碳化硅陶瓷防彈片的課程設計報告書

1、目錄第一章綜述11.1 SiC陶瓷的基本性質11.1.1 碳化硅的晶體結構11.1.2 碳化硅的硬度及韌性11.1.3 碳化硅的熱膨脹系數和導熱系數11.1.4 碳化硅的化學穩(wěn)定性11.1.5 其它21.2 SiC主要燒結方法及特點21.2.1 無壓燒結21.2.2 熱壓燒結31.2.3 熱等靜壓燒結31.2.4 反應燒結41.3 結論41.4 SiC無壓燒結陶瓷的現狀41.5 主要內容4第二章主要設備選型62.1 主要設備表62.2 原料及配比62.3 主要設備說明72.3.1 三維混料機72.3.2 行星球磨機82.3.3 干壓成型機82.3.4 冷等靜壓機92.3.5 真空燒結爐92.3

2、.6 金屬模具102.3.7 電子天平102.3.8 流速計102.3.9 拋光機112.4 工藝平面布置圖12第三章工藝工程133.1 工藝流程圖133.2 SiC原料的制備143.2.1 噴霧造粒143.2.2 原料的選取和漿料的制備過程153.2.3 球磨153.2.4 干燥及研磨過篩153.3 胚料成型工藝153.3.1 成型方式的選擇153.3.2 干壓成型法的模具選擇163.3.3 干壓成型工藝參數163.3.4 冷等靜壓163.4 防彈片的燒結工藝173.4.1 燒結氣氛要求173.4.2 燒結溫度設計173.5 精加工過程18第四章產品性能檢測194.1 無壓燒結方法制得的Si

3、C制品的性能194.2 SiC粉體原料性能檢測194.3 SiC陶瓷防彈片成品的性能檢測204.3.1 產品204.3.2 性能檢測20第五章結論23第六章小結24第七章參考文獻24第一章綜述1.1 SiC陶瓷的基本性質1.1.1 碳化硅的晶體結構SiC是以共價鍵為主的共價化合物，由于碳和硅兩元素在形成SiC晶體時，它的基本單元是四面體，所有SiC均由SiC四面體堆積而成，所不同的只是平行結合和反平行結合，從而形成具有金剛石結構的SiC。SiC共75種變體，如3C-SiC、4H-SiC、15R-SiC等，其中a-SiC、B-SiC最為常見。B-SiC的晶體結構為立方晶系，Si和C分別組成面心立

4、方晶格；a-SiC存在著4H、15R和6H等100余種多型體，其中，6H多型體為工業(yè)應用上最為普遍的一種。在SiC的多種型體之間存在著一定的熱穩(wěn)定性關系，在溫度低1600c時，SiC以B-SiC形式存在。當高于1600c時，p-SiC緩慢轉變成a-SiC的各種多型體。4H-SiC在2000c左右容易生成；15R和6H多型體均需在2100c以上的高溫才易生成；對于6H-SiC,即使溫度超過2200C,也是非常穩(wěn)定的。SiC中各種多型體之間的自由能相差很小，因此，微量雜質的固溶也會引起多型體之間的熱穩(wěn)定關系變化。1.1.2 碳化硅的硬度及韌性碳化硅的硬度相當高，僅次于幾種超硬材料，高于剛玉而名列普

5、通磨料的前茅，按莫氏刻痕硬度為9.2,克氏顯微硬度為22002800kg/mm（負荷100g）。碳化硅的熱態(tài)硬度雖然隨著溫度的升高而下降，但仍比剛玉的硬度大很多。碳化硅顆粒的韌性，通常是用一定數量某種粒度碳化硅顆粒在定型模子中，施加規(guī)定壓力之后未被壓碎的顆粒所占百分率來反映的，它受顆粒形狀等許多因素的影響。1.1.3 碳化硅的熱膨脹系數和導熱系數在25-1400c范圍內，碳化硅的平均熱膨脹系數為4.4*106/攝氏度，剛玉的熱膨脹系數高達（7-8）*106/Co所以表明碳化硅的熱膨脹系數很低。碳化硅的導熱系數很高，碳化硅的導熱系數比其他耐火材料及磨料要大的多約為剛玉導熱系數的4倍。一般工程計算

6、要引用碳化硅的導熱系數時，可取0.06280.0963J/cmCs。1.1.4 碳化硅的化學穩(wěn)定性碳化硅的化學穩(wěn)定性極佳。碳化硅本身很容易氧化，但它氧化之后形成了一層二氧化硅薄膜，氧化進程逐步被阻礙。碳化硅陶瓷具有較強的耐酸耐堿性能，即具有良好的耐腐蝕性能。1.1.5 其它碳化硅還具有良好的耐磨性，高彈性模量，抗渣能力強，耐沖刷性能，具有較高的高溫強度。1.2 SiC主要燒結方法及特點表1-1SiC主要燒結方法及特點反應燒結SiC+C胚體在高溫下進行蒸（自結汽或液相滲Si,部分硅與碳合）反應生成SiC,把原來胚體中的SiC結合起來，達到燒結的目的。添力口B+CRC、BNAL、ALQ、熱壓燒結A

7、LN等燒結，助劑，一面加壓，一面燒結.添加B、C、AL+B+C無壓燒結AL2O3+Y2O邠燒結助劑的胚體，在惰性氣氛進行固相或液相燒結燒結溫度低；收縮率為零；多孔質，強度低；1400一殘留游離硅多1600c（8%-15%,影響性能密度高，抗彎強度高；1950-2100C不能制備形狀復雜制20-40MPa品；成本高能制備出各種形狀復雜制品；強度較高；純度2000-2200C高，耐蝕性；燒結溫度高（缺點）1.2.1 無壓燒結一、周相燒結1974年SProchazka通過在高純度的0-SiC細粉中同時加入少量的B和C助劑，采用無壓燒結工藝，在2020C時成功地獲得了密度高于98%的碳化硅燒結體。SP

8、rochazka認為B的添加量應選擇在0.5%左右，而且C的添加量則取決于SiC粉料中氧含量的高低。SDuna以B和C為添加劑，采用熱等靜壓等燒結工藝，在1900c便獲得了密度大98%室溫抗彎強度高達600Mp數右的細晶SiC陶瓷。陳巍等將添加質量分數為2.0%C+1.0%由勺SiC經2150cx2h無壓燒結后，所得燒結體的彎曲強度為470MPa，斷裂韌性為5.12MPa-2。優(yōu)點：當同時添加B和C后，B周熔到SiC中，使晶界能降低，C把SiC粒子表面的二氧化硅還原除去，提高了表面能，因此B和C的添加為碳化硅的致密化創(chuàng)造了有利條件。常用的添加劑還有BC+CBN+CAlN+C等。缺點：需要較高的

9、燒結溫度（2000C）,對原粉材料的純度要求較高，并且燒結體斷裂韌性較低，有較強的裂紋強度敏感性，在結構上表現為晶粒粗大且均勻性差，斷裂模式為典型的穿晶斷裂。二、液相燒結液相燒結是以一元或多元低共熔氧化物為燒結助劑，在比較低的溫度下，利用低共融點產生液相促進碳化硅顆粒的移動、擴散和傳質，從而實現碳化硅的致密化。即以一定數量的多元低共熔氧化物為燒結助劑，使其與碳化硅顆粒表面的層起反應，在高溫時形成部分晶界液相，導致界面結合弱化。優(yōu)點：可以在較低溫度下實現碳化硅的致密化，提高了材料的斷裂韌性。使燒結設備要求和燒結成本大為降低。液相燒結還可以通過不同的燒結助劑的添加來改變材料的成分和性質。缺點：因為

10、第二相的引入使材料的高溫性能弱化，燒結體高溫下（1800C）的機械性能因液相的存在而降低。1.2.2 熱壓燒結熱壓燒結方法是指在加壓和加熱條件下促使碳化硅燒結，一股壓力在20-50MPq由于采用一定的壓力，利于增大碳化硅粒子間的接觸面積，從而促進碳化硅燒結。優(yōu)點：燒結時間短，燒結溫度相對較低。燒結助劑量少，可制得高密度產品。缺點：生產效率低，只能生產形狀簡單的制品。1.2.3 熱等靜壓燒結熱等靜壓燒結是指以熱等靜壓反應容器為主要反應裝置，通過控制溫度（大概10002000C）和控制容器壓力（以惰性氣體等氣體為傳壓介質，大概為200MPa,在合適的溫度和壓力條件下進行燒結。優(yōu)點：所以得到的碳化硅

11、陶瓷結構均勻，性能優(yōu)異。缺點：生產成本高，溫度和壓力對其性能影響較大，不能用于制造形狀復雜的產品，適用范圍受到了限制。1.2.4 反應燒結反應燒結是粉末的合成和燒結同時進行的方法。用硅粉加碳粉并加SiC粉作填粉，成型后燒結。在高溫下發(fā)生Si（液或氣相）+C（周）生成了極細的SiC結晶。優(yōu)點：反應燒結碳化硅陶瓷的制備工藝較為簡單。制備溫度低，制備時間短。反應燒結的燒結過程中幾乎沒有收縮，能夠得到與坯體形狀、尺寸相同的燒結體，可制備大尺寸制品。因為不用燒結助劑，故容易得到高純的制品從而高溫性能降低很小。缺點：在通常白制備工藝中，由于大量有機物的引入使坯體在熱處理過程中發(fā)生較大的吸熱或放熱效應，使素

12、坯產生裂紋的幾率大大上升，限制了這種材料的廣泛應用。1.3 結論綜上比較得出，熱壓燒結和等靜壓燒結皆不能生產形狀復雜的的產品，而無壓燒結可以制備復雜的形狀和尺寸的SiC部件，相對容易實現工業(yè)化生產。反應燒結碳化硅陶瓷相對于無壓固相燒結碳化硅耐高溫性能差，特別是溫度超過1400c時碳化硅陶瓷的抗彎強度急劇下降，并且其不耐強酸強堿。而采用無壓固相燒結的碳化硅陶瓷，其在高溫下的機械性和在強酸強堿下的耐腐蝕性遠好于反應燒結碳化硅。故選用無壓燒結生產碳化硅陶瓷。1.4 SiC無壓燒結陶瓷的現狀碳化硅已經是廣泛應用的碳化物陶瓷之一，所以通過無壓燒結方法制備高性能、低成本的碳化硅陶瓷成了人們研究的熱點之一。

13、碳化硅具有高彈性模量、高強度、高硬度、高熱導、低熱膨脹、高抗熱震性、耐磨損和耐腐蝕等一系列優(yōu)良性能，并且價格低廉。碳化硅陶瓷所具備的這些優(yōu)良性能使其廣泛用于航空航天、電力電子、機械工業(yè)、石油化工等許多領域，可以應用在金屬耐磨材料或高分子耐磨材料不能勝任的場所，在耐磨領域中展示著重要的應用前景，例如，可以用作耐磨零件、用于研磨介質、用于防彈板、用于噴嘴、用于研磨盤、用于磁力泵泵件等。所以無壓燒結碳化硅陶瓷在國內外的市場相當可觀。1.5 主要內容（1）選定碳化硅原料、燒結助劑種類，選擇合適的配比進行成型燒結。(2)碳化硅陶瓷的物理性能、力學性能和顯微結構的測試分析。(3)碳化硅陶瓷燒結機理及結晶性

14、能的研究，包括SiC陶瓷在燒結過程中所產生的化學變化，結構、含量、成份的變化，及燒結過程中氣氛的影響。第二章主要設備選型2.1 主要設備表(mm)行星球磨機NK01XQM三維混料機MX1220X1140X990mm烘箱電子天平JJ300金屬模具50x50mm干壓成型機YA32真空燒結爐GDQ16mm磨床拋光機流速計FL4-1微機控制電子萬能試驗機表2-1主要設備2.2 原料及配比陶瓷產品性能取決于陶瓷原料配方和生產工藝等大量因素，其中坯料的原料配方對產品性能起著決定性的作用。本實驗所用的原料及配比如下表2-2表2-2原料配比SiC94gBC1g酚醛樹脂6g蒸儲水65g乙醇35ml油酸1ml分散

15、劑0.1ml2.3 主要設備說明2.3.1 三維混料機MX系列三維渦流混料機主要適用于金剛石制品、粉末冶金、食品、化工、制藥等行業(yè)的粉末或微小顆粒的混料攪拌。主要特點，三維空間、六個自由度、加速、減速、抖動、搖滾等多種運動方式有機結合，不存在運動死角、混料時問任意設定，混料速度可調?；炝暇鶆?、效率高、減小了粉料的氧化程度、工作原理：該機在運行中，由于混料桶體具有各方向運轉動作，使各種物料在混合過程中加速流動和擴散作用，同時避免了一般混料機因離心力作用所產生的物料比重偏析和積聚現象，混合無死角，能有效確?；旌衔锪系淖罴哑焚|。結構組成：機由幾座、傳動系統(tǒng)、電器控制系統(tǒng)、多向運動機構、混合筒等部件組

16、成。與物料直接接觸的混合筒采用優(yōu)質不繡剛材料制造，筒體內外壁均經鏡面拋光。三維渦流混料機的參數表2-3表2-3MX系列三維渦流混料機的參數型號容輸出外觀尺寸混料時間積轉速MX114-221220X1140100h8Lr/minx990mm2.3.2 行星球磨機行星式球磨機是混合、細磨、小樣制備、納米材料分散、新產品研制和小批量生產高新技術材料的必備裝置。行星式球磨機產品體積小、功能全、效率高、噪聲低，是科研單位、高等院校、企業(yè)實驗室獲取微顆粒研究試樣（每次實驗可同時獲得四個樣品）的理想設備，行星式球磨機配用真空球磨罐，可在真空狀態(tài)下磨制試樣。1.工作原理：XQM系列變頻行星式球磨機是在同一轉盤

17、上裝有四個球磨罐，當轉盤轉動時，球磨罐在繞轉盤軸公轉的同時又圍繞自身軸心自轉，作行星式運動。罐中磨球在高速運動中相互碰撞，研磨和混合樣品。該產品能用干、濕兩種方法研磨和混合粒度不同、材料各異的產品，研磨產品最小粒度可至0.1微米（即1.0X10mm-4,行星球磨機參數表2-4。表2-4行星球磨機參數表型號進料出料轉速最大裝樣量粒度粒度NK0110,并將酚醛樹脂和乙醇置于燒杯混合后，將上述原料一并倒入密封罐中（事先檢查密封罐密封是否良好），放入聚氨酯后將密封罐置于三維混料機并固定后，啟動混料機進行5小時混料過程。1.1.3 球磨本方案采用行星球磨機完成球磨過程，球磨不僅可以使原料混合得更加均勻，

18、還可以使粉料粒度降低，達到成型要求。將充分混合、均勻的漿料倒入球磨罐后，稱量400gg介并倒入罐中，將球磨罐置于行星球磨機中固定后，設置球磨時間10小時，啟動設備。1.1.4 干燥及研磨過篩將球磨好的漿料倒入燒杯中，而后將燒杯置于干燥箱中進行24小時的干燥過程！干燥結束后，便將干燥好的粉料進行研磨并過篩，篩子的規(guī)格為80目。3.3 胚料成型工藝3.3.1 成型方式的選擇陶瓷材料的成型工藝是制備陶瓷材料的重要環(huán)節(jié)，也是提高陶瓷坯體均勻性和解決陶瓷材料可靠性的一個關鍵環(huán)節(jié)。理想的陶瓷材料成型工藝應該具有坯體顯微結構均勻、密度高、強度高、可實現近凈尺寸成型等特點。目前成型碳化硅的常用方法有注漿成型、

19、等靜壓成型、干壓成型、注射成型、熱壓鑄成型、凝膠注模成型和擠出成型等，本方案由于制造的坯體較小，形狀簡單，故采用干壓成型的方法！干壓成型法工藝簡單，操作簡單，周期短成本低且成型效率高，成型制品尺寸穩(wěn)定性好，適合大批量工業(yè)化生產。根據壓頭和模腔運動方式不同，干壓成型可分為以下幾種：(1)單向加壓,即模腔和下壓頭固定,上壓頭移動；(2)向加壓，模腔固定，上、下壓頭移動；(3)可動壓模,下壓頭固定,模腔和上壓頭移動,即壓頭和模腔的運動是同步的，使用液壓控制時，在某一設定壓力下壓頭停止移動。本方案采用單向加壓干壓成型法。3.3.2 干壓成型法的模具選擇模具以及模具的裝配方式對產品質量以及模具等的使用壽

20、命有著直接的影響。在裝配過程中粉體與模具之間存在著相互的摩擦力，所以模具材料應該具有一定的耐磨損性能，同時，還應考慮壓制過程中粉末的受力情況、操作的可行性及方便程度等。裝模過程中要小心配合，使上下模具正好配合良好，不能彎曲或者偏移很大角度，否則容易使成型出來的產品產生變形，同時要保證在模具內充滿了SiC的粉體，否則也會產生產品形狀不規(guī)則從而影響質量和后續(xù)的檢驗。制作檢驗的塊時也應該使SiC粉均勻分布于模具內部。在模具內部裝滿粉料之前均應在模具四周各個部件涂抹適當的潤滑油以便于后續(xù)的脫模等工作。填入粉體后可用工具敲擊模具四周使內部粉體充分均勻分布。3.3.3 干壓成型工藝參數成型壓力大小的選擇取

21、決于坯體的形狀、高度、粘合劑的種類和數量、粉體的流動性、坯體的致密度等。本方案中干壓成型采用的是16t的壓力。加壓方式，由于制備的防彈片高度不是很大，因此采用單向加壓的方式，雖有壓力梯度，但對產品性能影響不大。(高度小，壓力梯度小)加壓的速率和時間對產品性能也有一定的影響，在加壓前緩慢旋轉壓力控制旋鈕，使壓力增到16t時停止，此過程較容易控制。若加壓速度過快，保壓時問過短時，坯體中會有氣體殘留，且壓力傳遞不到應有的深度；若加壓時間過慢，保壓時間過長，容易導致產品破裂和分層等問題。從而降低了生產效率。本次方案中制備碳化硅陶瓷防彈片的保壓時間為60s。3.3.4 冷等靜壓等靜壓是將預壓好的坯體包封

22、在彈性的橡膠模具或塑料模具內，然后置于高壓容器中施以高壓（壓力通常在100MPa以上）,壓力由液體介質傳遞至彈性模具對坯體加壓。然后釋放壓力，取出模具并從模具中取出成型好的坯體。經過冷等靜壓壓制的坯體，密度較為均勻，減小甚至消除了干壓成型時產生的壓力密度梯度，雖然冷等靜壓的效果很明顯，但是由于本方案制造的防彈片不厚，所以此工藝為可選工藝。3.4 防彈片的燒結工藝本次方案采用無壓燒結，無壓燒結又稱常壓燒結，是指在常壓下，通過向SiC粉體中加入一些助燒劑，燒結得到致密的材料。由于無壓燒結在成型尺寸、經濟成本、工藝可行性等方面的具不可替代的優(yōu)勢，已經被認為是最具前途的SiC燒結工藝。無壓條件下燒結碳

23、化硅陶瓷材料，往往需要添加助燒劑或結合第二相，才能夠在較低燒結溫度下獲得較致密的材料。SiC陶瓷的無壓燒結，按照其致密化機理可以分為兩種：液相燒結和固相燒結。固相燒結是指在SiC粉體中添加B+CBC等，B等元素能夠溶于SiC中，B與SiC高溫時能夠形成置換固溶體，從而使相接觸的SiC晶粒間形成能量較低的晶界，促進SiC的致密化。此外加入的C元素，能夠與碳化硅表面的SiO2發(fā)生反應，可以去除SiC表面的SiO2氧化膜，使碳化硅表面能得到提高。液相燒結是指在SiC粉體中加入金屬氧化物，在較低溫度（2000C）下，金屬氧化物熔化或與SiO2等反應生成為液相，通過液相燒結達到致密化，常用的燒結助劑有M

24、gQ、AI2Q、AI2Q+YO及其他一些稀土氧化物。本次方案采用無壓燒結固相法。3.4.1 燒結氣氛要求本次實驗方案中以氧氣作為保護氣氛，為防止碳化硅在高溫燒結時被氧化，影響其性能，碳化硅制品的燒結中還受燒結助劑、穩(wěn)定劑等的影響，加入燒結助劑可降低燒結溫度，穩(wěn)定劑提高碳化硅燒結過程中的穩(wěn)定性。3.4.2 燒結溫度設計燒結溫度的高低是影響燒結過程的最重要因素，它直接影響著產品的性能，必須嚴格控制。只有在適當的溫度范圍內，相對密度才可超過96%（理論密度可達到3.21g/cm3）。在此過程中，燒結溫度過高或過度都會對產品產生很大影響，當燒結溫度過高時，晶粒快速長大導致其密度和力學性能下降，當溫度過

25、低時，燒結體的強度、硬度、密度等力學性能指標均達不到我們的要求，故要在合適的溫度范圍內對其進行燒結。多次試驗結果表明：SiC陶瓷在2130c-2220C范圍內燒結，可以獲得致密度高、力學性能優(yōu)良的產品。本次試驗在無壓燒結中燒結溫度控制即燒結工藝如下表3-1,燒結時間為8小時。表3-1溫0-1001000125125125017317301730213213度000000/C時保保溫問12025溫48305530/mi30n3.5 精加工過程精加工過程包括打磨和拋光兩部分,使用2000目砂紙進行粗磨,使用羊毛墊和多能磨拋機進行拋光。粗磨和拋光不僅可以使產品外觀漂亮，觀感提高，更可以使表面致密度提

26、高，降低被侵蝕度。碳化硅特種陶瓷屬于脆性材料，硬度大、脆性大、加工性能差，加工難度大，用多能磨拋機可以很好的完成磨拋工序。第四章產品性能檢測4.1 無壓燒結方法制得的SiC制品的性能表4-1無壓燒結SiC陶瓷的性能-O無壓燒結SiC密度/g/cm33.14-3.18分解溫度/C2700硬度/HRA94彎曲強度/MPa,室溫500彎曲強度/MPa,1000c475熱容/【cal/(g.C)0.2斷裂韌性/(MPa.m1/2)2.4彈性模量/GPa440熱導率/W/(m.K)84熱膨脹系數/(X10-6/C)4.34.2 SiC粉體原料性能檢測檢測該粉體的性能時，采用的是粉體流速裝置和松裝密度裝置

27、檢測SiC粉體的流動性和松裝密度，檢測結果如表5-1和表5-2所示。表4-2SiC粉體的流動性檢測結果樣品檢測次數123平均值流動性s/50g37.136.035.636.2表4-3SiC粉體的松裝密度檢測結果檢測次數粉體質量/g/g粉體質量/g容器體積/3cm松裝密度g/cm31135.78116.6619.12250.762135.49116.6618.83250.753135.67116.6619.01250.76平均值135.65116.6618.99250.7574.3 SiC陶瓷防彈片成品的性能檢測4.3.1 產品圖4-1實際產品4.3.2 性能檢測1)SiC陶瓷防彈片的密度、燒失

28、率、收縮率等性能指標如表5-3和表5-4所示。表4-4樣品相關的檢測數據燒前樣品燒前尺寸/mm質量/g樣品燒后尺寸/mm燒后素坯燒失收縮率/%率/%質量密度/gg/cm340.725.50X40.54X16.9436.24義36.45義4.9424.211.06012.81.8634-5樣品在/、同介質中的質量測量結果干重mo(g)飽吸液體試樣在液體中的重量m(g)飽吸液體試樣在空氣中的重量m2(g)樣品密度P(g/cm3)環(huán)狀13.968.729513.96622.66片狀12.836.367112.83551.98數值計算:上表中的數值的計算公式為：設已知，燒結之前的質量為m(g),燒結之

29、后干燥試樣重mo(g),燒之前尺寸為L0燒之后尺寸為Li,燒結之前素坯體積為V。飽吸液體試樣在空氣中的重量m(g)、飽吸液體試樣在液體中的重量m(g)、液體的密度p(g/cm3)、陶瓷的實際密度，燒失率和收縮率為：實際密度(g/cm3)po=pm/(mm)(g/cm3)燒失率(%Wi=100(mom)/mo收縮率(%W2=100(L0-L1)/L0素坯密度pipo=mo/V(g/cm3)2)三點抗彎：三點抗彎計算公式如下：R=3F*L/2b*h2;R-為三點抗彎值；L-跨距；b-寬度；h-厚度。三點抗彎圖如下：圖7-2三點抗彎測量結果圖表4-6相同樣品條不同條的三點抗彎測量結果或b/mmh/m

30、mL/mmF/N值（R/KPa14.043.0230212.458259.524.023.0430238.418288.8第五章結論結論與分析：經過測定，無壓燒結碳化硅防彈片的流動性是36.2s/50g,它與粒子的形狀、大小、表面狀態(tài)、密度、孔隙率等因素有很大的關系。松裝密度是0.757g/m2,影響松裝密度因素主要有；粉末粒度，粒度組成及形狀，顆粒內間隙，一定顆粒級配可以得到高松裝密度粉體。松裝密度大小影響著成型時壓力大小，直接影響胚體致密度。松裝密度小說明粉料形貌和尺寸分布不合理，也說明粉料顆粒間相互影響小，粉料流動性不好。為保證胚體體積密度的穩(wěn)定，松裝密度小時，適當加大壓制壓力。粉料的流動性決定著它在模具中的充填速度與充填程度。燒失率24.26,它與前面的干燥程度有直接關系。收縮率是11.0,收縮率比較小，一般要求燒結后收縮率應控制在14位右。影響收縮率因素主要有；粉末粒度，粒度組成及形狀，顆粒內間隙，一定顆粒級配可以得到高素坯密度減少收縮率。壓力大小，保壓時間也可以提高素坯密度。改進，采用干壓和等靜壓成型相