如圖所示一厚度為a的無(wú)限大帶電平板其電荷體密度分布為kx

1、1、一點(diǎn)電荷放在球形高斯面的中心處，下列哪一種情況，通過(guò)高斯面的電通量發(fā)生變化？（）、將另一點(diǎn)電荷 放在高斯面外；（）、將另一點(diǎn)電荷 放在高斯面內(nèi)；（）、將球心處的點(diǎn)電荷移動(dòng)，但還在高斯面內(nèi)；（）、將高斯面半徑縮小2、點(diǎn)電荷 被曲面所包圍，從無(wú)窮遠(yuǎn)處引入另一點(diǎn)電荷 q到曲面外一點(diǎn)，如圖所示，則引入前后：（）、曲面的電通量不變，曲面上各點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)不變；（）、曲面的電通量變化，曲面上各點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)不變；（C）、曲面的電通量變化，曲面上各點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)變化；（D）、曲面的電通量不變，曲面上各點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)變化。 QqS B D 3、已知一高斯面所包圍的體積內(nèi)電量代數(shù)和為零，則可以肯定：（）高斯面上各點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)均為零；（）

2、穿過(guò)高斯面上每一面元的電通量為零；（）穿過(guò)整個(gè)高斯面上的電通量為零；（）以上說(shuō)法均不對(duì)4、如圖所示，兩個(gè)無(wú)限長(zhǎng)的半徑分別為和的共軸圓柱面，均勻帶電，沿軸線方向單位長(zhǎng)為度上的帶電量分別為1,、2，則在外圓柱外面，距離軸線為r處的點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為：rP12答案： C 5、如圖所示，一個(gè)帶電量為q的點(diǎn)電荷位于立方體的角上，則通過(guò)側(cè)面abcd的電通量為：qabcd如果放在中心處，則又是多少？cAabdq6、設(shè)電荷 體密度沿 x 軸方向按余弦規(guī)律cosx分布在整個(gè)間，試求間場(chǎng)強(qiáng)分布。Yoz平面xESx-x解：如圖所示，由于cosx為偶函數(shù)，故其電荷分布關(guān)于yoz平面對(duì)稱，電場(chǎng)強(qiáng)度亦關(guān)于yoz平面對(duì)稱，

3、作面積為，高為2x的長(zhǎng)方體（或柱體），則利用高斯定理得：7、有一帶球殼，內(nèi)外半徑分別為a和b,電荷 密度=A/r,在球心處有一 點(diǎn)電荷 ，證明當(dāng)=Q/2a2 時(shí)，球殼區(qū)域內(nèi)的場(chǎng)強(qiáng)的大小與r無(wú)關(guān)。r 證明： 以為圓心，半徑 r作一球面為高斯面，則利用定理與場(chǎng)分 布具有球?qū)ΨQ性的特點(diǎn)可得S8、圖示為一個(gè)均勻帶電球?qū)?，其電荷體密度為，球殼內(nèi)半徑為，外半徑為，為零點(diǎn)。求球內(nèi)外電場(chǎng)分布。0rS 解：以o為圓心，半徑 r作一球面為高斯面，則利用定理與場(chǎng)分 布具有球?qū)ΨQ性的特點(diǎn)可得9、如圖，求空腔內(nèi)任一點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)。解：求空腔內(nèi)任一點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)，挖 去體密度為的小球，相當(dāng)于不挖，而在同一位置處，放一體密度為- 的小球產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)的迭加。010213 如圖所示,一厚度為a的無(wú)限大帶電平板,其電荷體密度分布為 kx (0 x a)式中k 為正常數(shù),試證明:(1) 平板外空間的場(chǎng)強(qiáng)為均勻電場(chǎng),大小為 (2) 平板內(nèi) 處E=0解(1)據(jù)分析可知平板外的電場(chǎng)是均勻電場(chǎng),作如圖封閉圓柱面為高斯面 x0axdxES(2)xa x0axE1S解: (1) 以O(shè)為對(duì)稱點(diǎn)作垂直于平板平面的圓柱面為高斯面，設(shè)底面積為S，長(zhǎng)度為2x，如圖所示。高斯面內(nèi)所包含的電量為：高斯面內(nèi)所包含的電通量為：由高斯定理：OQP設(shè)電荷密度均勻,求電場(chǎng)分布對(duì)于Q點(diǎn)：以Q為對(duì)稱點(diǎn)作