原子的結(jié)構(gòu)及性質(zhì)習(xí)題

1、 -. 可修編. 原子的構(gòu)造與性質(zhì)一、選擇題1核中子數(shù)為N的R2+離子，質(zhì)量數(shù)為A，則n克它的氧化物所含電子物質(zhì)的量為A. B.C. D.2以下表達(dá)方式錯(cuò)誤的選項(xiàng)是AD2O分子中氧原子為sp3雜化BCr原子價(jià)電子排布式：3d54s1C硫離子的核外電子排布式：1s22s22p63s23p6DS原子的電子排布圖: 3以下說(shuō)法不正確的選項(xiàng)是A核外電子排布為1s22s22p43s2的原子處于激發(fā)態(tài)B*元素質(zhì)量數(shù)51，中子數(shù)28，其基態(tài)原子中未成對(duì)電子數(shù)為1C假設(shè)*基態(tài)原子的外圍電子排布為4d15s2，該元素原子核外有5個(gè)電子層DBF3中B原子sp2雜化，為平面三角形4以下能級(jí)中軌道數(shù)為5的是As能級(jí)

2、Bp能級(jí) Cd能級(jí) Df能級(jí)5如圖是一些原子的2p能級(jí)和3d能級(jí)中電子排布的情況，其中正確的選項(xiàng)是A B C D6*元素基態(tài)原子失去3個(gè)電子后，3d軌道半充滿，其原子序數(shù)為A24 B25 C26 D277以下電子排布圖所表示的是元素的原子，其中能量處于最低狀態(tài)的是ABCD二、填空題8由徐光憲院士發(fā)起、院士學(xué)子同創(chuàng)的分子國(guó)科普讀物最近出版了，全書(shū)形象生動(dòng)地戲說(shuō)了BF3、TiO2、HCHO、N2O、二茂鐵、NH3、H、H2S、O3、異戊二烯和萜等眾多分子國(guó)中的明星。1寫(xiě)出Fe3+的基態(tài)核外電子排布式。2HCHO分子中碳原子軌道的雜化軌道類(lèi)型為；1mol H分子中含有鍵的數(shù)目為_(kāi)mol。3N2O的空

3、間構(gòu)型為。10銅及其化合物在科學(xué)研究和工業(yè)生產(chǎn)中具有許多用途。1納米氧化亞銅Cu2O是一種用途廣泛的光電材料，高溫下Cu2O比CuO穩(wěn)定，畫(huà)出基態(tài)Cu原子的價(jià)電子軌道排布圖_；從核外電子排布角度解釋高溫下Cu2O比CuO更穩(wěn)定的原因_；11化學(xué)選修3：物質(zhì)構(gòu)造與性質(zhì)利用元素周期表中同族元素的相似性，可預(yù)測(cè)元素的性質(zhì)。1寫(xiě)出P元素的基態(tài)原子的核外電子排布式：_，P元素的基態(tài)原子有_個(gè)未成對(duì)電子。2白磷的分子式為P4，其構(gòu)造如以下圖所示?？茖W(xué)家目前合成了 N4分子，在N4分子中N原子的雜化軌道類(lèi)型是_，NN鍵的鍵角為_(kāi)3N、P、As原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)開(kāi)。12釩、砷均屬于第四周期元素，

4、最高正價(jià)均為+5。I.高純度砷可用于生產(chǎn)具有半導(dǎo)體貴族之稱(chēng)的新型半導(dǎo)體材料 GaAs，砷與氯氣反響可得到 AsCl3、AsCl5兩種氯化物。1兩種氯化物分子中屬于非極性分子的是，AsCl3分子的中心原子雜化類(lèi)型是，分子構(gòu)型是。2Ga 與 As 相比，第一電離能較大的元素是，GaAs 中砷的化合價(jià)為。研究說(shuō)明，在 GaAs 晶體中，Ga、As 原子最外電子層均到達(dá) 8 電子穩(wěn)定構(gòu)造，則 GaAs 的晶體類(lèi)型是。13氟及氟產(chǎn)品在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中應(yīng)用非常廣泛，答復(fù)以下問(wèn)題：(1)基態(tài)氟原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有_種，這些電子的電子云形狀有_種；氟原子的價(jià)電子排布式為_(kāi)；(2)NaHF2(氟化氫鈉)電解可制

5、氟氣，NaHF2中所含作用力的類(lèi)型有_；與HF2-互為等電子體的分子有_；(舉一例)(3)N2F2(二氟氮烯)分子中，氮原子的雜化軌道類(lèi)型為_(kāi)，畫(huà)出N2F2可能的構(gòu)造式_；14*、Y、Z、U、W是原子序數(shù)依次增大的前四周期元素其中Y的原子核外有7種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子；*、Z中未成對(duì)電子數(shù)均為2； U是第三周期元素形成的簡(jiǎn)單離子中半徑最小的元素；W的層電子全充滿，最外層只有1個(gè)電子請(qǐng)答復(fù)以下問(wèn)題：1 *、Y、Z的第一電離能從大到小的順序是_(用元素符號(hào)表示，下同)。2寫(xiě)出W的價(jià)電子排布式_，W同周期的元素中，與W原子最外層電子數(shù)相等的元素還有_。3根據(jù)等電子體原理，可知化合物*Z的構(gòu)造式是_,

6、YZ2-的VSEPR模型是_。4 *、Y、Z的簡(jiǎn)單氮化物的鍵角從大到小的順序是_(用化學(xué)式表示)，原因是_5由元素Y與U元素組成的化合物A，晶胞構(gòu)造如下圖(黑球表示Y原子，白球表示U原子)，請(qǐng)寫(xiě)出化合物A的化學(xué)式_，該物質(zhì)硬度大，推測(cè)該物質(zhì)為_(kāi)晶體。其中Y元素的雜化方式是_。6U的晶體屬立方晶系，其晶胞邊長(zhǎng)為405pm ，密度是2.70g/cm3，通過(guò)計(jì)算確定其晶胞的類(lèi)型_(堆簡(jiǎn)單立方堆積、體心立方堆積或面心立方最密堆積)(己知：4053=6.64107)。15【物質(zhì)構(gòu)造與性質(zhì)】硒Se是一種有抗癌、抗氧化作用的元素，可以形成多種化合物。1基態(tài)硒原子的價(jià)層電子排布式為。2鍺、砷、硒的第一電離能大

7、小排序?yàn)椤2SeO4的酸性比H2SeO3的強(qiáng)，其原因是。3H2SeO3的中心原子雜化類(lèi)型是；SeO32-的立體構(gòu)型是。與SeO42-互為等電體的分子有寫(xiě)一種物質(zhì)的化學(xué)式即可。4H2Se屬于填：極性或非極性分子；單質(zhì)硒的熔點(diǎn)為217，它屬于晶體。5硒化鋅是一種重要的半導(dǎo)體材料，其晶胞構(gòu)造如下圖，該晶胞中硒原子的配位數(shù)為；假設(shè)該晶胞密度為gcm-3，硒化鋅的摩爾質(zhì)量為M g/mol。NA代表阿伏加德羅常數(shù)，則晶胞參數(shù)a為_(kāi)pm。16砷(As)及其化合物可用于制半導(dǎo)體及除草劑等。答復(fù)以下問(wèn)題：1砷是氮的同族元素，比氮多2個(gè)電子層，砷在周期表中的位置為第_周期_族；AsH3的熱穩(wěn)定性比NH3_填強(qiáng)或

8、弱。砷在自然界中豐度最大的核素的中子數(shù)為40，該核素為_(kāi)用元素符號(hào)表示。2砷化鎵是常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料，Ga與As同周期，鎵最外層有3個(gè)電子，砷化鎵的化學(xué)式為_(kāi)。3*工業(yè)廢水中含有少量的As2O3，向該廢水入硫化氫可將其轉(zhuǎn)化為更難溶的As2S3，該反響的化學(xué)方程式為_(kāi)。17M、R、*、Y為原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素，Z是一種過(guò)渡元素。M基態(tài)原子L層中p軌道電子數(shù)是s軌道電子數(shù)的2倍，R是同周期元素中最活潑的金屬元素，*和M形成的一種化合物是引起酸雨的主要大氣污染物，該化合物有漂白性，能使品紅溶液褪色，Z的基態(tài)原子4s和3d軌道半充滿。請(qǐng)答復(fù)以下問(wèn)題：1Z原子的價(jià)電子排布式是，*和Y中電負(fù)性較

9、大的是填元素符號(hào)。2*的氫化物的沸點(diǎn)低于與其組成相似的M的氫化物，其原因是。3*與M形成的*M3分子的空間構(gòu)型是，中心原子的雜化軌道類(lèi)型為。4M和R所形成的一種離子化合物R2M晶體的晶胞如以下圖所示，則圖中黑球代表的離是_填離子符號(hào)。評(píng)卷人得分三、推斷題18【選修3：物質(zhì)構(gòu)造與性質(zhì)】*、Y、M、Z、R為前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大。*Y2是紅棕色氣體；*與氫元素可形成*H3；M是周期表中電負(fù)性最大的元素；Z基態(tài)原子的M層是K層電子數(shù)的3倍；R2離子的3d軌道中有9個(gè)電子。請(qǐng)答復(fù)以下問(wèn)題：1基態(tài)Y原子的價(jià)電子排布圖是_；Z所在周期中第一電離能最大的主族元素是_元素名稱(chēng)。2*Y2離子的立體構(gòu)型

10、是_；R2+的水合離子RH2O42+中，提供孤電子對(duì)的原子是_元素符號(hào)。3*H3易與R2+形成配離子，但*M3不易與R2+形成配離子，其原因是_。4Y與R所形成的化合物晶體晶胞如以下圖所示，該晶體的化學(xué)式：_；晶胞參數(shù)如以下圖所示，則該晶胞密度是_gcm3列式并計(jì)算結(jié)果，保存小數(shù)點(diǎn)兒后一位。5圖1表示*種含氮有機(jī)化合物的構(gòu)造，其分子4個(gè)氮原子分別位于正四面體的4個(gè)頂點(diǎn)見(jiàn)圖2，分子存在空腔，能嵌入*離子或分子并形成4個(gè)氫鍵予以識(shí)別。以下分子或離子中，能被該有機(jī)化合物識(shí)別的是_填標(biāo)號(hào)。aCF4 bCH4 cNH4+ dH2O -. 可修編. 參考答案1A【解析】試題分析：氧化物的化學(xué)式為RO，則n

11、克它的氧化物所含電子物質(zhì)的量為，答案選A。考點(diǎn)：考察核素組成的有關(guān)判斷2D【解析】試題分析：AD2O分子中氧原子含有的價(jià)層電子對(duì)數(shù)，因此為sp3雜化，A正確；BCr原子的原子序數(shù)是24，區(qū)價(jià)電子排布式：3d54s1，B正確；C硫離子的核外有18個(gè)電子，其電子排布式為 1s22s22p63s23p6，C正確；DS原子的電子排布圖為，D錯(cuò)誤，答案選D。考點(diǎn)：考察化學(xué)用語(yǔ)正誤判斷3B【解析】試題分析：A.處于基態(tài)的原子的核外電子排布為1s22s22p6，核外電子排布為1s22s22p2，1s22s22p43s2的原子處于激發(fā)態(tài)，A項(xiàng)正確；B. *元素質(zhì)量數(shù)51，中子數(shù)28，則質(zhì)子數(shù)為51-28=23

12、，其基態(tài)原子的核外電子排布為Ar3d34s2，其未成對(duì)電子數(shù)為3，B項(xiàng)錯(cuò)誤；C. 根據(jù)基態(tài)原子的外圍電子排布為4d15s2，可知該該元素原子核外有5個(gè)電子層，C項(xiàng)正確；D.根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論，BF3中成鍵電子對(duì)為3，孤電子對(duì)為3-32=0，價(jià)電子對(duì)數(shù)為3+0=3，則B原子sp2雜化，為平面三角形，D項(xiàng)正確；答案選B?？键c(diǎn)：考察核外電子排布，雜化類(lèi)型的判斷等知識(shí)。4C【解析】試題分析：能級(jí)的軌道數(shù)分別為1、3、5、7，應(yīng)選項(xiàng)C正確?？键c(diǎn)：考察能級(jí)和軌道數(shù)等知識(shí)。5D【解析】試題分析：原子核外電子排布，應(yīng)滿足能量最低原理，洪特規(guī)則以及泡利不相容原理，以此進(jìn)展判斷解：A同一軌道自旋方向一樣，違反

13、泡利不相容原理，故A錯(cuò)誤；B.2p能層有3個(gè)電子，應(yīng)在3個(gè)不同的軌道，不符合洪特規(guī)則，故B錯(cuò)誤；C不同軌道的單電子自旋方向不同，違反了洪特規(guī)則，故C錯(cuò)誤；D符合洪特規(guī)則、泡利不相容原理，故D正確應(yīng)選D6C【解析】試題分析：根據(jù)構(gòu)造原理，核外電子排滿4s再排3d，元素的基態(tài)原子失去3個(gè)電子后，它的3d軌道上的電子恰好半滿3d5，所以4s上的電子數(shù)為2，其原子子的電子排布為：1s22s22p63s23p63d64s2，核外電子數(shù)為26，答案為C?？键c(diǎn)：考察元素的推斷7A【解析】試題分析：A選項(xiàng)電子能量處于最低的狀態(tài)即為基態(tài)；B選項(xiàng)中2s上的電子激發(fā)到2p上，應(yīng)為激發(fā)態(tài)，能量較高；C選項(xiàng)中2p上的三

14、個(gè)電子盡可能分占不同軌道，且自旋方向一樣時(shí)能量最低；D選項(xiàng)中，應(yīng)先填滿2s，再填2p，錯(cuò)誤考點(diǎn)：原子電子排布81Ar3d52sp2雜化；23直線型；S-或O-或O-等4Ti鈦【解析】試題分析：1鐵是26號(hào)元素，鐵原子核外有26個(gè)電子，鐵原子失去3個(gè)電子變?yōu)镕e3+，根據(jù)構(gòu)造原理知，該離子核外電子排布式為Ar3d5，故答案為：Ar3d5；2HCHO中C原子雜化軌道數(shù)為3+4-21-2=3，采取sp2雜化方式，H 中含有1個(gè)H-C鍵，1個(gè)CN鍵，共有2個(gè)鍵，所以1mol H中含有的鍵的數(shù)目為2mol，故答案為：sp2；2；3N2O中O原子雜化軌道數(shù)為2+6-23=2，采取sp雜化方式，空間構(gòu)型為直

15、線型，與N2O互分等電子體的一種離子為S-等，故答案為：直線型；S-等；4黑球的數(shù)目=8+1=2，白球數(shù)目=4=4，黑白球比例為1：2，故黑球是Ti，故答案為：鈦Ti?？键c(diǎn)：考察了核外電子排布式的書(shū)寫(xiě)、等電子體、雜化軌道類(lèi)型、鍵數(shù)的判斷、配位鍵的相關(guān)知識(shí)。91Ar3d54s2；28mol；sp3，CO2；IF5+3H2OHIO3+5HF ；34?！窘馕觥吭囶}分析：1Mn是25號(hào)元素，位于第四周期VIIB族元素，電子排布式為：Ar3d54s2；2成鍵原子間只能形成一個(gè)鍵，因此1mol此物質(zhì)中含有8mol鍵；H2O2的構(gòu)造簡(jiǎn)式為HOOH，雜化軌道數(shù)等于價(jià)層電子對(duì)數(shù)，價(jià)層電子對(duì)數(shù)=鍵+孤電子對(duì)數(shù)，因

16、此O的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，雜化類(lèi)型為sp3，等電子體是原子總數(shù)相等，價(jià)電子總數(shù)的相等的微粒，因此與CS2是等電子體的是CO2；發(fā)生雙水解反響，根據(jù)水解的定義，此反響式IF53H2O=HIO35HF；4S2位于頂點(diǎn)和面上，離子晶體的配位數(shù)是距離最近的異性微粒的個(gè)數(shù)，即S2的配位數(shù)是4?？键c(diǎn)：考察化學(xué)用語(yǔ)、雜化類(lèi)型、等電子體等知識(shí)。10(1)亞銅離子核外電子處于穩(wěn)定的全充滿狀態(tài)(1分)(2)Cu(OH)2+4NH3=Cu(NH3)42+2OH-2分a、b、d(2分) 正四面體1分，sp32分3122分，464/6.021023(361.410-10)3(3分)【解析】試題分析：1Cu的核外電子排布為

17、3d104s1，故價(jià)電子軌道排布圖為。亞銅離子核外電子處于穩(wěn)定的全充滿狀態(tài)，所以導(dǎo)致高溫下Cu2O比CuO更穩(wěn)定；2CuOH2溶解氨氣的離子方程式為Cu(OH)2+4NH3=Cu(NH3)42+2OH-；Cu(NH3)4SO4H2O晶體中存在的化學(xué)鍵有離子鍵，極性鍵和配位鍵，答案選a、b、d；SO42-中S原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)是4，且不存在孤對(duì)電子，為sp3雜化，立體構(gòu)型為正四面體；3由Cu原子的構(gòu)型可知，晶胞中Cu原子的配位數(shù)為12，Cu晶體的密度為?？键c(diǎn)：考察核外電子排布、配位鍵、雜化軌道、空間構(gòu)型、晶體構(gòu)造與性質(zhì)以及計(jì)算等1111s22s22p63s23p3或Ne3s23p3，3；2sp3

18、，60o；3NPAs；44；5氮化硼(BN)晶體；(1454)/NA(a10-10)3或5.81032/NAa3?！窘馕觥吭囶}分析：1P屬于15號(hào)元素，位于第三周期第VA族，核外電子排布式1s22s22p63s23p3或Ne 3s23p3，p能級(jí)有三個(gè)空軌道，每一個(gè)電子優(yōu)先占據(jù)一個(gè)軌道，且自旋方向一樣，因此有3個(gè)未成對(duì)電子；2根據(jù)白磷的分子構(gòu)造，每一個(gè)氮原子有3個(gè)鍵，一個(gè)孤電子對(duì)，因此雜化類(lèi)型為sp3，白磷的空間構(gòu)型為正四面體，但鍵角是60o；3同主族從上到下第一電離能減小，即NPAs；4根據(jù)晶胞的構(gòu)造，B原子全部位于晶胞，因此每個(gè)晶胞有4個(gè)B原子；(5)兩者為原子晶體，NB的鍵長(zhǎng)比GaAs的

19、鍵長(zhǎng)短，因此沸點(diǎn)高的是BN，此晶胞中含B原子數(shù)為4個(gè)，晶胞的質(zhì)量為4145/NAg，晶胞的體積為(a1010)3cm3，因此密度為：(145 4)/ NA (a10-10)3或5.81032/NAa3?？键c(diǎn)：考察能級(jí)、雜化類(lèi)型、第一電離能、晶胞等知識(shí)。121 AsCl5；sp3雜化；三角錐型；2 As；-3；原子晶體；10928；II.3 1s22s22p63s23p63d34s2或Ar3d34s2；+5；2V2O5 +4NaCl+O2=4NaVO3+2Cl2；V2O5+5Ca=2V+5CaO；4 8；d 3NA?！窘馕觥吭囶}分析：1 AsCl3中As的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=3+5-13=4，采用sp

20、3雜化，為三角錐型分子，是極性分子；AsCl5中As的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=5+5-15=5，為三角雙錐型分子，是非極性分子，故答案為：AsCl5；sp3雜化；三角錐型；2同一周期元素，元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢(shì)，但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素，所以第一電離能AsGa，GaAs 中砷的電負(fù)性大于鎵，所以砷顯-3價(jià)；由晶體中鎵、砷原子最外層電子數(shù)目知，鎵與砷之間形成了四個(gè)共價(jià)鍵其中有一個(gè)為配位鍵，晶體中每個(gè)鎵原子、砷原子均與另外四個(gè)原子成鍵，形成空間網(wǎng)狀構(gòu)造的晶體，屬于原子晶體，晶體中化學(xué)鍵的鍵角是10928，故答案為：As；-3；原子晶體；10928；II.3釩是2

21、3號(hào)元素，原子核外電子數(shù)為23，基態(tài)原子核外電子排布式為：1s22s22p63s23p63d34s2或Ar3d34s2，釩的價(jià)電子數(shù)為5，結(jié)合流程圖，在釩的幾種價(jià)態(tài)中，最穩(wěn)定的是+5價(jià)。反響是V2O5在空氣中與氯化鈉反響生成NaVO3，根據(jù)化合價(jià)的變化情況，Cl元素化合價(jià)升高，生成氯氣，反響的方程式為2V2O5 +4NaCl+O2=4NaVO3+2Cl2；反響是V2O5被鈣復(fù)原生成V，反響的方程式為V2O5+5Ca=2V+5CaO，故答案為：1s22s22p63s23p63d34s2或Ar3d34s2；+5；2V2O5 +4NaCl+O2=4NaVO3+2Cl2；V2O5+5Ca=2V+5Ca

22、O；4根據(jù)晶胞圖可知，每個(gè)礬原子周?chē)嚯x最近的有8個(gè)礬原子，所以礬的配位數(shù)為8，每個(gè)晶胞中含有的礬原子數(shù)為1+8=2，晶胞的體積為d3cm3，根據(jù)可知，釩的相對(duì)原子質(zhì)量M=VNA=d3NA，故答案為：8；d3NA。【考點(diǎn)定位】考察原子核外電子的排布、原子軌道雜化方式及雜化類(lèi)型判斷、晶胞的計(jì)算【名師點(diǎn)睛】此題考察原子核外電子的排布規(guī)律、原子軌道雜化方式及雜化類(lèi)型判斷、晶胞的計(jì)算等知識(shí)。掌握根底知識(shí)和根本技能是解題的關(guān)鍵。根據(jù)構(gòu)造原理可以確定核外電子排布式。能量最低原理：原子核外電子先占有能量較低的軌道，然后依次進(jìn)入能量較高的軌道；泡利不相容原理：每個(gè)原子軌道上最多只能容納 2個(gè)自旋狀態(tài)相反的電子

23、；洪特規(guī)則：在等價(jià)軌道一樣電子層、電子亞層上的各個(gè)軌道上排布的電子將盡可能分占不同的軌道，且自旋方向一樣。雜化類(lèi)型的判斷：中心原子電子對(duì)計(jì)算公式：電子對(duì)數(shù)n=中心原子的價(jià)電子數(shù)+配位原子的成鍵電子數(shù)電荷數(shù)。注意：當(dāng)上述公式中電荷數(shù)為正值時(shí)取-，電荷數(shù)為負(fù)值時(shí)取+；當(dāng)配位原子為氧原子或硫原子時(shí)，成鍵電子數(shù)為零；根據(jù)n值判斷雜化類(lèi)型：一般有如下規(guī)律：當(dāng)n=2，sp雜化；n=3，sp2雜化；n=4，sp3雜化。13(1)9；2；2s22p5(2)離子鍵、共價(jià)鍵、氫鍵；CO2(或Na2O)(3) sp2；(4) 分子(5) 8；4；【解析】試題分析：(1)基態(tài)氟原子核外含有9個(gè)電子，則其核外電子的運(yùn)動(dòng)

24、狀態(tài)有9種；氟原子核外含有2s軌道和p軌道兩種軌道，則氟原子的電子的電子云形狀有2種；氟原子的外圍含有7個(gè)電子，其外圍電子排布式為：2s22p5，故答案為：9；2；2s22p5；(2)NaHF2為離子化合物，存在離子鍵，H-F鍵為共價(jià)鍵，F(xiàn)的電負(fù)性較強(qiáng)，還存在氫鍵，故答案為：離子鍵、共價(jià)鍵、氫鍵；CO2(或Na2O)；(3)N2F2(二氟氮烯)分子中，氮原子形成了3個(gè)鍵和1個(gè)鍵，則其雜化軌道類(lèi)型為sp2；N2F2可能的構(gòu)造式為：，故答案為：sp2；(4)三氟化硼乙醚(如圖1)的熔點(diǎn)為-58，沸點(diǎn)為126129，其熔沸點(diǎn)降低，應(yīng)該屬于分子晶體，故答案為：分子；(5)在CaF2晶胞中每個(gè)Ca2+連

25、接4個(gè)氟離子，但在下面一個(gè)晶胞中又連接4個(gè)氟離子，所以其配位數(shù)為8；在CaF2晶胞中每個(gè)F-連接4個(gè)鈣離子，所以其配位數(shù)為4，故答案為：8；4；該晶胞中含有鈣離子個(gè)數(shù)=8+6=4，氟離子在該晶胞的部，所以氟離子個(gè)數(shù)是8，該晶胞中含有4個(gè)CaF2，該晶胞的體積為：V=(5.5510-6)3cm3，該晶胞的密度為：=，故答案為：=?？键c(diǎn)：考察了原子核外電子排布、原子軌道雜化方式及雜質(zhì)類(lèi)型、晶胞構(gòu)造及計(jì)算的相關(guān)知識(shí)。141NOC；23d104s1；K、Cr；3CO；平面三角形；4CH4NH3H2O；3種氫化物的中心原子價(jià)層電子多少均為4，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)造，但中心原子的孤電子對(duì)數(shù)依次增加

26、，導(dǎo)致鍵角變?。?AlN；原子；sp3；6面心立方最密堆積【解析】試題分析：*、Y、Z、U、W是原子序數(shù)依次增大的前四周期元素其中Y的原子核外有7種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子，則Y為N元素；U是第三周期元素形成的簡(jiǎn)單離子中半徑最小的元素，則U為Al；*、Z中未成對(duì)電子數(shù)均為2，*的原子序數(shù)小于N，而Z的原子序數(shù)介于N、Al之間，*、Z的核外電子排布分別為1s22s22p2，1s22s22p4，故*為C元素、Z為O元素；W的層電子全充滿，最外層只有1個(gè)電子，原子序數(shù)大于Al，只能處于第四周期，核外電子數(shù)為2+8+18+1=29，故W為Cu元素。1同周期隨原子序數(shù)增大，第一電離能呈增大趨勢(shì)，但N元素2p能

27、級(jí)為半滿穩(wěn)定狀態(tài)，能量較低，第一電離能高于同周期相鄰元素，故第一電離能NOC，故答案為：NOC；2W為Cu元素，價(jià)電子排布式為3d104s1，W同周期的元素中，與W原子最外層電子數(shù)相等的元素還有3p64s1，為K元素、3d54s1，為Cr元素，故答案為：3d104s1；K、Cr；3根據(jù)等電子體原理，可知化合物CO與N2互為等電子體，CO的構(gòu)造式是CO，YZ2-為NO2-，中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)=2+(5+1-22)=3，VSEPR模型是平面三角形，故答案為：CO；平面三角形；4*、Y、Z的最簡(jiǎn)單氫化物分別為CH4、NH3、H2O，3種氫化物的中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)均為4，VSEPR模型均為正四面體

28、形，但中心原子的孤電子對(duì)數(shù)依次增大，導(dǎo)致鍵角變小，故鍵角：CH4NH3H2O，故答案為：CH4NH3H2O；3種氫化物的中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)均為4，VSEPR模型均為正四面體形，但中心原子的孤電子對(duì)數(shù)依次增大，導(dǎo)致鍵角變??；5晶胞中N原子數(shù)目為4，Al原子數(shù)目為8+6=4，故該化合物化學(xué)式為AlN，該物質(zhì)硬度大，屬于原子晶體，Y原子形成4個(gè)共價(jià)鍵，故Y原子雜化方式為sp3，故答案為：AlN；原子；sp3；6設(shè)晶胞中Al原子數(shù)目為N(Al)，則N(Al)g=(40510-10)32.70g/cm3，解得N(Al)=4.00，所以其晶胞的類(lèi)型面心立方密堆積，故答案為：面心立方最密堆積?！究键c(diǎn)定位】

29、考察核外電子排布、電離能、雜化方式、晶胞計(jì)算【名師點(diǎn)晴】此題是對(duì)物質(zhì)構(gòu)造與性質(zhì)的考察，涉及核外電子排布、電離能、雜化方式、晶胞計(jì)算等，是對(duì)學(xué)生綜合能力的考察。關(guān)鍵是準(zhǔn)確推斷元素，周期表中特殊位置的元素歸納如下：族序數(shù)等于周期數(shù)的元素：H、Be、Al、Ge。族序數(shù)等于周期數(shù)2倍的元素：C、S。族序數(shù)等于周期數(shù)3倍的元素：O。周期數(shù)是族序數(shù)2倍的元素：Li、Ca。周期數(shù)是族序數(shù)3倍的元素：Na、Ba。最高正價(jià)與最低負(fù)價(jià)代數(shù)和為零的短周期元素：C。最高正價(jià)是最低負(fù)價(jià)絕對(duì)值3倍的短周期元素：S。除H外，原子半徑最小的元素：F。短周期中離子半徑最大的元素：P。1514s24p42AsSeGe；H2SeO

30、4分子中非羥基氧原子個(gè)數(shù)大于H2SeO33sp3 ；三角錐形；CCl4(或SiF4)4極性；分子54；1010【解析】試題分析：1硒為34號(hào)元素，有6個(gè)價(jià)電子，所以硒的價(jià)層電子排布式為4s24p4；2同一周期中，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢(shì)，但第A族元素第一電離能大于相鄰元素，所以Ge、As、Se三種元素的第一電離能的大小順序是：AsSeGe；由于H2SeO4分子中非羥基氧原子個(gè)數(shù)大于H2SeO3，所以H2SeO4的酸性比H2SeO3的強(qiáng)；3H2SeO3的中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為6+2=4，所以Se雜化方式為sp3雜化，SeO32-的中心原子Se的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為6+2=4，離子

31、中有一個(gè)孤電子對(duì)，所以SeO32-的立體構(gòu)型是三角錐形，等電子體是指價(jià)電子和原子數(shù)都相等的微粒，與SeO42-互為等電體的分子有CCl4或SiF4；4H2Se分子中有孤電子對(duì)，所以H2Se屬于極性分子，單質(zhì)硒的熔點(diǎn)為217，比擬小，所以它屬于分子晶體；5根據(jù)硒化鋅晶胞構(gòu)造圖可知，每個(gè)鋅原子周?chē)?個(gè)硒原子，每個(gè)硒原子周?chē)灿?個(gè)鋅原子，所以硒原子的配位數(shù)為4，該晶胞中含有硒原子數(shù)為8+6=4，含有鋅原子數(shù)為4，根據(jù)=，所以V=，則晶胞的邊長(zhǎng)為cm=1010pm?？键c(diǎn)：考察了價(jià)電子排布、原子軌道的雜化、等電子體、分子的極性、分子的空間構(gòu)型、晶胞的計(jì)算等的相關(guān)知識(shí)。161四(1分)；VA(1分)；

32、弱1分；(l分)2GaAs(l分)3As2O3+3H2S=As2S3+3H2O(2分)【解析】試題分析：1氮是第二周期第VA族元素。砷是氮的同族元素，比氮多2個(gè)電子層，則可得砷在第四周期第VA族。同主族元素的氫化物穩(wěn)定性由上往下依次減弱，所以AsH3的熱穩(wěn)定性比NH3弱。砷在第四周期第VA族，原子序數(shù)為33，則中子數(shù)為40的砷的核素為。2Ga最外層有3個(gè)電子，則Ga為+3價(jià)，As為3價(jià)，所以砷化鎵的化學(xué)式為GaAs。3As2O3入硫化氫轉(zhuǎn)化為更難溶的As2S3，反響的化學(xué)方程式為As2O3+3H2S=As2S3+3H2O。考點(diǎn)：元素周期律及元素化合物性質(zhì)1713d54s1；Cl2H2O分子間存

33、在氫鍵，而H2S分子間沒(méi)有氫鍵3平面正三角形或平面三角形；sp2 4Na+【解析】試題分析：M、R、*、Y為原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素，Z是一種過(guò)渡元素。M基態(tài)原子L層中p軌道電子數(shù)是s軌道電子數(shù)的2倍，所以M是O；R是同周期元素中最活潑的金屬元素，原子序數(shù)大于氧元素，則R是Na；*和M形成的一種化合物是引起酸雨的主要大氣污染物，該化合物有漂白性，能使品紅溶液褪色，化合物是SO2，則*是S，因此Y是Cl；Z的基態(tài)原子4s和3d軌道半充滿，因此Z是24號(hào)元素Cr。1Cr原子的價(jià)電子排布式是3d54s1；S的非金屬性弱于Cl，因此*和Y中電負(fù)性較大的是Cl。2由于H2O分子間存在氫鍵，而H2

34、S分子間沒(méi)有氫鍵，所以S的氫化物的沸點(diǎn)低于與其組成相似的O的氫化物。3*與M形成的SO3分子中價(jià)層電子對(duì)數(shù)，不含有孤對(duì)電子，因此其空間構(gòu)型是平面正三角形，中心原子的雜化軌道類(lèi)型為sp2。4M和R所形成的一種離子化合物Na2O晶體的晶胞如以下圖所示，晶胞中含有的白球個(gè)數(shù)，黑球全部在晶胞中，共計(jì)是8個(gè)，所以圖中黑球代表的是Na+。【考點(diǎn)定位】考察核外電子排布、氫鍵、空間構(gòu)型、雜化軌道、電負(fù)性以及晶胞構(gòu)造判斷【名師點(diǎn)晴】由價(jià)層電子特征判斷分子立體構(gòu)型：判斷時(shí)需注意以下兩點(diǎn)：1價(jià)層電子對(duì)互斥模型說(shuō)明的是價(jià)層電子對(duì)的立體構(gòu)型，而分子的立體構(gòu)型指的是成鍵電子對(duì)的立體構(gòu)型，不包括孤電子對(duì)。當(dāng)中心原子無(wú)孤電子對(duì)時(shí)，兩者的構(gòu)型一致；當(dāng)中心原子有孤電子對(duì)時(shí)，兩者的構(gòu)型不一致。2價(jià)層電子對(duì)互斥模型能預(yù)測(cè)分子的幾何構(gòu)型，但不能解釋分子的成鍵情況，雜化軌