HFSS學習小結

1、HFSS學習小結11、 對稱的使用對于一個具體的高頻電磁場仿真問題，首先應該看看它是否可以采用對稱面。這里面的約束主要在幾何對稱和激勵對稱要求。如果一個問題的激勵并不要求是可改變的，比如全部同相饋電的陣列，此時最好采用對稱，甚至可以采用2個對稱（E 和H 對稱），將可以大大節(jié)約時間和設備資源。2、面的使用在實際問題中，有很多結構是可以使用 2 維面來代替的，使用2 維面的好處是可以極大的減少計算量并且結果與使用3 維實體相差無幾。例如計算一個微帶的分支線耦合器，印制板的微帶以及地都可以指定某些面為理想電面代替，這樣可以很快的獲得所需要的物理尺寸及其性能。再以計算偶極子為例，如果偶極子是以理想導

2、體為材質的圓柱，那么相同的其他條件下其計算時間大約是采用等效面為偶極子的45 倍，由此可見一般。3、Lump Port（集中端口）的使用在 HFSS8 里提供了一種新的激勵：Lump Port，這種激勵避免了建立一個同軸或者波導激勵，從而在一定程度上減輕了模型量，也減少了計算時間。 LumpPort 也可以使用一個面來代表，要注意的是對該Port 的校準線和阻抗線的設置一定要準確，端口在空間上一定要與其他金屬（或電面）相接，否則結果極易出錯。4、關于輻射邊界的問題在不需要求解近（遠）場問題時，比如密封在金屬箱體里面的濾波器等密閉問題，無需設置輻射邊界。在需要求解場分布或者方向圖時，必須設置輻射

3、邊界。這里有些需要注意的問題：在計算大帶寬周期性結構時，比如3 個倍頻程，最好分段計算，例如以一個倍頻程為一段，也就是說在不同的頻段計算時設置不同大小的輻射邊界，否則在計算的頻率邊緣難以保證計算精度；其次，輻射邊界的大小和問題的具體形狀密切相關，如果物體的外部輪廓可以裝在一個球或并不過分的橢球中時，宜采用立方體邊界簡單有效，如果問題的外部輪廓較為復雜或者橢球2 軸差距太大，以采用相似形邊界或圓柱邊界，對于輻射問題，如果估計問題的增益較低（比如2dB），那么邊界宜采用球形，此時為了得到結果準確也只好犧牲時間了；另在 HFSS 8 中提供了一種新的吸收邊界PML 邊界條件，對于這種邊界，筆者并不是

4、很滿意，盡管其有效距離為八分之一個中心波長是老邊界的一半，可以減少計算量，然而這種邊界由程序自己生成，為一個立方體的復雜結構，對于一些特殊的復雜問題，這種邊界內(nèi)部有很多的空間是無用的，此時還不如使用老邊界靈活。5、關于開孔有些問題需要在壁上開孔，此時可以采用2 種辦法，其一是老老實實的在模型上挖空；其二是采用H/Natrue 邊界條件，通常，如果是在面上開孔，將會采用后者，簡單，便于修改。6、關于網(wǎng)格劃分當模型建立好了之后，進入計算模塊，第一步是給問題劃分網(wǎng)格。對于一般問題，讓軟件自動劃分比較省心，但對大型問題和復雜問題，讓軟件自己劃分可能需要很好的耐性來等待。根據(jù)實際經(jīng)驗，在大型模型的結構密

5、集區(qū)域或場敏感區(qū)域使用人工劃分可以得到很好的效果，有些問題的計算結果開始表現(xiàn)為收斂，但進一步提高精度，卻又反彈，問題就在于開始時場敏感區(qū)域的網(wǎng)格劃分不夠仔細，導致計算結果的偏差。7、關于所需要的精度計算問題時，一般需要給定一個收斂精度和計算次數(shù)以避免程序“陷入計算而無法自拔”，當對模型熟悉后，可以單單靠給定次數(shù)。在問題之初，建議的計算精度不要太高，實際中曾見到有操作者將問題的S 參數(shù)精度設定為0.00001，其實這是完全沒有必要的，一般S 參數(shù)的精度設定為0.02 左右就已經(jīng)可以滿足絕大部分問題的需要（此時應該注意有無收斂反彈的情況）。如果是計算次數(shù)，對于密閉問題，建議是設定為812 次，對于

6、輻射問題，一般計算68 次左右即可觀察結果，如果不夠再決定是否繼續(xù)計算。8、關于掃描HFSS 提供一個掃描功能，分3 種方式：快速、離散和插值。其中離散掃描只保留最后一個頻點的場結果，其計算時間是單個頻點計算時間之和；對快速掃描，將可以得到所計算的頻率范圍內(nèi)的所有頻率場結果，但是其計算速度和頻點多少關系不大，基本和模型復雜程度正比，有時掃描計算的時間非常長，如果不是特別需要關心所有的場情況，建議選用離散掃描，對于特別巨大的問題，則是以快速掃描為宜。而插值方式比較少用。9、關于問題的規(guī)模HFSS 所能計算的問題規(guī)模與計算機硬件關系很大，其次是所使用的操作系統(tǒng)。在 HFSS8 里，問題描述矩陣的階

7、基本和網(wǎng)格數(shù)正比，對于四面體上10 萬的問題也能游刃有余（只要機器夠好），然而這并非是指實際問題的電尺寸，實際上，要精確計算一個計算機網(wǎng)絡電纜接頭（RJ45）所需要的時間和資源并不比計算一個有一個波長電尺寸的一般輻射問題少多少，所以實際上其計算規(guī)模的主要約束是問題的復雜程度，而復雜程度里面包含了電尺寸、結構復雜度等要素。由此提醒我們建模時應該盡量簡化模型。一般來說，除了在激勵區(qū)，當結構電尺寸比二十分之一波長還小時，可以忽略它的存在而不會引入明顯的誤差，這一點在解決問題之初很有效，可以迅速發(fā)現(xiàn)問題的關鍵；當問題的主要要求滿足后，再將模型細化以獲得更加精確的結果。HFSS學習小結2已經(jīng)接觸HFSS

8、近兩個月了，想用于材料電磁場屏蔽的設計和計算，不知是否可行，now have followed the example _heat sink in the chapter 9.0 _ EMC/EMI in full book 10.0 成功的做出了個結果，現(xiàn)在把看到別人的、自己知道的做一下總結：The main process : building 3D solid modeling; set boundaries and excitations ; analyze the result Before we build the modeling, we should think about w

9、hat kind of method we use, there are three kinds of solution type: driven model; driven terminal; eigenmode 模式驅動(Driven)-計算以模式為基礎的S參數(shù).根據(jù)波導模式的入射和反射功率表示S參數(shù)矩陣的解,波導,天線等用這個模式多終端驅動(Driven Terminal)-計算以終端為基礎的多導體傳輸線端口的S參數(shù)。此時,根據(jù)傳輸線終端的電壓和電流表示S參數(shù)矩陣的解-微帶類用這個比較多! 本征模(Eignemode)-計算某一結構的本征模式或諧振.本征模解算器可以求出該結構的諧振頻率以

10、及這些諧振頻率下的場模式! Eignemode solver does not use ports and dont support radiation boundaries. After launching the software, we should set tool options, included HFSS option and 3D modeler option Select the menu item tool >option  we can see those options Software will open a project by defau

11、lt First step is select solution type  HFSS>solution type Set the units  3D modeler>units 單位可以在其它狀態(tài)下改變3D modeler包括了與模型有關的操作和設置Set default material  在set 一次后的情況下其后建立的modeler 都是在此material 下的 在default 的情況下 history 的列表中按材料的種類進行分類建立模型過程中使用相對坐標會很方便， 3D modeler>coordi

12、nate system > create> relative CS >Offset , 在建模過程中可能要使用很多相對坐標，在set相對坐標的時候，offset是相對于當前CS的位移，在3D Modeler>coordinate system>set working CS 可以選擇使某個坐標為當前工作坐標，在history 的coordinate system 的列表中顯示所有的坐標系，當前工作坐標將有個W的標記。在模型復雜的時候需要用適當?shù)姆绞竭M行選擇某些面、體進行編輯，在edit 里提供了多種方式，常用 edit>select>by name

13、60;  在選擇后可以set boundary 等一些操作同樣可以在history里雙擊某項名字從而edit property，設置好boundary和excitation 就可以進行analysis setup HFSS>analysis setup>add solution setup 其中包括最大迭代次數(shù)maximum number of pass  每兩步迭代之間的誤差，看來上的數(shù)值分析還是有用的在analyze 之前運行一下model validation   select the menu item HFSS>va

14、lidation check 運行check 以后雖然沒出現(xiàn)問題，也不能說明，模型正確，一定能計算出結果，只是說明完成了建模過程中的每個步驟,由message 窗口，得到信息，以便修改Analyze   HFSS>analyze all 在message 窗口中可以知道analyze 的完成情況；從solution data 中有三個標簽，其中主要可以從convergence中看出迭代計算的收斂情況；同樣可以看到場的分布狀況 首先選擇model 某個部位，HFSS>fields>fields從這個菜單中可以選擇要顯示電場或者磁場例子中選擇的是地平面 edi

15、t>select>by name>ground 顯示某個部位的場分布HFSS>fields>fields> 可以看到關于顯示電場 磁場的選擇下圖是heat sink 的 ground configuration 的ground 的電場分布      HFSS學習小結3Ansoft HFSS 邊界條件 講解這一章主要介紹使用邊界條件的基本知識。邊界條件能夠使你能夠控制物體之間平面、表面或交界面處的特性。邊界條件對理解麥克斯韋方程是非常重要的同時也是求解麥克斯韋方程的基礎。§2.1  為什么邊界條件很重

16、要用Ansoft HFSS求解的波動方程是由微分形式的麥克斯韋方程推導出來的。在這些場矢量和它們的導數(shù)是都單值、有界而且沿空間連續(xù)分布的假設下，這些表達式才可以使用。在邊界和場源處，場是不連續(xù)的，場的導數(shù)變得沒有意義。因此，邊界條件確定了跨越不連續(xù)邊界處場的性質。作為一個 Ansoft HSS 用戶你必須時刻都意識到由邊界條件確定場的假設。由于邊界條件對場有制約作用的假設，我們可以確定對仿真哪些邊界條件是合適的。對邊界條件的不恰當使用將導致矛盾的結果。當邊界條件被正確使用時，邊界條件能夠成功地用于簡化模型的復雜性。事實上，Ansoft HSS 能夠自動地使用邊界條件來簡化模型的復雜性。對于無源

17、RF 器件來說，Ansoft HSS 可以被認為是一個虛擬的原型世界。與邊界為無限空間的真實世界不同，虛擬原型世界被做成有限的。為了獲得這個有限空間， Ansoft HSS使用了背景或包圍幾何模型的外部邊界條件。模型的復雜性通常直接與求解問題所需的時間和計算機硬件資源直接聯(lián)系。在任何可以提高計算機的硬件資源性能的時候，提高計算機資源的性能對計算都是有利的。§2.2  一般邊界條件有三種類型的邊界條件。第一種邊界條件的頭兩個是多數(shù)使用者有責任確定的邊界或確保它們被正確的定義。材料邊界條件對用戶是非常明確的。1、  激勵源波端口（外部）集中端口（內(nèi)

18、部）2、  表面近似對稱面理想電或磁表面輻射表面背景或外部表面3、  材料特性兩種介質之間的邊界具有有限電導的導體§2.3  背景如何影響結構       所謂背景是指幾何模型周圍沒有被任何物體占據(jù)的空間。任何和背景有關聯(lián)的物體表面將被自動地定義為理想的電邊界（Perfect E）并且命名為外部（outer）邊界條件。你可以把你的幾何結構想象為外面有一層很薄而且是理想導體的材料。如果有必要，你可以改變暴露于背景材料的表面性質，使其性質與理想的電邊界不同。為了模擬有耗表面，你可以重新定義

19、這個邊界為有限電導（Finite Conductivity ）或阻抗邊界（Impedance boundary）。有限電導邊界可以是一種電導率和導磁率均為頻率函數(shù)的有耗材料。阻抗邊界默認在所有頻率都具有相同的實數(shù)或復數(shù)值。為了模擬一個允許波進入空間輻射無限遠的表面，重新定義暴露于背景材料的表面為輻射邊界（Radiation Boundary）。       背景能夠影響你怎樣給材料賦值。例如，你要仿真一個充滿空氣的矩形波導，你可以創(chuàng)建一個具有波導形狀特性為空氣的簡單物體。波導表面自動被假定為良導體而且給出外部（outer）邊界條件，或者你也可以把它變成有

20、損導體。§2.4  邊界條件的技術定義激勵（Excitation）激勵端口是一種允許能量進入或導出幾何結構的邊界條件。理想電邊界（Perfect E）Perfect E是一種理想電導體或簡稱為理想導體。這種邊界條件的電場（E-Field）垂直于表面。有兩種邊界被自動地賦值為理想電邊界。1、   任何與背景相關聯(lián)的物體表面將被自動地定義為理想電邊界并且命名為outer的外部邊界條件。2、   任何材料被賦值為PEC（理想電導體）的物體的表面被自動的賦值為理想電邊界并命為smetal邊界。 理想磁邊界（Perfect H）Per

21、fect H是一種理想的磁邊界。邊界面上的電場方向與表面相切。自然邊界（Natural）當理想電邊界與理想磁邊界出現(xiàn)交疊時，理想磁邊界也被稱為Natural邊界。理想磁邊界與理想電邊界交疊的部分將去掉理想電邊界特性，恢復所選擇區(qū)域為它以前的原始材料特性。它不會影響任何材料的賦值。例如，可以用它來模擬地平面上的同軸線饋源圖案。       有限電導率（Finite Conductivity）邊界有限電導率邊界將使你把物體表面定義有耗（非理想）的導體。它是非理想的電導體邊界條件。并且可類比為有耗金屬材料的定義。為了模擬有耗表面，你應提供以西門子/米（Siem

22、ens/meter）為單位的損耗參數(shù)以及導磁率參數(shù)。計算的損耗是頻率的函數(shù)。它僅能用于良導體損耗的計算。其中電場切線分量等于Zs(n xHtan)。表面電阻（Zs）就等于 (1+j)/(ds)。其中，d是趨膚深度；導體的趨膚深度為 w是激勵電磁波的頻率.s是導體的電導率 µ 是導體的導磁率阻抗邊界（Impedance）一個用解析公式計算場行為和損耗的電阻性表面。表面的切向電場等于Zs(n xHtan)。表面的阻抗等于Rs + jXs。其中，Rs是以ohms/square為單位的電阻Xs 是以ohms/square為單位的電抗分層阻抗（Layered Impedance）邊界在結構中多

23、層薄層可以模擬為阻抗表面。使用分層阻抗邊界條件進一步的信息可以在在線幫助中尋找。集總RLC（Lumped RLC）邊界 一組并聯(lián)的電阻、電感和電容組成的表面。這種仿真類似于阻抗邊界，只是軟件利用用戶提供的R、L和C值計算出以ohms/square為單位的阻抗值。無限地平面（Infinite Ground Plane）通常，地面可以看成是無限的、理想電壁、有限電導率或者是阻抗的邊界條件。如果結構中使用了輻射邊界，地面的作用是對遠區(qū)場能量的屏蔽物，防止波穿過地平面?zhèn)鞑ァ榱四M無限大地平面的效果，在我們定義理想電邊界、有限電導或阻抗邊界條件時，在無限大地平面的框子內(nèi)打勾。輻射邊界（Radiatio

24、n）輻射邊界也被稱為吸收邊界。輻射邊界使你能夠模擬開放的表面。即，波能夠朝著輻射邊界的方向輻射出去。系統(tǒng)在輻射邊界處吸收電磁波，本質上就可把邊界看成是延伸到空間無限遠處。輻射邊界可以是任意形狀并且靠近結構。這就排除了對球形邊界的需要。對包含輻射邊界的結構，計算的S參數(shù)包含輻射損耗。當結構中包含輻射邊界時，遠區(qū)場計算作為仿真的一部分被完成。§2.5  激勵技術綜述       端口是唯一一種允許能量進入和流出幾何結構的邊界類型。你可以把端口賦值給一個兩維物體或三維物體的表面。在幾何結構中三維全波電磁場被計算之前，必須確定在每一

25、個端口激勵場的模式。Ansoft HFSS使用任意的端口解算器計算自然的場模式或與端口截面相同的傳輸線存在的模式。導致兩維場模式作為全三維問題的邊界條件。        Ansoft HFSS默認所有的幾何結構都被完全裝入一個導電的屏蔽層，沒有能量穿過這個屏蔽層。當你應用波端口（Wave Ports）于你的幾何結構時，能量通過這個端口進入和離開這個屏蔽層。       作為波端口的替代品，你可以在幾何結構內(nèi)應用集中參數(shù)端口（Lumped Ports）。集中參數(shù)端口在模擬結構內(nèi)部的端口時非常有用。

26、§2.5.1 波端口（Wave Ports）       端口解算器假定你定義的波端口連接到一個半無限長的波導，該波導具有與端口相同的截面和材料。每一個端口都是獨立地激勵并且在端口中每一個入射模式的平均功率為1瓦。波端口計算特性阻抗、復傳播常數(shù)和S參數(shù)。       波動方程       在波導中行波的場模式可以通過求解Maxwell方程獲得。下面的由Maxwell方程推出的方程使用兩維解算器求解。       其中：

27、0;               是諧振電場的矢量表達式；                是自由空間的波數(shù)；                是復數(shù)相對導磁率；                是復數(shù)相對介電常數(shù)。

28、       求解這個方程，兩維解算器得到一個矢量解形式的激勵場模式。這些矢量解與和無關，只要在矢量解后面乘上它們就變成了行波。       另外，我們注意到激勵場模式的計算只能在一個頻率。在每一個感興趣的頻率，計算出的激勵場模式可能會不一樣。§2.5.2 模式（Modes）對于給定橫截面的波導或傳輸線，特定頻率下有一系列的場模式滿足麥克斯維方程組。這些模式的線性疊加都可以在波導中存在。    模式轉換        某些情況

29、下，由于幾何結構的作用像一個模式變換器，計算中包括高階模式的影響是必須的。例如，當模式1（主模）從某一結構的一個端口（經(jīng)過該結構）轉換到另外一個端口的模式2時，我們有必要得到模式2下的S參數(shù)。    模式，反射和傳播        在單一模式的信號激勵下，三維場的解算結果中仍然可能包含由于高頻結構不均勻引起的高次模反射。如果這些高次模反射回激勵源端口，或者傳輸?shù)较乱粋€端口，那么和這些高次模相關的S參數(shù)就必須被考慮。如果高次模在到達任何端口前，得到衰減（這些衰減由金屬損耗或者傳播常數(shù)中的衰減部分所造成），那么我們就可

30、以不考慮這些高次模的S參數(shù)。    模式和頻率         一般來說，和每種模式相關的場模式也許會隨頻率的改變而變化。然而，傳播常數(shù)和特性阻抗總是隨頻率變化的。因此，需要頻掃時，在每一個頻率點，都應有相應的解算。通常，隨著頻率的增加，高次模出現(xiàn)的可能性也相應的增加。模式和S參數(shù)    當每個端口的定義都正確時，仿真中包括的每個模式，在端口處都是完全匹配的。因此，每個模式的S參數(shù)和波端口，將會根據(jù)不同頻率下的特性阻抗進行歸一化。這種類型的S參數(shù)叫做廣義的S參數(shù)。    實驗

31、測量，例如矢量網(wǎng)絡分析儀，以及電路仿真器中使用的特性阻抗是常數(shù)（這使得端口在各個頻率下不是完全匹配）。    為了使計算結果，和實驗及電路仿真得到的測量結果保持一致，由HFSS得到的廣義S參數(shù)必須用常數(shù)特性阻抗進行歸一化。如何歸一化，參看波端口校準。注解：對廣義S參數(shù)歸一化的失敗，會導致結果的不一致。例如，既然波端口在每一個頻點都完全匹配，那么S參數(shù)將不會表現(xiàn)出各個端口間的相互作用，而實際上，在為常數(shù)的特性阻抗端口中，這種互作用是存在的。§2.5.3 波端口的邊界條件：波端口邊緣有以下所述的邊界條件：    理想導體或有限電導率邊界在默認條件下

32、，波端口邊緣的外部定義為理想導體。在這種假設條件下，端口定義在波導之內(nèi)。對于被金屬包裹傳輸線結構，這是沒問題的。而對于非平衡或者沒被金屬包圍的傳輸線，在周圍介質中的場必須被計算，不正確的端口尺寸將會產(chǎn)生錯誤的結果。    對稱面端口解算器可以理解理想電對稱面（Perfect E symmetry）和理想磁對稱面（Perfect H symmetry）面。使用對稱面時，需要填入正確的阻抗倍增數(shù)。    阻抗邊界端口解算將識別出端口邊緣處的阻抗邊界。輻射邊界在波端口和輻射邊界之間默認的設置是理想導體邊界。§2.5.4 波端口校準：  &#

33、160;  一個添加到幾何結構的波端口必須被校準以確保一致的結果。為了確定場的方向和極性以及計算電壓，校準是必要的。§2.5.5求解類型:模式驅動     對于模式驅動的仿真，波端口使用積分線校準。每一條用于校準的積分線線都具有以下的特性：     阻抗：作為一個阻抗線，這條線作為Ansoft HFSS在端口對電場進行積分計算電壓的積分路徑。Ansoft HFSS利用這個電壓計算波端口的特性阻抗。這個阻抗對廣義S參數(shù)的歸一化是有用的。通常，這個阻抗指定為特定的值，例如，50歐姆。

34、60;    注意：如果你想有能力歸一化特性阻抗或者想觀察Zpv或Zvi的值就必須在端口設定積分線。校準：作為一條校準線，這條線明確地確定每一個波端口向上或正方向。在任何一個波端口， 時的場的方向至少是兩個方向中的一個。在同一端口，例如圓端口，有兩個以上的可能的方向，這樣你將希望使用極化（Polarize）電場的選項。如果你不定義積分線，S參數(shù)的計算結果也許與你的期望值不一致。提示：也許你需要首先運行端口解（ports-only solution ），幫助你確定如何設置積分線和它的方向。為了用積分線校準一個已經(jīng)定義的波端口，要做一下操作：1.  

35、0;   在項目樹（Project Tree）中打開激勵（Excitations），并雙擊被校準的波端口。2.      選擇模型（Modes）列表。3.      從列表中為第一個模型選擇積分線（Integration Line）一列。然后，選擇新線（New Line）。4.      使用下列方法中的一種進行位置和長度的設置：直接輸入線段起點和終點相對工作坐標系的x,y和z坐標。關于坐標系更多的信息，請參閱XX章。在繪圖窗口的點擊。這條線顯示為矢量，指

36、明了方向。如需要改變線段的方向，在積分線（Integration Line）一列，選擇切換終點（Swap Endpoints）。5.      重復3、4步，設置該端口其它模式的積分線。6.      完成積分線定義后點擊OK。7.      重復16步，設置其它波端口的積分線。關于阻抗線Ansoft HFSS開始計算的S矩陣值是對每個端口的阻抗進行歸一化的結果。然而，我們經(jīng)常希望計算對某一個特定阻抗如50歐姆歸一化的S矩陣。為了將廣義S矩陣轉化成歸一化S矩陣，Ansoft

37、HFSS需要計算各端口的特征阻抗。計算特征阻抗的方法有很多種（Zpi, Zpv, Zvi）。Ansoft HFSS始終會計算Zpi。這個阻抗的計算使用波端口處的功率和電流。另外兩種方法 Zpv和 Zvi需要計算電壓的積分線。利用每一個模式的積分線，可以計算出電壓值。一般來說，阻抗線應該定義在電壓差值最大方向上的兩點之間。如果你要分析多個模式，由于電場方向的變化，需對每個模式分別定義不同的阻抗線。關于校準線：在計算波端口激勵的場模式時,場在t0時的方向是任意的且指向至少兩個方向中的一個。利用參考方向或參考起點，積分線能夠校準端口。需確認每一個端口定義的積分線參考方向都與類似或相同截面端口的參考方

38、向相同。用這種方法，試驗室的測量（通過移去幾何結構，兩個端口連接在一起的方法校正設置）得以重現(xiàn)。由于校準線僅僅確定激勵信號的相位和行波，系統(tǒng)在只對端口解算（ports-only solution ）時可以將其忽略不計。§2.5.6求解類型:終端驅動Ansoft HFSS計算的以模式為基礎的S矩陣表示了波導模式入射和反射功率的比值。上面的方法，不能準確地描述那些有多個準橫電磁波（TEM）模式同時傳播的問題。這種支持多個準橫電磁波（TEM）模式的結構有耦合傳輸線或接頭等。它們通常使用端口S參數(shù)。需要用終端線校準已定義的波端口：1.      在項目

39、樹（Project Tree）中打開激勵（Excitations），并雙擊被校準的波端口。2.      選擇終端（Terminals）列表。3.      從列表中為第一個模型選擇終端線（Terminal Line）一列。然后，選擇新線（New Line）。4.      使用下列方法中的一種進行位置和長度的設置：直接輸入線段起點和終點相對工作坐標系的x,y和z坐標。關于坐標系更多的信息，請參閱XX章。在繪圖窗口的點擊。這條線顯示為矢量，指明了方向。如需要改變線段的方向，在

40、終端線（Terminal Line）一列，選擇切換終點（Swap Endpoints）。5.      重復3、4步，設置該端口其它終端線。6.      完成終端線定義后點擊OK。7.      重復16步，設置其它波端口的終端線。關于終端線：終端的S參數(shù)反映的是波端口節(jié)點電壓和電流的線性疊加。通過節(jié)點電壓和電流端口的導納、阻抗和贗S參數(shù)矩陣就能被確定。    對每個與導體相交的端口，Ansoft HFSS自動將模式解轉變成終端解。一般來說，一個單終端線

41、都是建立在參考面或“地”導體與每一個端口的導體之間。 電壓的參考極性用終端線的箭頭確定，頭部（）為證，尾部（）為負。來的。如果你決定建立了終端線，你就必須在每一個端口和每端口都建立終端線。§2.5.7 定義波斷口的幾點考慮波端口的定位：露于背景的面設定為波端口。背景已經(jīng)被命名為Outer. 因此，一個面如果表露于背景則它與outer相連。用戶可以通過主菜單HFSSèBoundary Display（Solver View）選擇所有的區(qū)域定位。從Solver View of Boundaries，點擊Visibility查看outer。內(nèi)部波端口：結構內(nèi)部定義波端口，你必須在

42、內(nèi)部建立一個不存在的空間或者在已存在物體內(nèi)側選擇一個面并將它的材料定義成為理想導體。內(nèi)部不存在的空間自動將邊界賦值為outer。你可以創(chuàng)建一個整個由其它物體包圍的內(nèi)部空間，然后，從這個物體中剪掉這個空間。端口平面：端口設在單一平面。不允許端口平面彎曲。例如：一個幾何體有一個彎曲的表面，該表面暴露于背景，則這個彎曲的表面不能被定義成波端口。§2.5.8 端口要求一定長度的均勻橫截面Ansoft HFSS假定你所定義的每個端口都與連接到一個于端口具有相同橫截面的半無限長波導。但求解S參數(shù)時，仿真器假定其幾何結構被具有這些截面的自然模式激勵。下面的圖將說明這些橫截面。第一個圖顯示直接在結構外面的導體