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文檔簡介

1、、填空題(28)1、我們公司主要使用的太陽能電池材料是單晶硅。2、化學清洗中HCL的作用去除金屬離子。3、我們公司生產(chǎn)的單晶硅片是 N型還是P型硅_P型一4、制絨的目的是:去除表面污垢和金屬雜質、去除硅片表面的損傷層、增加PN結的表面積、形成絨面減少反射增強陽光的吸收。5、制絨工藝化學反應方程式 _SI+NAO+ NA2SIO3+H26、去 PSGT藝化學總方程式 _SIO2+HAH2SIF6+H2O_。7、硅片在切割的過程中所造成的損傷層約10um左右。8、制絨工藝主要控制點減薄量、反射率、外觀、絨面成活率 。9、單晶制絨是利用晶體硅的 100_、111 不同晶向在堿溶液中進 行各向異性 腐

2、蝕的特性。10、擴散過程中應用氣體 N2、02、小N 。11、擴散在電池片上主要目的是形成一層PN結。12、進入擴散間必須經(jīng)過 二次風淋,穿戴好 潔凈服 、靜電鞋、口罩、乳 膠手套。13、擴散方塊電阻不均勻度010%,同一硅片擴散方塊電阻不均勻度<5%.。14、檢測方塊電阻用到 四探針 儀器、測試時擴散面向上 。15、清洗石英器件所需要的化學品HF 、 HCL2 ,清洗時應戴好積防毒面具,防酸服,戴好乳膠手套、防酸長手套。16、POC13在高溫下(>600 C)分解的反應式為 _(5POCL3> 600 3PCL5+ P205),其中生成的P205s擴散溫度下與硅反應式為 (

3、2P2O5+5Si=5SiO2+4P),在有氧氣的存在時,P0C13熱分解的反應式為(POCL3+O2=2 P205+6CL2)17、PECVD勺中文名稱: 等離子體增強化學氣相沉積 。18、PECVDt膜方式有直接式、間接式兩種。19、鍍減反射膜需要用到 SIH4、NH3 N2、壓縮空氣 四種氣體。20、鍍膜是以 膜厚、折射率 兩個參數(shù)為工藝依據(jù),影響鍍膜質量的有:管內(nèi)特氣流量比、壓強、功率、時間(或傳輸速度)、溫度。21、PECVDS橢偏儀儀器來檢測其質量的好壞。22、絲網(wǎng)印刷機的壓縮空氣壓強要求0.6 0.8MPa ,真空壓強要求 -0.65-0.7MPa24、絲網(wǎng)印刷有 五大要素組成,

4、分別是 絲網(wǎng)、刮刀、漿料、工作臺以及基片25、絲網(wǎng)印刷添加漿料必須遵守少量多次26、燒結爐的作用是 烘干漿料,去除漿料中的有機成分;提高電池片的開路電壓和填充因子,使其具有電阻特性;通過高溫燒結,使上下電極形成良好的歐姆接觸;提高電池片的轉換效率。27、燒結爐的流程有上料區(qū)、烘干區(qū)、(預、主)燒結區(qū)、回溫區(qū)(冷卻區(qū))、下料區(qū)28、燒結爐的關機步驟需要注意的是爐溫降到200度以下時,才可以停 止傳送帶光譜分布29、測試條件要求光強1000 ± 50W/m2、溫度 25±20CAM1.5 。二、選擇題(12)1、清洗間所涉及的化學品有( ABCD )A氫氧化鈉B 氫氟酸 C鹽酸

5、 D硝酸SiF4D 串聯(lián)電正方形2、磷硅玻璃是有( BC )組成A CF4 B SiO2C磷 D3、刻蝕工藝會影響電池片的哪項電性能? (A )A并聯(lián)電阻B 開路電壓 C短路電流阻4、下列方程式中屬于刻蝕工藝的是( C )A SiF4+2HF f H2SiF6B CF4+SiO2> SiF4+CO2 tC CF4+SiO2 +O2> SiF4+CO21D SiO2+4HF> SiF4+2H2O5、單晶絨面呈( B )形。A 三角形 B金字塔形C 圓形 D6、擴散潔凈度要求是C。A 10 萬級 B 100 萬級 C 1 萬級 D 1000 萬級7、電阻測試 C 個點A 4 B

6、3 C 5 D 68、硅片擴散工藝結束后應抽取A 片來檢測B 6 C 3 D 49、POC13是一種 _D液體。A 白色 B 紅色 C10、減反射膜的化學式是。( A )A、3SiH4+4NH3=Si3N4+12HBC. Si+NaOH=Na2SiO3+H2D. H11、電池片鍍膜的厚度是利用光學中的A、光程差。B、C、相消干涉D、浮白色D 無色、CF+Si+O2=SiF4+CO2+O=HO原理來減少反射。(C )相長干涉光的衍射12、電池片SiNx: H薄膜鍍膜厚度和折射率一般控制在( B )A、65nm, 1.8 1.9B. 75+5nm, 2.0_2.160nm, 2.5-2.6網(wǎng)版上升

7、速度回刮漿料速度絲網(wǎng)間距壓力印刷速度( x )C. 85+5nm, 2.2-2.3 D. 503 .連線題(3分)Snap-offPrinting speed 'Pressure 二;''二二、Speed upwardFlood speed4 .判斷題(5分)1 .在操作過程中可以裸手拿取硅片2 .絲網(wǎng)間距的調整原則是:在保證印刷質量的前提下,網(wǎng)板間距越大越好3 . 背電場印刷、背電極印刷和正電極印刷使用了三種不同的漿料,使用過程中要嚴格區(qū)分開,杜絕混用現(xiàn)象出現(xiàn)。( V )4 .烘箱的工藝數(shù)和燒結的工藝參數(shù)不允許隨意更改。( V )5 .直視測試儀閃光燈對人眼傷害的危險

8、。(V )五、問答題(52 分)1、寫出太陽能電池片產(chǎn)業(yè)鏈的分布流程?答:太陽能級硅材料“硅棒和硅片“電池片"組件”系統(tǒng)和應用2、寫出太陽能電池片的生產(chǎn)工藝制造過程?PECVD答:來料檢驗清洗制絨面擴散(制 P/N 結)(周邊)刻蝕(鍍減反射膜)絲網(wǎng)印刷(正負電極)燒結分類檢測包裝入庫3、刻蝕及去PSG的目的?答:刻蝕的目的:去除邊緣的 PN結,防止上下短路而造成的并聯(lián)電阻低。去PSG的目的:去除硅片表面含有磷原子的SIO2層。4、 邊緣刻蝕冷熱探針的工作原理?答:熱探針和N 型半導體接觸時,傳導電子將流向溫度較低的區(qū)域,使得熱探針處電子缺少,因而其電勢相對于同一材料上的室溫觸點而言

9、將是正的。同樣道理, P 型半導體熱探針觸點相對于室溫觸點而言將是負的。此電勢差可以用簡單的微伏表測量。5、分別寫出刻蝕及去PSG勺工藝控制流程?答:刻蝕的流程; 預抽,主抽,送氣,輝光,清洗,預抽,主抽,充氣去PSG的流程:酸洗(HF),溢流水洗,噴淋,甩干6、簡述太陽能電池片制造 PECVD勺目的及原理?答:目的:在太陽電池表面沉積深藍色減反膜-SiN膜。PECVD1術原理:是利用低溫等離子體作能量源,樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預定的溫度,然后通入適量的反應氣體,氣體經(jīng)一系列化學反應和等離子體反應,在樣品表面形成固態(tài)薄膜。7、 什么是等離子體

10、?答:等離子體:由于物質分子熱運動加劇,相互間的碰撞就會使氣體分子產(chǎn)生電離,這樣物質就會變成自由運動并由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。8、 磷源更換操作流程是什么?泄露應該怎么處理?答: 源瓶更換的標準操作過程依次關閉進氣閥門、出氣閥門,拔出連接管道,更換源瓶,連接管道,打開出氣閥門、進氣閥門。液態(tài)源外溢了,要立即擦拭干凈,并暫停工藝運行,仔細檢查源瓶是否有破損。對泄漏物處理必須戴好防毒面具和手套。液體泄漏用沙土混和, 倒至大量水中以稀釋。沾染皮膚時, 要先用紙、棉花將液體吸去,然后再用清水沖至少15分鐘。如用水過少,會在皮膚形成磷酸引起灼傷,按酸灼傷處理。9、 擴散間生產(chǎn)流程

11、及返工流程是什么?操作時應注意哪些事項?答:生產(chǎn)流程:開機”對硅片自檢“檢查石英舟"插片"上漿"運行工藝”卸片“測方塊電阻“返工片和碎片處理“流程卡填寫返工流程:來料時檢出不合格的片源”制絨,擴散時中途故障導致“清洗間”擴散間”反面擴散。在生產(chǎn)操作時嚴禁裸手接觸硅片,拿各種石英器件要輕拿輕放,工藝在運行時, 時刻檢查氣體流量、溫度、時間、設備是否有異常。10、分別寫出絲網(wǎng)印刷背極、背場、正極的目的、作用和使用的漿料以及烘箱的作用?答:目的 背電極一在太陽電池背面絲網(wǎng)印刷印上引出電極背電場一通過燒結穿透背面 PN結,和P型硅形成良好的歐姆接觸。正電極一在太陽電池正面

12、絲網(wǎng)印刷銀漿形成正電極作用背電極一易于焊接背電場一收集載流子正電極一收集電流漿料 背電極一銀鋁漿 背電場一鋁漿正電極一銀漿烘箱的作用- 烘干漿料,去除漿料中的有機物,便于下一道印刷11、絲網(wǎng)印刷常見的問題有哪些 ?分別寫出產(chǎn)生的原因及解決方法?(至少寫出5 個問題)故障現(xiàn)象造成原因解決方法粘板絲網(wǎng)間距太小加大絲網(wǎng)間距印刷刮條不平檢查刮條的平整度硅片有厚薄不均檢查來料網(wǎng)板張力太小更換網(wǎng)板絲網(wǎng)刮不干凈增大刮條下降深度和印刷壓力真空吸力太小調大真空吸力漿料粘稠度太人攪拌時間太長減少攪拌時間漿料在網(wǎng)板內(nèi)停經(jīng)常用刮漿板刮漿料留時間過長加完漿料未及時蓋上蓋子,導致有機溶劑揮發(fā)加完漿料后及時蓋上蓋子印刷偏移

13、設備故障通知設備維修更換新的網(wǎng)板后沒有校準相機從新校準相機X/Y/Z軸或角度發(fā)生偏移調整X/Y/Z軸使得網(wǎng)板印刷圖形與硅片四邊完全對稱。漏漿網(wǎng)板微破且不影響圖形用薄膠帶粘住漏漿部位印刷偏移見上面(印刷偏移解決方法)Working Beam 上定位卡 口處有漿料用干凈的酒精布擦拭干凈網(wǎng)板破壞嚴重無法用膠帶粘住更換網(wǎng)板隱裂臺面上啟碎屑停機,清理碎屑網(wǎng)板上沾啟碎屑用干凈的無塵布將網(wǎng)板擦拭干凈壓力偏大降低壓力實際壓力比設定壓力大出很多刮力高度上升虛印印刷參數(shù)不適宜抬高絲網(wǎng)間距,適當加大壓力刮條不平更換刮條網(wǎng)板使用時間太長更換網(wǎng)板印刷模糊網(wǎng)板及刮條高度太高降低網(wǎng)板及刮條高度或降低電機身度硅片厚度不均勻檢查來料臺面小平更換襯紙或調整臺面絲網(wǎng)間距太小增大絲網(wǎng)間距刮條不平更換刮條12、分類檢測的電性能參數(shù)有哪些 ?分別是什么意思?(至少8個)I sc:在某特定溫度和輻射度條件下,光伏發(fā)電器在短路狀態(tài)下的輸出電流;Uoc:在某特定的溫度和輻射度下,光伏發(fā)電器在無負載(即開路)狀態(tài)下的端電壓Pmax在I-V曲線上電流和電壓乘積為最大的點所表示的功率Vmp對應最大功率點的電壓I mp:對應最大功率點的電流Rs:系指太陽電池內(nèi)部的與 P-N結 串聯(lián)的電阻,它是由半導體材料體電阻、薄層電阻、電極接觸電阻等組成Rsh:系指

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