第5章_電磁屏蔽技術(shù)

1、1 第第5 5章章 電磁屏蔽技術(shù)電磁屏蔽技術(shù)2 主要內(nèi)容主要內(nèi)容 n 概概 述述n 電場屏蔽電場屏蔽n 低頻磁場屏蔽低頻磁場屏蔽n 高頻磁場屏蔽高頻磁場屏蔽n 電磁屏蔽電磁屏蔽n 孔洞的屏蔽效能孔洞的屏蔽效能3 概概 述述p 屏蔽類型屏蔽類型：p 屏蔽屏蔽是用導(dǎo)電或?qū)Т挪牧蠈⑿枰雷o(hù)區(qū)域封閉起來，以抑制和是用導(dǎo)電或?qū)Т挪牧蠈⑿枰雷o(hù)區(qū)域封閉起來，以抑制和 控制電場、磁場和電磁波由一個(gè)區(qū)域?qū)α硪粋€(gè)區(qū)域的控制電場、磁場和電磁波由一個(gè)區(qū)域?qū)α硪粋€(gè)區(qū)域的感應(yīng)感應(yīng)和和輻輻 射射。 屏蔽技術(shù)屏蔽技術(shù)用來抑制電磁噪聲沿著空間的傳播，即切斷電磁用來抑制電磁噪聲沿著空間的傳播，即切斷電磁 波輻射（和場耦合）的傳

2、輸途徑波輻射（和場耦合）的傳輸途徑。p 主動(dòng)屏蔽主動(dòng)屏蔽：屏蔽干擾源，：屏蔽干擾源， 被動(dòng)屏蔽被動(dòng)屏蔽：屏蔽敏感體。：屏蔽敏感體。4靜電場屏蔽靜電場屏蔽p 靜電場的屏蔽靜電場的屏蔽 5 交變電場的屏蔽交變電場的屏蔽 低頻交變電場的騷擾源與接受器之間的電場感應(yīng)耦低頻交變電場的騷擾源與接受器之間的電場感應(yīng)耦合可以用它們之間的等效合可以用它們之間的等效耦合電容耦合電容CeCe進(jìn)行描述，可采用進(jìn)行描述，可采用電路理論電路理論加以解釋。加以解釋。 直觀、方便直觀、方便。屏蔽低頻交變電場的關(guān)鍵。屏蔽低頻交變電場的關(guān)鍵。 方法方法：增大騷擾源與接受器之間距離，或利用：增大騷擾源與接受器之間距離，或利用6p

3、利用利用接地金屬接地金屬屏蔽體屏蔽體11000,sZUU7p低頻低頻：100 kHz100 kHz以下以下3401010,mmmURRl s 低低 頻頻 磁磁 場場 屏屏 蔽蔽H1R0RmH0H0RmH1R0p 磁路方程磁路方程磁力線集中在其內(nèi)部磁力線集中在其內(nèi)部 (Rm)通過通過H2H2p 屏蔽原理屏蔽原理：利用高磁導(dǎo)率的鐵磁材料例如鐵、硅鋼片，：利用高磁導(dǎo)率的鐵磁材料例如鐵、硅鋼片，其磁導(dǎo)率約為其磁導(dǎo)率約為 ）對(duì)騷擾磁場進(jìn)行分路，把磁力）對(duì)騷擾磁場進(jìn)行分路，把磁力線集中在其內(nèi)部通過，限制其在空氣中大量發(fā)散。線集中在其內(nèi)部通過，限制其在空氣中大量發(fā)散。8 (主動(dòng)屏蔽主動(dòng)屏蔽) (被動(dòng)屏蔽被動(dòng)

4、屏蔽) 用鐵磁材料作的屏蔽罩，在垂直磁力線方向不應(yīng)開口或有縫隙。因?yàn)橛描F磁材料作的屏蔽罩，在垂直磁力線方向不應(yīng)開口或有縫隙。因?yàn)槿艨p隙垂直于磁力線，則會(huì)切斷磁力線，使磁阻增大，屏蔽效果變差。若縫隙垂直于磁力線，則會(huì)切斷磁力線，使磁阻增大，屏蔽效果變差。9u高頻磁場的屏蔽采用的是低電阻率的良導(dǎo)體（銅、鋁）高頻磁場的屏蔽采用的是低電阻率的良導(dǎo)體（銅、鋁）高高 頻頻 磁磁 場場 屏屏 蔽蔽H0u屏蔽原理屏蔽原理: : 利用電磁感應(yīng)現(xiàn)象在屏蔽體表面所產(chǎn)生的渦流的反磁場利用電磁感應(yīng)現(xiàn)象在屏蔽體表面所產(chǎn)生的渦流的反磁場來達(dá)到屏蔽的目的，即利用了渦流反向磁場對(duì)于原騷擾磁場的排斥作來達(dá)到屏蔽的目的，即利用了渦

5、流反向磁場對(duì)于原騷擾磁場的排斥作用，抑制或抵消屏蔽體外的磁場。用，抑制或抵消屏蔽體外的磁場。渦流產(chǎn)生的反向磁場增強(qiáng)了金屬渦流產(chǎn)生的反向磁場增強(qiáng)了金屬板側(cè)面的磁場使磁力線在金屬板板側(cè)面的磁場使磁力線在金屬板側(cè)面繞行而過。側(cè)面繞行而過。10n 高頻磁屏蔽高頻磁屏蔽是利用感應(yīng)渦流的反磁場排斥原騷擾磁是利用感應(yīng)渦流的反磁場排斥原騷擾磁場而達(dá)到屏蔽的目的，渦電流的大小直接影響屏蔽效果。場而達(dá)到屏蔽的目的，渦電流的大小直接影響屏蔽效果。屏蔽體電阻越小產(chǎn)生的感應(yīng)渦流越大而且屏蔽體自身的屏蔽體電阻越小產(chǎn)生的感應(yīng)渦流越大而且屏蔽體自身的損耗也越小。損耗也越小。所以高頻磁屏蔽材料需用良導(dǎo)體。所以高頻磁屏蔽材料需用

6、良導(dǎo)體。n 因?yàn)楦哳l時(shí)鐵磁材料的磁性損耗因?yàn)楦哳l時(shí)鐵磁材料的磁性損耗(包括磁滯損耗和渦流包括磁滯損耗和渦流損耗損耗)很大，導(dǎo)磁率明顯下降。很大，導(dǎo)磁率明顯下降。所以鐵磁材料的屏蔽不適所以鐵磁材料的屏蔽不適用于高頻磁場屏蔽。用于高頻磁場屏蔽。n 屏蔽盒上縫的方向必須順著渦流方向并且要盡可能地縮屏蔽盒上縫的方向必須順著渦流方向并且要盡可能地縮小縫的寬度。如果開縫切斷了渦流的通路則將大大影響金小縫的寬度。如果開縫切斷了渦流的通路則將大大影響金屬盒的屏蔽效果。屬盒的屏蔽效果。所以開縫方向會(huì)影響高頻磁場屏蔽。所以開縫方向會(huì)影響高頻磁場屏蔽。結(jié)論：結(jié)論：11電磁屏蔽電磁屏蔽p時(shí)變電磁場中，電場和磁場總是同

7、時(shí)存在的，通常所說的屏蔽，多指電時(shí)變電磁場中，電場和磁場總是同時(shí)存在的，通常所說的屏蔽，多指電磁屏蔽。電磁屏蔽是指同時(shí)抑制或削弱電場和磁場。磁屏蔽。電磁屏蔽是指同時(shí)抑制或削弱電場和磁場。p電磁屏蔽一般也是指高頻交變電磁屏蔽電磁屏蔽一般也是指高頻交變電磁屏蔽(10kHz 40GHz)。p在頻率較低（近場區(qū)，近場隨著騷擾源的性質(zhì)不同，電場和磁場的大小在頻率較低（近場區(qū)，近場隨著騷擾源的性質(zhì)不同，電場和磁場的大小有很大差別。有很大差別。 高電壓小電流高電壓小電流騷擾源以電場為主騷擾源以電場為主（電準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)場忽略了感應(yīng)電壓（電準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)場忽略了感應(yīng)電壓），磁場），磁場騷擾較小（有時(shí)可忽略）。騷擾較?。ㄓ袝r(shí)可

8、忽略）。 低電壓高電流低電壓高電流騷騷 擾擾 源源 以以 磁磁 場場 騷騷 擾擾 為為 主主（磁準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)場忽略了位移電（磁準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)場忽略了位移電流流），電場騷擾較小。），電場騷擾較小。p隨著頻率增高，電磁輻射能力增加，產(chǎn)生輻射電磁場，并趨向于遠(yuǎn)場騷隨著頻率增高，電磁輻射能力增加，產(chǎn)生輻射電磁場，并趨向于遠(yuǎn)場騷擾。遠(yuǎn)場騷擾中的電場騷擾和磁場騷擾都不可忽略，因此需要將電場和擾。遠(yuǎn)場騷擾中的電場騷擾和磁場騷擾都不可忽略，因此需要將電場和磁場同時(shí)屏蔽，即電磁屏蔽。磁場同時(shí)屏蔽，即電磁屏蔽。12 屏 蔽 效 能屏蔽前場強(qiáng)屏蔽前場強(qiáng) E1, H1屏蔽后場強(qiáng) E2，H2p 對(duì)電、磁對(duì)電、磁場和電磁場和電磁波產(chǎn)生

9、衰減的作用就是波產(chǎn)生衰減的作用就是電磁波電磁波屏蔽屏蔽, 屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量: SE = 20 lg ( E1/ E2 ) , SH = 20 lg ( H1/ H2 ) dBp 衰減量與屏蔽效能的關(guān)系衰減量與屏蔽效能的關(guān)系例：例：40dB, 衰減比衰減比1/100 GJB151A的機(jī)箱：的機(jī)箱：60dB一般商業(yè)一般商業(yè)的機(jī)箱：的機(jī)箱： 40dB 軍用屏蔽室：軍用屏蔽室： 100dB 1E2E 13屏蔽機(jī)理屏蔽機(jī)理p設(shè)金屬平板左右兩側(cè)均為空氣，因而在左右兩個(gè)界面上出現(xiàn)波阻抗突變，入射電磁波在界面上就產(chǎn)生反射和透射。p 電磁能（波）的反射，是屏蔽體對(duì)電磁波衰

10、減的第一種機(jī)理，稱為反射損耗反射損耗，用R表示。p 透射入金屬板內(nèi)繼續(xù)傳播，其場量 振幅要按指數(shù)規(guī)律衰減。場量的衰 減反映了金屬板對(duì)透射入的電磁能 量的吸收，電磁波衰減的第二種機(jī) 理稱為吸收損耗吸收損耗，用A表示p 在金屬板內(nèi)尚未衰減掉的剩余能量達(dá)到金屬右邊界面上時(shí)，又要發(fā)生反射，并在金屬板的兩個(gè)界面之間來回多次反射。只有剩余的一小部分電磁能量透過屏蔽的空間。電磁波衷減的第三種機(jī)理，稱為多次反射修正因子多次反射修正因子，用B表示。tRAB14怎樣屏蔽低頻磁場？低頻磁場低頻磁場低頻低頻磁場磁場吸收損耗小吸收損耗?。ㄚ吥w深度大（趨膚深度大）反射損耗小反射損耗小( (低阻抗低阻抗）高導(dǎo)電材料高導(dǎo)電材

11、料高導(dǎo)磁材料高導(dǎo)磁材料高導(dǎo)電材料高導(dǎo)電材料方法方法1：高導(dǎo)磁率材料的表面：高導(dǎo)磁率材料的表面增加一層高導(dǎo)電率材料，增加增加一層高導(dǎo)電率材料，增加電場波在屏蔽材料與空氣界面電場波在屏蔽材料與空氣界面上的反射損耗。上的反射損耗。方法方法2 ：低磁阻通路旁路。低磁阻通路旁路。 關(guān)關(guān) 鍵：鍵：采用高導(dǎo)磁率材料，采用高導(dǎo)磁率材料， 減少減少磁阻。磁阻。H115 磁屏蔽材料的頻率特性151015坡莫合金坡莫合金 金屬金屬鎳鋼鎳鋼冷軋鋼冷軋鋼 0.01 0.1 1.0 10 100 kHzr 103n 磁屏蔽材料手冊上給出的導(dǎo)磁率數(shù)據(jù)大多是直流情況下的，隨著磁屏蔽材料手冊上給出的導(dǎo)磁率數(shù)據(jù)大多是直流情況下的

12、，隨著 頻率增加，導(dǎo)磁率會(huì)下降頻率增加，導(dǎo)磁率會(huì)下降 ，當(dāng)頻率大于，當(dāng)頻率大于 時(shí)，時(shí)，導(dǎo)磁率更低導(dǎo)磁率更低。10kHz16 磁導(dǎo)率隨場強(qiáng)的變化磁導(dǎo)率隨場強(qiáng)的變化磁場強(qiáng)度 H磁通密度 B 飽和起始磁導(dǎo)率最大磁導(dǎo)率 = B / Hp 一對(duì)矛盾一對(duì)矛盾：當(dāng)要屏蔽的磁場很強(qiáng)時(shí)，即為了獲得較高的屏蔽性能，當(dāng)要屏蔽的磁場很強(qiáng)時(shí)，即為了獲得較高的屏蔽性能，需要使用導(dǎo)磁率較高的材料，但這種材料容易飽和。如用比較不容易需要使用導(dǎo)磁率較高的材料，但這種材料容易飽和。如用比較不容易飽和的材料，往往由于飽和的材料，往往由于 =較低，較低，屏蔽性能又達(dá)不到要求屏蔽性能又達(dá)不到要求。17 強(qiáng)磁場的屏蔽強(qiáng)磁場的屏蔽高導(dǎo)磁

13、率材料：飽和飽和低導(dǎo)磁率材料：屏效不夠屏效不夠低導(dǎo)磁率材料低導(dǎo)磁率材料高導(dǎo)磁率材料n 解決方法：采用雙層屏蔽，先用不容易發(fā)生飽和的磁導(dǎo)解決方法：采用雙層屏蔽，先用不容易發(fā)生飽和的磁導(dǎo)率較低的材料將磁場衰減到一定程度，然后用高導(dǎo)磁率材率較低的材料將磁場衰減到一定程度，然后用高導(dǎo)磁率材料將磁場衰減到滿足要求。料將磁場衰減到滿足要求。n 成本高、實(shí)施困難。成本高、實(shí)施困難。 18 良好電磁屏蔽的關(guān)鍵因素良好電磁屏蔽的關(guān)鍵因素屏蔽體的屏蔽體的導(dǎo)電連續(xù)導(dǎo)電連續(xù)有無穿過屏有無穿過屏蔽體的導(dǎo)體蔽體的導(dǎo)體屏蔽效能高的屏蔽體屏蔽效能高的屏蔽體不要忘記：不要忘記：選擇適當(dāng)?shù)钠帘尾牧夏阒绬幔号c屏蔽體接地與否無關(guān)屏

14、蔽體的完整性（完整、封閉）屏蔽體的完整性（完整、封閉）+導(dǎo)電的連續(xù)性是屏蔽的關(guān)鍵導(dǎo)電的連續(xù)性是屏蔽的關(guān)鍵19實(shí)際屏蔽體的問題實(shí)際屏蔽體的問題p 實(shí)際機(jī)箱上有許多泄漏源：不同部分結(jié)合處的縫隙實(shí)際機(jī)箱上有許多泄漏源：不同部分結(jié)合處的縫隙通風(fēng)口、顯示窗、按鍵、指示燈和通風(fēng)口、顯示窗、按鍵、指示燈和電纜線、電源線電纜線、電源線等等p 影響屏蔽效能的兩個(gè)因素：影響屏蔽效能的兩個(gè)因素：屏蔽體的導(dǎo)電連續(xù)性和屏蔽體的導(dǎo)電連續(xù)性和穿過穿過屏蔽機(jī)箱的導(dǎo)線屏蔽機(jī)箱的導(dǎo)線（危害更大輻射傳導(dǎo)危害更大輻射傳導(dǎo)）。通風(fēng)口顯示窗鍵盤指示燈電纜插座調(diào)節(jié)旋鈕電源線電源線縫隙縫隙電電纜纜線線20 遠(yuǎn)場遠(yuǎn)場區(qū)孔洞的屏蔽效能區(qū)孔洞的屏

15、蔽效能l lSE = 100 20lgl 20lg f + 20lg（1 + 2.3lg(l/h) = 0 dB Hn 當(dāng)電磁波入射到一個(gè)縫隙孔洞時(shí)，其作用相當(dāng)于一個(gè)偶極天線當(dāng)電磁波入射到一個(gè)縫隙孔洞時(shí)，其作用相當(dāng)于一個(gè)偶極天線(第二章已講述）第二章已講述）n 當(dāng)縫隙的長度達(dá)到當(dāng)縫隙的長度達(dá)到l = /2時(shí)，其輻射效率最高（與縫隙的寬度無時(shí)，其輻射效率最高（與縫隙的寬度無關(guān)），它幾乎可將激勵(lì)縫隙的全部能量輻射出去。關(guān)），它幾乎可將激勵(lì)縫隙的全部能量輻射出去。n 若若 l / 2 h5002fMHzl21 孔洞在孔洞在近場區(qū)近場區(qū)的屏蔽效能的屏蔽效能p 在近場區(qū)，孔洞的泄漏還與輻射源的特性有關(guān)在

16、近場區(qū)，孔洞的泄漏還與輻射源的特性有關(guān) 若若 ZC （7.9/Df）（電場源）：）（電場源）： SE = 48 + 20lg ZC 20lg l f + 20lg ( 1 + 2.3lg (l/h) ) 若若 ZC （7.9/Df）（磁場源）（磁場源） SE = 20lg ( D/l) + 20lg (1 + 2.3lg (l/h) )u ZC = 輻射源的阻抗（輻射源的阻抗（ ），），D = 孔到源的距離（孔到源的距離（m），）， l，h = 孔，洞孔，洞(mm），），f = 電磁波的頻率（電磁波的頻率（MHz）p 當(dāng)電場源時(shí)，孔洞的泄漏比遠(yuǎn)場時(shí)?。ㄆ帘涡茌^高），而當(dāng)當(dāng)電場源時(shí)，孔洞的泄漏

17、比遠(yuǎn)場時(shí)小（屏蔽效能較高），而當(dāng)磁場源時(shí)，孔洞磁場源時(shí)，孔洞 的泄漏比遠(yuǎn)場時(shí)要大（屏蔽效能較低）的泄漏比遠(yuǎn)場時(shí)要大（屏蔽效能較低）.（注意：對(duì)于磁場源，屏效與頻率無關(guān)！危害更大?。┳⒁猓簩?duì)于磁場源，屏效與頻率無關(guān)！危害更大?。?Dlh22 縫隙的泄漏縫隙的泄漏高頻起主要作用高頻起主要作用低頻起主要作用低頻起主要作用屏屏蔽蔽體體的的導(dǎo)導(dǎo)電電連連續(xù)續(xù)問問題題影響電阻，影響電阻，電容電容的因素：的因素：p 接觸面積（接觸點(diǎn)數(shù)）、接觸面的材料、接觸面的清潔程度、接觸面上的壓接觸面積（接觸點(diǎn)數(shù)）、接觸面的材料、接觸面的清潔程度、接觸面上的壓 力、氧化腐蝕等力、氧化腐蝕等。n 兩個(gè)表面之間的距離越近，相對(duì)

18、的面積越大，則電容越大兩個(gè)表面之間的距離越近，相對(duì)的面積越大，則電容越大 。 縫隙的阻抗越小，電磁泄漏越小，屏蔽效能越高（電容變?。┳饔每赡芟喾?，整體上，（電容變小）作用可能相反，整體上，高頻時(shí)高頻時(shí)電磁泄漏較大電磁泄漏較大h=0 的情況的情況縫隙23縫隙的處理縫隙的處理電磁密封襯墊縫隙n 減小減小縫隙電磁泄漏的基本思路：縫隙電磁泄漏的基本思路：減小減小縫隙的阻抗（增加導(dǎo)電接觸點(diǎn)、加縫隙的阻抗（增加導(dǎo)電接觸點(diǎn)、加大兩塊金屬板之間的重疊面積、減小縫隙的寬度）大兩塊金屬板之間的重疊面積、減小縫隙的寬度）。方法：增加接觸面的平整度，增加緊固件（螺釘、鉚釘）的密度，方法：增加接觸面的平整度，增加緊固件

19、（螺釘、鉚釘）的密度，方法：方法：使用電磁密封襯墊，電磁密封襯墊是一種彈性的導(dǎo)電材料。使用電磁密封襯墊，電磁密封襯墊是一種彈性的導(dǎo)電材料。24電磁密封襯墊的種類n 金屬絲網(wǎng)襯墊n 導(dǎo)電橡膠n 指形簧片n 螺旋管襯墊25襯墊種類襯墊種類優(yōu)點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)缺點(diǎn)適用場合適用場合導(dǎo)電橡膠導(dǎo)電橡膠同時(shí)具有環(huán)境密封同時(shí)具有環(huán)境密封和電磁密封作用，和電磁密封作用，高頻屏蔽效能高高頻屏蔽效能高需要的壓力大，需要的壓力大，價(jià)格高價(jià)格高需要環(huán)境密封和較高屏需要環(huán)境密封和較高屏蔽效能的場合蔽效能的場合金屬絲網(wǎng)金屬絲網(wǎng)條條成本低，不易損壞成本低，不易損壞 高頻屏蔽效能，高頻屏蔽效能，適合適合1GHz以上以上的場合沒有環(huán)境的

20、場合沒有環(huán)境密封作用密封作用干擾頻率為干擾頻率為1GHz以下以下的場合的場合指形簧片指形簧片屏蔽效能高允許滑屏蔽效能高允許滑動(dòng)接觸形變范圍大動(dòng)接觸形變范圍大 價(jià)格高沒有環(huán)境價(jià)格高沒有環(huán)境密封作用密封作用有滑動(dòng)接觸的場合屏蔽有滑動(dòng)接觸的場合屏蔽性能要求較高的場合性能要求較高的場合p 導(dǎo)電橡膠：導(dǎo)電橡膠：在硅橡膠內(nèi)填充占總重量在硅橡膠內(nèi)填充占總重量70 80比例的金屬顆粒，如銀粉、比例的金屬顆粒，如銀粉、銅粉、鋁粉、鍍銀銅粉、鍍銀鋁粉、鍍銀玻璃球等。這種材料保留一部分硅銅粉、鋁粉、鍍銀銅粉、鍍銀鋁粉、鍍銀玻璃球等。這種材料保留一部分硅橡膠良好彈性的特性，同時(shí)具有較好的導(dǎo)電性。橡膠良好彈性的特性，同

21、時(shí)具有較好的導(dǎo)電性。 26螺旋管螺旋管屏蔽效能高，屏蔽效能高，價(jià)格低價(jià)格低, 復(fù)合型復(fù)合型能同時(shí)提供環(huán)能同時(shí)提供環(huán)境密封和電磁境密封和電磁密封密封 過量壓縮時(shí)容易過量壓縮時(shí)容易損壞損壞屏蔽性能要求高的場合屏蔽性能要求高的場合有良好壓縮限位的場合有良好壓縮限位的場合需要環(huán)境密封和很高屏蔽需要環(huán)境密封和很高屏蔽效能的場合效能的場合多重導(dǎo)電橡多重導(dǎo)電橡膠膠彈性好彈性好 ，價(jià)格，價(jià)格低，低， 可以提供可以提供環(huán)境密封環(huán)境密封 表層導(dǎo)電層較薄，表層導(dǎo)電層較薄，在反復(fù)磨擦的場在反復(fù)磨擦的場合容易脫落合容易脫落需要環(huán)境密封和一般屏蔽需要環(huán)境密封和一般屏蔽性能的場合不能提供較大性能的場合不能提供較大壓力的場合

22、壓力的場合導(dǎo)電布襯墊導(dǎo)電布襯墊柔軟，需要壓柔軟，需要壓力小力小 價(jià)格低價(jià)格低 濕熱環(huán)境中容易濕熱環(huán)境中容易損壞損壞不能提供較大壓力的場合不能提供較大壓力的場合27 電磁密封襯墊的主要參數(shù)電磁密封襯墊的主要參數(shù) 屏蔽效能 (關(guān)系到總體屏蔽效能) 回彈力（關(guān)系到蓋板的剛度和螺釘間距） 最小密封壓力（關(guān)系到最小壓縮量）最大形變量（關(guān)系到最大壓縮量） 壓縮永久形變（關(guān)系到允許蓋板開關(guān)次數(shù)） 電化學(xué)相容性（關(guān)系到屏蔽效能的穩(wěn)定性）28 電磁密封襯墊的安裝方法絕緣漆環(huán)境密封29截止波導(dǎo)管截止波導(dǎo)管損損耗耗頻率fc截止頻率截止頻率頻率高的電磁波能通過波導(dǎo)管，頻率低的電磁波損頻率高的電磁波能通過波導(dǎo)管，頻率低

23、的電磁波損耗很大！工作在截止區(qū)的波導(dǎo)管叫截止波導(dǎo)。耗很大！工作在截止區(qū)的波導(dǎo)管叫截止波導(dǎo)。截止區(qū)30 截止波導(dǎo)管的屏效截止波導(dǎo)管的屏效截止波導(dǎo)管 屏蔽效能=反射損耗：遠(yuǎn)場區(qū)計(jì)算公式,近場區(qū)計(jì)算公式+吸收損耗：吸收損耗：與截止頻率有關(guān)孔洞計(jì)算屏蔽效能公式，孔洞計(jì)算屏蔽效能公式，前述前述波導(dǎo)壁面吸收損失波導(dǎo)壁面吸收損失 屏蔽效能明顯屏蔽效能明顯31 截止波導(dǎo)管的損耗截止波導(dǎo)管的損耗 不同金屬的截止波導(dǎo)管的損耗。不同金屬的截止波導(dǎo)管的損耗。 同樣情況下，波導(dǎo)越長，壁面吸收損失越大，屏蔽效能越好同樣情況下，波導(dǎo)越長，壁面吸收損失越大，屏蔽效能越好32 圓柱波導(dǎo)較好，但不易組合圓柱波導(dǎo)較好，但不易組合孔的尺度較大時(shí)，截止頻率低，大于截止頻率的干擾無法屏蔽孔的尺度較大時(shí)，截止頻率低，大于截止頻率的干擾無法屏蔽 33 通風(fēng)口的處理穿孔金屬板截止波導(dǎo)通風(fēng)板p 多個(gè)小孔構(gòu)成的孔陣代替