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本征導電本征導電雜質(zhì)導電雜質(zhì)導電本征導電本征導電高溫高溫雜質(zhì)導電雜質(zhì)導電晶體格子（簡稱晶格）晶體格子（簡稱晶格）：晶體中原子排列的具體形式。：晶體中原子排列的具體形式。圖圖4.1 4.1 晶體中的各種點缺陷晶體中的各種點缺陷1-1-大的置換原子；大的置換原子；2-2-肖脫基空位；肖脫基空位；3-3-異類間隙原子；異類間隙原子；4-4-復合空位；復合空位；5 5弗蘭克爾空位；弗蘭克爾空位；6-6-小的置換原子小的置換原子點缺陷點缺陷Frenkel 缺陷缺陷Schottky 缺陷缺陷一般肖特基缺陷形成能比弗侖克爾缺陷形成能低許多。一般肖特基缺陷形成能比弗侖克爾缺陷形成能低許多。 則單位時間內(nèi)每一間隙離子沿電場方向的剩余躍則單位時間內(nèi)每一間隙離子沿電場方向的剩余躍遷次數(shù)為：遷次數(shù)為：相鄰半穩(wěn)定位置間的距離相鄰半穩(wěn)定位置間的距離每躍遷一次距離為每躍遷一次距離為，遷移速度為，遷移速度為sWN2雜質(zhì)離子濃度雜質(zhì)離子濃度1T濃度梯度濃度梯度具有離子導電的固體物質(zhì)。具有離子導電的固體物質(zhì)。電導率較高的固體電解質(zhì)。電導率較高的固體電解質(zhì)。4.4.1 快離子導體的發(fā)展歷史快離子導體的發(fā)展歷史4.4.2 快離子導體的特征快離子導體的特征4.4.3 快離子導體的分類快離子
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