非線性微波電路與系統(tǒng)第十一章

1、LOGO非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)電子工程學(xué)院電子工程學(xué)院 電磁場與微波技術(shù)電磁場與微波技術(shù)主講人：主講人： 徐銳敏徐銳敏 （教授）（教授）Company 第十一章第十一章 微波毫米波微波毫米波（高頻前端子）（高頻前端子）系統(tǒng)系統(tǒng)1. 平衡電路2. 微波電路部件的直接連接3. 微波發(fā)射系統(tǒng)4. 微波接收機(jī)非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)5. 雷達(dá)系統(tǒng)6. 通信系統(tǒng)Company 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)element（元件）（元件）：R、L、C、傳輸線、負(fù)載、定向耦合器、功、傳輸線、負(fù)載、定向耦合器、功分器、濾波器等，鐵氧體類（環(huán)行器，隔離器）等分器、濾波器等，鐵氧體類（環(huán)行器，

2、隔離器）等device（器件）（器件）： 電真空器件（行波管，回旋管、返波管、磁控管等）電真空器件（行波管，回旋管、返波管、磁控管等） 半導(dǎo)體器件（二極管，三極管）半導(dǎo)體器件（二極管，三極管）Component or circuit（部件或電路）（部件或電路）：器件和元件組合而成，完成某一特定的器件和元件組合而成，完成某一特定的電路功電路功能能。如：放大器，混頻器，振蕩器等，包括。如：放大器，混頻器，振蕩器等，包括MMIC。第十一章第十一章 微波毫米波非線性系統(tǒng)微波毫米波非線性系統(tǒng)第十一章第十一章 微波毫米波微波毫米波（高頻前端子）（高頻前端子）系統(tǒng)系統(tǒng)Company 第一章第一章 微波毫米波

3、（高頻前端子）系統(tǒng)微波毫米波（高頻前端子）系統(tǒng)Subsystem or subassembly（子系統(tǒng)或組件）（子系統(tǒng)或組件）：部分元件和電路的組合，完成某一部分元件和電路的組合，完成某一系統(tǒng)的部系統(tǒng)的部分功能分功能。如：高頻發(fā)射、接收子系統(tǒng)，本振混頻。如：高頻發(fā)射、接收子系統(tǒng)，本振混頻組件，天線子系統(tǒng)，組件，天線子系統(tǒng)，T/R組件等。組件等。System（系統(tǒng)）（系統(tǒng)）由若干元件和子系統(tǒng)組合，完成某一由若干元件和子系統(tǒng)組合，完成某一系統(tǒng)的系統(tǒng)的全部功能全部功能。如：雷達(dá)系統(tǒng)、通信系統(tǒng)、導(dǎo)航系統(tǒng)、。如：雷達(dá)系統(tǒng)、通信系統(tǒng)、導(dǎo)航系統(tǒng)、電子對抗系統(tǒng)等。電子對抗系統(tǒng)等。Company 11.1 微波

4、毫米波電橋的平衡電路微波毫米波電橋的平衡電路非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)單個固態(tài)電路的不足單個固態(tài)電路的不足：（1）輸出功率和動態(tài)范圍?。┹敵龉β屎蛣討B(tài)范圍小;（2）會產(chǎn)生一些無法濾除的諧波和交調(diào)分量。）會產(chǎn)生一些無法濾除的諧波和交調(diào)分量。平衡電路的優(yōu)點(diǎn)平衡電路的優(yōu)點(diǎn)：（1）輸出功率和動態(tài)范圍大）輸出功率和動態(tài)范圍大; （2）改善帶寬及輸入、輸出駐波系數(shù)）改善帶寬及輸入、輸出駐波系數(shù); （3）對諧波和交調(diào)分量有）對諧波和交調(diào)分量有一定一定的抑制作用的抑制作用.Company 11.1.1 理想電橋特性理想電橋特性非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)1. 3dB 180o電橋電橋18000110

5、0111110021100OSCompany 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)11.1.1 理想電橋特性理想電橋特性環(huán)行電橋環(huán)行電橋功分器功分器Company 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)11.1.1 理想電橋特性理想電橋特性2. 3dB 90o電橋電橋9000100111002100OjjSjjCompany 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)11.1.1 理想電橋特性理想電橋特性分支線電橋分支線電橋3dB定向耦合器定向耦合器（耦合線電橋）（耦合線電橋）Company 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)11.1.2 電橋耦合的電路組件特性電橋耦合的電路組件特性1. 180o電橋耦合的電路組件

6、電橋耦合的電路組件注：注：N1和和N2完全相同，完全相同，3dB180電橋?yàn)槔硐?。電橋?yàn)槔硐搿ompany 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)11.1.2 電橋耦合的電路組件特性電橋耦合的電路組件特性2siVV 2LoVV2siII 2LoII13()2in 24()2out 輸入端口反射系數(shù)輸入端口反射系數(shù)輸出端口反射系數(shù)輸出端口反射系數(shù)結(jié)論：輸出功率提高結(jié)論：輸出功率提高3dB；輸出；輸出/入阻抗同單個電路相同。入阻抗同單個電路相同。Company 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)11.1.2 電橋耦合的電路組件特性電橋耦合的電路組件特性2. 90o電橋耦合的電路組件電橋耦合的電路組件（N

7、1和和N2完全相同，完全相同，3dB90電橋?yàn)槔硐耄╇姌驗(yàn)槔硐耄┨攸c(diǎn)特點(diǎn)：（：（1）34()2in 65()2out （2）耦合不平衡度對頻響特性的影響不嚴(yán)重）耦合不平衡度對頻響特性的影響不嚴(yán)重（3）輸出功率提高）輸出功率提高3dB（4）輸出、輸入阻抗與單個電路相同）輸出、輸入阻抗與單個電路相同Company 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)11.1.2 電橋耦合的電路組件特性電橋耦合的電路組件特性3. 非理想平衡的影響非理想平衡的影響（1）等幅同相）等幅同相1220,2LLLLLeVVVVPR（2）不等幅，不同相）不等幅，不同相122210,11(12 cos)2LLLuLVVPVRComp

8、any 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)11.1.2 電橋耦合的電路組件特性電橋耦合的電路組件特性4. 諧波和交調(diào)分量的抑制能力諧波和交調(diào)分量的抑制能力（1）180o電橋電橋11222coscosSVVtVt111122221122:( )coscos:( )cos()cos()iiNV tVtVtNVtVtVt23123( ).f va va va v12nm12nmnm而非線性轉(zhuǎn)移函數(shù)（電路）而非線性轉(zhuǎn)移函數(shù)（電路）N1的輸出頻譜：的輸出頻譜：N2的輸出頻譜：的輸出頻譜：Company 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)11.1.2 電橋耦合的電路組件特性電橋耦合的電路組件特性因此：因此：1

9、）由于輸出端口有）由于輸出端口有180o相移，因此所有偶階分相移，因此所有偶階分量（量（mneven）都被抑制。）都被抑制。2）所有奇階分量都同相合成。）所有奇階分量都同相合成。3）如果輸出端口用直接連接代替如果輸出端口用直接連接代替180o電橋，則電橋，則情況相反。情況相反。Company 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)11.1.2 電橋耦合的電路組件特性電橋耦合的電路組件特性（2）90o電橋電橋90o耦合電路的假信號抑制特性與耦合電路的假信號抑制特性與180o電橋的大不相同，電橋的大不相同，采用同樣的分析方法，由采用同樣的分析方法，由111122221122:( )coscos:( )c

10、os()cos()22iiNVtVtVtNVtVtVt23123( ).f va va va v12nm1222nmnm而非線性轉(zhuǎn)移函數(shù)（電路）而非線性轉(zhuǎn)移函數(shù)（電路）N1的輸出頻譜：的輸出頻譜：N2的輸出頻譜：的輸出頻譜：Company 可得：可得：v1）輸出二階混合分量具有）輸出二階混合分量具有90o的相差，具有的相差，具有3dB的抑的抑制能力。制能力。v2）某些（不是全部）三階混合分量可被抑制，）某些（不是全部）三階混合分量可被抑制，如如212和和2 2 1的三階交調(diào)分量可被的三階交調(diào)分量可被抑制，而抑制，而2 1 2和和2 2 1的三階交的三階交調(diào)分量不被抑制。調(diào)分量不被抑制。作業(yè)：作

11、業(yè)：1）請證明之。）請證明之。2）輸入和輸出網(wǎng)絡(luò)混合使用）輸入和輸出網(wǎng)絡(luò)混合使用180和和90電橋，交調(diào)混合分量將如何被抑制？電橋，交調(diào)混合分量將如何被抑制？11.1.2 電橋耦合的電路組件特性電橋耦合的電路組件特性Company 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)11.1.2 電橋耦合的電路組件特性電橋耦合的電路組件特性m個相同電路部件合成，其遮斷點(diǎn)增加個相同電路部件合成，其遮斷點(diǎn)增加10lgm（dB）。）。則平衡電路的遮斷點(diǎn)比單個二端口電路的遮斷點(diǎn)增大則平衡電路的遮斷點(diǎn)比單個二端口電路的遮斷點(diǎn)增大3dB，且與階次無關(guān)。且與階次無關(guān)。5. 交調(diào)遮斷點(diǎn)交調(diào)遮斷點(diǎn)Company 非線性電路與系統(tǒng)非

12、線性電路與系統(tǒng)11.2 微波電路部件的直接連接微波電路部件的直接連接1.反向并聯(lián)反向并聯(lián)23234( ).().ABIf vavbvcvIfvavbvcvdv 有有Company 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)11.2 微波電路部件的直接連接微波電路部件的直接連接總的外部電流：總的外部電流：322.ABIIIavcvA與與B之間的環(huán)流：之間的環(huán)流：24.loopABIIIbvdv結(jié)論：結(jié)論：1）偶階和奇階混合分量被分開，偶階）偶階和奇階混合分量被分開，偶階 電流在環(huán)路內(nèi)環(huán)流，而奇階電流在電流在環(huán)路內(nèi)環(huán)流，而奇階電流在 外電流中環(huán)流。外電流中環(huán)流。 2）奇階介入阻抗為真實(shí)值的兩倍，而）奇階介入

13、阻抗為真實(shí)值的兩倍，而 偶階介入阻抗為偶階介入阻抗為0。思考題：交調(diào)分量有何種特性？思考題：交調(diào)分量有何種特性？Company 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)11.2 微波電路部件的直接連接微波電路部件的直接連接2.反向串聯(lián)（反向并聯(lián)的對偶形式）反向串聯(lián)（反向并聯(lián)的對偶形式）Company 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)11.2 微波電路部件的直接連接微波電路部件的直接連接則則ABVVV24322.22.LABloopABIIIbvdvIIIavcv結(jié)論結(jié)論：1）奇階電流在環(huán)內(nèi)，偶階電流在外電路中）奇階電流在環(huán)內(nèi)，偶階電流在外電路中 2）偶階介入阻抗為）偶階介入阻抗為Z（ ）2RL，而奇階

14、，而奇階 為為Z（ ）思考題：交調(diào)分量有何種特性？思考題：交調(diào)分量有何種特性？Company 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)11.2 微波電路部件的直接連接微波電路部件的直接連接類似于反向并聯(lián)電路，只是串聯(lián)電路輸出的是偶類似于反向并聯(lián)電路，只是串聯(lián)電路輸出的是偶階分量，而不是奇階分量階分量，而不是奇階分量3. 串聯(lián)連接串聯(lián)連接Company 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)11.2 微波電路部件的直接連接微波電路部件的直接連接N1、N2的特性必須一致。的特性必須一致。4. 兩個而端口電路部件直接并聯(lián)兩個而端口電路部件直接并聯(lián)Company 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)11.2 微波電路部

15、件的直接連接微波電路部件的直接連接特點(diǎn)特點(diǎn)：1）對任何諧波或任何階的混合分量都沒有）對任何諧波或任何階的混合分量都沒有 抑制作用。抑制作用。 2）交調(diào)遮斷點(diǎn)和輸出功率可以得到）交調(diào)遮斷點(diǎn)和輸出功率可以得到3dB的的改善。改善。 3）增益和噪聲不變。）增益和噪聲不變。 4）單個電路的輸入和輸出阻抗值應(yīng)為）單個電路的輸入和輸出阻抗值應(yīng)為Zs（ ）和）和 ZL（ ）的一半。）的一半。Company 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)11.2 微波電路部件的直接連接微波電路部件的直接連接5. m個個相同相同二端口電路部件直接并聯(lián)二端口電路部件直接并聯(lián)Company 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)11.

16、2 微波電路部件的直接連接微波電路部件的直接連接特點(diǎn)特點(diǎn)：1）對任何諧波或任何階的混合分量都沒有抑制作用。）對任何諧波或任何階的混合分量都沒有抑制作用。 2）交調(diào)遮斷點(diǎn)和輸出功率可以得到）交調(diào)遮斷點(diǎn)和輸出功率可以得到 10lgm 的改善。的改善。 3）增益和噪聲不變。）增益和噪聲不變。 4）單個電路的輸入和輸出阻抗值應(yīng)為）單個電路的輸入和輸出阻抗值應(yīng)為Zs（ ）和）和ZL（ ）的）的1/mCompany 微波系統(tǒng)微波系統(tǒng) 2 2、m m個二端口電路部件直接級聯(lián)個二端口電路部件直接級聯(lián) N1N2Nm各電路部件的技術(shù)指標(biāo)為Gi ，NFi ，ICPi ，P1dBi。如果某電路部件Ni是線性的，則有：

17、G=Loss (dB)NF=Loss(dB)ICP3= P1dB= Company 微波系統(tǒng)微波系統(tǒng)其系數(shù)與指數(shù)的換算關(guān)系如下：其系數(shù)與指數(shù)的換算關(guān)系如下：G=10Log(GG=10Log(G指數(shù)）指數(shù)） dBdBNF=10Log(FNF=10Log(F指數(shù)）指數(shù)）dBdB可得一下系統(tǒng)指標(biāo)計(jì)算公式：可得一下系統(tǒng)指標(biāo)計(jì)算公式：G Gt t=G=G1 1+ G+ G2 2+ + G+ + Gm m （dBdB）F Ft t=F=F1 1+ + （系數(shù)）（系數(shù)）( (非線性非線性) ) 特別注意是在各級都沒有飽和前提下特別注意是在各級都沒有飽和前提下三階交調(diào)：三階交調(diào)：(ICPt)(ICPt) 1

18、1=(ICP=(ICPM M) ) -1-1（G GM MICPICPM-1M-1）-1-1(G(GM MG GM-1M-1ICPICPM-2M-2) ) -1-1（G GM MG G2 2ICPICP1 1）-1-11121312111mmGGFGGFGF1111112121111111dBtdBmmdBmmmdBmmmdBPPG PG GPG GG PCompany 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)11.2 微波電路部件的直接連接微波電路部件的直接連接例：例：G=10dBNF=3dBP1dB10dBmICP3=20dBmL=3dBL=6dBP1dB0dBmICP3=15dBmL=3dBG=

19、20dBNF=4dBP1dB15dBmICP3=25dBmG=12dBNF=4dBP1dB30dBmICP3=40dBmL=2dBNF3dBP1dB=ICP3=NF3dBP1dB=ICP3=NF2dBP1dB=ICP3=A1L1MixerL2A2A3L3LOCompany 非線性電路與系統(tǒng)非線性電路與系統(tǒng)11.2 微波電路部件的直接連接微波電路部件的直接連接解：解：111223328AMAAGGLLLGGLdBNFt7.7 dB（注意先將（注意先將dB換成系數(shù)帶入公式計(jì)算，最后再換算為換成系數(shù)帶入公式計(jì)算，最后再換算為dB）113()(31.6)tICPdBmP1dB是對輸出功率而言的，輸出是

20、對輸出功率而言的，輸出P1dB是由后向前推的。是由后向前推的。分析過程：分析過程：A3的的P1dB30dBm，而，而G12dB，則輸入為，則輸入為18dBm；而；而A2的的P1dB只有只有15dBm，所以，所以A2飽和；繼續(xù)往前推，未出現(xiàn)飽和。因此以飽和；繼續(xù)往前推，未出現(xiàn)飽和。因此以A2為基為基準(zhǔn)分析，準(zhǔn)分析，A3的最大輸入為的最大輸入為A2的的P1dB，則，則A3最大的輸出只有最大的輸出只有15dBm12dB27dBm，經(jīng)過，經(jīng)過L3的的2dB損耗，總輸出只有損耗，總輸出只有25dBm；系統(tǒng)最大的輸入功；系統(tǒng)最大的輸入功率為率為Pimax1520363103dBm注：系統(tǒng)設(shè)計(jì)時，總是把線性

21、度最大的放在最后一級。注：系統(tǒng)設(shè)計(jì)時，總是把線性度最大的放在最后一級。Company 11.3微波發(fā)射系統(tǒng)微波發(fā)射系統(tǒng)微波發(fā)射系統(tǒng)微波發(fā)射系統(tǒng) 應(yīng)用：雷達(dá)通信電子對抗 等無線系統(tǒng)本振上變頻器BPF功放天線中頻調(diào)制信號Company 主要指標(biāo)：工作頻段：工作頻段：若若f高高f寬，通信容量大。寬，通信容量大。以系統(tǒng)體制和作用以系統(tǒng)體制和作用距離及環(huán)境而定。以距離及環(huán)境而定。以P1dB（常用于通信）或輸出飽（常用于通信）或輸出飽和功率和功率PSAT（常用于脈沖（常用于脈沖雷達(dá)）定義。雷達(dá)）定義。天線方向圖尖銳，而體積??；天線方向圖尖銳，而體積??；但電磁波的空間衰減但電磁波的空間衰減(雨、雪、雨、雪、

22、霧等）大，接收機(jī)的噪聲也高。霧等）大，接收機(jī)的噪聲也高。無委會使用頻率劃分。無委會使用頻率劃分。輸出功率及發(fā)射功率：輸出功率及發(fā)射功率：11.3微波發(fā)射系統(tǒng)微波發(fā)射系統(tǒng)Company 頻率穩(wěn)定度：頻率穩(wěn)定度：取決于本振的頻率穩(wěn)定度。由系統(tǒng)體制和信號質(zhì)量來定。取決于本振的頻率穩(wěn)定度。由系統(tǒng)體制和信號質(zhì)量來定。目前一般微波振蕩器頻穩(wěn)好者可達(dá)目前一般微波振蕩器頻穩(wěn)好者可達(dá)1052106左右。左右。若需要更好的長穩(wěn)，得采用石英晶體控制的鎖相振蕩器，其若需要更好的長穩(wěn)，得采用石英晶體控制的鎖相振蕩器，其穩(wěn)定度基本取決于石英晶體振蕩器，可大穩(wěn)定度基本取決于石英晶體振蕩器，可大10-9以上。以上。干擾與噪聲

23、：干擾與噪聲： 包括相位噪聲、交調(diào)干擾噪聲等。包括相位噪聲、交調(diào)干擾噪聲等。相位噪聲產(chǎn)生于本振，體現(xiàn)振蕩器瞬時頻穩(wěn)（短穩(wěn)）的質(zhì)量，相位噪聲產(chǎn)生于本振，體現(xiàn)振蕩器瞬時頻穩(wěn)（短穩(wěn)）的質(zhì)量，表示信號的頻譜純度。交調(diào)干擾噪聲主要產(chǎn)生于本振、上變表示信號的頻譜純度。交調(diào)干擾噪聲主要產(chǎn)生于本振、上變頻器、功放的非線性特性，以及微波部件之間的回波反射。頻器、功放的非線性特性，以及微波部件之間的回波反射。（如果每個部件的輸入輸出不好需加隔離器）。（如果每個部件的輸入輸出不好需加隔離器）。11.3微波發(fā)射系統(tǒng)微波發(fā)射系統(tǒng)Company 交調(diào)失真：交調(diào)失真：取決于上變頻器和功放的非線性特性，最主要的交調(diào)失取決于上

24、變頻器和功放的非線性特性，最主要的交調(diào)失真是真是3階交調(diào)，因?yàn)樗羁拷d波信號，難于濾掉，并階交調(diào)，因?yàn)樗羁拷d波信號，難于濾掉，并且比其他高階交調(diào)分量高。且比其他高階交調(diào)分量高。信號源1信號源2合成器被測件頻譜儀f1f2圖五、非線性電路交調(diào)測試方法11.3微波發(fā)射系統(tǒng)微波發(fā)射系統(tǒng)Company ICPN(dBm)=式中：式中：ICPN是第是第n階交調(diào)點(diǎn)功率（階交調(diào)點(diǎn)功率（dBm）；）；S是交調(diào)分量與載波之是交調(diào)分量與載波之比比(dB)；P是載波功率電平（是載波功率電平（dBm）；）；N是交調(diào)階數(shù)。是交調(diào)階數(shù)。PNS 1Pff1 f2 f2-f12f1-f22f2-f13f1-2f23f2-

25、2f12f12f2f1+f2PSf1f22f1-f22f2-f111.3微波發(fā)射系統(tǒng)微波發(fā)射系統(tǒng)Company 微波發(fā)射頻譜框架微波發(fā)射頻譜框架由于通信、雷達(dá)、導(dǎo)航等業(yè)務(wù)的大力發(fā)展，微波頻段由于通信、雷達(dá)、導(dǎo)航等業(yè)務(wù)的大力發(fā)展，微波頻段十分擁擠，使得頻率資源更為緊張。目前提高頻譜利用率和十分擁擠，使得頻率資源更為緊張。目前提高頻譜利用率和避免鄰近波段干擾要求越來越嚴(yán)，因此對微波發(fā)射機(jī)的發(fā)射避免鄰近波段干擾要求越來越嚴(yán)，因此對微波發(fā)射機(jī)的發(fā)射信號頻譜加以嚴(yán)格限制，使之不占用過寬頻帶，對鄰近波段信號頻譜加以嚴(yán)格限制，使之不占用過寬頻帶，對鄰近波段干擾甚微。對發(fā)射信號頻譜的限制范圍叫發(fā)射頻譜框架，靠

26、干擾甚微。對發(fā)射信號頻譜的限制范圍叫發(fā)射頻譜框架，靠濾波器的濾波特性來保證。濾波器的濾波特性來保證。例如例如11GHz的數(shù)字通信，可用帶寬為的數(shù)字通信，可用帶寬為40MHz，帶外抑，帶外抑制要求高達(dá)制要求高達(dá)-80dBc。另外，還有群時延，另外，還有群時延，AM/AM、AM/PM、傳輸相位、散、傳輸相位、散熱等不同要求。熱等不同要求。11.3微波發(fā)射系統(tǒng)微波發(fā)射系統(tǒng)Company 11.4微波接收系統(tǒng)微波接收系統(tǒng)微波接收系統(tǒng)主要性能指標(biāo)：主要性能指標(biāo)：、工作頻段和通頻帶：工作頻段和通頻帶：主要取決于檢測頻帶（無源輻射計(jì)）、或發(fā)射機(jī)主要取決于檢測頻帶（無源輻射計(jì)）、或發(fā)射機(jī)頻帶（固定點(diǎn)）及多普勒

27、頻漂（移動目標(biāo)）。為頻帶（固定點(diǎn)）及多普勒頻漂（移動目標(biāo)）。為了有效抑制干擾、獲得最佳信號傳輸，應(yīng)選擇合了有效抑制干擾、獲得最佳信號傳輸，應(yīng)選擇合適的通頻帶和通帶形式，由濾波特性來保證。適的通頻帶和通帶形式，由濾波特性來保證。LNA帶通濾波器帶通濾波器BPF鏡頻抑制濾波器鏡頻抑制濾波器BPF低通濾波器低通濾波器LPFA本振本振混頻器混頻器Mixer低噪聲放大器低噪聲放大器LNA前中前中 天線中頻輸出中頻輸出02fcVfrdCompany 噪聲系數(shù)：噪聲系數(shù)：噪聲系數(shù)是接收機(jī)的重要技術(shù)指標(biāo)。由多個微波部件噪聲系數(shù)是接收機(jī)的重要技術(shù)指標(biāo)。由多個微波部件級聯(lián)的接收系統(tǒng)，其系統(tǒng)噪聲主要是取決于前面幾級

28、，因級聯(lián)的接收系統(tǒng)，其系統(tǒng)噪聲主要是取決于前面幾級，因此要求前幾級的無源元件插入損耗盡可能小、有源電路噪此要求前幾級的無源元件插入損耗盡可能小、有源電路噪聲系數(shù)盡可能低且有足夠增益。聲系數(shù)盡可能低且有足夠增益。. 接收機(jī)總增益接收機(jī)總增益Gt ：增益之和減去損耗之和，注意低噪聲器件盡量位于前級，增益之和減去損耗之和，注意低噪聲器件盡量位于前級，而而P1dB較大器件位于末級。較大器件位于末級。本振頻率穩(wěn)定度：本振頻率穩(wěn)定度：包括長穩(wěn)和短穩(wěn)（與發(fā)射機(jī)相同）。接收機(jī)和發(fā)射機(jī)可以包括長穩(wěn)和短穩(wěn)（與發(fā)射機(jī)相同）。接收機(jī)和發(fā)射機(jī)可以用兩個獨(dú)立的振蕩器，也可共用同一振蕩器，需從系統(tǒng)體用兩個獨(dú)立的振蕩器，也可

29、共用同一振蕩器，需從系統(tǒng)體制（是否相參）和方便考慮。制（是否相參）和方便考慮。寄生參數(shù)：寄生參數(shù)：包括帶內(nèi)諧波和雜散，由電路的非線性特性產(chǎn)生。包括帶內(nèi)諧波和雜散，由電路的非線性特性產(chǎn)生。11.4微波接收系統(tǒng)微波接收系統(tǒng)Company 動態(tài)范圍：動態(tài)范圍：接收機(jī)靈敏度（接收最小信號的能力）到接收機(jī)靈敏度（接收最小信號的能力）到1dB壓縮點(diǎn)的范壓縮點(diǎn)的范圍。圍。接收機(jī)靈敏度：主要由噪聲、增益和中頻帶寬等決定。接收機(jī)靈敏度：主要由噪聲、增益和中頻帶寬等決定。式中式中fm系統(tǒng)中頻帶寬；絕對溫度系統(tǒng)中頻帶寬；絕對溫度T0=290K識別系數(shù)識別系數(shù)M1另外還有其他指標(biāo)，如鏡頻抑制度，輸入/輸出駐波，三階交

30、調(diào)，抗燒毀輸入功率，自動增益控制等。Pmin=NF (kT0fm) MCompany 11.5雷達(dá)系統(tǒng)雷達(dá)系統(tǒng)雷達(dá)方程：雷達(dá)系統(tǒng)舉例式中：Pr接收功率；Pt發(fā)射功率；G發(fā)射天線增益；R距離；Ae接收天線的有效面積； 雷達(dá)目標(biāo)的截面積2244RARGPPetr如果收發(fā)共同一付天線，有，再由最小可檢測信號Smin代替Pr，可求得雷達(dá)的最大作用距離：224sA24eAG24eAGSmin=4/10322max)4(LdFkTGERtBtBdFkT/0式中： 發(fā)射的每個脈沖的總能量；L考慮的損耗項(xiàng)；d所要求的檢測指標(biāo) tPEttCompany 收發(fā)開關(guān)發(fā)射機(jī)調(diào)制器顯示器檢波器定時器LNA視放中放本振天

31、線11.5雷達(dá)系統(tǒng)雷達(dá)系統(tǒng)脈沖（脈沖（PDPD）雷達(dá)原理方框圖）雷達(dá)原理方框圖Company 信號處理雙工濾波功放調(diào)制同步器顯示激勵器中放前放混頻伺服典型脈沖雷達(dá)方框圖11.5雷達(dá)系統(tǒng)雷達(dá)系統(tǒng)Company VCO或點(diǎn)頻源耦合器環(huán)行器混頻器前中天線中頻輸出fd這種FMCW雷達(dá)應(yīng)用很少的原因的解決措施：零中頻不知的正與負(fù)，即不知目標(biāo)運(yùn)動的矢量方向（可通過高中頻、三角波形調(diào)制解決）。由于環(huán)形器隔離度不夠大，接收路飽和嚴(yán)重，即動態(tài)范圍太小。（可采用雙天線和對消技術(shù)，目前可對消70dB左右。FMCW雷達(dá)的簡易原理方框圖零中頻系統(tǒng)11.5雷達(dá)系統(tǒng)雷達(dá)系統(tǒng)線性調(diào)頻連續(xù)（線性調(diào)頻連續(xù)（FMCW）波雷達(dá)）波雷

32、達(dá)Company VCO或點(diǎn)頻源耦合器環(huán)行器混頻器前中天線中頻輸出fm fdFMCW雷達(dá)的簡易原理方框圖高中頻系統(tǒng)11.5雷達(dá)系統(tǒng)雷達(dá)系統(tǒng)線性調(diào)頻連續(xù)（線性調(diào)頻連續(xù)（FMCW）波雷達(dá)）波雷達(dá)fmfofo+fmftf2f1t02t03t0ftf2f1t02t0鋸齒波調(diào)制三角波調(diào)制對消器Company 相控陣系統(tǒng)（雷達(dá)）中的相控陣系統(tǒng)（雷達(dá)）中的T/R組件組件高頻收發(fā)前端高頻收發(fā)前端無線電系統(tǒng)中的收無線電系統(tǒng)中的收/ /發(fā)高頻前端子系統(tǒng)的一發(fā)高頻前端子系統(tǒng)的一般性名稱，可有可無移相功能，但須有上下變頻功能。般性名稱，可有可無移相功能，但須有上下變頻功能。T/RT/R組件（模塊）組件（模塊）專指用于

33、相控陣系統(tǒng)（雷達(dá)）的高頻收專指用于相控陣系統(tǒng)（雷達(dá)）的高頻收發(fā)前端，必須具有移相功能，可不必變頻。發(fā)前端，必須具有移相功能，可不必變頻。單刀雙擲開關(guān)或環(huán)行器單刀雙擲開關(guān)或環(huán)行器幅相控制功分合 路器低噪聲放大器功率放大器Company 通信方程（通信方程（Friis Equation)kdfGGPPdBLRTRTF1010101010log20log20log10log10)(log10)(其中其中PR接收功率；接收功率； PT發(fā)射功率；發(fā)射功率；GT 發(fā)射天線增益；發(fā)射天線增益； GR 發(fā)射天線增益；發(fā)射天線增益；c 光速；光速；f 頻率；頻率；d 收收/發(fā)天線距離發(fā)天線距離56.147)10

34、34(log20)4(log2081010ck11.6 通信系統(tǒng)通信系統(tǒng)Company 11.6 通信系統(tǒng)通信系統(tǒng)通訊系統(tǒng)舉例通訊系統(tǒng)舉例目前：收發(fā)異頻雙工，相位調(diào)制、數(shù)字微波目前：收發(fā)異頻雙工，相位調(diào)制、數(shù)字微波以以C波段波段 VSAT戶外系統(tǒng)戶外系統(tǒng)極小口徑終端衛(wèi)星地面站為例。極小口徑終端衛(wèi)星地面站為例。系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)：系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)：發(fā)射頻率：發(fā)射頻率：5.9256.425GHz接收頻率：接收頻率：3.74.2GHz輸入輸入/輸出中頻：輸出中頻：7018MHz信道劃分：信道劃分：50個（個（10MHz）；）；100個（個（5MHz）；）；200個個(2.5MHz）發(fā)射功率：發(fā)射功率：5，10

35、，20，40W50W，80WCompany C波段VSAT戶外系統(tǒng)方框圖11.6 通信系統(tǒng)通信系統(tǒng)5.9256.425GHz3.74.2GHz4.74255.2425GHz1.1125GHzPLL頻綜雙工濾波HPABPF2上變頻器2放大器BPF1上變頻器1中放中放LPF下變頻器2LNABPF3放大器下變頻器1鏡頻濾波戶內(nèi)系統(tǒng)7018MHz7018MHzCompany 11.711.7導(dǎo)彈制導(dǎo)技術(shù)導(dǎo)彈制導(dǎo)技術(shù)1、主動制導(dǎo)技術(shù)：導(dǎo)彈自帶導(dǎo)引頭雷達(dá)，具有發(fā)、主動制導(dǎo)技術(shù)：導(dǎo)彈自帶導(dǎo)引頭雷達(dá)，具有發(fā)射和接收功能，主動跟蹤攻擊目標(biāo)。射和接收功能，主動跟蹤攻擊目標(biāo)。2、半主動制導(dǎo)技術(shù)：由地面雷達(dá)（或衛(wèi)星、

36、飛機(jī)）、半主動制導(dǎo)技術(shù)：由地面雷達(dá)（或衛(wèi)星、飛機(jī)）測量導(dǎo)彈和目標(biāo)的位置和飛行軌跡，并發(fā)指令給測量導(dǎo)彈和目標(biāo)的位置和飛行軌跡，并發(fā)指令給導(dǎo)彈，引導(dǎo)導(dǎo)彈攻擊目標(biāo)。導(dǎo)彈，引導(dǎo)導(dǎo)彈攻擊目標(biāo)。3、被動制導(dǎo)技術(shù)：、被動制導(dǎo)技術(shù)：a、反輻射導(dǎo)引頭：僅具有接收測向功能，根據(jù)、反輻射導(dǎo)引頭：僅具有接收測向功能，根據(jù)敵方雷達(dá)發(fā)射的電磁波或飛行器發(fā)動機(jī)發(fā)射的紅敵方雷達(dá)發(fā)射的電磁波或飛行器發(fā)動機(jī)發(fā)射的紅外線，跟蹤攻擊目標(biāo)，接收靈敏度不高。外線，跟蹤攻擊目標(biāo)，接收靈敏度不高。b、輻射計(jì)導(dǎo)引頭：僅具有接收測向功能，根據(jù)、輻射計(jì)導(dǎo)引頭：僅具有接收測向功能，根據(jù)黑體輻射理論，測量目標(biāo)自身發(fā)射的微弱電磁頻黑體輻射理論，測量目標(biāo)

37、自身發(fā)射的微弱電磁頻譜信號，跟蹤攻擊目標(biāo)，接收靈敏度很高。譜信號，跟蹤攻擊目標(biāo)，接收靈敏度很高。Company 11.8電子對抗（雷達(dá)對抗）電子對抗（雷達(dá)對抗）雷雷達(dá)達(dá)有有意意干干擾擾有有源源干干擾擾無無源源干干擾擾遮蓋性干擾遮蓋性干擾欺騙性干擾欺騙性干擾噪聲調(diào)幅干擾噪聲調(diào)幅干擾復(fù)合調(diào)頻干擾復(fù)合調(diào)頻干擾噪聲調(diào)相干擾噪聲調(diào)相干擾距離欺騙干擾距離欺騙干擾角度欺騙干擾角度欺騙干擾速度欺騙干擾速度欺騙干擾遮蓋性干擾遮蓋性干擾欺騙性干擾欺騙性干擾金屬箔條走廊干擾金屬箔條走廊干擾金屬箔條區(qū)域干擾金屬箔條區(qū)域干擾反雷達(dá)偽裝反雷達(dá)偽裝雷達(dá)誘餌雷達(dá)誘餌Company 一、微波電路與組件的發(fā)展趨勢一、微波電路與組

38、件的發(fā)展趨勢u微波微波 / /毫米波電路發(fā)展史毫米波電路發(fā)展史波導(dǎo)立體電路平面混合集成電路MMICMCMSOC第一代第二代第三代第四代SIPSOP多功能芯片、多功能芯片、MEMS3.5代Company 波導(dǎo)同軸線真空電子器件微波電路電路形式有源器件后期為同軸封裝的后期為同軸封裝的固態(tài)器件固態(tài)器件二、第一代微波電路二、第一代微波電路波導(dǎo)立體電路波導(dǎo)立體電路優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)：品質(zhì)因數(shù)高，損耗低，機(jī)械結(jié)構(gòu)牢固，功率容量高。品質(zhì)因數(shù)高，損耗低，機(jī)械結(jié)構(gòu)牢固，功率容量高。缺點(diǎn)：缺點(diǎn)：體積大，笨重、加工工藝和調(diào)試過程復(fù)雜，環(huán)境適體積大，笨重、加工工藝和調(diào)試過程復(fù)雜，環(huán)境適應(yīng)性差，相應(yīng)成本高，難以集成。應(yīng)性差，相

39、應(yīng)成本高，難以集成。波導(dǎo)電路的理論分析和計(jì)算設(shè)計(jì)問題已完善，主要精波導(dǎo)電路的理論分析和計(jì)算設(shè)計(jì)問題已完善，主要精力集中在工藝制作上，僅應(yīng)用于大功率、高力集中在工藝制作上，僅應(yīng)用于大功率、高QQ值情況。值情況。u波導(dǎo)立體電路Company 微波混合集成電路同軸線真空電子器件波導(dǎo)微波半導(dǎo)體器件平面?zhèn)鬏斁€小型化重量輕耗能少成本較低三、第二代微波電路三、第二代微波電路 HMIC HMICu微波混合集成電路微波混合集成電路(HMIC)(HMIC)采用薄膜或厚采用薄膜或厚膜、印制板工膜、印制板工藝制作無源元藝制作無源元件和線路，再件和線路，再把微波固態(tài)器把微波固態(tài)器件裝配到電路件裝配到電路中，實(shí)現(xiàn)微波中，

40、實(shí)現(xiàn)微波電路集成化電路集成化（SMTSMT）。）。 目前，微波混合集成電路的理論問題已趨完善，目前，微波混合集成電路的理論問題已趨完善，重點(diǎn)在工程上的巧妙應(yīng)用，是當(dāng)今的主流。重點(diǎn)在工程上的巧妙應(yīng)用，是當(dāng)今的主流。Company 四、第三代微波電路四、第三代微波電路 MMIC MMIC、MCMMCM 到了到了2020世紀(jì)世紀(jì)7070年代后期出現(xiàn)了以單片微波集年代后期出現(xiàn)了以單片微波集成電路成電路(MMIC)(MMIC)和多芯片組件和多芯片組件(MCM(MCM）為代表的）為代表的第三代微波電路。同時出現(xiàn)了第三代微波電路。同時出現(xiàn)了RF CMOSRF CMOS、FRICFRIC、RFIDRFID、R

41、F MEMSRF MEMS，大大豐富了第三代微波電路大大豐富了第三代微波電路的內(nèi)容，使小型化又前進(jìn)了一步。的內(nèi)容，使小型化又前進(jìn)了一步。其中，多功能其中，多功能芯片是第三代微波電路向第四代發(fā)展的芯片是第三代微波電路向第四代發(fā)展的過渡階段。過渡階段。Company 4.1 微波單片集成電路(MMIC)工作頻帶加寬半導(dǎo)體理論的發(fā)展半導(dǎo)體工藝的成熟III-V族材料制備的完善體積、重量比HMIC減少兩三個數(shù)量級可靠性大大改善器件成品率的提高M(jìn)MIC有源和無源部分都制作在同一襯底上微波單片集成電路是在半絕緣半導(dǎo)體襯底上用一系列的半導(dǎo)體微波單片集成電路是在半絕緣半導(dǎo)體襯底上用一系列的半導(dǎo)體工藝方法制造出無

42、源和有源元器件，并連接起來構(gòu)成應(yīng)用于微工藝方法制造出無源和有源元器件，并連接起來構(gòu)成應(yīng)用于微波（甚至毫米波）頻段的功能電路，波（甚至毫米波）頻段的功能電路，I/OI/O均為均為5050歐姆。歐姆。Company M MMICMIC的設(shè)計(jì)與制造的設(shè)計(jì)與制造Company 4.24.2多芯片組件多芯片組件(MCM)(MCM)u多芯片組件多芯片組件(MCM)(MCM)v MCMMCM（MultiChip ModuleMultiChip Module）：多芯片組件），是把多塊裸露的）：多芯片組件），是把多塊裸露的IC IC 芯片組裝在同芯片組裝在同一塊多層高密度互連基板上，形成一個多芯片功能組件。層與

43、層的金屬導(dǎo)線是用一塊多層高密度互連基板上，形成一個多芯片功能組件。層與層的金屬導(dǎo)線是用導(dǎo)通孔連接的。這種組裝方式允許芯片與芯片靠得很近，可以降低互連和布線中導(dǎo)通孔連接的。這種組裝方式允許芯片與芯片靠得很近，可以降低互連和布線中所產(chǎn)生的信號延遲、串?dāng)_噪聲、電感電容耦合等問題。所產(chǎn)生的信號延遲、串?dāng)_噪聲、電感電容耦合等問題。v 提高組裝密度，縮短互連長度，減少信號延遲時間，減小體積，減輕重量，提高提高組裝密度，縮短互連長度，減少信號延遲時間，減小體積，減輕重量，提高可靠性?？煽啃?。v 可實(shí)現(xiàn)真正意義上器件和電路的三維集成?？蓪?shí)現(xiàn)真正意義上器件和電路的三維集成。Company 多芯片組件多芯片組件(

44、MCM)(MCM)MCM結(jié)構(gòu)示意及技術(shù)領(lǐng)域Company LTCCLTCC技術(shù)技術(shù) LTCC LTCC 技術(shù)，是技術(shù)，是MCM-CMCM-C中的一種最有發(fā)展前途的技中的一種最有發(fā)展前途的技術(shù)，因其在高頻表現(xiàn)出優(yōu)異的性能，已經(jīng)成為微波術(shù)，因其在高頻表現(xiàn)出優(yōu)異的性能，已經(jīng)成為微波毫米波高密度集成技術(shù)研究發(fā)展的熱點(diǎn)。毫米波高密度集成技術(shù)研究發(fā)展的熱點(diǎn)。800 950oC Co-fired(疊層共燒)生瓷帶金屬導(dǎo)體(Au. Ag. Cu)DupontFerroCeramic(陶瓷基板)Low Temperatureu低溫共燒陶瓷低溫共燒陶瓷(LTCC)(LTCC)Company 多層高密度封裝 可埋置

45、無源器件 采用并行加工工藝, 批量生產(chǎn)成本低小型化、高可靠、低成本小型化、高可靠、低成本、性能良好的微波電路性能良好的微波電路工藝流程圖LTCCLTCC的特點(diǎn)的特點(diǎn)Company 4.34.3多功能芯片多功能芯片所謂多功能芯片，就是包含兩個或兩個以上功能電路功能的所謂多功能芯片，就是包含兩個或兩個以上功能電路功能的MMICMMIC芯片，是第三代微波電路向第四代發(fā)展的芯片，是第三代微波電路向第四代發(fā)展的過渡階段過渡階段。v優(yōu)勢優(yōu)勢 成本和面積進(jìn)一步減??；成本和面積進(jìn)一步減??； 縮短互連長度，提高電路性能；縮短互連長度，提高電路性能； 減少片外互連，提升可靠性。減少片外互連，提升可靠性。v主要技術(shù)

46、指標(biāo)主要技術(shù)指標(biāo) 頻率和帶寬頻率和帶寬 綜合性能指標(biāo)：增益、輸出功率、噪聲系數(shù)和相位噪聲等綜合性能指標(biāo)：增益、輸出功率、噪聲系數(shù)和相位噪聲等 功耗功耗 芯片面積芯片面積Company v 微波微波/ /毫米波多功能芯片所采用的工藝主要有：毫米波多功能芯片所采用的工藝主要有： CMOSCMOS工藝工藝a) Si CMOSa) Si CMOS：低功耗和高集成度；：低功耗和高集成度；b) SiGe HBTb) SiGe HBT：較好的線性度和更高的速度；：較好的線性度和更高的速度；c) SiGe c) SiGe 雙極互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體雙極互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體(BiCMOS)(BiCMOS)更是結(jié)合了更

47、是結(jié)合了CMOSCMOS和和HBTHBT的優(yōu)勢。的優(yōu)勢。 - - 族化合物半導(dǎo)體工藝族化合物半導(dǎo)體工藝a) GaAs pHEMT/mHEMT a) GaAs pHEMT/mHEMT 及其及其E/D E/D 模模工藝兼容；工藝兼容；b) b) 低噪聲和功率器件低噪聲和功率器件同片同片材料與工藝材料與工藝兼容兼容。 GaNGaN化合物半導(dǎo)體及其化合物半導(dǎo)體及其E/DE/D模模工藝工藝 石墨烯工藝石墨烯工藝4.3多功能芯片的工藝化合物半導(dǎo)體E/D模工藝是實(shí)現(xiàn)化合物半導(dǎo)體SOC的前提基礎(chǔ)！Company 在在CMOSCMOS多功能芯片多功能芯片上，由于市場的推動（低成本），微上，由于市場的推動（低成本

48、），微波低端、波低端、60GHz60GHz頻段和頻段和77GHz77GHz頻段的芯片已經(jīng)比較成熟，頻段的芯片已經(jīng)比較成熟，但在其他微波但在其他微波/ /毫米波頻段，性能仍與毫米波頻段，性能仍與GaAsGaAs有較大差距。有較大差距。 在在GaAsGaAs多功能芯片多功能芯片上，毫米波中低頻段（上，毫米波中低頻段（40GHz40GHz以下）以下）產(chǎn)業(yè)已經(jīng)出現(xiàn)，而目前毫米波中高頻段（產(chǎn)業(yè)已經(jīng)出現(xiàn)，而目前毫米波中高頻段（40GHz40GHz以上）以上）產(chǎn)業(yè)正成為學(xué)術(shù)界與工業(yè)界的熱點(diǎn)。產(chǎn)業(yè)正成為學(xué)術(shù)界與工業(yè)界的熱點(diǎn)。InPInP多功能芯片還未多功能芯片還未見相關(guān)報(bào)道。見相關(guān)報(bào)道。E/DE/D模工藝模工

49、藝的進(jìn)一步發(fā)展，必將推動化合物的進(jìn)一步發(fā)展，必將推動化合物半導(dǎo)體多功能芯片的集成度。半導(dǎo)體多功能芯片的集成度。 在在新興工藝新興工藝方面，方面，GaN GaN 多功能芯片多功能芯片工藝已經(jīng)獲得突破，工藝已經(jīng)獲得突破，但集成度和性能上仍有待進(jìn)一步研究；但集成度和性能上仍有待進(jìn)一步研究；石墨烯石墨烯已經(jīng)有單已經(jīng)有單片電路報(bào)道，距離實(shí)際應(yīng)用還有較大差距，仍處在研究片電路報(bào)道，距離實(shí)際應(yīng)用還有較大差距，仍處在研究初期，多功能芯片還未見相關(guān)報(bào)道。初期，多功能芯片還未見相關(guān)報(bào)道。多功能芯片國外發(fā)展動態(tài)Company 在在CMOSCMOS多功能芯片多功能芯片上，國內(nèi)大陸仍處在發(fā)展初期，上，國內(nèi)大陸仍處在發(fā)展

50、初期，主要仍在微波頻段的相關(guān)芯片研究，還未見毫米波頻主要仍在微波頻段的相關(guān)芯片研究，還未見毫米波頻段的相關(guān)報(bào)道。中國臺灣已經(jīng)有段的相關(guān)報(bào)道。中國臺灣已經(jīng)有60GHz60GHz的相關(guān)芯片報(bào)的相關(guān)芯片報(bào)道。道。 在在GaAsGaAs多功能芯片多功能芯片上，上，基于國內(nèi)大陸工藝線基于國內(nèi)大陸工藝線的芯片已的芯片已經(jīng)在毫米波頻段上取得較大突破，經(jīng)在毫米波頻段上取得較大突破，基于國外工藝線設(shè)基于國外工藝線設(shè)計(jì)計(jì)的芯片，已經(jīng)在毫米波頻段有相關(guān)報(bào)道，但集成度的芯片，已經(jīng)在毫米波頻段有相關(guān)報(bào)道，但集成度仍有待提高。中國臺灣已經(jīng)在仍有待提高。中國臺灣已經(jīng)在KaKa波段取得較好的成果，波段取得較好的成果，但毫米波

51、頻段報(bào)道較少。但毫米波頻段報(bào)道較少。 在在新興工藝新興工藝方面，方面，GaNGaN器件仍處在單元電路和器件研器件仍處在單元電路和器件研究上，多功能芯片還未見有相關(guān)報(bào)道；石墨烯仍處在究上，多功能芯片還未見有相關(guān)報(bào)道；石墨烯仍處在材料和器件制備研究階段，微波材料和器件制備研究階段，微波/ /毫米波頻段器件還未毫米波頻段器件還未見相關(guān)報(bào)道。見相關(guān)報(bào)道。多功能芯片國內(nèi)發(fā)展動態(tài)Company 4.4 MEMS技術(shù)Company MEMSMEMS在微波中的應(yīng)用在微波中的應(yīng)用v RFMEMSRFMEMS開關(guān)開關(guān) MEMS MEMS開關(guān)最大的特點(diǎn)是插損小、開關(guān)最大的特點(diǎn)是插損小、頻帶寬。但速度慢、壽命有限。頻

52、帶寬。但速度慢、壽命有限。v MEMSMEMS濾波器濾波器國內(nèi)開發(fā)了微型國內(nèi)開發(fā)了微型MEMSMEMS硅腔濾波器，體硅腔濾波器，體積是傳統(tǒng)腔體濾波器的幾百分之一，積是傳統(tǒng)腔體濾波器的幾百分之一，重量是其幾千分之一。特別適合毫米重量是其幾千分之一。特別適合毫米波高端。波高端。 v MEMSMEMS集成時鐘集成時鐘MEMSMEMS集成時鐘將使現(xiàn)在龐大的銣原子集成時鐘將使現(xiàn)在龐大的銣原子鐘、晶振等時鐘元器件得以集成，體鐘、晶振等時鐘元器件得以集成，體積、重量以百倍、千倍地減小，而基積、重量以百倍、千倍地減小，而基本指標(biāo)基本不變甚至更好。另本指標(biāo)基本不變甚至更好。另MEMSMEMS陀螺。陀螺。Company 五、第四代微波電路五、第四代微波電路 SOC SOC、SIPSIP、SOPSOPv SOCSOC（System on ChipSystem on Chip）技術(shù)，是一種高度集成化、固件化的）技術(shù)，是一種高度集成化、固件化的系統(tǒng)集成技術(shù)。系統(tǒng)集成技術(shù)。 v 使