電磁兼容之電磁干抑制屏蔽技術(shù)ppt課件

1、第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)3.1 概述概述3.2 電屏蔽電屏蔽 3.3 磁屏蔽磁屏蔽3.1 概述概述3.2 電屏蔽電屏蔽 3.3 磁屏蔽磁屏蔽第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù) 限制內(nèi)部能量走漏出內(nèi)部區(qū)域限制內(nèi)部能量走漏出內(nèi)部區(qū)域 自動屏蔽自動屏蔽3.1 概述概述屏蔽的含義：屏蔽的含義：3. 原理：原理：電子設(shè)備電子設(shè)備用導(dǎo)電或?qū)Т刨Y料制成的屏蔽體將用導(dǎo)電或?qū)Т刨Y料制成的屏蔽體將電磁干擾能量限制在一定范圍內(nèi)。電磁干擾能量限制在一定范圍內(nèi)。2. 目的：目的：防止外來的干擾能量進(jìn)入某一區(qū)域被動屏蔽防止外來的干擾能量進(jìn)入某一區(qū)域被動

2、屏蔽 二次場實際一次場作用下，產(chǎn)生極化、磁化構(gòu)成二次場二次場實際一次場作用下，產(chǎn)生極化、磁化構(gòu)成二次場); 反射衰減實際反射衰減實際第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)4. 屏蔽的分類按任務(wù)原理屏蔽的分類按任務(wù)原理 電場屏蔽：靜電屏蔽、低頻交變電場屏蔽利用良好接地電場屏蔽：靜電屏蔽、低頻交變電場屏蔽利用良好接地 的金屬導(dǎo)體制造的金屬導(dǎo)體制造 磁場屏蔽：靜磁屏蔽、低頻交變磁場屏蔽利用高導(dǎo)磁率磁場屏蔽：靜磁屏蔽、低頻交變磁場屏蔽利用高導(dǎo)磁率 資料構(gòu)成低磁阻通路資料構(gòu)成低磁阻通路 電磁屏蔽：用于高頻電磁場的屏蔽利用反射和衰減來隔電磁屏蔽：用于高頻電磁場的屏蔽利用反射和衰減

3、來隔 離電磁場的耦合離電磁場的耦合第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)01ESEE01HSEH01(dB)20 logESEE01(dB)20 logHSEH屏蔽效能屏蔽效能( SE )屏蔽效能：屏蔽體的性質(zhì)的定量評價。屏蔽效能：屏蔽體的性質(zhì)的定量評價。定義：定義：或或或或電屏蔽效能電屏蔽效能磁屏蔽效能磁屏蔽效能E0、H0 未加屏蔽時空間中某點的電磁場；未加屏蔽時空間中某點的電磁場；E1、H1 加屏蔽后空間中該點的電磁場；加屏蔽后空間中該點的電磁場；第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)衰減量與屏蔽效能的關(guān)系衰減量與屏蔽效能的關(guān)系第第3 3

4、章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)屏蔽效能的要求屏蔽效能的要求第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù) 分類：靜電屏蔽、低頻交變電場屏蔽分類：靜電屏蔽、低頻交變電場屏蔽3.2 電場屏蔽電場屏蔽 靜電屏蔽靜電屏蔽 電場屏蔽的作用：防止兩個設(shè)備元件、部件間的電容性電場屏蔽的作用：防止兩個設(shè)備元件、部件間的電容性 耦合干擾耦合干擾原理：靜電平衡原理：靜電平衡要求：完好的屏蔽導(dǎo)體和良好接地要求：完好的屏蔽導(dǎo)體和良好接地第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)2. 低頻交變電場屏蔽低頻交變電場屏蔽目的：抑制低頻電容性耦合干擾目的：抑制低

5、頻電容性耦合干擾00001/SRSSNSRRRSRCUUUCCCC1未加屏蔽未加屏蔽21221/PPNRRC UUUCCCC2 2 加屏蔽忽略加屏蔽忽略CSR1CSR1的影響的影響11322/()SpRRCUUCCC CCC未加屏蔽的耦合未加屏蔽的耦合SRCSR0CRUS UN0 加屏蔽的耦合加屏蔽的耦合SRCSR1CRUS UN1 C1C2C3Up 分析方法：運用電路實際分析分析方法：運用電路實際分析第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)討論討論:1屏蔽體不接地，假設(shè)屏蔽體不接地，假設(shè)3C 2屏蔽體接地屏蔽體接地31CC、221/()RRC CCCCpSUU2122

6、11/SNSRRC UUUCCCC10NU21221/PPNRRC UUUCCCC11322/()SpRRCUUCCC CCC屏蔽體接地屏蔽體接地SRCSR1CRUS UN1 C1C2第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)111212SRSSRSNRSRRCUCUUCCCCC3屏蔽體接地時，屏蔽體接地時，CSR1的影響的影響屏蔽效能屏蔽效能:01(dB)20lgNNUSEUCSRCRUS UNP C2等效電路等效電路第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)屏蔽體的資料以良導(dǎo)體為好，對厚度無什么要求屏蔽體的資料以良導(dǎo)體為好，對厚度無什么要求屏蔽體

7、的外形對屏蔽效能有明顯的影響屏蔽體的外形對屏蔽效能有明顯的影響屏蔽體要接近受維護(hù)的設(shè)備屏蔽體要接近受維護(hù)的設(shè)備屏蔽體要有良好的接地屏蔽體要有良好的接地第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)3.3 磁場屏蔽磁場屏蔽1原理原理 高頻磁場屏蔽高頻磁場屏蔽高頻磁場高頻磁場金屬板金屬板渦流渦流反磁場反磁場 低頻磁場屏蔽低頻磁場屏蔽f 100kHz 利用高導(dǎo)磁率的鐵磁資料如利用高導(dǎo)磁率的鐵磁資料如鐵、硅鋼片、坡莫合金，對干擾鐵、硅鋼片、坡莫合金，對干擾磁場進(jìn)展分路。磁場進(jìn)展分路。 利用低電阻的良導(dǎo)體中利用低電阻的良導(dǎo)體中構(gòu)成的渦電流產(chǎn)生反向磁通構(gòu)成的渦電流產(chǎn)生反向磁通抑制入射磁場

8、。抑制入射磁場。第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)mmUlRS2屏蔽效能計算屏蔽效能計算 解析方法：圓柱腔、球殼的屏蔽效能計算解析方法：圓柱腔、球殼的屏蔽效能計算 近似方法：運用磁路的方法。近似方法：運用磁路的方法。 如：長為如：長為l 、橫截面為、橫截面為 S 的一段屏蔽資料，那么其磁阻為的一段屏蔽資料，那么其磁阻為磁阻：磁阻：mUH磁壓降：磁壓降：mUHlBSHS磁通：磁通：第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)mU的方程的方程22mmm2211()0UUUrrrrr外磁場外磁場 的磁標(biāo)位的磁標(biāo)位0Hm00cosUH r r am11

9、cosUArarb2m22()cosBUA rrrb3m30()cosBUH rr (1) 圓柱形腔的磁屏蔽效能圓柱形腔的磁屏蔽效能mU方法：磁標(biāo)位方法：磁標(biāo)位內(nèi)半徑為內(nèi)半徑為a 、外半徑為、外半徑為b，磁導(dǎo)率為，磁導(dǎo)率為 ，外加均勻磁場，外加均勻磁場0H0Hab第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)邊境條件：邊境條件：ra時，時， m1m2UUrb時，時，m2m3UUm3m20UUrr解得：解得：20122224(1)(1)rrrb HAba 20222222(1)(1)(1)rrrb HAba 220222222(1)(1)(1)rrra b HBba 22220

10、32222(1)()(1)(1)rrrabb HBba 220012222222244cos(1)(1)(1)(1)rrmmrrrrb Hb UUrbaba 2011122224(1)(1)rmxxrrb HHUee Hbam1m20UUrr故故第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)假設(shè)假設(shè) ，那，那么么 1r201(1)(1)2(1)20lg20lg4rrrHppSEHp令令 、 tba()/2Rab，假設(shè)，假設(shè)t t0 0，即，即222abR那么那么224(2/)20lg20lg(1)20lg(1)422rrrRt aRttSEaR(1)2(1)(1 1/ )2(

11、1 1/ )20lg20lg44rrppppSEp屏蔽效能屏蔽效能22/pba第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù) 球形腔體的屏蔽效能球形腔體的屏蔽效能 非球形腔體的屏蔽效能非球形腔體的屏蔽效能220lg(1)3rtSER3330.624cVRV220lg(1)3rctSER第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)例：長方體屏蔽盒尺寸為：例：長方體屏蔽盒尺寸為： 、壁厚、壁厚 。 試計算用鋼板試計算用鋼板 和坡莫合金和坡莫合金 作屏蔽作屏蔽 資料時的資料時的SE 。3150 200 200mm2mmt 1(1000)r2(10000)r30.

12、62 150 200 200112.66mmcR 12t20lg(1)22.17dB3rcSER22t20lg(1)41.54dB3rcSER第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)矩形截面屏蔽體：矩形截面屏蔽體： 、厚度、厚度 ，a bt(2 )at2SSSHt101(2 )H at總磁通：總磁通： ，那么，那么000H a01s00012(2 )SSH aH tH at外磁場外磁場 ；屏蔽體內(nèi)；屏蔽體內(nèi) ；腔內(nèi)；腔內(nèi) SH0H1Htba0H第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)磁通為磁通為(,)ta tb1/ 44mSSSaaRtt/2SS

13、StH1124mSSSmSRH aU22mSSSbtbRtt/ 2SSStH222mSSmSSRUH b212()2mSmSmSSaUUUHb1002(2 )mbtbRata1111mmURH b2SSStH101aHtba0H1P1Q2P2QCSC1第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)1mSmUU000101222rbtH aHH aba 420lg1(2)rbtSEaba1(2)2Sba HbH122SbHHba0141(2)rHbtHabaab2420lg1rbtSEaab220lg1rtSEa01s第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽

14、技術(shù)屏蔽體應(yīng)選用高導(dǎo)磁率的資料，但應(yīng)防止磁飽和屏蔽體應(yīng)選用高導(dǎo)磁率的資料，但應(yīng)防止磁飽和被屏蔽物體不要緊貼在屏蔽體上被屏蔽物體不要緊貼在屏蔽體上留意屏蔽體的構(gòu)造設(shè)計，縫隙或長條通風(fēng)孔循著磁場留意屏蔽體的構(gòu)造設(shè)計，縫隙或長條通風(fēng)孔循著磁場方向分布方向分布對于強(qiáng)磁場的屏蔽可采用多層屏蔽，防止發(fā)生磁飽和對于強(qiáng)磁場的屏蔽可采用多層屏蔽，防止發(fā)生磁飽和盡量縮短磁路長度，添加屏蔽體的截面積厚度盡量縮短磁路長度，添加屏蔽體的截面積厚度對于多層屏蔽，應(yīng)留意磁路上的彼此絕緣對于多層屏蔽，應(yīng)留意磁路上的彼此絕緣第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)t第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽

15、技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)(1)mjZjfcjjjj (dB)SERAB(1)jjjf,cjZj()cj第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)00120377wZ012weZfr 02wmZfr211221ZZZZ12121 12第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)01E 211221ZZZZ12121 2212312212312(e)eettt12312(e)t2312(e),t22323212312211223(e)ettte 2322321231212232123(e)eettt tx213第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電

16、磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)12112232123enntn 31(21)12231223212312232123ee()ettnntT 221122321232123e1e()tttne 1223221231e1ett 2122312231120lg20lg20lg e20lg 1ettTSE 總總透透射射場場強(qiáng)強(qiáng)22120 lg 1() e1tKBK12232420lg20lg(1)KRK 20 lg etA31ZZ21/KZZ第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)20lg e20lg erttA20lge8.980.131(dB)rrtttf r75.82 10 S/m

17、tr良導(dǎo)體良導(dǎo)體第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)22()(1)20lg20lg20lg444wwmwmmZZZKRKZ ZZ72/3.69 10/mrrZff 波阻抗波阻抗wmZZw120 377Z 012weZfr 02wmZfr23321.7 10lg()rerRr f168.1 10lg(/)wrrRf媒質(zhì)本媒質(zhì)本征阻抗征阻抗頻率升高，反射損耗減小頻率升高，反射損耗減小214.5610lg()rmrRr f頻率升高，反射損耗添加頻率升高，反射損耗添加第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)反射損耗與頻率的關(guān)系反射損耗與頻率的關(guān)系第第

18、3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)2 1222eeeejtttjt20.1e10tA/20(20lgee10)ttAA0.12ln100.23AtA2()1mwmwZZZZ20.10.2320lg 1() 10eAjAmwmwZZBZZwmZZ當(dāng)當(dāng) 時，時，0.220lg 1 10e10lg1 2 10cos(0.23 ) 10AjAAABA 10dBA當(dāng)當(dāng) 時，通常可忽略時，通常可忽略B。20.10.23e10etAjA11mwmwZZKKZZ第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)168.1 10lg(/)wrrRf23

19、321.7 10lg(/)errRr f214.5610lg(/)mrrRr f0.220lg 1() 10e10lg12 10cos(0.23 )10AjAmwmwAAZZBZZAwmZZ 8.980.131(dB)rrAttf (dB)SERAB第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)屏蔽效能的頻率特性屏蔽效能的頻率特性綜合屏蔽效能綜合屏蔽效能(0.5mm(0.5mm鋁板鋁板) )良導(dǎo)體對電場的屏蔽性能優(yōu)于對平面波良導(dǎo)體對電場的屏蔽性能優(yōu)于對平面波良導(dǎo)體對平面波的屏蔽性能優(yōu)于對磁場良導(dǎo)體對平面波的屏蔽性能優(yōu)于對磁場第第3 3章章: :電磁干擾抑

20、制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)41.5 10 mcf例例1 1 有一個大功率線圈的任務(wù)頻率為有一個大功率線圈的任務(wù)頻率為20kHz 20kHz ，在離線圈，在離線圈0.5m0.5m處處 置一鋁板置一鋁板 以屏蔽線圈對設(shè)備的影響。以屏蔽線圈對設(shè)備的影響。設(shè)鋁板厚度設(shè)鋁板厚度 為為0.5mm 0.5mm 。試計算其屏蔽效能。試計算其屏蔽效能。(0.61)r1 ,0.61,rr214.56 10lg()14.5634.8449.4(dB)rmrRr f0.1317.24(dB)rrAtf 第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)020.08wmmZfrZ+ +49.4+7

21、.24 1.8154.83dBmSERA B0.10.210lg 12 10cos(0.23 ) 101.81dBAABA 753.69 10/6.68 10 mrrZf第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)2+ +SEA R B121112220.1310.131rrrrAAAtftf 12221212(1)(1)20lg20lg44RRRkkkk總反射損耗總反射損耗多次反射修正多次反射修正總吸收損耗總吸收損耗t2x21t1d第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)1212,wwmmZZKKZZ102(1)0.23212(1)0.232020

22、lg 1e20lg 1e20lg 1ejAjdjABNNN空氣層中的多次反射空氣層中的多次反射2212121211,11KKNNKK102( )( )wmwwmwZZZZ dNZZZZ dt2x21t1d第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)022020lg 1ejdBN120.262rrAAtf 21(1)240 log4KRRK022020lg 1ejdBN第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)3薄膜屏蔽：薄膜屏蔽：工程塑料機(jī)箱具有外型美觀、加工方便、質(zhì)量輕等優(yōu)點。工程塑料機(jī)箱具有外型美觀、加工方便、質(zhì)量輕等優(yōu)點。如何使機(jī)箱具有屏蔽作用？

23、如何使機(jī)箱具有屏蔽作用？經(jīng)過噴涂、真空堆積以及粘貼等技術(shù)在機(jī)箱上包裹一層導(dǎo)電經(jīng)過噴涂、真空堆積以及粘貼等技術(shù)在機(jī)箱上包裹一層導(dǎo)電薄膜。薄膜。設(shè)薄膜厚度為設(shè)薄膜厚度為t，電磁波在薄膜中的波長為，電磁波在薄膜中的波長為 ，當(dāng)，當(dāng) ，稱這種屏蔽層為薄膜屏蔽。稱這種屏蔽層為薄膜屏蔽。t4tt由于薄膜屏蔽導(dǎo)電層很薄，吸收損耗可以忽略，屏蔽效能由于薄膜屏蔽導(dǎo)電層很薄，吸收損耗可以忽略，屏蔽效能主要由反射損耗和多次反射修正因子確定，可以按金屬平主要由反射損耗和多次反射修正因子確定，可以按金屬平板屏蔽的相關(guān)公式進(jìn)展計算。板屏蔽的相關(guān)公式進(jìn)展計算。第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)

24、銅薄膜屏蔽層屏蔽效能銅薄膜屏蔽層屏蔽效能第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)2. 孔縫對屏蔽效能的影響孔縫對屏蔽效能的影響實踐機(jī)箱上有許多走漏源實踐機(jī)箱上有許多走漏源:信號線的出入口，電流線的出入信號線的出入口，電流線的出入口，通風(fēng)散熱孔，接縫處的縫隙等?？?，通風(fēng)散熱孔，接縫處的縫隙等。第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)屏蔽腔上孔的影響屏蔽腔上孔的影響FDTDFDTD仿真仿真第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)屏蔽腔上孔的影響屏蔽腔上孔的影響(f=300MHz)(f=300MHz)第第3 3章章: :電磁干擾

25、抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)020log()iiESEE(1,2, )iSE in設(shè)各走漏要素的屏蔽效能為設(shè)各走漏要素的屏蔽效能為 ，即，即/200120log()20log(10)inSEiESEE / 2001110innSEiiiEEE/20010iSEiEE第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)110/20101/2092/2088/2083/2020lg(1010101010) SE5555520lg(0.32 100.89 102.51 103.98 107.08 10 ) 20 5l

26、g(0.320.892.51 3.987.08) 76.6(dB)第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù) /0et gpEE020log()20loge27.3(dB)ppEttSEEgg 設(shè)金屬屏蔽體上有一縫隙，其設(shè)金屬屏蔽體上有一縫隙，其間隙為間隙為g ，屏蔽板厚度為，屏蔽板厚度為t ，入射波，入射波電場為電場為 E0，經(jīng)縫隙走漏到屏蔽體中，經(jīng)縫隙走漏到屏蔽體中的場為的場為Ep ，當(dāng)，當(dāng)g 10/3 時，有時，有g(shù)t第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)0.5mm ,g 當(dāng)當(dāng)0.25mm ,g 當(dāng)當(dāng)0.1mm ,g 當(dāng)當(dāng)54.6pSE 2

27、7.3pSE 136.5pSE 54.83/2027.3/2020lg(1010)27.2dBSE 54.83/2054.6/2020lg(1010)48.8dBSE 54.83/20136.5/2020lg(1010)54.8dBSE 第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)縫隙的處置縫隙的處置襯墊的種類：金屬絲網(wǎng)襯墊襯墊的種類：金屬絲網(wǎng)襯墊( (帶橡膠芯的和空心的帶橡膠芯的和空心的) ) 導(dǎo)電橡膠導(dǎo)電橡膠( (不同導(dǎo)電填充物的不同導(dǎo)電填充物的) ) 指形簧片指形簧片( (不同外表涂覆層的不同外表涂覆層的) ) 螺旋管襯墊螺旋管襯墊( (不銹鋼的和鍍錫鈹銅的不銹鋼的和

28、鍍錫鈹銅的) ) 導(dǎo)電布導(dǎo)電布第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)alllDW 電磁波頻率遠(yuǎn)低電磁波頻率遠(yuǎn)低于波導(dǎo)的最低截止頻于波導(dǎo)的最低截止頻率，因此產(chǎn)生很大的率，因此產(chǎn)生很大的衰減。衰減。第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)9220lge20lge8.691.823 101 ( /) dBlccSElllfff2(2 / )1 (/)ccc fff27.3dBlSEa32.0dBlSED27.3dBlSEW第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù) 不能有金屬資料穿過截止波導(dǎo)管不能有金屬資料穿過截止波導(dǎo)管 當(dāng)有金

29、屬資料穿過截止波導(dǎo)管時，會導(dǎo)致嚴(yán)重的電磁走漏。當(dāng)有金屬資料穿過截止波導(dǎo)管時，會導(dǎo)致嚴(yán)重的電磁走漏。需求留意的是有些光纜的內(nèi)部加有金屬加強(qiáng)筋，這時將光纜穿過需求留意的是有些光纜的內(nèi)部加有金屬加強(qiáng)筋，這時將光纜穿過截止波導(dǎo)時也會引起走漏。截止波導(dǎo)時也會引起走漏。 波導(dǎo)管的安裝波導(dǎo)管的安裝 最可靠的方法是焊接，在屏蔽體上開一個尺寸與波導(dǎo)管截面最可靠的方法是焊接，在屏蔽體上開一個尺寸與波導(dǎo)管截面一樣的孔，然后將波導(dǎo)管的周圍與屏蔽體延續(xù)焊接起來。一樣的孔，然后將波導(dǎo)管的周圍與屏蔽體延續(xù)焊接起來。 假設(shè)波導(dǎo)管本身帶法蘭盤，利用法蘭盤來將波導(dǎo)管固定在屏假設(shè)波導(dǎo)管本身帶法蘭盤，利用法蘭盤來將波導(dǎo)管固定在屏蔽體

30、上，需求在法蘭盤與屏蔽體基體之間安裝電磁密封襯墊。蔽體上，需求在法蘭盤與屏蔽體基體之間安裝電磁密封襯墊。第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù) 截止波導(dǎo)通風(fēng)窗截止波導(dǎo)通風(fēng)窗27.320lgdBlSENW第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù) 截止波導(dǎo)通風(fēng)窗的設(shè)計截止波導(dǎo)通風(fēng)窗的設(shè)計第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)13 18920.7mm27.327.3a SEl120lg9594189 dBSESEN第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干

31、擾抑制的屏蔽技術(shù)4 4、 金屬孔板的屏蔽效能金屬孔板的屏蔽效能第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)2(1)20 lg20 lg()44wwmmZKRZZKZmwZKZ00223.682mrmmcZjfWZZjfD0001201/( 2)2wwwewmZZZjfrZjfr第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)20.10.23120lg 1() 10e1AjAKBK110lgKan 2.3220lg 135Kp 320lg 1 tanh(8.686)KA第第3 3章章: :電磁干擾

32、抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)2(1)20lg20lg31.2dB44KKRK2001121.45 103.682120mcwZKjfDjZ0.23120lg 1() 10e120lg 1 10e0.47dBAjAAjAKBK 第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)110lg10lg(0.196 0.37) 11.39dBKan2.3220lg 1350Kp 320lg 1/ tanh(12.8/8.686)0.91dBK 22(1.870.5)(1.8 80.5)390 cm2144/3900.37 1/cmn332(185) 1013 1015.163.5 10rpf第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)5、通風(fēng)孔上覆蓋金屬絲網(wǎng)、通風(fēng)孔上覆蓋金屬絲網(wǎng)焊接式安裝焊接式安裝壓緊式安裝壓緊式安裝第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)操作器件的處置操作器件的處置器件調(diào)諧孔的屏蔽設(shè)計器件調(diào)諧孔的屏蔽設(shè)計第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)顯示窗的處置顯示窗的處置第第3 3章章: :電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)電磁干擾抑制的屏蔽技術(shù)第