半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，摻入Si中需要接受電子 3. Acid：酸 4. Active device：有源器件，如MOS FET（非線(xiàn)性，可以對(duì)信號(hào)放大） 5. Align mark(key)：對(duì)位標(biāo)記 6. Alloy：合金 7. Aluminum：鋁 8. Ammonia：氨水 9. Ammonium fluoride：NH4F 10. Ammonium hydroxide：NH4OH 11. Amorphous silicon：-Si，非晶硅

2、（不是多晶硅） 12. Analog：模擬的 13. Angstrom：A（1E-10m）埃 14. Anisotropic：各向異性（如POLY ETCH） 15. AQL(Acceptance Quality Level)：接受質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，在一定采樣下，可以95%置信度通過(guò)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)（不同于可靠性，可靠性要求一定時(shí)間后的失效率） 16. ARC(Antireflective coating)：抗反射層（用于METAL等層的光刻） 17. Argon(Ar)氬 18. Arsenic(As)砷 19. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 20. Arsine(AsH3) 2

3、1. Asher：去膠機(jī) 22. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、寬度比） 23. Autodoping：自攙雜（外延時(shí)SUB的濃度高，導(dǎo)致有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回?fù)降酵庋訉樱?24. Back end：后段（CONTACT以后、PCM測(cè)試前） 25. Baseline：標(biāo)準(zhǔn)流程 26. Benchmark：基準(zhǔn) 27. Bipolar：雙極 28. Boat：擴(kuò)散用（石英）舟 29. CD： （Critical Dimension）臨界（關(guān)鍵）尺寸。在工藝上通常指條寬，例如POLY CD 為多晶條寬。 30. Character window：特征窗口。用文字或數(shù)字描

4、述的包含工藝所有特性的一個(gè)方形區(qū)域。 31. Chemical-mechanical polish（CMP）：化學(xué)機(jī)械拋光法。一種去掉圓片表面某種物質(zhì)的方法。 32. Chemical vapor deposition（CVD）：化學(xué)汽相淀積。一種通過(guò)化學(xué)反應(yīng)生成一層薄膜的工藝。 33. Chip：碎片或芯片。 34. CIM：computer-integrated manufacturing的縮寫(xiě)。用計(jì)算機(jī)控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。 35. Circuit design ：電路設(shè)計(jì)。一種將各種元器件連接起來(lái)實(shí)現(xiàn)一定功能的技術(shù)。 36. Cleanroom：一種在溫度，濕度和潔凈度方面

5、都需要滿(mǎn)足某些特殊要求的特定區(qū)域。 37. Compensation doping：補(bǔ)償摻雜。向P型半導(dǎo)體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。 38. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的縮寫(xiě)。一種將PMOS和NMOS在同一個(gè)硅襯底上混合制造的工藝。 39. Computer-aided design（CAD）：計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)。 40. Conductivity type：傳導(dǎo)類(lèi)型，由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在P型材料中多數(shù)載流子是空穴。 41. Contact：孔。在工藝中通常指孔1，即連接鋁和硅的孔。 42. Con

6、trol chart：控制圖。一種用統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝某種性質(zhì)的曲線(xiàn)圖表。 43. Correlation：相關(guān)性。 44. Cp：工藝能力，詳見(jiàn)process capability。 45. Cpk：工藝能力指數(shù)，詳見(jiàn)process capability index。 46. Cycle time：圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時(shí)間。通常用來(lái)衡量流通速度的快慢。 47. Damage：損傷。對(duì)于單晶體來(lái)說(shuō)，有時(shí)晶格缺陷在表面處理后形成無(wú)法修復(fù)的變形也可以叫做損傷。 48. Defect density：缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。 49. Depletion implant：

7、耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。（耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過(guò)的晶體管。） 50. Depletion layer：耗盡層?？蓜?dòng)載流子密度遠(yuǎn)低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。 51. Depletion width：耗盡寬度。53中提到的耗盡層這個(gè)區(qū)域的寬度。 52. Deposition：淀積。一種在圓片上淀積一定厚度的且不和下面層次發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的薄膜的一種方法。 53. Depth of focus（DOF）：焦深。 54. design of experiments (DOE)：為了達(dá)到費(fèi)用最小化、降低試驗(yàn)錯(cuò)誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果的統(tǒng)計(jì)合理性等目的，所

8、設(shè)計(jì)的初始工程批試驗(yàn)計(jì)劃。 55. develop：顯影（通過(guò)化學(xué)處理除去曝光區(qū)域的光刻膠，形成所需圖形的過(guò)程） 56. developer：）顯影設(shè)備； ）顯影液 57. die：硅片中一個(gè)很小的單位，包括了設(shè)計(jì)完整的單個(gè)芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域。 58. dielectric：）介質(zhì)，一種絕緣材料； ）用于陶瓷或塑料封裝的表面材料，可以提供電絕緣功能。 59. diffused layer：擴(kuò)散層，即雜質(zhì)離子通過(guò)固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入單晶硅中，在臨近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層。 60. drive-in：推阱，指運(yùn)用高溫過(guò)程使雜質(zhì)在硅片中分布擴(kuò)散。 61. d

9、ry etch：干刻，指采用反應(yīng)氣體或電離氣體除去硅片某一層次中未受保護(hù)區(qū)域的混合了物理腐蝕及化學(xué)腐蝕的工藝過(guò)程。 62. effective layer thickness：有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范圍內(nèi)的硅錠前端的深度。 63. EM：electromigration，電子遷移，指由通過(guò)鋁條的電流導(dǎo)致電子沿鋁條連線(xiàn)進(jìn)行的自擴(kuò)散過(guò)程。 64. epitaxial layer：外延層。半導(dǎo)體技術(shù)中，在決定晶向的基質(zhì)襯底上生長(zhǎng)一層單晶半導(dǎo) 體材料，這一單晶半導(dǎo)體層即為外延層。 65. equipment downtime：設(shè)備狀態(tài)異常以及不能完成預(yù)定功能的時(shí)間。 66. et

10、ch：腐蝕，運(yùn)用物理或化學(xué)方法有選擇的去除不需的區(qū)域。 67. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他輻射材料照射的過(guò)程。 68. fab：常指半導(dǎo)體生產(chǎn)的制造工廠(chǎng)。 69. feature size：特征尺寸，指單個(gè)圖形的最小物理尺寸。 70. field-effect transistor（FET）：場(chǎng)效應(yīng)管。包含源、漏、柵、襯四端，由源經(jīng)柵到漏的多子流驅(qū)動(dòng)而工作，多子流由柵下的橫向電場(chǎng)控制。 71. film：薄膜，圓片上的一層或多層迭加的物質(zhì)。 72. flat：平邊 73. flow velocity：流速計(jì) 74. flow volume：流量計(jì) 75. flux：?jiǎn)挝粫r(shí)間

11、內(nèi)流過(guò)給定面積的顆粒數(shù) 76. forbidden energy gap：禁帶 77. four-point probe：四點(diǎn)探針臺(tái) 78. functional area：功能區(qū) 79. gate oxide：柵氧 80. glass transition temperature：玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度 81. gowning：凈化服 82. gray area：灰區(qū) 83. grazing incidence interferometer：切線(xiàn)入射干涉儀 84. hard bake：后烘 85. heteroepitaxy：?jiǎn)尉чL(zhǎng)在不同材料的襯底上的外延方法 86. high-current im

12、planter：束電流大于3ma的注入方式，用于批量生產(chǎn) 87. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空氣顆粒過(guò)濾器，去掉99.97%的大于0.3um的顆粒 88. host：主機(jī) 89. hot carriers：熱載流子 90. hydrophilic：親水性 91. hydrophobic：疏水性 92. impurity：雜質(zhì) 93. inductive coupled plasma(ICP)：感應(yīng)等離子體 94. inert gas：惰性氣體 95. initial oxide：一氧 96. insulator：絕緣 97.

13、 isolated line：隔離線(xiàn) 98. implant : 注入 99. impurity n : 摻雜 100. junction : 結(jié) 101. junction spiking n :鋁穿刺 102. kerf :劃片槽 103. landing pad n :PAD 104. lithography n 制版 105. maintainability, equipment : 設(shè)備產(chǎn)能 106. maintenance n :保養(yǎng) 107. majority carrier n :多數(shù)載流子 108. masks, device series of n : 一成套光刻版 109

14、. material n :原料 110. matrix n 1 :矩陣 111. mean n : 平均值 112. measured leak rate n :測(cè)得漏率 113. median n :中間值 114. memory n : 記憶體 115. metal n :金屬 116. nanometer (nm) n ：納米 117. nanosecond (ns) n ：納秒 118. nitride etch n ：氮化物刻蝕 119. nitrogen (N2 ) n： 氮?dú)?，一種雙原子氣體 120. n-type adj ：n型 121. ohms per square n：

15、歐姆每平方: 方塊電阻 122. orientation n： 晶向，一組晶列所指的方向 123. overlap n ： 交迭區(qū) 124. oxidation n ：氧化，高溫下氧氣或水蒸氣與硅進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng) 125. phosphorus (P) n ：磷 ，一種有毒的非金屬元素 126. photomask n ：光刻版，用于光刻的版 127. photomask, negative n：反刻 128. images：去掉圖形區(qū)域的版 129. photomask, positive n：正刻 130. pilot n ：先行批，用以驗(yàn)證該工藝是否符合規(guī)格的片子 131. plasma

16、n ：等離子體，用于去膠、刻蝕或淀積的電離氣體 132. plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n： 等離子體化學(xué)氣相淀積，低溫條件下的等離子淀積工藝 133. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀積，淀積TEOS的一種工藝 134. pn junction n：pn結(jié) 135. pocked bead n：麻點(diǎn)，在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠 136. polarization n：偏振，描述電磁波下電場(chǎng)矢量方向的術(shù)語(yǔ) 137. polycide n：多晶硅 /金屬硅化

17、物， 解決高阻的復(fù)合柵結(jié)構(gòu) 138. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高濃度摻雜（>5E19）的硅，能導(dǎo)電。 139. polymorphism n：多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形態(tài)結(jié)晶的現(xiàn)象 140. prober n :探針。在集成電路的電流測(cè)試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和檢測(cè)設(shè)備。 141. process control n :過(guò)程控制。半導(dǎo)體制造過(guò)程中，對(duì)設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。 142. proximity X-ray n :近X射線(xiàn)：一種光刻技術(shù)，用X射線(xiàn)照射置于光刻膠上方的掩 膜版，從而使對(duì)應(yīng)的光刻膠暴光。

18、143. pure water n : 純水。半導(dǎo)體生產(chǎn)中所用之水。 144. quantum device n :量子設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動(dòng)性。 145. quartz carrier n :石英舟。 146. random access memory (RAM) n :隨機(jī)存儲(chǔ)器。 147. random logic device n :隨機(jī)邏輯器件。 148. rapid thermal processing (RTP) n :快速熱處理(RTP)。 149. reactive ion etch (RIE) n : 反應(yīng)離子刻蝕(RIE)。 150. reactor

19、 n :反應(yīng)腔。反應(yīng)進(jìn)行的密封隔離腔。 151. recipe n :菜單。生產(chǎn)過(guò)程中對(duì)圓片所做的每一步處理規(guī)范。 152. resist n :光刻膠。 153. scanning electron microscope (SEM) n :電子顯微鏡(SEM)。 154. scheduled downtime n : (設(shè)備)預(yù)定停工時(shí)間。 155. Schottky barrier diodes n :肖特基二極管。 156. scribe line n :劃片槽。 157. sacrificial etchback n :犧牲腐蝕。 158. semiconductor n :半導(dǎo)體。電

20、導(dǎo)性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的元素。 159. sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄層電阻。一般用以衡量半導(dǎo)體表面雜質(zhì)摻雜水平。 160. side load: 邊緣載荷，被彎曲后產(chǎn)生的應(yīng)力。 161. silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer:外延是藍(lán)寶石襯底硅的原片 162. small scale integration(SSI):小規(guī)模綜合，在單一模塊上由2到10個(gè)圖案的布局。 174. spin webbing: 旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過(guò)程中在下表面形成的細(xì)絲狀的剩余物。 175. sputter etch:

21、濺射刻蝕，從離子轟擊產(chǎn)生的表面除去薄膜。 176. stacking fault:堆垛層錯(cuò)，原子普通堆積規(guī)律的背離產(chǎn)生的2次空間錯(cuò)誤。 177. steam bath:蒸汽浴，一個(gè)大氣壓下，流動(dòng)蒸汽或其他溫度熱源的暴光。 178. step response time:瞬態(tài)特性時(shí)間，大多數(shù)流量控制器實(shí)驗(yàn)中，普通變化時(shí)段到氣流剛 到達(dá)特定地帶的那個(gè)時(shí)刻之間的時(shí)間。 179. stepper: 步進(jìn)光刻機(jī)（按BLOCK來(lái)曝光） 180. stress test: 應(yīng)力測(cè)試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件。 181. surface profile:表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓（沒(méi)有特指的

22、情況下）。 182. symptom:征兆，人員感覺(jué)到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀認(rèn)識(shí)。 183. tack weld:間斷焊，通常在角落上尋找預(yù)先有的地點(diǎn)進(jìn)行的點(diǎn)焊（用于連接蓋子）。 184. Taylor tray:泰勒盤(pán)，褐拈土組成的高膨脹物質(zhì)。 185. temperature cycling:溫度周期變化，測(cè)量出的重復(fù)出現(xiàn)相類(lèi)似的高低溫循環(huán)。 186. testability:易測(cè)性，對(duì)于一個(gè)已給電路來(lái)說(shuō)，哪些測(cè)試是適用它的。 187. thermal deposition:熱沉積，在超過(guò)950度的高溫下，硅片引入化學(xué)摻雜物的過(guò)程。 188. thin film:超薄薄膜，堆積在

23、原片表面的用于傳導(dǎo)或絕緣的一層特殊薄膜。 189. titanium(Ti): 鈦。 190. toluene(C6H5CH3): 甲苯。有毒、無(wú)色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。 191. 1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3): 有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態(tài)溶劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。 192. tungsten(W): 鎢。 193. tungsten hexafluoride(WF6): 氟化鎢。無(wú)色無(wú)味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中WF6用于淀積硅化物，也可用于鎢傳導(dǎo)的薄膜。 194. tinning: 金屬性表面覆蓋焊點(diǎn)

24、的薄層。 195. total fixed charge density(Nth): 下列是硅表面不可動(dòng)電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度(Nf)、氧化層俘獲的電荷的密度(Not)、界面負(fù)獲得電荷密度(Nit)。 196. watt(W): 瓦。能量單位。 197. wafer flat: 從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導(dǎo)電類(lèi)型和晶體表面的晶向，也可用于在處理和雕合過(guò)程中的排列晶片。 198. wafer process chamber(WPC): 對(duì)晶片進(jìn)行工藝的腔體。 199. well: 阱。 200. wet chemical etch: 濕法化學(xué)腐蝕。 201. tre

25、nch: 深腐蝕區(qū)域，用于從另一區(qū)域隔離出一個(gè)區(qū)域或者在硅晶片上形成存儲(chǔ)電容器。 202. via: 通孔。使隔著電介質(zhì)的上下兩層金屬實(shí)現(xiàn)電連接。 203. window: 在隔離晶片中，允許上下兩層實(shí)現(xiàn)電連接的絕緣的通道。 204. torr : 托。壓力的單位。 205. vapor pressure: 當(dāng)固體或液體處于平衡態(tài)時(shí)自己擁有的蒸汽所施加的壓力。蒸汽壓力是與物質(zhì)和溫度有關(guān)的函數(shù)。 206. vacuum: 真空。 207. transition metals: 過(guò)渡金屬 4. ADI After develop inspection顯影后檢視 5. AEI 蝕科后檢查 6. Al

26、ignment 排成一直線(xiàn)，對(duì)平 7. Alloy 融合：電壓與電流成線(xiàn)性關(guān)系，降低接觸的阻值 8. ARC： anti-reflect coating 防反射層 9. ASHER: 一種干法刻蝕方式 10. ASI 光阻去除后檢查 11. Backside 晶片背面 12. Backside Etch 背面蝕刻 13. Beam-Current 電子束電流 14. BPSG: 含有硼磷的硅玻璃 15. Break 中斷，stepper機(jī)臺(tái)內(nèi)中途停止鍵 16. Cassette 裝晶片的晶舟 17. CD：critical dimension 關(guān)鍵性尺寸 18. Chamber 反應(yīng)室 19.

27、 Chart 圖表 20. Child lot 子批 21. Chip (die) 晶粒 22. CMP 化學(xué)機(jī)械研磨 23. Coater 光阻覆蓋（機(jī)臺(tái)） 24. Coating 涂布，光阻覆蓋 25. Contact Hole 接觸窗 26. Control Wafer 控片 27. Critical layer 重要層 28. CVD 化學(xué)氣相淀積 29. Cycle time 生產(chǎn)周期 30. Defect 缺陷 31. DEP: deposit 淀積 32. Descum 預(yù)處理 33. Developer 顯影液；顯影（機(jī)臺(tái)） 34. Development 顯影 35. DG:

28、 dual gate 雙門(mén) 36. DI water 去離子水 37. Diffusion 擴(kuò)散 38. Doping 摻雜 39. Dose 劑量 40. Downgrade 降級(jí) 41. DRC: design rule check 設(shè)計(jì)規(guī)則檢查 專(zhuān)心-專(zhuān)注-專(zhuān)業(yè)42. Dry Clean 干洗 43. Due date 交期 44. Dummy wafer 擋片 45. E/R: etch rate 蝕刻速率 46. EE 設(shè)備工程師 47. End Point 蝕刻終點(diǎn) 48. ESD: electrostatic discharge/electrostatic damage 靜電離子

29、損傷 49. ET: etch 蝕刻 50. Exhaust 排氣（將管路中的空氣排除） 51. Exposure 曝光 52. FAB 工廠(chǎng) 53. FIB: focused ion beam 聚焦離子束 54. Field Oxide 場(chǎng)氧化層 55. Flatness 平坦度 56. Focus 焦距 57. Foundry 代工 58. FSG: 含有氟的硅玻璃 59. Furnace 爐管 60. GOI: gate oxide integrity 門(mén)氧化層完整性 61. H.M.D.S Hexamethyldisilazane,經(jīng)去水烘烤的晶片，將涂上一層增加光阻與晶片表面附著力的

30、化合物，稱(chēng)H.M.D.S 62. HCI: hot carrier injection 熱載流子注入 63. HDP：high density plasma 高密度等離子體 64. High-Voltage 高壓 65. Hot bake 烘烤 66. ID 辨認(rèn)，鑒定 67. Implant 植入 68. Layer 層次 69. LDD: lightly doped drain 輕摻雜漏 70. Local defocus 局部失焦因機(jī)臺(tái)或晶片造成之臟污 71. LOCOS: local oxidation of silicon 局部氧化 72. Loop 巡路 73. Lot 批 74.

31、 Mask (reticle) 光罩 75. Merge 合并 76. Metal Via 金屬接觸窗 77. MFG 制造部 78. Mid-Current 中電流 79. Module 部門(mén) 80. NIT: Si3N4 氮化硅 81. Non-critical 非重要 82. NP: n-doped plus(N+) N型重?fù)诫s 83. NW: n-doped well N阱 84. OD: oxide definition 定義氧化層 85. OM: optic microscope 光學(xué)顯微鏡 86. OOC 超出控制界線(xiàn) 87. OOS 超出規(guī)格界線(xiàn) 88. Over Etch 過(guò)

32、蝕刻 89. Over flow 溢出 90. Overlay 測(cè)量前層與本層之間曝光的準(zhǔn)確度 91. OX: SiO2 二氧化硅 92. P.R. Photo resisit 光阻 93. P1: poly 多晶硅 94. PA; passivation 鈍化層 95. Parent lot 母批 96. Particle 含塵量/微塵粒子 97. PE: 1. process engineer; 2. plasma enhance 1、工藝工程師 2、等離子體增強(qiáng) 98. PH: photo 黃光或微影 99. Pilot 實(shí)驗(yàn)的 100. Plasma 電漿 101. Pod 裝晶舟與晶

33、片的盒子 102. Polymer 聚合物 103. POR Process of record 104. PP: p-doped plus(P+) P型重?fù)诫s 105. PR: photo resist 光阻 106. PVD 物理氣相淀積 107. PW: p-doped well P阱 108. Queue time 等待時(shí)間 109. R/C: runcard 運(yùn)作卡 110. Recipe 程式 111. Release 放行 112. Resistance 電阻 113. Reticle 光罩 114. RF 射頻 115. RM: remove. 消除 116. Rotation

34、 旋轉(zhuǎn) 117. RTA: rapid thermal anneal 迅速熱退火 118. RTP: rapid thermal process 迅速熱處理 119. SA: salicide 硅化金屬 120. SAB: salicide block 硅化金屬阻止區(qū) 121. SAC: sacrifice layer 犧牲層 122. Scratch 刮傷 123. Selectivity 選擇比 124. SEM：scanning electron microscope 掃描式電子顯微鏡 125. Slot 槽位 126. Source-Head 離子源 127. SPC 制程統(tǒng)計(jì)管制 1

35、28. Spin 旋轉(zhuǎn) 129. Spin Dry 旋干 130. Sputter 濺射 131. SRO: Si rich oxide 富氧硅 132. Stocker 倉(cāng)儲(chǔ) 133. Stress 內(nèi)應(yīng)力 134. STRIP: 一種濕法刻蝕方式 135. TEOS (CH3CH2O)4Si 四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常溫下液態(tài)。作LPCVD /PECVD生長(zhǎng)SiO2的原料。又指用TEOS生長(zhǎng)得到的SiO2層。 136. Ti 鈦 137. TiN 氮化鈦 138. TM: top metal 頂層金屬層 139. TOR Tool of record 140. Under Etch 蝕刻不足 141. USG: undoped 硅玻璃 142. W (Tungsten) 鎢 143. WEE 周邊曝光 144. mainframe 主機(jī) 145. cassette 晶片盒 146. amplifier 放大器 147. enclosure 外殼 148. wrench 扳手 149. swagelok