分為NPN和PNP

4、兩種。2.特點-基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸 面積較??；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。 二. 三極管的工作原理1. 三極管的三種基本組態(tài)2. 三極管內(nèi)各極電流的分配 * 共發(fā)射極電流放大系數(shù) (表明三極管是電流控制器件 式子 稱為穿透電流。3. 共射電路的特性曲線*輸入特性曲線-同二極管。* 輸出特性曲線(飽和管壓降，用UCES表示放大區(qū)-發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 截止區(qū)-發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。4. 溫度影響溫度升高，輸入特性曲線向左移動。溫度升高ICBO、 ICEO 、 IC以及均增加。三. 低頻小信號等效模型（簡化）hie-輸出端交流短路時的輸入電阻

5、， 常用rbe表示； hfe-輸出端交流短路時的正向電流傳輸比， 常用表示；四. 基本放大電路組成及其原則1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2的作用。2.組成原則-能放大、不失真、能傳輸。五. 放大電路的圖解分析法1. 直流通路與靜態(tài)分析 *概念-直流電流通的回路。 *畫法-電容視為開路。 *作用-確定靜態(tài)工作點 *直流負(fù)載線-由VCC=ICRC+UCE 確定的直線。*電路參數(shù)對靜態(tài)工作點的影響 1）改變Rb ：Q點將沿直流負(fù)載線上下移動。 2）改變Rc ：Q點在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動。 3）改變VCC：直流負(fù)載線平移，Q點發(fā)生移動。 2. 交流通路與動態(tài)分析*概念-

6、交流電流流通的回路*畫法-電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。 *作用-分析信號被放大的過程。*交流負(fù)載線- 連接Q點和V CC點 V CC= UCEQ+ICQR L的 直線。 3. 靜態(tài)工作點與非線性失真（1）截止失真*產(chǎn)生原因-Q點設(shè)置過低 *失真現(xiàn)象-NPN管削頂，PNP管削底。*消除方法-減小Rb，提高Q。（2） 飽和失真*產(chǎn)生原因-Q點設(shè)置過高 *失真現(xiàn)象-NPN管削底，PNP管削頂。*消除方法-增大Rb、減小Rc、增大VCC 。 4. 放大器的動態(tài)范圍（1） Uopp-是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。 （2）范圍 *當(dāng)（UCEQUCES）（VCC UCEQ ）時，受截止失真

7、限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL。*當(dāng)（UCEQUCES）（VCC UCEQ ）時，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2 （UCEQUCES）。*當(dāng)（UCEQUCES）（VCC UCEQ ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。 六. 放大電路的等效電路法1. 靜態(tài)分析（1）靜態(tài)工作點的近似估算（2）Q點在放大區(qū)的條件 欲使Q點不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足RBRc 。2. 放大電路的動態(tài)分析 * 放大倍數(shù) * 輸入電阻* 輸出電阻7. 分壓式穩(wěn)定工作點共射 放大電路的等效電路法1靜態(tài)分析2動態(tài)分析*電壓放大倍數(shù)在Re兩端并一電解電容Ce后輸入電阻在Re兩端并一電解電容Ce后* 輸出電阻八.

8、 共集電極基本放大電路1靜態(tài)分析2動態(tài)分析* 電壓放大倍數(shù)* 輸入電阻* 輸出電阻3. 電路特點 * 電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡稱射隨器。 * 輸入電阻高，輸出電阻低。 第三章 場效應(yīng)管及其基本放大電路 一. 結(jié)型場效應(yīng)管（ JFET ） 1.結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號2. 輸出特性曲線 （可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）轉(zhuǎn)移特性曲線UP - 截止電壓 二. 絕緣柵型場效應(yīng)管（MOSFET）分為增強型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號2. 特性曲線*N-EMOS的輸出特性曲線* N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線式中，IDO是UGS=2UT時所對應(yīng)的iD值。

9、* N-DMOS的輸出特性曲線注意：uGS可正、可零、可負(fù)。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場效應(yīng)管一致。三. 場效應(yīng)管的主要參數(shù)1.漏極飽和電流IDSS2.夾斷電壓Up3.開啟電壓UT4.直流輸入電阻RGS5.低頻跨導(dǎo)gm (表明場效應(yīng)管是電壓控制器件)四. 場效應(yīng)管的小信號等效模型E-MOS 的跨導(dǎo)gm - 五. 共源極基本放大電路1.自偏壓式偏置放大電路* 靜態(tài)分析動態(tài)分析 若帶有Cs，則 2.分壓式偏置放大電路* 靜態(tài)分析* 動態(tài)分析 若源極帶有Cs，則 六.共漏極基本放大電路* 靜態(tài)分析或* 動態(tài)分析 第四章 多級放大電路1. 級間耦合方式1. 阻容耦合

10、-各級靜態(tài)工作點彼此獨立；能有效地傳輸交流信號；體積小，成本低。但不便于集成，低頻特性差。 2. 變壓器耦合 -各級靜態(tài)工作點彼此獨立，可以實現(xiàn)阻抗變換。體積大，成本高，無法采用集成工藝；不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號。 3. 直接耦合-低頻特性好，便于集成。各級靜態(tài)工作點不獨立，互相有影響。存在“零點漂移”現(xiàn)象。 *零點漂移-當(dāng)溫度變化或電源電壓改變時，靜態(tài)工作點也隨之變化，致使uo偏離初始值“零點”而作隨機變動。二. 單級放大電路的頻率響應(yīng)1中頻段(fLffH)波特圖-幅頻曲線是20lgAusm=常數(shù)，相頻曲線是=-180o。2低頻段(f fL)3高頻段(f fH)4完整的基本共射放大電路的頻率

11、特性三. 分壓式穩(wěn)定工作點電路的頻率響應(yīng)1下限頻率的估算 2上限頻率的估算四. 多級放大電路的頻率響應(yīng) 1. 頻響表達(dá)式 2. 波特圖 第五章 功率放大電路一. 功率放大電路的三種工作狀態(tài)1.甲類工作狀態(tài) 導(dǎo)通角為360o，ICQ大，管耗大，效率低。 2.乙類工作狀態(tài) ICQ0， 導(dǎo)通角為180o，效率高，失真大。3.甲乙類工作狀態(tài) 導(dǎo)通角為180o360o，效率較高，失真較大。 二. 乙類功放電路的指標(biāo)估算1. 工作狀態(tài)Ø 任意狀態(tài)：UomUim Ø 盡限狀態(tài)：Uom=VCC-UCESØ 理想狀態(tài)：UomVCC 2. 輸出功率3. 直流電源提供的平均功率4. 管

12、耗 Pc1m=0.2Pom 5.效率 理想時為78.5% 三. 甲乙類互補對稱功率放大電路1. 問題的提出 在兩管交替時出現(xiàn)波形失真交越失真(本質(zhì)上是截止失真)。 2. 解決辦法Ø 甲乙類雙電源互補對稱功率放大器OCL-利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置電壓。 動態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算。 Ø 甲乙類單電源互補對稱功率放大器OTL-電容 C2 上靜態(tài)電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負(fù)電源-VCC。 動態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算，只是用VCC/2代替。四. 復(fù)合管的組成及特點1. 前一個管子c-e極跨接在后一個管子的b-c極間。2. 類型取決于第一只管子的類型。3. =

13、1· 2 第六章 集成運算放大電路一. 集成運放電路的基本組成1.輸入級-采用差放電路，以減小零漂。2.中間級-多采用共射(或共源)放大電路，以提高放大倍數(shù)。 3.輸出級-多采用互補對稱電路以提高帶負(fù)載能力。4.偏置電路-多采用電流源電路，為各級提供合適的靜態(tài)電流。 二. 長尾差放電路的原理與特點1. 抑制零點漂移的過程- 當(dāng)T iC1、iC2 iE1、iE2 uE uBE1、uBE2 iB1、iB2 iC1、iC2。 Re對溫度漂移及各種共模信號有強烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻”。 2靜態(tài)分析1) 計算差放電路IC設(shè)UB0，則UE=0.7V，得 2) 計算差放電路UCE 雙端

14、輸出時 單端輸出時(設(shè)VT1集電極接RL) 對于VT1： 對于VT2： 3. 動態(tài)分析 1）差模電壓放大倍數(shù) 雙端輸出 單端輸出時 從VT1單端輸出 ： 從VT2單端輸出 ：2）差模輸入電阻3）差模輸出電阻 雙端輸出： 單端輸出: 三. 集成運放的電壓傳輸特性當(dāng)uI在+Uim與-Uim之間，運放工作在線性區(qū)域 ： 4. 理想集成運放的參數(shù)及分析方法1. 理想集成運放的參數(shù)特征* 開環(huán)電壓放大倍數(shù) Aod；* 差模輸入電阻 Rid；* 輸出電阻 Ro0；* 共模抑制比KCMR；2. 理想集成運放的分析方法 1) 運放工作在線性區(qū):* 電路特征引入負(fù)反饋* 電路特點“虛短”和“虛斷”: “虛短”

15、- “虛斷” - 2) 運放工作在非線性區(qū) * 電路特征開環(huán)或引入正反饋 * 電路特點輸出電壓的兩種飽和狀態(tài): 當(dāng)u+>u-時，uo=+Uom 當(dāng)u+<u-時，uo=-Uom 兩輸入端的輸入電流為零: i+=i-=0 第七章 放大電路中的反饋1. 反饋概念的建立開環(huán)放大倍數(shù)閉環(huán)放大倍數(shù) 反饋深度環(huán)路增益： 1當(dāng)時，下降，這種反饋稱為負(fù)反饋。 2當(dāng)時，表明反饋效果為零。3當(dāng)時，升高，這種反饋稱為正反饋。4當(dāng)時 ， 。放大器處于 “ 自激振蕩”狀態(tài)。二反饋的形式和判斷1. 反饋的范圍-本級或級間。2. 反饋的性質(zhì)-交流、直流或交直流。直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存在反饋則

16、為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋則為交、直流反饋。 3. 反饋的取樣-電壓反饋：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩(wěn)定輸出電壓的作用。 （輸出短路時反饋消失） 電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。 （輸出短路時反饋不消失）4. 反饋的方式-并聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電 流形式相疊加。Rs越大反饋效果越好。 反饋信號反饋到輸入端） 串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓 的形式相疊加。 Rs越小反饋效果越好。 反饋信號反饋到非輸入端） 5. 反饋極性-瞬時極性法：（1）假定某輸入信號在某瞬時的極性為正（用+表示），并設(shè)信號 的頻率在中頻段。 （2）根據(jù)該極性，

17、逐級推斷出放大電路中各相關(guān)點的瞬時極性（升 高用 + 表示，降低用 表示）。（3）確定反饋信號的極性。（4）根據(jù)Xi 與X f 的極性，確定凈輸入信號的大小。Xid 減小為負(fù)反 饋；Xid 增大為正反饋。 三. 反饋形式的描述方法 某反饋元件引入級間（本級）直流負(fù)反饋和交流電壓（電流）串 聯(lián)（并聯(lián)）負(fù)反饋。四. 負(fù)反饋對放大電路性能的影響 1. 提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性2.3. 擴展頻帶4. 減小非線性失真及抑制干擾和噪聲5. 改變放大電路的輸入、輸出電阻 *串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加1+AF倍 *并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小1+AF倍 *電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小1+AF倍 *電流負(fù)反饋使輸出電阻增加1

18、+AF倍五. 自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件1. 產(chǎn)生自激振蕩的原因 附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。 2. 產(chǎn)生自激振蕩的條件 若表示為幅值和相位的條件則為： 第八章 信號的運算與處理分析依據(jù)- “虛斷”和“虛短”1. 基本運算電路1. 反相比例運算電路 R2 =R1/Rf 2. 同相比例運算電路 R2=R1/Rf 3. 反相求和運算電路 R4=R1/R2/R3/Rf 4. 同相求和運算電路 R1/R2/R3/R4=Rf/R55. 加減運算電路 R1/R2/Rf=R3/R4/R52. 積分和微分運算電路1. 積分運算2. 微分運算 第九章 信號發(fā)生電路1. 正弦波振蕩電路的基本概念1. 產(chǎn)生正弦波振

19、蕩的條件(人為的直接引入正反饋)自激振蕩的平衡條件 : 即幅值平衡條件： 相位平衡條件： 2. 起振條件: 幅值條件 ：相位條件:3.正弦波振蕩器的組成、分類正弦波振蕩器的組成(1) 放大電路-建立和維持振蕩。(2) 正反饋網(wǎng)絡(luò)-與放大電路共同滿足振蕩條件。(3) 選頻網(wǎng)絡(luò)-以選擇某一頻率進(jìn)行振蕩。(4) 穩(wěn)幅環(huán)節(jié)-使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好。* 正弦波振蕩器的分類(1) RC振蕩器-振蕩頻率較低,1M以下;(2) LC振蕩器-振蕩頻率較高,1M以上;(3) 石英晶體振蕩器-振蕩頻率高且穩(wěn)定。二. RC正弦波振蕩電路1. RC串并聯(lián)正弦波振蕩電路2. RC移相式正弦波振蕩電路三. LC正弦波振蕩電路1. 變壓器耦合式LC振蕩電路 判斷相位的方法： 斷回路、引輸入、看相位 2. 三點式LC振蕩器*相位條件的判斷-“射同基反”或 “三步曲法” (1) 電感反饋三點式振蕩器(哈特萊電路)(2) 電容反饋三點式振蕩器(考畢茲電路) (3) 串聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點式振蕩器（克拉