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1、物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低的比較及應(yīng)用河北省宣化縣第一中學(xué) 欒春武如何比較物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)的高低,首先分析物質(zhì)所屬的晶體類型,其次抓住同一類型晶體熔、沸點(diǎn)高低的決定因素,現(xiàn)總結(jié)如下供同學(xué)們參考:一、不同類型晶體熔沸點(diǎn)高低的比較一般來(lái)說(shuō),原子晶體離子晶體分子晶體;金屬晶體(除少數(shù)外)分子晶體。例如:SiO2NaCLCO2(干冰)金屬晶體的熔沸點(diǎn)有的很高,如鎢、鉑等;有的則很低,如汞、鎵、銫等。二、同類型晶體熔沸點(diǎn)高低的比較同一晶體類型的物質(zhì),需要比較晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)粒子間的作用力,作用力越大,熔沸點(diǎn)越高。影響分子晶體熔沸點(diǎn)的是晶體分子中分子間的作用力,包括范德華力和氫鍵。1.同屬分子晶體組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,
2、一般來(lái)說(shuō)相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高。例如:I2Br2Cl2F2。組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,如果分子之間存在氫鍵,則分子之間作用力增大,熔沸點(diǎn)出現(xiàn)反常。有氫鍵的熔沸點(diǎn)較高。例如,熔點(diǎn):HIHBrHFHCl;沸點(diǎn):HFHIHBrHCl。相對(duì)分子質(zhì)量相同的同分異構(gòu)體,一般是支鏈越多,熔沸點(diǎn)越低。例如:正戊烷異戊烷新戊烷;互為同分異構(gòu)體的芳香烴及其衍生物,其熔沸點(diǎn)高低的順序是鄰間對(duì)位化合物。組成和結(jié)構(gòu)不相似的分子晶體,分子的極性越大,熔沸點(diǎn)越高。例如:CON2。還可以根據(jù)物質(zhì)在相同的條件下?tīng)顟B(tài)的不同,熔沸點(diǎn):固體液體氣體。例如:SHgO2。2.同屬原子晶體原子晶體熔沸點(diǎn)的高低與共價(jià)
3、鍵的強(qiáng)弱有關(guān)。一般來(lái)說(shuō),半徑越小形成共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)越短,鍵能就越大,晶體的熔沸點(diǎn)也就越高。例如:金剛石(CC)二氧化硅(SiO)碳化硅(SiC)晶體硅(SiSi)。3.同屬離子晶體離子的半徑越小,所帶的電荷越多,則離子鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高。例如:MgOMgCl2,NaClCsCl。4.同屬金屬晶體金屬陽(yáng)離子所帶的電荷越多,離子半徑越小,則金屬鍵越強(qiáng),高沸點(diǎn)越高。例如:AlMgNa。三、例題分析例題1.下列各組物質(zhì)熔點(diǎn)高低的比較,正確的是:A. 晶體硅金剛石碳化硅 B. CsClKClNaCl
4、0;C. SiO2CO2He D. I2Br2He解析:A中三種物質(zhì)都是原子晶體半徑CSi,則熔點(diǎn):金剛石碳化硅 晶體硅,B中應(yīng)為:NaClKClCsCl,因?yàn)殡x子的半徑越小,離子鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)就越高。因此C、D正確。答案:C、D例題2.下列物質(zhì)性質(zhì)的變化規(guī)律,與共價(jià)鍵的鍵能大小有關(guān)的是:A.F2、Cl2、Br2、I2的熔
5、點(diǎn)、沸點(diǎn)逐漸升高 B.HF、HCl、HBr、HI的熱穩(wěn)定性依次減弱C.金剛石的硬度、熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都高于晶體硅D.NaF、NaCl、NaBr、NaI的熔點(diǎn)依次降低解析:F2、Cl2、Br2、I2形成的晶體屬于分子晶體。它們的熔沸點(diǎn)高低決定于分子間的作用力,與共價(jià)鍵的鍵能無(wú)關(guān),A錯(cuò);HF、HCl、HBr、HI的分子內(nèi)存在共價(jià)鍵,它們的熱穩(wěn)定性與它們內(nèi)部存在的共價(jià)鍵的強(qiáng)弱有關(guān),B正確;金剛石和晶體硅都是原子間通過(guò)共價(jià)鍵結(jié)合而成的原子晶體,其熔沸點(diǎn)的高低決定于共價(jià)鍵的鍵能,C正確;NaF、NaCl、NaBr、NaI都是由離子鍵形成的離子晶體,其內(nèi)部沒(méi)有共價(jià)鍵,D錯(cuò)。答案:B、C例題3.下圖中每條折線表示
6、周期表AA中的某一族元素氫化物的沸點(diǎn)變化,每個(gè)小黑點(diǎn)代表一種氫化物,其中a點(diǎn)代表的是: A. H2S B. HCl C. PH3 D. SiH4 解析:NH3、H2O、HF分子間存在氫鍵,它們的沸點(diǎn)較高,即沸點(diǎn)高低關(guān)系為:NH3PH3、H2OH2S、HFHCl,對(duì)應(yīng)圖中上三條折線。所以a點(diǎn)所在折線對(duì)應(yīng)第IVA族元素的氣態(tài)氫化物,且a
7、點(diǎn)對(duì)應(yīng)第三周期,所以a表示SiH4。答案:D例題4.下列各組物質(zhì)中,按熔點(diǎn)由低到高順序排列正確的是:A. O2 I2 Hg B. CO KCl SiO2 C. Na K Rb D. SiC NaCl SO2解析: 選項(xiàng)A中的O2是氣體,I2是固體,Hg是液體,所以熔點(diǎn)由低到高的順序是:O2 Hg I2 ;選項(xiàng)B中的CO固態(tài)時(shí)是分子晶體,KCl屬于離子晶體, SiO2屬于原子晶體,所以熔點(diǎn)由
8、低到高的順序是:COKClSiO2;選項(xiàng)C中的Na、K、Rb都是金屬晶體,原子半徑不斷增大,金屬鍵不斷減弱,所以熔點(diǎn)不斷降低;選項(xiàng)D中的SiC屬于原子晶體,NaCl屬于離子晶體,SO2形成分子晶體,因此熔點(diǎn)不斷降低。答案: B例題5(09全國(guó)卷I 29)已知周期表中,元素Q、R、W、Y與元素X相鄰。Y的最高化合價(jià)氧化物的水化物是強(qiáng)酸?;卮鹣铝袉?wèn)題:(1)W與Q可以形成一種高溫結(jié)構(gòu)陶瓷材料。W的氯化物分子呈正四面體結(jié)構(gòu),W的氧化物的晶體類型是_;(2)Q的具有相同化合價(jià)且可以相互轉(zhuǎn)變的氧化物是_;(3)R和Y形成的二元化合物中,R呈現(xiàn)最高化合價(jià)的化合物是化學(xué)式是_; (4)這5個(gè)元素的
9、氫化物分子中,立體結(jié)構(gòu)類型相同的氫化物的沸點(diǎn)從高到低排列次序是(填化學(xué)式)_,其原因是_;電子總數(shù)相同的氫化物的化學(xué)式和立體結(jié)構(gòu)分別是_;(5)W和Q所形成的結(jié)構(gòu)陶瓷材料的一種合成方法如下:W的氯化物與Q的氫化物加熱反應(yīng),生成化合物W(QH2)4和HCl氣體;W(QH2)4在高溫下分解生成Q的氫化物和該陶瓷材料。上述相關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式(各物質(zhì)用化學(xué)式表示)是_。解析:本題可結(jié)合問(wèn)題作答。W的氯化物為正四體型,則應(yīng)為SiCl4或CCl4,又W與Q形成高溫陶瓷,故可推斷W為Si。(1)SiO2為原子晶體。(2)高溫陶瓷可聯(lián)想到Si3N4,Q為N,則有NO2與N2O4之間的相互轉(zhuǎn)化關(guān)系。(3)Y的
10、最高價(jià)氧化的的水化物為強(qiáng)酸,且與Si、N等相鄰,則只能是S。Y為O,所以R為As元素。(4)顯然X為P元素。氫化物沸點(diǎn)順序?yàn)镹H3AsH3PH3,因?yàn)镹H3分子間存在氫鍵,所以沸點(diǎn)最高。相對(duì)分子質(zhì)量AsH3PH3,分子間的作用力AsH3PH3,故AsH3得沸點(diǎn)高于PH3。 SiH4、PH3和H2S的電子數(shù)均為18。結(jié)構(gòu)分別為正四面體,三角錐和角形(V形)。(5)由題中所給出的含字母的化學(xué)式可以寫(xiě)出具體的物質(zhì),然后配平即可。答案:(1)原子晶體。(2)NO2和N2O4(3)As2S5。(4) NH3AsH3PH3,因?yàn)榍罢咧泻袣滏I。 SiH4、PH3和H2S結(jié)構(gòu)分別為正四面體,三角錐和角形(V
11、形)。(5)SiCl4 + 4NH3 Si(NH2)4 + 4HCl,3Si(NH2)4 Si3N4 + 8NH3例題6(09山東卷32)C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。(1)寫(xiě)出Si的基態(tài)原子核外電子排布式。從電負(fù)性角度分析,C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?。?)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為,微粒間存在的作用力是。(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為(填元素符號(hào))。MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點(diǎn)比CaO的高,其原因是。(4)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2化學(xué)式相
12、似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成鍵和鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述健。從原子半徑大小的角度分析,為何C、O原子間能形成,而Si、O原子間不能形成上述鍵。解析:(1)C、Si和O的電負(fù)性大小順序?yàn)椋篛CSi。(2)晶體硅中一個(gè)硅原子周?chē)c4個(gè)硅原子相連,呈正四面體結(jié)構(gòu),所以雜化方式是sp3 。(3)SiC電子總數(shù)是20個(gè),則氧化物為MgO;晶格能與所組成離子所帶電荷成正比,與離子半徑成反比,MgO與CaO的離子電荷數(shù)相同,Mg2+半徑比Ca2+小,MgO晶格能大,熔點(diǎn)高。(4)Si的原子半徑較大,Si、O原子間距離較大,p-p軌道肩并肩重疊程度較小,不能形成上述穩(wěn)定的
13、鍵。答案:(1)1s22s22p63s23p2 OCSi (2) sp3 共價(jià)鍵 (3)Mg Mg2+半徑比Ca2+小,MgO晶格能大 (4)Si的原子半徑較大,Si、O原子間距離較大,pp軌道肩并肩重疊程度較小,不能形成上述穩(wěn)定的鍵例題7.(09福建卷30)Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增。已知:Z的原子序數(shù)為29,其余的均為短周期主族元素;Y原子價(jià)電子(外圍電子)排布msn mpn; R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù)
14、;Q、X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:(1)Z2+ 的核外電子排布式是 。(2)在Z(NH3)42+離子中,Z2+的空間軌道受NH3分子提供的 形成配
15、位鍵。(3)Q與Y形成的最簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物分別為甲、乙,下列判斷正確的是 。a.穩(wěn)定性:甲乙,沸點(diǎn):甲乙 b.穩(wěn)定性:甲乙,沸點(diǎn):甲乙c.穩(wěn)定性:甲乙,沸點(diǎn):甲乙 d.穩(wěn)定性:甲乙,沸點(diǎn):甲乙(4) Q、R、Y三種元素的第一電離能數(shù)值由小到大的順序?yàn)?#
16、160; (用元素符號(hào)作答)(5)Q的一種氫化物相對(duì)分子質(zhì)量為26,其中分子中的鍵與鍵的鍵數(shù)之比為 。(6)五種元素中,電負(fù)性最大與最小的兩種非金屬元素形成的晶體屬于 。答案:(1)1s22s22p63s23p63d9 (2)孤對(duì)電子(孤電子對(duì))(3)b (4)Si < C <N (5) 3:2 (6)原子晶體解析:由題給條件知Z的原子序數(shù)為29, 29號(hào)為Cu。Y價(jià)電子:msnmpn中n只能取2,又為短周期,則Y可能為C或Si。R的核外L層為數(shù),則可能為L(zhǎng)i、B、N或F。Q、X的p軌道為2和4,則C(或Si)和O(或S)。因?yàn)槲宸N元素原子序數(shù)依次遞增。故可推出:Q為C,R為N,X為O,Y為Si。(1)Cu的價(jià)電子排布為3d104s1,失去兩個(gè)電子,則為3d9。(2)Cu2可以與NH3形成配合物,其中NH3中N提供孤對(duì)電子,Cu提供空軌道,而形成配
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