集成電路制造相關(guān)術(shù)語(yǔ)

1、1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)3.ACCESS:一個(gè)EDA(EngineeringDataAnalysis)系統(tǒng)6.Alignmark(key):對(duì)位標(biāo)記9. Ammonia氨10. Ammoniumfluoride氟化鏤11. Ammoniumhydroxide氫氧化鏤12. Amorphoussilicon：a-Si,非晶硅(不是多晶硅)13. Analog：模擬的14. Angstrom15. Anisotropic：各向異性(如POLYETCH16. AQL(AcceptanceQualityLevel):接受質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，在

2、一定采樣下，可以95%谿信度通過(guò)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)(不同于可靠性，可靠性要求一定時(shí)間后的失效率)億ARC(Antireflectivecoating)：抗反射層(用于METAL等層的光刻)18.Antimony(Sb)睇22.Arsine24. Aspectration：形貌比(ETCH中的深度、寬度比)25. Autodoping：自攙雜(外延時(shí)SUB的濃度高，導(dǎo)致有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回?fù)降酵庋訉?28.Benchmark：基準(zhǔn)30.Boat:擴(kuò)散用(石英)舟32.Characterwindow：特征窗口。用文字或數(shù)字描述的包含工藝所有特性的一個(gè)方形區(qū)域。36.CIM：computer-integ

3、ratedmanufacturing的縮寫。用計(jì)算機(jī)控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。39. Compensationdoping：補(bǔ)償摻雜。向P型半導(dǎo)體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。40. CMOS:complementarymetaloxidesemiconductor的縮寫。一種將PMOS和NMOS在同一個(gè)硅襯底上混合制造的工藝。41. Computer-aideddesign(CAD):計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)。42. Conductivitytype：傳導(dǎo)類型，由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在P型材料中多數(shù)載流子是空穴。43. Contact:孔。在工藝中通常指孔1,即連

4、接鋁和硅的孔。44. Controlchart:控制圖。一種用統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表。45. Correlation：相關(guān)性。46. Cp：工藝能力，詳見(jiàn)processcapability。47. Cpk：工藝能力指數(shù)，詳見(jiàn)processcapabilityindex。48. Cycletime：圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時(shí)間。49. Damage：損傷。50. Defectdensity:缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。51. Depletionimplant:耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。(耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過(guò)的晶

5、體管。)52. Depletionlayer：耗盡層。可動(dòng)載流子密度遠(yuǎn)低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。"53. Depletionwidth:耗盡寬度。55. Depthoffocus(DOF):焦深。56. designofexperiments(DOE)：為了達(dá)到費(fèi)用最小化、降低試驗(yàn)錯(cuò)誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果的統(tǒng)計(jì)合理性等目的，所設(shè)計(jì)的初始工程批試驗(yàn)計(jì)劃。58. developer：I)顯影設(shè)備；n)顯影液59. diborane(B2H6):乙硼烷，60. dichloromethane(CH2CL2)：二氯甲，一種無(wú)色，不可燃，不可爆的液體。61. dichlorosilan

6、e(DSC)：二氯甲硅烷，一種可燃，有腐蝕性，無(wú)色，在潮濕環(huán)境下易水解的物質(zhì)，常用于硅外延或多晶硅的成長(zhǎng)，以及用在沉積二氧化硅、氮化硅時(shí)的化學(xué)氣氛中。062.die：硅片中一個(gè)很小的單位，包括了設(shè)計(jì)完整的單個(gè)芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域。63. dielectric：I)介質(zhì)，一種絕緣材料；64. diffusedlayer：擴(kuò)散層，即雜質(zhì)離子通過(guò)固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入單晶硅中，在臨近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層。65. disilane(Si2H6):乙硅烷，一種無(wú)色、無(wú)腐蝕性、極易燃的氣體，燃燒時(shí)能產(chǎn)生高火焰，暴露在空氣中會(huì)自燃。在生產(chǎn)光電單元時(shí)，乙硅烷常用于沉積多

7、晶硅薄膜。66. drive-in68. effectivelayerthickness：有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范圍內(nèi)的硅錠前端的深度。69. EM:electromigration,電子遷移，指由通過(guò)鋁條的電流導(dǎo)致電子沿鋁條連線進(jìn)行的自擴(kuò)散過(guò)程。70. epitaxiallayer：夕卜延層。75. featuresize：特征尺寸，指單個(gè)圖形的最小物理尺寸。76. field-effecttransistor(FET):場(chǎng)效應(yīng)管。包含源、漏、柵、襯四端。78. flat:平邊79. flatbandcapacitanse：平帶電容80. flatbandvoltage

8、:平帶電壓81. flowcoefficicent：流動(dòng)系數(shù)82. flowvelocity:流速計(jì)83. flowvolume：流量計(jì)，84. flux：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)流過(guò)給定面積的顆粒數(shù)85. forbiddenenergygap:禁帶86. four-pointprobe：四點(diǎn)探針臺(tái)87. functionalarea：功能區(qū)89. glasstransitiontemperature：玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度90. gowning：凈化服91. grayarea：灰區(qū)92. grazingincidenceinterferometer：切線入射干涉儀93. hardbake：后烘94. hetero

9、epitaxy:單晶長(zhǎng)在不同材料的襯底上的外延方法95. high-currentimplanter：束電流大于3ma的注入方式，用于批量生產(chǎn)96. hign-efficiencyparticulateair(HEPA)filter：高效率空氣顆粒過(guò)濾器，去掉99.97%的大于0.3um的顆粒！97. host:主機(jī)98. hotcarriers：熱載流子99. hydrophilic：親水性100. hydrophobic：疏水性101. impurity:雜質(zhì).摻雜102. inductivecoupledplasma(ICP)：感應(yīng)等離子體103. inertgas：惰性氣體104. i

10、nitialoxide：一氧105. insulator：絕緣106. isolatedline：隔離線109. junction:結(jié)110. junctionspikingn:鋁穿刺111. kerf:劃片槽113. lithographyn制版114. maintainability,equipment:設(shè)備產(chǎn)能116. majoritycarriern:多數(shù)載流子117. masks,deviceseriesofn:一成套光刻版118. materialn:原料119. matrixn1:矩陣120. meann:平均值122. mediann:中間值123. memoryn:記憶體12

11、5. nanometer(nm)n：納米126. nanosecond(ns)n：納秒127. nitrideetchn:氮化物刻蝕130. ohmspersquaren：歐姆每平方：方塊電阻131. orientationn：晶向，一組晶列所指的方向132. overlapn:交迭區(qū)134. phosphorus(P)n:磷，一種有毒的非金屬元素135. photomaskn:光刻版，用于光刻的版136. photomask,negativen：反刻137. images：去掉圖形區(qū)域的版138. photomask,positiven：正亥U139. pilotn:先行批，用以驗(yàn)證該工藝是

12、否符合規(guī)格的片子142. plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn：TEOS淀積，淀積TEOS的種工藝143. pnjunctionn：pn結(jié)144. pockedbeadn：麻點(diǎn)，在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠145. polarizationn：偏振，描述電磁波下電場(chǎng)矢量方向的術(shù)語(yǔ)146. polyciden：多晶硅/金屬硅化物，解決高阻的復(fù)合柵結(jié)構(gòu)147. polycrystallinesilicon(poly)n：多晶硅，高濃度摻雜(>5E19)的硅，能導(dǎo)電。148. polymorphismn：多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形

13、態(tài)結(jié)晶的現(xiàn)象149. probern:探針。在集成電路的電流測(cè)試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和檢測(cè)設(shè)備。150. processcontroln:過(guò)程控制。半導(dǎo)體制造過(guò)程中，對(duì)設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。'151. proximityX-rayn:近X射線：一種光刻技術(shù)，用X射線照射谿于光刻膠上方的掩膜版，從而使對(duì)應(yīng)的光刻膠暴光。152. purewatern:純水。半導(dǎo)體生產(chǎn)中所用之水。153. quantumdevicen:量子設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動(dòng)性。154. quartzcarriern:石英舟。155. randomaccessmemory(RAM)n:

14、隨機(jī)存儲(chǔ)器。156. randomlogicdevicen:隨機(jī)邏輯器件。157. rapidthermalprocessing(RTP)n:快速熱處理(RTP)。159. reactorn:反應(yīng)腔。反應(yīng)進(jìn)行的密封隔離腔。162. scanningelectronmicroscope(SEM)n:電子顯微鏡(SEM)。163. scheduleddowntimen:(設(shè)備)預(yù)定停工時(shí)間。164. Schottkybarrierdiodesn:肖特基二極管。165. scribelinen:劃片槽。166. sacrificialetchbackn:犧牲腐蝕。168. sheetresistan

15、ce(Rs)(orpersquare)n:薄層電阻。用以衡量半導(dǎo)體表面雜質(zhì)摻雜水平。169. sideload:邊緣載荷，被彎曲后產(chǎn)生的應(yīng)力。170. silicononsapphire(SOS)epitaxialwafer:外延是藍(lán)寶石襯底硅的原片171. smallscaleintegration(SSI):小規(guī)模綜合，在單一模塊上由2到10個(gè)圖案的布局。172. sourcecode:原代碼173. spectralline:光譜線，光譜鐐制機(jī)或分光計(jì)在焦平面上捕捉到的狹長(zhǎng)狀的圖形。174. spinwebbing:旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過(guò)程中在下表面形成的細(xì)絲狀的剩余物。(176. stack

16、ingfault:堆垛層錯(cuò)，原子普通堆積規(guī)律的背離產(chǎn)生的2次空間錯(cuò)誤。177. steambath:蒸汽浴，一個(gè)大氣壓下，流動(dòng)蒸汽或其他溫度熱源的暴光。178. stepresponsetime:瞬態(tài)特性時(shí)間，大多數(shù)流量控制器實(shí)驗(yàn)中，普通變化時(shí)段到氣流剛到達(dá)特定地帶的那個(gè)時(shí)刻之間的時(shí)間。179. stepper:步進(jìn)光刻機(jī)(按BLOCK來(lái)曝光)180. stresstest:應(yīng)力測(cè)試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件。181. surfaceprofile:表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓(沒(méi)有特指的情況下)。，八-182. symptom:征兆，人員感覺(jué)到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀

17、認(rèn)識(shí)。183. tackweld:間斷焊，通常在角落上尋找預(yù)先有的地點(diǎn)進(jìn)行的點(diǎn)焊(用于連接蓋子)。184. Taylortray:泰勒盤，褐拈土組成的高膨脹物質(zhì)。185. temperaturecycling:溫度周期變化，測(cè)量出的重復(fù)出現(xiàn)相類似的高低溫循環(huán)。186. testability:易測(cè)性，對(duì)于一個(gè)已給電路來(lái)說(shuō)，哪些測(cè)試是適用它的。187. thermaldeposition:熱沉積，在超過(guò)950度的高溫下，硅片引入化學(xué)摻雜物的過(guò)程。189. titanium(Ti):鈦。190. toluene(C6H5CH3):甲苯。有毒、無(wú)色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。191. 1

18、,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3):有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態(tài)溶劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。193. tungstenhexafluoride(WF6):氟化鴇。無(wú)色無(wú)味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中WF6用于淀積硅化物，也可用于鴇傳導(dǎo)的薄膜。194. tinning:金屬性表面覆蓋焊點(diǎn)的薄層。195. totalfixedchargedensity(Nth):下列是硅表面不可動(dòng)電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度(Nf)、氧化層俘獲的電荷的密度(Not)、界面負(fù)獲得電荷密度(Nit)。196. watt(W):瓦。能量單位。197. wa

19、ferflat:從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導(dǎo)電類型和晶體表面的晶向，也可用于在處理和雕合過(guò)程中的排列晶片。203.window:在隔離晶片中，允許上下兩層實(shí)現(xiàn)電連接的絕緣的通道。205.vaporpressure:當(dāng)固體或液體處于平衡態(tài)時(shí)自己擁有的蒸汽所施加的壓力。蒸汽壓力是與物質(zhì)和溫度有關(guān)的函數(shù)。207.transitionmetals:過(guò)渡金屬PAC感光化合物ASIC特殊應(yīng)用集成電路Solvent溶劑：Carbide碳Refractive折射Expansion膨脹TM:topmental頂層金屬層WEE周邊曝光POD裝晶舟和晶片的盒子Reticle光罩Spin旋轉(zhuǎn)A/D軍

20、Analog.Digital,模擬/數(shù)字ACMagnitude交流幅度ACPhase交流相位Accuracy精度"ActivityModelActivityModel"活動(dòng)模型AdditiveProcess加成工藝Adhesion附著力Aggressor干擾源AnalogSource模擬源AOI,AutomatedOpticalInspection自動(dòng)光學(xué)檢查AssemblyVariant不同的裝配版本輸出Attributes屬性AXI,AutomatedX-rayInspection自動(dòng)X光檢查BIST,Built-inSelfTest內(nèi)建的自測(cè)試BusRoute總線布線

21、Circuit電路基準(zhǔn).circuitdiagram電路圖Clementine專用共形開(kāi)線設(shè)計(jì)ClusterPlacement簇布局CM合約制造商CommonImpedance共模阻抗Concurrent并行設(shè)計(jì)ConstantSource恒壓源CooperPour智能覆銅Crosstalk串?dāng)_CVT,ComponentVerificationandTracking元件確認(rèn)與跟蹤DCMagnitude直流幅度Delays延時(shí)DesignforTesting可測(cè)試性設(shè)計(jì)Designator標(biāo)識(shí)DFC,DesignforCost面向成本的設(shè)計(jì)DFM,DesignforManufacturing面向

22、制造過(guò)程的設(shè)計(jì)DFR,DesignforReliability面向可靠性的設(shè)計(jì)DFT,DesignforTest面向測(cè)試的設(shè)計(jì)DFX,DesignforX面向產(chǎn)品的整個(gè)生命周期或某個(gè)環(huán)節(jié)的設(shè)計(jì)DSM,DynamicSetupManagement動(dòng)態(tài)設(shè)定管理DynamicRoute動(dòng)態(tài)布線EDIF,TheElectronicDesignInterchangeFormat電子設(shè)計(jì)交互格式日A,ElectronicIndustriesAssociation電子工業(yè)協(xié)會(huì)日ectroDynamicCheck動(dòng)態(tài)電性能分析ElectromagneticDisturbance電磁干擾Electromagne

23、ticNoise電磁噪聲EMC,ElctromagneticCompatibilt電磁兼容EMI,ElectromagneticInterference電磁干擾Emulation硬件仿真EngineeringChangeOrder原理圖與PCB版圖的自動(dòng)對(duì)應(yīng)修改Ensemble多層平面電磁場(chǎng)仿真ESD靜電釋放FallTime下降時(shí)間FalseClocking假時(shí)鐘FEP氟化乙丙烯FFT,FastFourierTransform快速傅里葉變換FloatLicense網(wǎng)絡(luò)浮動(dòng)FrequencyDomain頻域GaussianDistribution高斯分布Globalflducial板基準(zhǔn)Grou

24、ndBounce地彈反射GUI,GraphicalUserInterface圖形用戶界面Harmonica射頻微波電路仿真HFSS三維高頻結(jié)構(gòu)電磁場(chǎng)仿真IBIS,Input/OutputBufferInformationSpecification模型ICAM,IntegratedComputerAidedManufacturing在ECCE項(xiàng)目里就是指制作PCB$IEEE,TheInstituteofElectricaland日ectronicEngineers國(guó)際電氣和電子工程師協(xié)會(huì)IGES,InitialGraphicsExchangeSpecification三維立體幾何模型和工程描述的

25、標(biāo)準(zhǔn)ImageFiducial電路基準(zhǔn)Impedance阻抗!In-Circuit-Test在線測(cè)試InitialVoltage初始電壓InputRiseTime輸入躍升時(shí)間'IPC,TheInstituteforPackagingandInterconnect封裝與互連協(xié)會(huì)IPO,InteractiveProcessOptimizaton交互過(guò)程優(yōu)化*ISO,TheInternationalStandardsOrganization國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織Jumper跳線LinearDesignSuit線性設(shè)計(jì)軟件包LocalFiducial個(gè)別基準(zhǔn)manufacturing制造業(yè)MCMs,M

26、ulti-ChipModules多芯片組件MDE,MaxwellDesignEnvironmentNonlinearDesignSuit非線性設(shè)計(jì)軟件包ODB+OpenDataBase公開(kāi)數(shù)據(jù)庫(kù)OEM原設(shè)備制造商OLEAutomation目標(biāo)連接與嵌入On-lineDRC在線設(shè)計(jì)規(guī)則檢查Optimetrics優(yōu)化和參數(shù)掃描Overshoot過(guò)沖Panelfiducial板基準(zhǔn)PCBPCBoardLayoutTools電路板布局布線PCB,PrintedCircuitBoard印制電路板Period周期PeriodicPulseSource周期脈沖源PhysicalDesignReuse物理設(shè)計(jì)

27、可重復(fù)PI,PowerIntegrity電源完整性Piece-Wise-linearSource分段線性源Preview輸出預(yù)覽PulseWidth脈沖寬度PulsedVoltage脈沖電壓QuiescentLine靜態(tài)線RadialArrayPlacement極坐標(biāo)方式的元件布局Reflection反射Reuse實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)重用RiseTime上升時(shí)間Rnging振蕩，信號(hào)的振鈴Rounding環(huán)繞振蕩RulesDriven規(guī)則驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)SaxBasicEngine設(shè)計(jì)系統(tǒng)中嵌入SDE,SerenadeDesignEnvironmentSDT,SchematicDesignTools電路原理設(shè)計(jì)工

28、具SettlingTime建立時(shí)間ShapeBase以外形為基礎(chǔ)的無(wú)網(wǎng)格布線Shove元器件的推擠布局SI,SignalIntegrity信號(hào)完整性Simulation軟件仿真Sketch草圖法布線Skew偏移SlewRate斜率SPC,StaticticalProcessControl統(tǒng)計(jì)過(guò)程控制SPI,Signal-PowerIntegrity將信號(hào)完整性和電源完整性集成于一體的分析工具SPICE,SimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasis集成電路模擬的仿真程序/Split/MixedLayer多電源/地線的自動(dòng)分隔SSO同步交換STEP,

29、StandardfortheExchangeofProductModelDataSymphony系統(tǒng)仿真Timedomain時(shí)域TimestepSetting步進(jìn)時(shí)間設(shè)谿.UHDL,VHSICHardwareDescriptionLanguage硬件描述語(yǔ)言Undershoot下沖UniformDistribution均勻分布Variant派生VIA-VendorIntegrationAlliance程序框架聯(lián)盟Victim被干擾對(duì)象VirtualSystemPrototype虛擬系統(tǒng)原型VST,VerficationandSimulationTools驗(yàn)證和仿真工具Wizard智能建庫(kù)工具，

30、向?qū)?. 專業(yè)術(shù)語(yǔ)術(shù)語(yǔ)英文意義中文解釋LCDLiquidCrystalDisplay液晶顯示LCMLiquidCrystalModule液晶模塊TNTwistedNematic扭曲向列。液晶分子的扭曲取向偏轉(zhuǎn)90度STNSuperTwistedNematic超級(jí)扭曲向列。約180270度扭曲向列FSTNFormulatedSuperTwistedNematic格式化超級(jí)扭曲向列。一層光程補(bǔ)償偏甲于STN,用于單色顯示TFTThinFilmTransistor薄膜晶體管Backlight-背光Inverter-逆變器OSDOnScreenDisplay在屏上顯示DVIDigitalVisualI

31、nterface(VGA)數(shù)字接口TMDSTransitionMinimizedDifferentialSingnalingLVDSLowVoltageDifferentialSignaling低壓差分信號(hào)Panelink-TCPTapeCarrierPackage柔性線路板COBChipOnBoard通過(guò)綁定將IC裸偏固定于印刷線路板上COFChipOnFPC將IC固定于柔性線路板上COGChipOnGlass將芯偏固定于玻璃上Duty-占空比，高出點(diǎn)亮的閥值電壓的部分在一個(gè)周期中所占的比率ELElextroLuminescence電致發(fā)光。EL層由高分子量薄片構(gòu)成CCFL(CCFT)Col

32、dCathodeFluorescentLight/Tude冷陰極熒光燈PDPPlasmaDisplayPanel等離子顯示屏CRTCathodeRadialTude陰極射線管VGAVideoGraphicAnay視頻圖形陳列PCBPrintedCircuitBoard印刷電路板Compositevideo-復(fù)合視頻componentvideo-分量視頻S-video-S端子，與復(fù)合視頻信號(hào)比，將對(duì)比和顏色分離傳輸NTSCNationalTelevisionSystemsCommitteeNTSC制式。全國(guó)電視系統(tǒng)委員會(huì)制式PhaseAlrernatingLinePAL制式（逐行倒相制式）SEq

33、uentialCouleurAvecMemoireSECAM制式（順序與存儲(chǔ)彩色電視系統(tǒng)）VideoOnDemand視頻點(diǎn)播DPIDotPerInch點(diǎn)每英寸.3. A.M.U原子質(zhì)量數(shù)4. ADIAfterdevelopinspection顯影后檢視6. Alignment排成一直線，對(duì)平7. Alloy融合：電壓與電流成線性關(guān)系，降低接觸的阻值8. ARC：anti-reflectcoating防反射層10.ASI光阻去除后檢查13.Beam-Current電子束電流15.Break中斷，stepper機(jī)臺(tái)內(nèi)中途停止鍵20. Childlot子批21. Chip（die）晶粒23.Coater光阻覆蓋（機(jī)臺(tái)）25. ContactHole接觸窗26. ControlWafer控片27. Criticallayer重要層29.Cycletime生產(chǎn)周期32.Descum預(yù)處理35. DG:dualgate雙門38. Doping摻雜39. Dose劑量940. Downgrade降級(jí)41. DRC:designrulecheck設(shè)計(jì)規(guī)則檢查48.ESD:electrostaticdischarge/electrostaticdamage靜電離子損傷53.FIB:foc