二極管的種類、作用與標(biāo)識方法

1、二極管的種類、作用與標(biāo)識方法知識要求 : （1）掌握二極管的種類、作用與標(biāo)識方法。 （2）掌握各種二極管的主要參數(shù)。 : （1）能用目視法判斷、識別常見二極管的種類，能正確說出各種二極管的名稱。 （2）對二極管上標(biāo)識的型號能正確識讀，了解該二極管的作用和用途。 （3）會用萬用表對各種二極管進(jìn)行正確測量，并對其質(zhì)量做出評價 學(xué)習(xí)方法: 該項目通過對實際功率放大器進(jìn)行現(xiàn)場拆卸，對電路板上的各種二極管進(jìn)行認(rèn)識；通過對各種類型的新二極管進(jìn)行認(rèn)識，進(jìn)而學(xué)習(xí)二極管指標(biāo)的標(biāo)注方法；使用萬用表對各種二極管進(jìn)行在線測量和離線測量，達(dá)到能判別二極管質(zhì)量好壞的目的。特別是需要準(zhǔn)備一些已經(jīng)確認(rèn)損壞的各種類型的二極管，

2、對這些已經(jīng)損壞的二極管進(jìn)行外觀識別和指標(biāo)測量。項目實施方法與步驟【項目實施目標(biāo)】（1）熟悉各種二極管的類型和形狀。（2）熟悉各種二極管的規(guī)格和用途。（3）掌握用萬用表檢測二極管的方法。【項目實施器材】（1）電子產(chǎn)品：功率放大器若干臺，兩人配備一臺。（2）各種類型、不同規(guī)格的新二極管若干。（3）各種類型、不同規(guī)格的已經(jīng)損壞的二極管若干（可到電子產(chǎn)品維修部尋找）。（4）每兩個人配備指針式萬用表和數(shù)字式萬用表各一只?！卷椖繉嵤┎襟E】（1）拆卸功率放大器外殼，觀看其內(nèi)部結(jié)構(gòu)，認(rèn)識各種類型的二極管，識讀二極管上的各種數(shù)字和其他標(biāo)志。（2）用萬用表對電路板上的二極管進(jìn)行在線檢測。（3）用萬用表對與電路板上

3、型號和規(guī)格相同的新二極管進(jìn)行離線檢測，并分析比較在線檢測與離線檢測的結(jié)果。（4）完成在項目實訓(xùn)報告中要求的操作，將操作結(jié)果填入相應(yīng)的表格中。常用半導(dǎo)體器件 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識 將所有的物質(zhì)按照導(dǎo)電性能進(jìn)行分類，可以分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體三類。導(dǎo)體：自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體，金屬一般都是導(dǎo)體。絕緣體：有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為絕緣體，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半導(dǎo)體：另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間，稱為半導(dǎo)體，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等 半導(dǎo)體是制作晶體二極管、晶體三極管、場效應(yīng)管和集成電路的材料。導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì)的特點(diǎn)：摻雜性、熱敏性和光敏性 半導(dǎo)體的電阻率隨

4、著溫度的升高而下降，即溫度升高，半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力增強(qiáng)。 半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力受摻入雜質(zhì)的影響顯著，即在半導(dǎo)體材料中摻入微量雜質(zhì)（特定的元素），電阻率下降，導(dǎo)電能力增強(qiáng)。 半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨著光照強(qiáng)度的增強(qiáng)而增強(qiáng)。 常用的半導(dǎo)體材料有硅（元素符號為Si）和鍺（元素符號為Ge）兩種。 純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。因為半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu)是晶體結(jié)構(gòu)，所以又稱為半導(dǎo)體晶體。用半導(dǎo)體材料做成的二極管、三極管又稱為晶體二極管、晶體三極管。本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)GeSi 現(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們的最外層電子（價電子）都是四個。在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)陣，每個原子都處在正

5、四面體的中心，而四個其它原子位于四面體的頂點(diǎn)，每個原子與其相臨的原子之間形成共價鍵，共用一對價電子。硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu)：硅和鍺的共價鍵結(jié)構(gòu)共價鍵共用電子對+4+4+4+4+4表示原子核內(nèi)質(zhì)子共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為自由電子，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。形成共價鍵后，每個原子的最外層電子是八個，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。共價鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。+4+4+4+4+4+4+4+4自由電子空穴束縛電子本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理+4+4+4+4在其它力的作用下，空穴吸引附近的電子來填補(bǔ)，這樣的結(jié)果相當(dāng)于空

6、穴的遷移，而空穴的遷移相當(dāng)于正電荷的移動，因此可以認(rèn)為空穴是載流子。本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子和空穴。溫度越高，載流子的濃度越高。因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng)，溫度是影響半導(dǎo)體性能的一個重要的外部因素，這是半導(dǎo)體的一大特點(diǎn)。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。 本征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成： 1. 自由電子移動產(chǎn)生的電流。 2. 空穴移動產(chǎn)生的電流。（在本征半導(dǎo)體中 自由電子和空穴成對出現(xiàn),同時又不斷的復(fù)合）幾個名詞 半導(dǎo)體硅元素和鍺元素的單個原子都是4價元素，其原子結(jié)構(gòu)為相對穩(wěn)定的共價健結(jié)構(gòu)。所以在室溫下有少數(shù)的價電子可以從原子的熱運(yùn)動中獲得能量，掙脫共價健的束縛，

7、成為帶負(fù)電荷的自由電子；在原來的位置上留下一個帶正電荷的空位，這個空位稱為空穴。在本征半導(dǎo)體中自由電子和空穴是成對出現(xiàn)的稱為電子空穴對。 在外加電壓的作用下，電子和空穴都參與導(dǎo)電，所以電子和空穴都稱為載流子。兩種載流子所帶的電量相等、極性相反，對外不顯電性。自由電子與空穴相遇時也會中和，稱為復(fù)合。 常溫下本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力差，要提高它的導(dǎo)電能力，必須摻入微量的雜質(zhì)（特定元素），這就是雜質(zhì)半導(dǎo)體。在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。P 型半導(dǎo)體：空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為（空穴半導(dǎo)體）。N 型半導(dǎo)體：自由電子

8、濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為（電子半導(dǎo)體）。雜質(zhì)半導(dǎo)體N 型半導(dǎo)體在硅或鍺晶體中摻入少量的五價元素磷，晶體中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，磷原子的最外層有五個價電子，其中四個與相鄰的半導(dǎo)體原子形成共價鍵，必定多出一個電子，這個電子幾乎不受束縛，很容易被激發(fā)而成為自由電子，這樣磷原子就成了不能移動的帶正電的離子。+4+4+5+4多余電子磷原子N 型半導(dǎo)體中的載流子是什么？1.由磷原子提供的電子，濃度與磷原子相同。2.本征半導(dǎo)體中成對產(chǎn)生的電子和空穴。摻雜濃度遠(yuǎn)大于本征半導(dǎo)體中載流子濃度，所以，自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度。自由電子稱為多數(shù)載流子（多子），空穴稱為少數(shù)載流子（少子）。P 型半導(dǎo)體

9、在硅或鍺晶體中摻入少量的三價元素，如硼（或銦），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，硼原子的最外層有三個價電子，與相鄰的半導(dǎo)體原子形成共價鍵時，產(chǎn)生一個空穴。這個空穴可能吸引束縛電子來填補(bǔ)，使得硼原子成為不能移動的帶負(fù)電的離子。+4+4+3+4空穴硼原子P 型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子。三、雜質(zhì)半導(dǎo)體的符號P 型半導(dǎo)體+N 型半導(dǎo)體總結(jié)本征半導(dǎo)體中受激產(chǎn)生的電子很少。N型半導(dǎo)體中電子是多子，其中大部分是摻雜提供的電子，N型半導(dǎo)體中空穴是少子，少子的遷移也能形成電流，由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多子。近似認(rèn)為多子與雜質(zhì)濃度相等。P型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子。比較雜質(zhì)元素多子少子

10、主要導(dǎo)電載流子N型半導(dǎo)體五價磷自由電子空穴 自由 電子P型半導(dǎo)體三價硼空穴自由電子 空穴PN結(jié) 將N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體采用特殊的工藝結(jié)合在一起時，在其交界處會形成一種特殊的阻擋層，這就是PN結(jié)。 PN結(jié)具有很重要的特性單向?qū)щ娦?。實際電路中，PN結(jié)上總要加上一定的電壓，外加電壓的極性不同，導(dǎo)電性能差異很大。P 型半導(dǎo)體N 型半導(dǎo)體+擴(kuò)散運(yùn)動內(nèi)電場E漂移運(yùn)動擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬。內(nèi)電場越強(qiáng)，漂移運(yùn)動越強(qiáng)，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。空間電荷區(qū)，也稱耗盡層。漂移運(yùn)動P型半導(dǎo)體N 型半導(dǎo)體+擴(kuò)散運(yùn)動內(nèi)電場E所以擴(kuò)散和漂移這一對相反的運(yùn)動最終達(dá)到平衡，相當(dāng)于兩個區(qū)之間沒有電荷運(yùn)動，空間電荷區(qū)

11、的厚度固定不變。+空間電荷區(qū)N型區(qū)P型區(qū)電位VV0 注意1.空間電荷區(qū)中沒有載流子。2.空間電荷區(qū)中內(nèi)電場阻礙P區(qū)中的空穴.N 區(qū) 中的電子（都是多子）向?qū)Ψ竭\(yùn)動（擴(kuò)散運(yùn)動）。3. P 區(qū)中的電子和 N區(qū)中的空穴（都是少），數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。(1) 加正向電壓（正偏）電源正極接P區(qū)，負(fù)極接N區(qū) 外電場的方向與內(nèi)電場方向相反。 外電場削弱內(nèi)電場耗盡層變窄擴(kuò)散運(yùn)動漂移運(yùn)動多子擴(kuò)散形成正向電流I F正向電流PN結(jié)的單向?qū)щ娦?2) 加反向電壓電源正極接N區(qū)，負(fù)極接P區(qū) 外電場的方向與內(nèi)電場方向相同。 外電場加強(qiáng)內(nèi)電場耗盡層變寬漂移運(yùn)動擴(kuò)散運(yùn)動少子漂移形成反向電流I RPN 在一定的

12、溫度下，由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度是一定的，故IR基本上與外加反壓的大小無關(guān)，所以稱為反向飽和電流。但I(xiàn)R與溫度有關(guān)。 漂移運(yùn)動P型半導(dǎo)體N 型半導(dǎo)體+擴(kuò)散運(yùn)動內(nèi)電場E所以擴(kuò)散和漂移這一對相反的運(yùn)動最終達(dá)到平衡，相當(dāng)于兩個區(qū)之間沒有電荷運(yùn)動，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。+空間電荷區(qū)N型區(qū)P型區(qū)電位VV0 注意1.空間電荷區(qū)中沒有載流子。2.空間電荷區(qū)中內(nèi)電場阻礙P區(qū)中的空穴.N 區(qū) 中的電子（都是多子）向?qū)Ψ竭\(yùn)動（擴(kuò)散運(yùn)動）。3. P 區(qū)中的電子和 N區(qū)中的空穴（都是少），數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。(1) 加正向電壓（正偏）電源正極接P區(qū)，負(fù)極接N區(qū) 外電場的方向與內(nèi)電場方向相反。 外電

13、場削弱內(nèi)電場耗盡層變窄擴(kuò)散運(yùn)動漂移運(yùn)動多子擴(kuò)散形成正向電流I F正向電流PN結(jié)的單向?qū)щ娦?2) 加反向電壓電源正極接N區(qū)，負(fù)極接P區(qū) 外電場的方向與內(nèi)電場方向相同。 外電場加強(qiáng)內(nèi)電場耗盡層變寬漂移運(yùn)動擴(kuò)散運(yùn)動少子漂移形成反向電流I RPN 在一定的溫度下，由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度是一定的，故IR基本上與外加反壓的大小無關(guān)，所以稱為反向飽和電流。但I(xiàn)R與溫度有關(guān)。 PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)加正向電壓導(dǎo)通 圖1-1 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?將PN結(jié)按照圖1-1（a）所示接上電源稱為加正向電壓，加正向電壓時阻擋層（PN結(jié)）變窄，電阻變小，電流增大，稱為PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?將PN結(jié)

14、按照圖1-1（b）所示接上電源稱為加反向電壓，加反向電壓時阻擋層（PN結(jié)）變寬，電阻變大，電流減小，稱為PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。 綜上所述，當(dāng)PN結(jié)加正向電壓時會導(dǎo)通，加反向電壓時會截止，這就是PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?PN結(jié)加反向電壓截止 綜上所述，當(dāng)PN結(jié)加正向電壓時會導(dǎo)通，加反向電壓時會截止，這就是PN結(jié)的單向?qū)щ娦?。P接高電位、N接低電位，PN結(jié)正偏導(dǎo)通P接低電位、N接高電位，PN結(jié)反向截止PN結(jié)小結(jié)晶體二極管圖晶體二極管的結(jié)構(gòu) 用外殼把一個PN結(jié)封裝起來，從P區(qū)和N區(qū)各引出一個電極，就組成一個晶體二極管，簡稱二極管，用VD表示。示意圖如圖1-2（a）所示。圖（b）是晶體二極管的電路符號。圖1

15、-2 晶體二極管引線外殼線觸絲線基片點(diǎn)接觸型PN結(jié)面接觸型PN二極管的電路符號：陽極+陰極-晶體二極管的分類 晶體二極管種類很多 按照制造材料的不同分為硅二極管和鍺二極管。 按照用途分為整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管等。 按照制造工藝分類有點(diǎn)接觸型、面接觸型、平面型等。 2.2.1 二極管的結(jié)構(gòu)、類型及符號將一個PN結(jié)封裝起來，引出兩個電極，就構(gòu)成半導(dǎo)體二極管，也稱晶體二極管。其電路中的表示符號如圖2-11a所示。二極管的外形如圖2-1b所示。二極管的結(jié)構(gòu)示意圖 二極管的結(jié)構(gòu)有三種，點(diǎn)接觸型、面接觸型、平面型，如圖2-12所示。點(diǎn)接觸型面接觸型平面型2二極管的特性伏安特性：二極

16、管的導(dǎo)電性能由加在二極管兩端的電壓和流過二極管的電流來決定，這兩者之間的關(guān)系稱為二極管的伏安特性。硅二極管的伏安特性曲線如圖所示。特性曲線1.1半導(dǎo)體二極管 二極管兩端的電壓u（單位為伏）與電流i（單位為安）之間的變化規(guī)律稱為晶體二極管的伏安特性。通常用曲線來表示二極管的伏安特性，這條曲線稱為伏安特性曲線。伏安特性曲線可以通過實驗的方法得到，測試電路如下圖1-3所示。 圖1-3 晶體二極管伏安特性測試 正向?qū)ǎ寒?dāng)外加電壓大于死區(qū)電壓后，電流隨電壓增大而急劇增大，二極管導(dǎo)通。 死區(qū)：當(dāng)正向電壓較小時，正向電流極小，二極管呈現(xiàn)很大的電阻，如 OA 段，通常把這個范圍稱為死區(qū)。 死區(qū)電壓：導(dǎo)通電壓

17、：=onV0.2 V 0.3 V （Ge）0.6 V 0.7 V （Si）結(jié)論：正偏時電阻小，具有非線性。（1）正向特性（二極管正極電壓大于負(fù)極電壓）1.1半導(dǎo)體二極管=(Si）V 0.2V 5.0TV(Ge） 反向擊穿：若反向電壓不斷增大到一定數(shù)值時，反向電流就會突然增大，這種現(xiàn)象稱為反向擊穿。 反向飽和電流：當(dāng)加反向電壓時，二極管反向電流很小，而且在很大范圍內(nèi)不隨反向電壓的變化而變化，故稱為反向飽和電流。（2）反向特性（二極管負(fù)極電壓大于正極電壓）普通二極管不允許出現(xiàn)此種狀態(tài)。結(jié)論：反偏電阻大，存在電擊穿現(xiàn)象。二極管屬于非線性器件 1.1半導(dǎo)體二極管3半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)（1）最大整流電

18、流 IF： 二極管長時間工作時允許通過的最大直流電流。 二極管正常使用時允許加的最高反向電壓。 使用時應(yīng)注意流過二極管的正向最大電流不能大于這個數(shù)值，否則可能損壞二極管。（2）最高反向工作電壓 VRM使用中如果超過此值，二極管將有被擊穿的危險。1.1半導(dǎo)體二極管二極管特性曲線測試 用圖1-3（a）測試二極管的正向特性曲線 用圖1-4（b）測試二極管的反向特性曲線 電阻R為限流電阻，為防止因電路中的電流過大損壞二極管而設(shè)計。改變可調(diào)電阻RW的大小，可以得到不同的輸入電壓，每給定一個電壓值讀出相應(yīng)的電流值，把若干個這樣的測試結(jié)果用描點(diǎn)連線的方法作在同一個u-i平面上,就可以得到如圖1-4所示的晶體

19、二極管的伏安特性曲線。 圖1-4 晶體二極管伏安特性曲線 晶體二極管特性曲線曲線分析 正向特性只有當(dāng)正向電壓超過某一數(shù)值時，才有明顯的正向電流，這個電壓數(shù)值稱為“門限電壓”或“死區(qū)電壓”用UT表示。對于硅管UT為伏；對于鍺管UT為伏。一般情況下，從曲線近似直線部分作切線，切線與橫坐標(biāo)的交點(diǎn)即為UT。 隨著電壓u的增加，電流i按照指數(shù)的規(guī)律增加，當(dāng)電流較大時，電流隨著電壓的增加幾乎直線上升。不論硅管還是鍺管，即使工作在最大允許電流，管子兩端的電壓降一般也不會超過伏，這是晶體二極管的特殊結(jié)構(gòu)所決定的。 反向特性 反向電流很小。而且相同溫度下，硅管比鍺管的反向電流更小。反向擊穿之前，反向電流基本不隨

20、反向電壓的變化而變化，所以這個電流稱為反向飽和電流。用IS表示。反向飽和電流隨著溫度的上升而按照指數(shù)的規(guī)律增長。 反向擊穿特性 當(dāng)反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流將急劇增加，這種現(xiàn)象稱為擊穿現(xiàn)象。對應(yīng)于電流突變的這一點(diǎn)的電壓稱為反向擊穿電壓，用UB表示。 可見二極管特性是單向?qū)щ娦?。陰極陽極接高電位、陰極接低電位，二極管正偏導(dǎo)通陽極低電位、陰極高電位，二極管反向截止虛擬實驗演示晶體二極管的主要參數(shù) 最大整流電流IF 允許流過二極管的平均電流的最大值。正常工作時二極管的電流ID應(yīng)該小于IF。 最高反向工作電壓UR 允許加在二極管上反向電壓的最大值。一般情況下取UR為UB（反向擊穿電壓）的一半。

21、最高工作頻率fM 指二極管工作頻率的上限值。主要由PN結(jié)的電容決定。外加信號的頻率超過二極管的最高工作頻率時，二極管的單向?qū)щ娦阅軐⒉荒芎芎玫捏w現(xiàn)。特殊二極管 UIIZIZmaxUZIZ穩(wěn)壓誤差曲線越陡，電壓越穩(wěn)定。+-UZ 2.光電二極管 光電子系統(tǒng)的突出優(yōu)點(diǎn)：抗干擾能力強(qiáng)，可大量傳輸信息，且傳輸功耗小，工作可靠，而光信號與電信號之間的接口需要由一些特殊的光電子器件來完成。如：光敏二極管、發(fā)光二極管光敏二極管 光敏二極管與普通PN結(jié)二極管類似，但在其PN結(jié)處，有玻璃窗口能接收外部的光照，PN結(jié)在反向偏置下工作，它的反向電流隨光照強(qiáng)度增加而上升。主要特點(diǎn)：反向電流與照度成正比。無光照時，反向電

22、流很小，稱其為暗電流；有光照時，反向電流很大，稱其為光電流。IU照度增加發(fā)光二極管有正向電流流過時，發(fā)出一定波長范圍的光，目前的發(fā)光管可以發(fā)出從紅外到可見波段的光，它的電特性與一般二極管類似。項目相關(guān)知識 半導(dǎo)體器件是近60年來發(fā)展起來的新型電子器件，具有體積小、重量輕、耗電省、壽命長、工作可靠等一系列優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用十分廣泛。常用二極管的外型和封裝形式如圖所示。圖4.1 常用二極管的外型和封裝形式圖4.1 常用二極管的外型和封裝形式（續(xù)）知識1 國產(chǎn)二極管型號命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用數(shù)字表示器件的電極數(shù)目用字母表示器件的材料和類性用字母表示器件的用途用數(shù)字表示序號用字母表示

23、規(guī)格符號意義符號意義符號意義意義意義2二極管AN型，鍺材料P小信號管反映了極限參數(shù)、直流參數(shù)和交流參數(shù)的差別反映承受反向擊穿電壓的程度，其規(guī)格號為A、B、C、D。其中A承受的反向擊穿電壓最低，B次之BP型，鍺材料V混頻檢波器CN型，硅材料W穩(wěn)壓管DP型，硅材料C變?nèi)萜鱖整流管S隧道管GS光電子顯示器K開關(guān)管T半導(dǎo)體閘流管Y體效應(yīng)器件B雪崩管J階躍恢復(fù)管CS場效應(yīng)器件BT半導(dǎo)體特殊器件PINPIN管GJ激光管知識2 二極管的類型與用途 二極管的外包裝材料有塑料、玻璃和金屬3種。按照二極管的結(jié)構(gòu)材料可分為硅和鍺兩種；按制作與識別可分為點(diǎn)接觸型和面接觸型；按用途可分為整流二極管、穩(wěn)壓二極管、檢波二極

24、管、開關(guān)二極管、雙向二極管、變?nèi)荻O管、阻尼二極管、高壓硅堆和敏感類二極管（光敏、溫敏、壓敏、磁敏等）。1整流二極管 整流二極管主要用于把交流電變換成脈動的直流電。整流二極管的結(jié)構(gòu)為面接觸型，其結(jié)電容較大，因此，工作頻率范圍較窄（3kHz以內(nèi)）。常用的型號有2CZ型、2DZ型等，還有用于高壓和高頻整流電路的高壓整流堆，如2CGL型、DH26型、2CL51型等。選擇整流二極管時主要考慮其最大整流電流、最高反向工作電壓是否滿足要求。常用的硅橋（硅整流組合管）為QL型。 知識3 二極管的檢測1用萬用表測試普通二極管的方法 普通二極管外殼上均印有型號和標(biāo)記。標(biāo)記方法有箭頭、色點(diǎn)、色環(huán)3種，箭頭所指方向

25、或靠近色環(huán)的一端為二極管的負(fù)極，有色點(diǎn)的一端為正極。若型號和標(biāo)記脫落時，可用萬用表的歐姆擋進(jìn)行判別。主要原理是根據(jù)二極管的單向?qū)щ娦?，其反向電阻遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于正向電阻。具體過程如下。（1）判別極性 將萬用表選在“R100”擋或“R1k”擋，兩表筆分別接二極管的兩個電極。若測出的電阻值較?。ü韫転閹装俚綆浊W姆，鍺管為1001k），說明是正向?qū)?，此時黑表筆接的是二極管的正極，紅表筆接的則是負(fù)極；若測出的電阻值較大（幾十到幾百千歐姆），為反向截止，此時紅表筆接的是二極管的正極，黑表筆接的是負(fù)極。（2）檢查好壞 通過測量正、反向電阻可判斷二極管的好壞。一般小功率硅二極管正向電阻為幾千歐姆到幾兆歐姆，鍺管

26、約為1001k。（3）判別硅、鍺管 若不知被測的二極管是硅管還是鍺管，可根據(jù)硅、鍺管的導(dǎo)通壓降不同的原理來判別。將二極管接在電路中，當(dāng)其導(dǎo)通時，用萬用表測其正向壓降,硅管一般為0.7V,鍺管為0.3V。也可以用數(shù)字表直接測量二極管的正向壓降，馬上判斷出該二極管的材料。2用萬用表測試穩(wěn)壓管的方法（1）極性的判別 與普通二極管的判別方法相同。（2）檢查好壞 將萬用表置于“R10k”擋，黑表筆接穩(wěn)壓管的“”極，紅筆接穩(wěn)壓管的“+”，若此時的反向電阻很?。ㄅc使用“R1k”擋時的測試值相比校），說明該穩(wěn)壓管正常。因為萬用表“R10k”擋的內(nèi)部電壓都在9V以上，可達(dá)到被測穩(wěn)壓管的擊穿電壓，使其阻值大大減小。3用萬用表測試雙向二極管的方法（1）將萬用表置于“R1k”擋或“R10k”擋，測量雙向二極管的正反向電阻。因為雙向二極管的轉(zhuǎn)折電壓值均在20V以上，所以測量一個正常的雙向二極管的正、反向電阻的阻值都應(yīng)是無窮大。（2）外加電源測量法。 給雙向二極管外加一個能高于雙向二極管轉(zhuǎn)折電壓的電源，一般小管子50V就夠了。測量時，將萬用表的電流擋串接在電路中，逐漸增加電源電壓，當(dāng)電流表的指針有較