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1、1 p 1. LED技術(shù)與稀土熒光粉p 2. LED用稀土熒光粉特性及技術(shù)特點(diǎn) 2.1 石榴石型鋁酸鹽熒光粉 2.2 正硅酸鹽熒光粉 2.3 氮化物/氮氧化物熒光粉 2.4 其他類型熒光粉p 3. 總結(jié)及展望 固態(tài)照明固態(tài)照明Solid-state lighting,也稱半導(dǎo)體照明,也稱半導(dǎo)體照明 ,即白光即白光LED ,被譽(yù)為第四代照明電光源,或稱為,被譽(yù)為第四代照明電光源,或稱為21世紀(jì)綠色光源。世紀(jì)綠色光源。白熾燈日光燈節(jié)能燈固態(tài)照明LED是英文是英文Light Emitting Diode(發(fā)光二極管)的縮寫,(發(fā)光二極管)的縮寫,它是以第三代半導(dǎo)體材料制成的光電器件。它是以第三代半導(dǎo)

2、體材料制成的光電器件。 早在早在1907年,年,H.J.Round在無(wú)機(jī)半導(dǎo)體上觀察到在無(wú)機(jī)半導(dǎo)體上觀察到發(fā)光現(xiàn)象發(fā)光現(xiàn)象1968年,首只年,首只GaAsP紅色發(fā)光二級(jí)管問(wèn)世紅色發(fā)光二級(jí)管問(wèn)世1976年,發(fā)明了綠色年,發(fā)明了綠色LED1993年,年,發(fā)明了藍(lán)色發(fā)明了藍(lán)色LED1999年,實(shí)現(xiàn)白光年,實(shí)現(xiàn)白光LED(w-LED)2001年,白光年,白光LED效率達(dá)到效率達(dá)到25lm/W2005年,白光年,白光LED效率達(dá)到效率達(dá)到80lm/W 未來(lái)趨勢(shì)未來(lái)趨勢(shì)20102010年,突破年,突破100lm/W100lm/W,成本每千流明小于成本每千流明小于5 5美元美元20202020年,接近年,接

3、近200lm/W200lm/W,成本每千流明小于成本每千流明小于2 2美元,美元,壽命達(dá)到壽命達(dá)到1 1萬(wàn)小時(shí)萬(wàn)小時(shí)LEDLED技術(shù)技術(shù)新近的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)在汽車及顯示領(lǐng)域,長(zhǎng)期的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)在普通照明領(lǐng)域新近的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)在汽車及顯示領(lǐng)域,長(zhǎng)期的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)在普通照明領(lǐng)域 2008年國(guó)內(nèi)新增年國(guó)內(nèi)新增MOCVD超過(guò)超過(guò)30臺(tái),國(guó)產(chǎn)芯臺(tái),國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)能較片產(chǎn)能較2007年增長(zhǎng)年增長(zhǎng)50左右,主要芯片廠左右,主要芯片廠商的計(jì)劃投資在商的計(jì)劃投資在80億元以上。億元以上。國(guó)內(nèi)封裝產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能擴(kuò)張迅速,設(shè)備投入較大,國(guó)內(nèi)封裝產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能擴(kuò)張迅速,設(shè)備投入較大,2008年國(guó)內(nèi)年國(guó)內(nèi)LED封裝產(chǎn)值較封裝產(chǎn)值較2007年增長(zhǎng)年增長(zhǎng)1

4、0%-15%,產(chǎn)量增加,產(chǎn)量增加20%-30%。我國(guó)半導(dǎo)體照明總產(chǎn)值近我國(guó)半導(dǎo)體照明總產(chǎn)值近700億億元,其中芯片元,其中芯片產(chǎn)值產(chǎn)值19億元,封裝產(chǎn)值億元,封裝產(chǎn)值185億元,應(yīng)用產(chǎn)品產(chǎn)億元,應(yīng)用產(chǎn)品產(chǎn)值值450億元。億元。 2008年年LED產(chǎn)品在各主要應(yīng)用領(lǐng)域銷售額布圖產(chǎn)品在各主要應(yīng)用領(lǐng)域銷售額布圖 2010年,我國(guó)半導(dǎo)體照明市場(chǎng)總體規(guī)模達(dá)年,我國(guó)半導(dǎo)體照明市場(chǎng)總體規(guī)模達(dá)到到1000億元左右,億元左右,2010年到年到2015年的年均年的年均復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)可達(dá)到復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)可達(dá)到40%,2015年產(chǎn)業(yè)規(guī)年產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到模達(dá)到5000億元以上。隨著全球形成發(fā)展低碳億元以上。隨著全球形成發(fā)展

5、低碳經(jīng)濟(jì)的共識(shí),經(jīng)濟(jì)的共識(shí),LED照明產(chǎn)業(yè)憑借其性能優(yōu)勢(shì)將照明產(chǎn)業(yè)憑借其性能優(yōu)勢(shì)將迎來(lái)快速發(fā)展機(jī)遇。迎來(lái)快速發(fā)展機(jī)遇。 日、美、德(強(qiáng)大的技術(shù)優(yōu)勢(shì))中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)中國(guó)大陸、馬來(lái)西亞等國(guó)家第一梯隊(duì):產(chǎn)業(yè)龍頭第一梯隊(duì):產(chǎn)業(yè)龍頭第二梯隊(duì)第二梯隊(duì): 緊隨其后緊隨其后第三梯隊(duì):積極跟進(jìn)第三梯隊(duì):積極跟進(jìn) 四大片區(qū)(珠三角、長(zhǎng)三角、福建江西地區(qū)、北方地區(qū))、四大片區(qū)(珠三角、長(zhǎng)三角、福建江西地區(qū)、北方地區(qū))、七大基地七大基地下游:技術(shù)下游:技術(shù)含量最高含量最高中游:資中游:資金和技術(shù)金和技術(shù)密集密集上游:技術(shù)含量較低,上游:技術(shù)含量較低,投資強(qiáng)度較低,規(guī)模投資強(qiáng)度較低,規(guī)模最大,發(fā)展最快最大,發(fā)展最快白光

6、白光LED 2003年年6月,科技部聯(lián)合信息產(chǎn)業(yè)部、建設(shè)部等月,科技部聯(lián)合信息產(chǎn)業(yè)部、建設(shè)部等部門啟動(dòng)部門啟動(dòng)“國(guó)家半導(dǎo)體照明工程國(guó)家半導(dǎo)體照明工程”。2006年初,國(guó)務(wù)院發(fā)布了年初,國(guó)務(wù)院發(fā)布了國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要(術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要(20062020),“高效節(jié)高效節(jié)能、長(zhǎng)壽命的半導(dǎo)體照明產(chǎn)品能、長(zhǎng)壽命的半導(dǎo)體照明產(chǎn)品”被列入中長(zhǎng)期規(guī)劃被列入中長(zhǎng)期規(guī)劃第一重點(diǎn)領(lǐng)域(能源)的第一優(yōu)先主題(工業(yè)節(jié)第一重點(diǎn)領(lǐng)域(能源)的第一優(yōu)先主題(工業(yè)節(jié)能)。能)。 2009年年10月,國(guó)家發(fā)改委等六部委聯(lián)合出臺(tái)月,國(guó)家發(fā)改委等六部委聯(lián)合出臺(tái)的的半導(dǎo)體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)發(fā)展意見(jiàn)半導(dǎo)體照明節(jié)

7、能產(chǎn)業(yè)發(fā)展意見(jiàn):今后將:今后將重點(diǎn)在普通室內(nèi)照明、停車場(chǎng)、隧道、道路、重點(diǎn)在普通室內(nèi)照明、停車場(chǎng)、隧道、道路、汽車照明以及醫(yī)療、農(nóng)業(yè)等特殊領(lǐng)域開(kāi)發(fā)和推汽車照明以及醫(yī)療、農(nóng)業(yè)等特殊領(lǐng)域開(kāi)發(fā)和推廣廣LED照明產(chǎn)品,并完善相關(guān)服務(wù)體系。照明產(chǎn)品,并完善相關(guān)服務(wù)體系。到到2015年,半導(dǎo)體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值年均增年,半導(dǎo)體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值年均增長(zhǎng)率在長(zhǎng)率在30%左右,產(chǎn)品市場(chǎng)占有率逐年提高,左右,產(chǎn)品市場(chǎng)占有率逐年提高,功能性照明達(dá)功能性照明達(dá)20%左右,液晶背光源達(dá)左右,液晶背光源達(dá)50%以以上,景觀裝飾等產(chǎn)品市場(chǎng)占有率達(dá)上,景觀裝飾等產(chǎn)品市場(chǎng)占有率達(dá)70%以上以上的的目標(biāo)。目標(biāo)。 LED產(chǎn)業(yè)強(qiáng)大的節(jié)

8、能與環(huán)保效應(yīng),使其成為引領(lǐng)世界經(jīng)濟(jì)的重要力量。預(yù)計(jì)到預(yù)計(jì)到2020年,全國(guó)的照明用電量將達(dá)到年,全國(guó)的照明用電量將達(dá)到8000億度。如果按億度。如果按LED照明普及率照明普及率50%,全,全國(guó)照明節(jié)電將達(dá)到國(guó)照明節(jié)電將達(dá)到2400億度,約占全國(guó)目前億度,約占全國(guó)目前照明用電量的照明用電量的80%,節(jié)能效應(yīng)超過(guò),節(jié)能效應(yīng)超過(guò)1000億元。億元。僅節(jié)電量就相當(dāng)于僅節(jié)電量就相當(dāng)于1.2億噸標(biāo)煤,同時(shí)可大幅億噸標(biāo)煤,同時(shí)可大幅減少減少CO2、 SO2及粉塵的排放量。及粉塵的排放量。RedLEDGreenLEDBlueLEDNUV-LEDBlue LEDBlue LED 色 要 求 包含盡可能多的顏色(

9、色域) 顯色性(寬帶發(fā)射或多種熒光 粉組合) 效 率 要 求 有效激發(fā)范圍覆蓋芯片發(fā)射波長(zhǎng) 高的量子效率 小的散射及熒光粉層間再吸收 其 他 要 求 形貌規(guī)則 顆粒度小,分布均勻 比表面積大 穩(wěn) 定 性 要 求 物化穩(wěn)定性高,抗輻射能力強(qiáng) 低的熱猝滅特性 壽命長(zhǎng),光衰小氧化物硫化物氮化物黃色(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce(Ca,Sr,Ba)2SiO4:EuM-SiAlON:Eu紅色Ba3MgSi2O8:Eu,MnCa(Mo,W)O4:Eu,Sm(Sr,Ca)S:EuSr2Si5N8:EuCaAlSiN3:Eu綠色Y3(Al,Ga)5O12:Ce(Ba,Sr)2SiO4:EuSrGa

10、2S4:EuZnS:Cu,Al-SiAlON:EuBaSi2O2N2:Eu藍(lán)色BAM:EuSr5(PO4)3Cl:EuSrAl2O4:EuCeAl(Si6-zAlz)N10-zOz -SiAlON:Ce(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12:Cep 1. LED技術(shù)與熒光粉p 2. LED2. LED用熒光粉特性及技術(shù)特點(diǎn)用熒光粉特性及技術(shù)特點(diǎn) 2.1 石榴石型鋁酸鹽熒光粉 2.2 正硅酸鹽熒光粉 2.3 氮化物/氮氧化物熒光粉 2.4 其他類型熒光粉p 3. 總結(jié)及展望開(kāi)發(fā)于1960s,牌號(hào)P46,主要用于飛點(diǎn)掃描1997-7-29,日亞專利US 5998925采用藍(lán)光InGaN搭配YAG實(shí)現(xiàn)

11、白光發(fā)射2000-7-8,歐司朗通過(guò)Tb摻雜得到TAG,并申請(qǐng)白光專利US6669866有研石榴石型熒光粉(專利ZL200310113506.5,申請(qǐng)?zhí)朠CT/CN2007/003205,PCT/CN2007/000852) Al: Octahedral(B)Al: Tetrahedral(A)Y(X)X3(A3B2)O12 立方晶系立方晶系400500600700020406080100 Relative intensityWavelength /nmB-LED+TAGB-LED+YAGB-LED+有研有研Nichia YAG (Re1-r,Smr)3(Al1-s,Gas)5O12:CeOs

12、ram TAG(Tb1-x-y,Rex,Cey)3(Al,Ga)5O12有研有研GriremLnaMb(O,F)12:(R3+, M2+)x US 5998925US6669866ZL200310113506.5申請(qǐng)?zhí)朠CT/CN2007/003205申請(qǐng)?zhí)朠CT/CN2007/000852500550600650700020406080100有研粉 Relative IntensityWavelength /nm商用粉 10%樣品來(lái)源白光LED 裸晶測(cè)試 lv (mcd) flux (mlm) lv (mcd) flux (mlm) 有研288110638.2105商用粉251105739.

13、7106有研鋁酸鹽黃粉同相應(yīng)商用粉的比較15%5%500550600650700020406080100 Relative IntensityWavelength /nmY Gd500550600650700020406080100 Relative IntensityWavelength /nmAl GaGaGdY3Al5O12:Ce300350400450500020406080100 Relative IntensityWavelength /nmW-LightY-LightB-LightWhite-LED with about 5000-8000K and high CRI Yello

14、w phosphor (from 530 to 560nm ) Blue-LED (from 430 to 480nm) GdGa500550600650700750020406080100Relative IntensityWavelength /nm 25 50 75 100536538541885411009153875945385010053625相對(duì)發(fā)射強(qiáng)度 /%發(fā)射主峰 /nm熒光粉溫度 /發(fā)射峰向長(zhǎng)波方向移動(dòng)相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度逐漸下降p 1. LED技術(shù)與稀土熒光粉p 2. LED2. LED用熒光粉特性及技術(shù)特點(diǎn)用熒光粉特性及技術(shù)特點(diǎn) 2.1 石榴石型鋁酸鹽熒光粉 2.2 正硅酸鹽熒

15、光粉 2.3 氮化物/氮氧化物熒光粉 2.4 其他類型熒光粉p 3. 總結(jié)及展望(Ba,Sr,Ca)2SiO4:EuThomas L. Barry, et al. Fluorescence of Eu2+-Activated Phases in Binary Alkaline Earth Orthosilicate Systems. J. Electrochem. Soc. 1968: 115(11): 75-81.通用電氣:US6429583, 1998-12-30豐田合成:US6809347, 2001-11-19 (被業(yè)界所認(rèn)同)Philip:WO03/080763, 2003-3-25

16、Intematix:US2006/0027781, 2004-8-4 (尚未獲得授權(quán))通用電氣:US6429583, 1998-12-30 Ba2SiO4:Eu2+,發(fā)射在505nm的綠色熒光粉,與藍(lán)光LED組合制燈豐田合成:US6809347, 2001-12-19 (2-x-y)SrOx(Bau,Cav)O(1-a-b-c-d)SiO2aP2O5bAl2O3cB2O3dGeO2:yEu2+(2-x-y)BaOx(Sru,Cav)O(1-a-b-c-d)SiO2aP2O5bAl2O3cB2O3dGeO2:yEu2+發(fā)射黃綠、黃色甚至橙色光,可以匹配紫外或藍(lán)光LEDPhilip:WO03/08

17、0763, 2003-3-25(Ba1-x-y-zSrxCay)2SiO4:Euz,綠色熒光粉,和另一種紅色熒光粉匹配450-480nm藍(lán)光LED形成LED燈Intematix:US2006/0027781, 2004-8-4 A2SiO4:Eu,D,其中A為Ca/Sr/Ba/Mg/Zn/Cd,D為鹵素元素/P/S/NA2SiO4:Eu2+ SrBaCa300350400450500020406080100 Relative IntensityWavelength /nm500550600650700020406080100 Relative IntensityWavelength /nmBa

18、SrEuRef: C.-H. Kim, et al. WO2004/067677, 2003-1-29藍(lán)光藍(lán)光LED正硅酸鹽石榴石型鋁酸鹽半峰寬:半峰寬:60-80nm發(fā)射可調(diào)范圍:發(fā)射可調(diào)范圍:500-580適合激發(fā)范圍:適合激發(fā)范圍:380-470顆粒度:相對(duì)較大顆粒度:相對(duì)較大溫度猝滅特性:較大溫度猝滅特性:較大半峰寬:半峰寬:100nm發(fā)射可調(diào)范圍:發(fā)射可調(diào)范圍:515-565適合激發(fā)范圍:適合激發(fā)范圍:430-470顆粒度:較為適中顆粒度:較為適中溫度猝滅特性:一般溫度猝滅特性:一般p 1. LED技術(shù)與熒光粉p 2. LED2. LED用熒光粉特性及技術(shù)特點(diǎn)用熒光粉特性及技術(shù)特點(diǎn)

19、2.1 石榴石型鋁酸鹽熒光粉 2.2 正硅酸鹽熒光粉 2.3 氮化物/氮氧化物熒光粉 2.4 其他類型熒光粉p 3. 總結(jié)及展望高共價(jià)性高共價(jià)性結(jié)構(gòu)多樣性結(jié)構(gòu)多樣性化學(xué)性質(zhì)溫度,耐濕化學(xué)性質(zhì)溫度,耐濕高溫發(fā)光性能優(yōu)良高溫發(fā)光性能優(yōu)良發(fā)光顏色多,覆蓋全可見(jiàn)光區(qū)域發(fā)光顏色多,覆蓋全可見(jiàn)光區(qū)域有效激發(fā)范圍寬有效激發(fā)范圍寬氮化物氮化物/氮氧化物氮氧化物結(jié)構(gòu)式發(fā)射波長(zhǎng)發(fā)明人/作者參考文獻(xiàn)LaSi3N5:Ce440,470nmK. UhedaJ. Lumin., 87-89, 2000LaSi5Al2ON9:Ce465-495nmN. HirosakiJP2003-208409, 2003-8-22SrS

20、i9Al19ON31:Eu450-490nmYumi FukudaPhosphor Summit 2007SrSiAl2O3N2:Eu480nmH. T. HintzenEP02021177.7, 2002.9.24SrSi5AlO2N7:Eu490nmR-J. XieJ. Ceramic Soc. of Japan, 113(7), 2005-SiAlON:Eu535nmN. HirosakiAppl. Phys. Lett. 86, 2005 Ln2Si3O3N4:Tb545nm etc.H. T. HintzenJ. Non-Crystal. Solids, 325(1-3), 2003

21、AESi2O2N2:Eu505-565nmH. T. HintzenEP1413618, 2002M-SiAlON:Eu560-600nmJ. van KrevelJ. Solid State Chem, 165, 2002AE2Si5N8:Eu580-625nmH. T. HintzenEP1104799, 1999(Ca,Sr)AlSiN3:Eu620-650nmK. Uheda305th Meeting Technical Digest, 2004Ref: H. Yamamoto. Phosphor global Summit, 2005500550600650700750 Wavele

22、ngth/nm 612nm 627nm 597nm 605nmx=1x=0.875x=0.75x=0.625x=0.5x=0.375x=0.25x=0.125x=0 正交晶系正交晶系單斜晶系單斜晶系兩相共存兩相共存Teng XM, Hu YS, Zhuang WD, et al. J Rare Earths, 27(1):2009Si-Al-N層層Ca&EuN橋鏈橋鏈Ref: K. Uheda, et al. Electrochem. Solid-State Lett., 2006, 9(4), H22CaSrBaRef: Y. Q. Li, et al. J. Mater. Chem

23、., 2005, 15, 4492HexagonalABCDMxSi12-m-nAlm+nOnN16-n, 0 x2, M=Li,Mg,Ca,Y及及Ln(La,Ce除外)除外)MEuRef: R.-J. Xie, et al. Appl. Phys. Lett., 2004, 84, 5404 HexagonalABABSi6-xAlxOxN8-x, 0 x4.2Ref: N. Hirosaki, et al. Appl. Phys. Lett., 2005, 86, 211905p 1. LED技術(shù)與稀土熒光粉p 2. LED2. LED用稀土熒光粉特性及技術(shù)特點(diǎn)用稀土熒光粉特性及技術(shù)特點(diǎn)

24、2.1 石榴石型鋁酸鹽熒光粉 2.2 正硅酸鹽熒光粉 2.3 氮化物/氮氧化物熒光粉 2.4 其他類型熒光粉p 3. 總結(jié)及展望Ref: Yasuo Shimomura, et al. US7189340, 2001-8-28CaSc2O4:CeCa3Sc2Si3O12:CeRef: H. S. Jang, et al. Appl. Phys. Lett., 2007, 90, 0419061960s被被G. Blasse報(bào)道報(bào)道Ref: M. Zachau, et al. Global Phosphor Summit 2007500550600650700750800020406080100

25、 Relative Intensity Wavelength /nmSrCa300350400450500020406080100 Relative IntensityWavelength /nmSrCa(Ca,Sr)S:Eu2+ 穩(wěn)定性差,光衰大,穩(wěn)定性差,光衰大,S污染污染Ref: Y S Hu, et al. J. Lumin., 2005, 111(3)CaMoO4:Eu,Sm 穩(wěn)定性好,發(fā)光強(qiáng)度高,但有效激發(fā)范圍窄穩(wěn)定性好,發(fā)光強(qiáng)度高,但有效激發(fā)范圍窄500550600650700750020406080100Relative IntensityWavelength /nm CaS:

26、Eu CaMoO4:Eu Y2O3:Eu Y2O2S:Eu500550600650700750020406080100Relative IntensityWavelength /nm CaMoO4:Eu Y2O3:Eu Y2O2S:Eu CaS:Eu350400450500020406080100020406080100468nmWavelength /nmb406nmaRelative IntensityRef: Y S Hu, et al. J. Alloys & Compounds, 2005, 390(1-2) W D Zhuang, et al. China Patent:

27、ZL0310101629.7Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,R 穩(wěn)定性好,有效激發(fā)范圍較寬,但效率偏低穩(wěn)定性好,有效激發(fā)范圍較寬,但效率偏低Ref: Y Fang, et al. J. Rare Earth, 2004, 22(1) W D Zhuang, et al. China Patent: ZL03137335.6300300350350400400450450020406080100 CMSC:Eu,Mn( em 505) CMSC:Eu( em 505) CMSC:Eu,Mn( em 540) Relative Intensityca b Wavelength /nm4004

28、50500550600650700020406080100Relative IntensityWavelength /nmCa, Sr/BaCa:505nmSr:464nmBa:450nmBa3-xLu2Si3O12: Eu2+x250300350400450500 Intensity(a.u.)Wavelength(nm) 522 461400500600700 Intensity(a.u.)Wavelength(nm) Ba2.92Lu2Si3O12:0.08Eu2+ Ba2.9Lu2Si3O12:0.10Eu2+ Ba2.88Lu2Si3O12:0.12Eu2+Ba2.9Lu2Si3O12:0.1Eu2+ Ba3-x-yLu2Si3O12: Eu2+x,Mn2+y 400500600700 Intensity(a.u.)Wavelength(nm) Ba2.87Lu2Si3O12:(0.1Eu2+,0.03Mn2+) Ba2.89Lu2Si3O12:(0.1Eu2+,0.01Mn2+)400500600700800 Intensity(a.u.)Wavelength(nm) Ba2.89Lu2Si3O12:0.1Eu2+,0.01Mn2+Ba2.9Lu2Si3O12:0.1Eu2+Eu2+ Mn2+能量傳遞分析

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