硅表面人工微結(jié)構(gòu)模板的構(gòu)建ppt課件

1、硅表面人工微結(jié)構(gòu)模板的構(gòu)建和掃描探針顯微術(shù)觀察張昃 微電子系01級 00108179唐亮 物理01級 00104039 Instructor:張朝暉Introduction to DI Commercial Multimode SPMnThe MultiMode Scanning Probe Microscope (SPM) performs the full range of atomic force microscopy (AFM) and scanning tunneling microscopy (STM) techniques to measure surface character

2、istics like topography, elasticity, friction, adhesion, and magnetic/electrical fields. The short mechanical path length between probe tip and sample enables very fast scan rates with utmost precision.SPM Headthe most important partWorking conceptsContact Mode AFM ConceptsTapping Mode working concep

3、tsContact Mode working conceptsWorking conceptsWorking conceptsn探測鏡分為四部分：n上下兩部分的探測信號差值(A-B)作為高度信號.n n左右兩部分的探測信號差值(C-D)作為水平信號有關(guān)儀器測量精度等的討論：n測量精度取決于：n激光的對準(zhǔn)：激光束應(yīng)該盡量落在探針的尖端。n進(jìn)針時和進(jìn)針后探針的定位：z軸的原點過低或過高，超過了負(fù)反饋的調(diào)節(jié)范圍，探針無法跟蹤樣品表面的起伏；過高，還容易折斷探針。有關(guān)儀器測量精度等的討論：針尖幾何形狀造成的系統(tǒng)誤差：氮化硅和摻雜單晶硅的針尖都無法消除。有關(guān)儀器測量精度等的討論：左為用于contact

4、AFM的氮化硅針尖，右為用于TM AFM的摻雜單晶硅針尖。實驗計劃：n熟悉儀器的原理和操作，熟練使用，練習(xí)標(biāo)定幾種標(biāo)準(zhǔn)樣品和現(xiàn)有的材料表面。n刻蝕硅并且觀察刻蝕后的界面。n光刻樣品并標(biāo)定。n嘗試用AFM針尖直接氧化硅表面并標(biāo)定?；瘜W(xué)腐蝕1.用光刻或其他的方法在硅片的表面氧化層上刻出深至氧化層底部的刻槽，使硅暴露出來2.用9的KOH 溶液將經(jīng)過處理后的硅片在85攝氏度下腐蝕約5分鐘。KOH腐蝕硅但不腐蝕氧化硅，于是在硅露出部分得到所要的腐蝕溝。用去離子水清洗硅片表面。3.然后用HF溶液對硅片進(jìn)行處理，將氧化層除去，而硅不受影響實驗結(jié)果：經(jīng)過氫氟酸去除表面自然氧化層的硅100外表測量高度等參數(shù)：表

5、面由于被氫氟酸腐蝕得高低不平，高度起伏在10nm-20nm.用玻璃刀在硅100表面刻穿600nm的氧化層，先用44%KOH腐蝕,再用氫氟酸去掉表面的氧化層. 1.掃描后得到的原始數(shù)據(jù)的生成圖 2.掃描過程中,由高度信號和它的微分信號得到的圖,相當(dāng)于截面圖.3.軟件繪制的立體圖.1 23由標(biāo)尺讀取的數(shù)據(jù)：兩側(cè)面夾角：180.000deg-20.095deg-22.210deg=137.695deg接近于兩個114面的夾角141.0deg)經(jīng)過刻蝕后的平整邊沿如果以點為中心開始腐蝕，在100面上就會得到倒金字塔形狀的凹陷。（前提是起始點足夠小，否則無法得到平整的拓?fù)鋱D形。）光刻n光刻掩模法n 光刻

6、掩模法即用光刻的方法在硅表面的感光膠上刻出深達(dá)氧化硅的槽，再用硅腐蝕劑對未被感光膠遮蓋的地方進(jìn)行腐蝕，以得到所要的結(jié)構(gòu)。光刻的步驟如下步驟n在硅片表面用甩膠儀均勻的甩上一層感光膠，感光膠的厚度通過調(diào)整甩膠儀的旋轉(zhuǎn)速度來控制(6300轉(zhuǎn)/秒)n利用預(yù)先制備的模版進(jìn)行光刻，曝光和顯影的時間直接影響光刻的質(zhì)量，如時間太長則可能導(dǎo)致刻痕模糊不清，如時間過短則可能會使刻槽過淺，不能進(jìn)行下一步的化學(xué)腐蝕。經(jīng)驗上曝光60秒,顯影 20-30秒的時間是比較恰當(dāng)?shù)膎對刻槽所暴露出的氧化硅層用HF處理，得到需要的氧化硅層上的微結(jié)構(gòu)n用通常的化學(xué)腐蝕方法處理硅片，以得到硅上的微結(jié)構(gòu)n用丙酮洗去尚存的感光膠n用AFM

7、觀察表面結(jié)構(gòu)顯影定影后留下的感光膠刻蝕后形成的二氧化硅掩模在二氧化硅掩膜下腐蝕的硅Spm針尖刻蝕n1.一種是直接利用AFM針尖的硬度在氧化硅的表面刻蝕 n2.另一種方法為針尖加偏壓刻蝕，即在硅樣品和針尖之間加上10伏量級的偏壓，使樣品與針尖所對應(yīng)處加速氧化Spm針尖偏壓刻蝕222 17322 1732222244()()24422HOHOeSi O SiCHCH HOSi OH HO SiCHCHSiHOHSiOeHOOHH 樣 品 ： 陽 極針 尖 ： 陰 極 2e反應(yīng)條件n此反應(yīng)為電化學(xué)反應(yīng)，需要一定條件才能進(jìn)行n1. 閾值電壓n2. 一定溫度下n3. 一定濕度致謝n首先感謝基礎(chǔ)實驗中心的領(lǐng)導(dǎo)和老師的關(guān)懷與支持n 在我們的一個學(xué)期的實驗過程中，張朝暉老師給予了我們詳盡的指導(dǎo)，并給了我們一個