數(shù)字邏輯教學課件ppt作者王茜黃仁許光辰第1章基礎概念

1、第1章 基礎概念基礎概念1.1 概 述 把具有描述連續(xù)變化特性的物理量稱為模擬量（Analog Value）。 以數(shù)字形式來表示所對應模擬量就稱為數(shù)字量（Digital Value）。 使用數(shù)字量來進行傳遞、加工的工程應用系統(tǒng)就稱為數(shù)字系統(tǒng)（Digital System）。 數(shù)字系統(tǒng)也稱為數(shù)字邏輯系統(tǒng)（Digital Logic System），簡稱數(shù)字邏輯 為了將具有連續(xù)變化性質的自然信息（模擬量）用數(shù)字系統(tǒng)來實現(xiàn)加工和處理，就必須先通過模/數(shù)變換（A/D conversion），實現(xiàn)模擬量到數(shù)字量變換，然后對這些數(shù)字量進行加工。待加工結束后，再通過數(shù)/模變換（D/A conversion）

2、，將原來已經(jīng)加工后的數(shù)字量還原成能直接表征線性變化的模擬量，這就是通常數(shù)字系統(tǒng)中所提到的A/D和D/A轉換 若數(shù)字系統(tǒng)對數(shù)字信息加工處理以及傳輸所需總時間低于整個物理系統(tǒng)活動所需要時間，這樣的數(shù)字系統(tǒng)就稱為實時系統(tǒng)（Real - time System）。 實時系統(tǒng)又分別使用了硬實時系統(tǒng)和軟實時系統(tǒng)這兩種概念來具體區(qū)分和嚴格說明. 硬實時系統(tǒng)是指系統(tǒng)自身要具備支持可能出現(xiàn)最壞情況的安全處理時間。 軟實時系統(tǒng)是對任何突發(fā)事件能夠提供確定處理時間，而且處理過程也能夠在系統(tǒng)規(guī)定時間內(nèi)完成，如果系統(tǒng)因各種外在或內(nèi)在因素超越了事件處理截止期限，但最終結果并不會導致系統(tǒng)致命錯誤.1.2 基 礎 知 識 1

3、.2.1 脈沖信號 脈沖信號可以定義為：相對于連續(xù)信號而言，它是在整個信號周期內(nèi)所產(chǎn)生的短時間信號 通常在數(shù)字系統(tǒng)中所使用信號就是脈沖信號，它們也被稱為數(shù)字信號 什么是脈沖以及如何產(chǎn)生脈沖信號 幾種常見脈沖波形 脈沖幅度Vm：從一種狀態(tài)變化到另一種狀態(tài)跳變值。 脈沖周期T：兩個相鄰脈沖重復出現(xiàn)所間隔時間。 上升時間tr：從0電平到高電平所需要時間。 下降時間tf：從高電平到0電平所需要時間。 圖1.5 脈沖信號參數(shù)描述 脈沖寬度tu：脈沖出現(xiàn)后持續(xù)時間。1.2.2 半導體的導電特性 各種小規(guī)模集成電路（Small Scale Integration，SSI）、中規(guī)模集成電路（Medium Sc

4、ale Integration，MSI）和大規(guī)模集成電路（Large Scale Integration，LSI），以及現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)所采用的VLSI或ULSI器件，它們都是由半導體材料（鍺、硅等）做成的 1半導體導電特性 導電性處在導體和絕緣體之間 2半導體的特殊載流子 半導體材料主要是基于硅和鍺 3p型半導體和n型半導體 p型半導體和n型半導體就是在純單晶半導體中分別摻入三價硼元素和五價磷、銻等元素 摻入的硼雜質每個原子都可以提供一個空穴，導致硅晶體中空穴載流子數(shù)量大大增加，此時這種半導體中自由電子數(shù)量相對很少，其導電性主要依賴于空穴載流子，人們把這種半導體稱為空穴半導體，簡稱p型半導體 在

5、硅原子和磷原子組成共價鍵后，磷外層5個電子有4個與硅原子組成共價鍵，多出一個電子由于受到原子核束縛力很小，從而很容易成為自由電子，這時構成的半導體材料中，出現(xiàn)了電子為多數(shù)載流子，而空穴為少數(shù)載流子情況，其導電性主要取決于電子，人們把這種半導體稱為電子半導體，簡稱n型半導體。 半導體經(jīng)常是以p型雜質和n型雜質混合的形式出現(xiàn)，因此半導體究竟具有p型半導體還是n型半導體導電特性，將取決于某種雜質在半導體中摻入濃度。 若在一塊半導體中將這兩種半導體聯(lián)結在一起，那么在這兩個半導體的交界面上就會形成一個p n結，通過這些p n 結可以構成二極管、三極管、可控硅等電子元件 當做成一個p n結后，在p區(qū)中空穴

6、載流子數(shù)量較多，因此空穴載流子就要由p區(qū)向n區(qū)擴散，同樣處于n區(qū)電子載流子數(shù)量較多，它也從n區(qū)向p區(qū)擴散 正因為上述半導體內(nèi)部產(chǎn)生的擴散運動，使得p區(qū)空穴減少，失去帶正電空穴的p型雜質原子就變成了帶負電的離子。同樣也是這種擴散運動，使得n區(qū)電子也減少，失去帶負電電子的n型雜質原子就變成了帶正電的離子。由于離子在晶體中是不能移動的，這樣在p區(qū)和n區(qū)交界面上就形成了一個很薄的空間電荷區(qū)，人們把這個電荷區(qū)就稱為p n結 如果我們在半導體p n結兩端適當?shù)厥┘油獠侩妷?，這將立刻打破原來在半導體中所保持的平衡作用，它使得原本半導體內(nèi)部所存在性質發(fā)生變化，這個變化正是我們所需要的單向導電行為 將外加電壓負

7、極接在p n結p區(qū)上，同時將外部電壓正極接在p n結n區(qū)上。由于這種連接方式使外加電壓與半導體內(nèi)部空間電場方向一致，它將使得p區(qū)中空穴載流子向外加電壓負極進行移動，而n區(qū)中電子載流子向外加電壓正極進行移動，這種反向運動結果導致了空間電荷量不是減少，而是增多，表現(xiàn)在p n結物理特性上是空間電場增強，即p n結變寬，這樣在半導體中使得載流子擴散運動很難繼續(xù)進行1.2.3 二極管開關特性 二極管具有單向導電特性 二極管伏安曲線由如下3個部分組成。 1正向特性部分 2反向電流部分 3反向擊穿電壓部分1.2.4 三極管開關特性 三極管結構與符號示意圖 放大、截止、飽和稱為三極管的3個工作狀態(tài)1三極管截止

8、狀態(tài) 若在電路輸入端施加一個從3V到+3V脈沖信號，開始時輸入電壓為3V，因發(fā)射極電位Ve = 0，所以在發(fā)射結上施加的是一個反向偏置。此時三極管集電極電位Vc也高于Vb，同樣收集結也處于反向偏置。由于此時三極管兩個p n結都處于反向偏置，此時三極管內(nèi)部主要表現(xiàn)的是漂移運動，因這種情況下三極管中能夠獲得漂移條件的載流子為極少數(shù)，由它們形成的反向電流是可以忽略不計的，即Ib與Ie基本上為0，輸出電壓Vout = +12V。此時3個電極之間似乎用一種斷開現(xiàn)象被表現(xiàn)出來，因此人們把三極管這種工作狀態(tài)稱為截止狀態(tài)2三極管放大狀態(tài) 如果把輸入電壓Vin從3V增加到+3V，此時Rb若很大，則Vb 0.5V

9、，發(fā)射結電場阻力仍未被削弱，發(fā)射區(qū)電子擴散運動還是非常困難的，這時三極管基極電流Ib和集電極電流Ic仍很小，所以三極管仍處于未導通狀態(tài)。當繼續(xù)增加輸入電壓Vin，使得基極電壓達到0.7V左右，發(fā)射結正式導通，此時對于三極管來講，只要稍微改變一點基極電流Ib，集電極電流Ic將按照一個確定放大倍數(shù)（如40倍）放大。由于集電極電流Ic變化，也導致輸出電壓Vout也跟隨發(fā)生相應的改變，這就是三極管放大特點3三極管飽和狀態(tài) 若繼續(xù)增加基極電流Ib = 300，此時集電極電流Ic 12mA，這樣電路輸出電壓Vout就是硅型三極管集 射極管壓降，約為0.3V。若繼續(xù)增加基極電流Ib = 400，因電源電壓為

10、12V，集電極電流Ic只能維持在12mA，電路對外輸出仍保持在0.3V左右。所以盡管基極電流Ib可以繼續(xù)增加，但集電極電流Ic已經(jīng)不能再跟隨增加了，輸出電壓幾乎趨近于0V，但絕不能變成一個負電壓輸出，這時我們說三極管已經(jīng)失去它的放大能力，從而出現(xiàn)了一種稱為飽和的現(xiàn)象，人們把三極管這種工作狀態(tài)稱為飽和狀態(tài)。 三極管特性曲線圖 三極管開關特性1.2.5 三極管3種連接方法 1共發(fā)射極電路連接結構2共基極電路連接結構3共集電極電路連接結構1.3 邏輯門電路 作為數(shù)字系統(tǒng)應用，人們經(jīng)常需要對其構成的數(shù)字系統(tǒng)施加一些外部條件，去控制脈沖信號能否通過這些數(shù)字系統(tǒng)，這種控制條件所需電路機制就是邏輯門，而門電

11、路基本形式就是“與門”和“或門”兩種。1.3.1 DTL門電路DTL邏輯門工作原理 DTL輸出高電平示意圖 無反向驅動電流示意圖1.3.2 TTL門電路 多發(fā)射極晶體管結構 一種基于多發(fā)射極晶體管所構成的簡單TTL門電路結構 TTL輸出為低電平示意圖 產(chǎn)生反向基流的示意圖 上升沿變化示意圖 典型TTL集成電路1.3.3 CML門電路 計算機運行速度在成千上萬倍地提高，這就大大推動了邏輯電路必須向更高速方向發(fā)展，電流型邏輯（Current Mode Logic，CML）集成電路就是為適應這種發(fā)展而出現(xiàn)的一種高速邏輯電路。 幾十年來，數(shù)字電路重要發(fā)展方向之一就是解決電路速度問題，限制數(shù)字電路運行速

12、度癥結點如下。 （1）三極管飽和問題。 （2）電容充放電問題。 （3）三極管內(nèi)部頻率特性。 對于CML結構電路來說，其工作特點是：第一，它工作在作用區(qū)，避免了三極管因飽和而產(chǎn)生存儲延遲時間問題；第二，三極管收集結沒有處于正向狀態(tài)，這就減少了收集結電容Cc存在的問題，它保證了輸出回路時間常數(shù)得到下降；第三，CML電路中開關幅度只有800mV左右，這就減少了負載電容、分布電容充放電時間；第四，它的工作方式接近于共有基級連接方式，所以它最大限度地發(fā)揮了三極管內(nèi)部固有頻率特性 CML電路結構和符號 當輸入電壓從低變高時，Vout1將從高變低，它起到反相器作用，而Vout2則和輸入電壓變化一樣，也是從低

13、變高，所以它的變化和輸入信號一樣，因此它起到同相作用。當電路將這兩個輸出信號都引出作為下級電路互連信號時，則CML電路就出現(xiàn)了兩個稱為互補輸出表示，這樣CML電路在數(shù)字系統(tǒng)中可表現(xiàn)設計靈活性將大大增加。這種具備互補功能輸出結構也是VLSI和ULSI輸入陣列結構1.4 邏輯代數(shù)與基本邏輯運算 邏輯代數(shù)與普通代數(shù)不一樣的地方是，在邏輯表示中，其取值只能是0或1。其次邏輯代數(shù)中取值，并不像普通代數(shù)中數(shù)值一樣可以用來表示數(shù)量概念，它只表示對事件真假判斷，而無數(shù)值大小和正負區(qū)分。所以在邏輯代數(shù)中，僅用信號量還不能完全反映數(shù)字系統(tǒng)設計中邏輯功能行為，它還需要反映出各種邏輯思維復雜關系，這些復雜關系的關聯(lián)行

14、為就是幾種運算關系，即離散數(shù)學中所闡述的三種全功能聯(lián)結詞：與、或、非3種運算關系1.4.1 析取聯(lián)結詞與正“或”門電路PQPQTTTTFTFTTFFF析取聯(lián)結詞定義析取聯(lián)結詞是一個復合命題，記作PQ 在數(shù)字電路中，實現(xiàn)或運算邏輯功能的電子電路稱為或門。 或運算表ABF0000111011111.4.2 合取聯(lián)結詞與正“與”門電路 合取也是一個復合命題，記作PQ。PQPQTTTTFFFTFFFF合取聯(lián)結詞定義 在數(shù)字電路中，實現(xiàn)與運算邏輯功能的電子電路稱為與門。 與運算表ABF0000101001111.4.3 否定聯(lián)結詞與“非”門電路 否定聯(lián)結詞用符號“”否定聯(lián)結詞定義PPTFFT 在數(shù)字電路

15、中，用電子電路來實現(xiàn)非運算邏輯功能的電路稱為非門，也稱為反相器 非運算表PP01101.4.4 復合邏輯門電路 “與非”邏輯、“或非”邏輯就是這些復合邏輯門的基本表示 “與非”邏輯表示為F = ； “或非”邏輯表示為：F = ；ABA+B 與非、或非運算表AB0011011010101100ABA+B 與非門、或非門符號 實現(xiàn)與或非門的復雜表現(xiàn) 與或非門的慣用符號1.4.5 雙條件聯(lián)結詞與“同或”電路 雙條件聯(lián)結詞是一個復合命題，記作P Q。 雙條件聯(lián)結詞定義PQP QTTTTFFFTFFFT 邏輯同電路符號表示1.4.6 不可兼或聯(lián)結詞與“異或”電路 不可兼或聯(lián)結詞也是一個復合命題，它是雙條

16、件聯(lián)結詞 的否定，記為QPQP 不可兼或聯(lián)結詞定義PQTTFTFTFTTFFFQP 不可兼或運算在數(shù)字系統(tǒng)中稱為邏輯異，也稱為異或門，運算符號用“”表示 邏輯異運算表AEA E0000111011101.5 觸發(fā)器基本概念與分類 利用電子電路來制作的記憶器件被稱為觸發(fā)器 反相器工作過程 能實現(xiàn)記憶功能的基礎結構 有關觸發(fā)器使用時的幾個技術術語 1觸發(fā)器現(xiàn)態(tài)：針對觸發(fā)器的一次狀態(tài)翻轉，觸發(fā)器發(fā)生狀態(tài)翻轉前的狀態(tài)，用Q表示。 2觸發(fā)器次態(tài)：針對觸發(fā)器的一次狀態(tài)翻轉，觸發(fā)器發(fā)生狀態(tài)翻轉后的狀態(tài)，用Q(n+1)表示。 3次態(tài)真值表：描述觸發(fā)器次態(tài)與現(xiàn)態(tài)和輸入的函數(shù)關系的真值表格式。 4次態(tài)方程：用邏輯

17、方程表現(xiàn)的形式。 5次態(tài)卡諾圖：利用卡諾圖來表現(xiàn)現(xiàn)態(tài)、輸入與次態(tài)之間關系的圖示1.5.1 觸發(fā)器與時鐘 為保證數(shù)字系統(tǒng)正常工作，針對這類需要統(tǒng)一發(fā)生狀態(tài)轉換的數(shù)字系統(tǒng)，在系統(tǒng)內(nèi)部都增設了系統(tǒng)時鐘信號，這樣內(nèi)部各個功能部件都在該時鐘信號控制下，實現(xiàn)統(tǒng)一狀態(tài)轉換1.5.2 基本RS觸發(fā)器 基本RS觸發(fā)器內(nèi)部結構與符號 基本RS觸發(fā)器工作時序圖 基本RS觸發(fā)器功能表外部輸入現(xiàn)態(tài)次態(tài)R SQ（n）Q（n+1）0 001不能確定0 10101 00111 101保持不變1.5.3 可控RS觸發(fā)器 可控RS觸發(fā)器內(nèi)部結構與符號 可控RS觸發(fā)器次態(tài)方程為： Q(n+1) = S + RQ 可控RS觸發(fā)器工作

18、時序圖 可控RS觸發(fā)器功能表外部輸入現(xiàn)態(tài)次態(tài)R SQ（n）Q（n+1）0 001保持不變0 10111 00101 101不能確定 可控RS觸發(fā)器工作狀態(tài)圖 觸發(fā)器空翻現(xiàn)象示意圖1.5.4 主從式JK觸發(fā)器 簡單JK觸發(fā)器 簡單JK觸發(fā)器時序圖 主從式JK觸發(fā)器結構 主從式JK觸發(fā)器CP閾值示意圖 JK觸發(fā)器符號 JK觸發(fā)器功能表外部輸入現(xiàn)態(tài)次態(tài)R SQ（n）Q（n+1）0 001保持不變0 10101 00111 101計數(shù)狀態(tài) JK觸發(fā)器狀態(tài)圖1.5.5 D型觸發(fā)器型觸發(fā)器 D型觸發(fā)器內(nèi)部結構與符號 D型觸發(fā)器工作時序示意圖 D型觸發(fā)器功能表 D型觸發(fā)器狀態(tài)圖外部輸入現(xiàn)態(tài)次態(tài)DQ（n）Q（n+1）00101011 D型觸發(fā)器優(yōu)點如下所示。 （1）D型觸