下冊第1章半導(dǎo)體分立器件及其基本電路

1、下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 多極放大電路多極放大電路下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁1.1 半導(dǎo)體的基本知識半導(dǎo)體的基本知識下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁共價健共價健 Si Si Si Si價電子價電子下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 Si Si Si Si價電子價電子本征激發(fā)：本征激發(fā)：空穴空穴自由電子自由電子下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁

2、l半導(dǎo)體有兩種導(dǎo)電粒子（載流子）：半導(dǎo)體有兩種導(dǎo)電粒子（載流子）：自由電子、空穴自由電子、空穴下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 Si Si Si Sip+多多余余電電子子磷原子磷原子在常溫下即可在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮幼優(yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€失去一個電子變?yōu)殡娮幼優(yōu)檎x子正離子下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 Si Si Si SiB硼原子硼原子空穴空穴下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目

3、錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁PN 結(jié)：結(jié)：P型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體交界面的特殊薄層型半導(dǎo)體交界面的特殊薄層 外電場外電場IFPN+下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁+少子在外電場少子在外電場作用下定向移作用下定向移動，形成很小動，形成很小的反向電流。的反向電流。IR下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁陰極

4、引線陰極引線陽極引線陽極引線二氧化硅保護層二氧化硅保護層P型硅型硅N型硅型硅( c ) 平面型平面型金屬觸絲金屬觸絲陽極引線陽極引線N型鍺片型鍺片陰極引線陰極引線外殼外殼( a ) 點接觸型點接觸型鋁合金小球鋁合金小球N型硅型硅陽極引線陽極引線PN結(jié)結(jié)金銻合金金銻合金底座底座陰極引線陰極引線( b ) 面接觸型面接觸型陰極陰極陽極陽極( d ) 符號符號D下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁反向擊穿反向擊穿電壓電壓U(BR)反向特性反向特性UIPN+PN+下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下

5、一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁定性分析：定性分析：判斷二極管的工作狀態(tài)判斷二極管的工作狀態(tài)導(dǎo)通導(dǎo)通截止截止 若二極管是若二極管是理想理想的，的，下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁例例1：D6V12V3k BAUAB+解：解：下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁例例2:mA43122D IBD16V12V3k AD2UAB+解：解：下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁V sin18itu t 解：解：下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁UZIZIZM UZ IZ_+UIO下一頁下一

6、頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁ZZ ZIUr下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁EC下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁NNPBECBECIBIEICBECIBIEIC下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁EEBRBRC下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO下一頁下一頁總目錄

7、總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁ICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOBCCBOBCBOCBECEIIIIIIII CEOBCBOBC)(1 IIIII BC CEO III ，有有忽忽略略下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線，是管子即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線，是管子內(nèi)部載流子運動的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能，內(nèi)部載流子運動的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能，是分析放大電路的依據(jù)。是分析放大電路的依據(jù)。 重點討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線重點討

8、論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁共發(fā)射極電路共發(fā)射極電路輸入回路輸入回路輸出回路輸出回路ECICEBmA AVUCEUBERBIBV+下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁常常數(shù)數(shù) CE)(BEBUUfIIB( A)UBE(V)204060800.40.8UCE 1VO下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁IB=020 A40 A60 A80 A100 A常常數(shù)數(shù) B)(CECIUfI36IC(mA )1234UCE(V)912O放大區(qū)放大區(qū)下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁

9、上一頁O 。 。下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 BCII_ BCII 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁ICBO A+EC AICEOIB=0+下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁ICMU(BR)CEO安全工作區(qū)安全工作區(qū)ICUCEO下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁53704051BC.II 400400605132BC .II 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁

10、上一頁（1）V1=3.5V， V2=2.9V， V3=12V。例例2： 測得工作在放大電路中幾個晶體管三個極電位測得工作在放大電路中幾個晶體管三個極電位值值V1、V2、V3，判斷管子的類型、材料及三個極。，判斷管子的類型、材料及三個極。NPN型硅管，型硅管，1、2、3依次為依次為B、E、C（2）V1=3V， V2=2.8V， V3=12V。（3）V1=6V， V2=11.4V， V3=12V。（4）V1=6V， V2=11.8V， V3=12V。NPN型鍺管，型鍺管，1、2、3依次為依次為B、E、CPNP型硅管，型硅管，1、2、3依次為依次為C、B、EPNP型鍺管，型鍺管，1、2、3依次為依次

11、為C、B、E下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁例例3：測得電路中三極管各極對地的電位值：測得電路中三極管各極對地的電位值如下表所示，判斷各管的工作狀態(tài)及類型。如下表所示，判斷各管的工作狀態(tài)及類型。管號管號VB（V）VC（V）VE（V）T1-0.3-50T22.732.32T31-60T1：UBE = -0.3V，放大狀態(tài)，放大狀態(tài)，PNP型型T2： UCE = 0.3V，飽和狀態(tài)，飽和狀態(tài)，NPN型型T3： UCE = -6V， 截止?fàn)顟B(tài)，截止?fàn)顟B(tài)，PNP型型下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上

12、一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁ECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁ECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁ECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁+UCCRSesRBRCC1C2T+RLui+uo+uBEuCEiCiBiEECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+uBEuCEi

13、CiBiE下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁UBEIBICUCE無輸入信號無輸入信號(ui = 0)時時:uBE = UBEuCE = UCE uo = 0+UCCRBRCC1C2T+ui+uo+uBEuCEiCiBiEuBEtOiBtOiCtOuCEtO下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁ICUCEOIBUBEO結(jié)論：結(jié)論：QIBUBEQUCEIC下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁UBEIB無輸入信號無輸入信號(ui = 0)時時:？ uCE = UCC iC RC uBE = UBE+ uiuCE = UCE+ uo u

14、o 0IC+UCCRBRCC1C2T+ui+uo+uBEuCEiCiBiEuBEtOiBtOiCtOuCEtOuitOUCEuotO下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁+集電極電流集電極電流直流分量直流分量交流分量交流分量動態(tài)分析動態(tài)分析iCtOiCtICOiCticO靜態(tài)分析靜態(tài)分析下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁uitOuotO下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁直流通路直流通路( IB 、 IC 、 UC

15、E )對直流信號電容對直流信號電容 C 可看作開路（即將電容斷開）可看作開路（即將電容斷開）斷開斷開斷開斷開+UCCRBRCT+UBEUCEICIBIE+UCCRSesRBRCC1C2T+RLui+uo+uBEuCEiCiBiE下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁RBRCuiuORLRSes+ XC 0，C 可看作短可看作短路。忽略電源的內(nèi)阻，路。忽略電源的內(nèi)阻，電源的端電壓恒定，電源的端電壓恒定，直流電源對交流可看直流電源對交流可看作短路。作短路。短路短路短路短路對地短路對地短路+UCCRSesRBRCC1C2T+RLui+uo+uBEuCEiCiBiE下一頁下一頁總目

16、錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁放大電路無信號輸入（放大電路無信號輸入（ui = 0）時的工作狀態(tài)。）時的工作狀態(tài)。估算法、圖解法。估算法、圖解法。各極電壓、電流的直流分量。各極電壓、電流的直流分量。放大電路的直流通路。放大電路的直流通路。 (1)靜態(tài)工作點靜態(tài)工作點Q：IB、IC、UCE 。靜態(tài)分析：靜態(tài)分析：確定放大電路的靜態(tài)值。確定放大電路的靜態(tài)值。下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁BBECCB RUUI 所以所以BCCBRUI 根據(jù)電流放大作用根據(jù)電流放大作用CEOBC III BB II 當(dāng)當(dāng)UBE 0 時，時，P P型襯底中的電子受到電場力的吸型襯

17、底中的電子受到電場力的吸引到達表層，填補空穴形成負(fù)離子的耗盡層；引到達表層，填補空穴形成負(fù)離子的耗盡層；N型導(dǎo)電溝道型導(dǎo)電溝道下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁EGP型硅襯底型硅襯底N+N+GSD+UGSED+N型導(dǎo)電溝道型導(dǎo)電溝道當(dāng)當(dāng)UGS UGS(th(th）后，場效后，場效應(yīng)管才形成導(dǎo)電溝道開始應(yīng)管才形成導(dǎo)電溝道開始導(dǎo)通。導(dǎo)通。若漏若漏源之間加上源之間加上一定的電壓一定的電壓UDS，則有漏，則有漏極電流極電流ID產(chǎn)生。在一定的產(chǎn)生。在一定的UDS下下漏極電流漏極電流ID的大小與的大小與柵源電壓柵源電壓UGS有關(guān)（有關(guān)（U UGSGS越越大，溝道越寬）。所以，大，溝

18、道越寬）。所以，場效應(yīng)管是一種電壓控制場效應(yīng)管是一種電壓控制電流的器件。電流的器件。 在一定的漏在一定的漏源電壓源電壓UDS下，使管子由不導(dǎo)通變下，使管子由不導(dǎo)通變?yōu)閷?dǎo)通的臨界柵源電壓稱為開啟電壓為導(dǎo)通的臨界柵源電壓稱為開啟電壓UGS(thth）。下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁有導(dǎo)電溝道有導(dǎo)電溝道無導(dǎo)電無導(dǎo)電溝道溝道UDSUGS/ID/mAUDS/Vo oUGS= 1VUGS= 2VUGS= 3VUGS= 4V下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁N型襯底型襯底P+P+GSD符號：符號：結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)SiO2絕緣層絕緣層加電壓才形成加電壓才形成 P型導(dǎo)

19、電溝道型導(dǎo)電溝道 增強型場效應(yīng)管只有當(dāng)增強型場效應(yīng)管只有當(dāng)時才形成導(dǎo)時才形成導(dǎo)電溝道。電溝道。下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁夾斷電壓夾斷電壓 耗盡型的耗盡型的MOS管管UGS= 0時就有導(dǎo)電溝道，加反時就有導(dǎo)電溝道，加反向電壓到一定值時才能夾斷。向電壓到一定值時才能夾斷。 UGS(off)轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線0ID/mA UGS /V-1-2-34812161 2U DSUGS=0UGS0漏極特性曲線漏極特性曲線0ID/mA16 201248121648IDSS下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁GSD符號：符號：SiO2絕緣層中絕緣層中摻

20、有正離子摻有正離子予埋了予埋了N型型 導(dǎo)電溝道導(dǎo)電溝道下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 由于耗盡型場效應(yīng)管預(yù)埋了導(dǎo)電溝道，所以在由于耗盡型場效應(yīng)管預(yù)埋了導(dǎo)電溝道，所以在UGS= 0時，時，若漏若漏源之間加上一定的電壓源之間加上一定的電壓UDS，也，也會有漏極電流會有漏極電流 ID 產(chǎn)生。產(chǎn)生。 當(dāng)當(dāng)UGS達到一定達到一定負(fù)值時，負(fù)值時，N型導(dǎo)電溝道消失，型導(dǎo)電溝道消失，ID= 0，稱為場效應(yīng)管處于夾斷狀態(tài)（即截止）。稱為場效應(yīng)管處于夾斷狀態(tài)（即截止）。這時的這時的UGS稱為夾斷電壓，用稱為夾斷電壓，用UGS(off(off）表示。表示。 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目

21、錄章目錄返回返回上一頁上一頁符號：符號：GSD予埋了予埋了P P型型 導(dǎo)電溝道導(dǎo)電溝道SiO2絕緣層中絕緣層中摻有負(fù)離子摻有負(fù)離子下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁GSDGSDN溝道溝道GSDGSDP溝道溝道下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁DSGSm UDUIg 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁20020 mA/V51m g421010 1471010 對應(yīng)電極對應(yīng)電極 BEC GSD下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄

22、總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁2GS(OFF)GSDSSD)1 (UUII 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁2GSD)41 ( 8 UI下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁SDDDG2G1G2GSRIURRRU 2GS(OFF)GSDSSD)1 (UUII 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁)/(LDmioRRgUUAu gsiUU )/(LDdoRRIU RG1RDRG2RG+RL+SDGTOUiUdI)/( LDgsmRRUg )/(G2G1GiRRRr DORr 輸入電阻輸入電阻下一頁下一頁總目錄總目錄 章

23、目錄章目錄返回返回上一頁上一頁3.源極輸出器源極輸出器+UDD RSC2C1RG1RG2RG+RLuiuo+RG1RSRG2RG+RL+SDGTOUiUSI+gsU交流通路交流通路1)/(1)/(LSmLSmio RRgRRgUUAuogsiUUU )(LSSR/RIUo )( LSgsmR/RUg 電壓放大倍數(shù)電壓放大倍數(shù))/(LSgsmgsRRUgU 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁CDDSDSGS uiuRU DS1V1.5VUGS=0.5V0ID/mA16 2012481216482V2.5V下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁Ui Uo

24、 | UGS| RDS Au Uo +UCC 放大器放大器 整流濾整流濾 波電路波電路uoui下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁性能性能: :正常充電時間正常充電時間7 7小時左右小時左右; ;充充電電流為恒定電電流為恒定值；充電電流值；充電電流大小由電池額定容量確定。大小由電池額定容量確定。LED電電池池R3u2TrDR2SDZ+ +R5R4R1C+T下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 LED發(fā)光二極發(fā)光二極管承受正向電管承受正向電壓導(dǎo)通發(fā)光壓導(dǎo)通發(fā)光, , 發(fā)光強度與通發(fā)光強度與通過的電流大小過的電流大小有關(guān)。有關(guān)。LED與與R5串聯(lián)后，串聯(lián)

25、后，接于接于R4 兩端，兩端，R4兩端電壓兩端電壓的大小，反映充電電流的的大小，反映充電電流的大小，大小，LED發(fā)光的亮、暗發(fā)光的亮、暗指示指示S的位置的位置, , R5是是LED的限流電阻的限流電阻, ,使通過使通過LED的電流限制在一定數(shù)值。的電流限制在一定數(shù)值。LED電電池池R3u2TrDR2SDZ+ +R5R4R1C+T下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁兩級之間通過耦合電容兩級之間通過耦合電容 C2 與下級輸入電阻連接與下級輸入電阻連接RB1RC1C1C2RB2CE1RE1+RS+RC2C3CE2RE2R

26、L+UCC+oU1OUiUSEB1R B2R T1T2下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 由于電容有隔直作用，所以每級放大電路的直流由于電容有隔直作用，所以每級放大電路的直流通路互不相通，通路互不相通，。RB1RC1C1C2RB2CE1RE1+RS+RC2C3CE2RE2RL+UCC+oU1OUiUSEB1R B2R T1T2下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁第一級第一級第二級第二級212ioi1oiouuuAAUUUUUUA 2ir1bI2bI1cI2cIrbeRB2RC1EBC+ +- -+ +- -+ +- -RSiUiI1oU1b1ISE

27、rbeRC2RLEBC+ +- -oU2b2IB1R B2R RB12i1C1L/ rRR 1be1L1io11rRUUAu be2L222io2rRUUAu 1iirr 2oorr L2CL2/ RRR 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 如圖所示的兩級電壓放大電路，如圖所示的兩級電壓放大電路，已知已知1= 2 =50, T1和和T2均為均為3DG8D。 RB1C1C2RE1+RC2C3CE+24V+oUiUB1R B2R T1T2E2R E1R 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁解解:

28、: (1) 兩級放大電路的靜態(tài)值可分別計算。兩級放大電路的靜態(tài)值可分別計算。A8 . 9mA2750)(110000.624) (1E1B1BECCB1 RRUUImA 49. 0mA 0098. 050)(1)1 (B1E1 II V77. 10V2749. 024E1E1CCCE RIUU RB1C1C2RE1+RC2C3CE+24V+oUiUB1R B2R T1T2E2R E1R 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁V26. 843V438224B2B2B1CCB2 RRRUVmA 96. 0mA5 . 751

29、. 06 . 026. 8E2E2BE2B2C2 RRUUIRB1C1C2RE1+RC2C3CE+24V+oUiUB1R B2R T1T2E2R E1R 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k 解解: :下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁A 2 . 19mA5096. 02C2B2 IIV71. 6)V5 . 751. 010(96. 024)(E2E2C2C2CCCE2 RRRIUURB1C1C2RE1+RC2C3CE+24V+oUiUB1R B2R T1T2E2R E1R 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k 解解: :下一頁下一頁

30、總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁2bI2cIrbe2RC2oUrbe1iURB1B1R 2BR 1bI2bI1bI1cIRE11oU+_+_+_2ER 由微變等效電路可知，放大電路的輸入電阻由微變等效電路可知，放大電路的輸入電阻 ri 等等于第一級的輸入電阻于第一級的輸入電阻ri1。第一級是射極輸出器，它。第一級是射極輸出器，它的輸入電阻的輸入電阻ri1與負(fù)載有關(guān)，而射極輸出器的負(fù)載即與負(fù)載有關(guān)，而射極輸出器的負(fù)載即是第二級輸入電阻是第二級輸入電阻 ri2。2ir1iirr 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁2bI2cIrbe2RC2oUrbe1iURB1

31、B1R 2BR 1bI2bI1bI1cIRE11oU+_+_+_2ER (2) 計算計算 r i和和 r 0 k58. 196. 0265120026)1 (200Ebe2 Ir k )(E2be2B2B1141/2 RrRRri k 22. 9k14271427/i2E1L1 rRR2ir下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 k 349 02650)(120026) (1200rE11be1 .I k 320)1 (/L1be1B1i1i RrRrr 2oorr k10C2o2o Rrr2bI2cIrbe2RC2oUrbe1iURB1B1R 2BR 1bI2bI1bI1

32、cIRE11oU+_+_+_2ER 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁(3)(3)求各級電壓的放大倍數(shù)及總電壓放大倍數(shù)求各級電壓的放大倍數(shù)及總電壓放大倍數(shù) 994 022 950)(1322 9)501 ()1 ()1 (L111beL111u.RrRA 2bI2cIrbe2RC2oUrbe1iURB1B1R 2BR 1bI2bI1bI1cIRE11oU+_+_+_2ER 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁(3)(3)求各級電壓的放大倍數(shù)及總電壓放大倍數(shù)求各級電壓的放大倍數(shù)及總電壓放大倍數(shù)2bI2cIrbe2RC2oUrbe1iURB1B1R 2

33、BR 1bI2bI1bI1cIRE11oU+_+_+_2ER 1851. 050)(179. 11050)1 (2E2be22C2 RrRAu 總電壓放大倍數(shù)總電壓放大倍數(shù)9 . 1718)(994. 021 uuuAAA下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁將前級的輸出端直接接后級的輸入端。將前級的輸出端直接接后級的輸入端?？捎脕矸糯缶徛兓男盘柣蛑绷髁孔兓男盘枴？捎脕矸糯缶徛兓男盘柣蛑绷髁孔兓男盘?。+UCCuoRC2T2uiRC1R1T1R2+RE2由于不采用電容，具有良好的低頻特性。適合于集成由于不采用電容，具有良好的低頻特性。適合于集成化的要求，在化的要求

34、，在集成運放集成運放的內(nèi)部，級間都是直接耦合。的內(nèi)部，級間都是直接耦合。下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁指輸入信號電壓為零時，輸出電壓發(fā)生指輸入信號電壓為零時，輸出電壓發(fā)生 緩慢地、無規(guī)則地變化的現(xiàn)象。緩慢地、無規(guī)則地變化的現(xiàn)象。uotO晶體管參數(shù)隨溫度變化、電源電壓晶體管參數(shù)隨溫度變化、電源電壓 波動、電路元件參數(shù)的變化。波動、電路元件參數(shù)的變化。1. 前后級靜態(tài)工作點相互影響前后級靜態(tài)工作點相互影響下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 直接影響對輸入信號測量的準(zhǔn)確程度和分辨能力。直接影響對輸入信號測量的準(zhǔn)確程度和分辨能力。 嚴(yán)重時，可能淹沒有

35、效信號電壓，無法分辨是有效信嚴(yán)重時，可能淹沒有效信號電壓，無法分辨是有效信號電壓還是漂移電壓。號電壓還是漂移電壓。 抑制零點漂移是制作高質(zhì)量直接耦合放大電路的一抑制零點漂移是制作高質(zhì)量直接耦合放大電路的一個重要的問題。個重要的問題。 差分放大電路是抑制零點漂移最有效的電路結(jié)構(gòu)。差分放大電路是抑制零點漂移最有效的電路結(jié)構(gòu)。下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 電路結(jié)構(gòu)對稱，在理想的情況下，兩管的特性及對電路結(jié)構(gòu)對稱，在理想的情況下，兩管的特性及對應(yīng)電阻元件的參數(shù)值都相等。應(yīng)電阻元件的參數(shù)值都相等。 +UCCuoui1RCRB2T1RB1RCui2RB2RB1+T2兩個輸入、

36、兩個輸入、兩個輸出兩個輸出兩管兩管靜態(tài)工靜態(tài)工作點相同作點相同下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁uo= VC1 VC2 = 0uo= (VC1 + VC1 ) (VC2 + VC2 ) = 0靜態(tài)時，靜態(tài)時，ui1 = ui2 = 0當(dāng)溫度升高時當(dāng)溫度升高時ICVC （兩管變化量相等）（兩管變化量相等）+UCCuoui1RCRB2T1RB1RCui2RB2RB1+T2下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁+UCCuoRCRB2T1RB1RCRB2RB1+ui1ui2+T2+共模信號共模信號 需要抑制需要抑制下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返

37、回上一頁上一頁+UCCuoui1RCRB2T1RB1RCui2RB2RB1+T2+差模信號差模信號 是有用信號是有用信號下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁例例1: ui1 = 10 mV, ui2 = 6 mV ui2 = 8 mV 2 mV 例例2: ui1 =20 mV, ui2 = 16 mV 可分解成可分解成: : ui1 = 18 mV + 2 mV ui2 = 18 mV 2 mV 可分解成可分解成: : ui1 = 8 mV + 2 mV 這種輸入常作為比較放大來應(yīng)用，在自動控制這種輸入常作為比較放大來應(yīng)用，在自動控制系統(tǒng)中是常見的。系統(tǒng)中是常見的。 下一

38、頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁（Common Mode Rejection Ratio)CdCMRAAK ) (lg20(dB)CdCMR分貝AAK 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁 若電路完全對稱，理想情況下共模放大倍數(shù)若電路完全對稱，理想情況下共模放大倍數(shù) Ac = 0 輸出電壓輸出電壓 若電路不完全對稱，則若電路不完全對稱，則 Ac 0，實際輸出電壓實際輸出電壓 即共模信號對輸出有影響即共模信號對輸出有影響 。下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁+Uuoui1RCRPT1RBRCui2RERB+TEE+穩(wěn)定靜態(tài)工作點

39、，限制每個管子的漂移。穩(wěn)定靜態(tài)工作點，限制每個管子的漂移。EE的作用：的作用：用于補償用于補償RE上的壓降，以獲得合適的上的壓降，以獲得合適的Q。下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁+Uuoui1RC / 5.1kRPT1RB / 10kRC / 5.1kui2RE / 5.1kRB / 10k+T-EE / -6Vuo1uo2下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁+URC / 5.1kRB / 10kRE / 5.1k-EE / -6VEEEEBBB2EIRUIR 由由EBBEEB)(RRUEI 12得得01mA.01 .5)501(2107 .06

40、 5mA.001.050BC II 0.51mA50)0.01(1)I1(BE I45V. 3105 . 0105.1-6-33CCCCC IRUV798V. 061051. 0101 . 52-233EEEE EIRV1V. 01001. 0101033BBB IRV下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁uic1RC / 5.1kRB / 10k+uoc1RE / 5.1k+5mV2372i2i1ic2ic1 uuuu2mV2372i2i1id2id1 uuuuc1iUbIcIc1oUbIeI下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁c1iUbIcIc1o

41、UbIeIEbbbeBcbic1oc1c1)1(2)(RIIrRRIUUA EbeBC)1 ( 2RrRR 8k. 251. 026)1(200be ri1EbeBCoc2oc1)1 (uRrRRuu 51 . 5)501 (8 . 2101 . 550 39mV.2 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁uid1RC / 5.1kRB / 10k+uod1+c1iUbIcIc1oUbIbeBCbbeBCbid1od1d1I)(rRRrRRIUUA 8mV.3928 . 2101 . 550-id1beBCd1o urRRu 8mV.392)(8 . 2101 . 550-

42、id2beBCd2o urRRu 下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁2mV.428 .3939. 2)5(od1oc1o1 uuu4mV.378 .3939. 2od2oc2o2 uuu0)6(oc2oc1oc uuu6mV.798 .398 .39od2od1od uuu39mV. 2oc2c1o uu8mV.39od1 u8mV.39od2 u2mV.42o2o1o uuu下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁+Uuoui1RC / 5.1kRPT1RB / 10kRC / 5.1kui2RE / 5.1kRB / 10k+T-EE / -6Vuo1uo2下一頁下一頁總目錄總目錄 章目錄章目錄返回返回上一頁上一頁+Uuoui1RC / 5.1kRPT1RB / 10kRC / 5.1kui2RE / 5.1kRB / 10k+T-