最新電大《光伏電池材料》形考作業(yè)任務(wù)01

1、第 PAGE27 頁 共 NUMPAGES27 頁最新電大光伏電池材料形考作業(yè)任務(wù)01最新電大光伏電池材料形考作業(yè)任務(wù)01-04網(wǎng)考試題及答案 100%通過 考試說明：光伏電池材料形考共有4個任務(wù)。任務(wù)1至任務(wù)4是客觀題，任務(wù)1至任務(wù)4需在考試中屢次抽取試卷直到出現(xiàn)01任務(wù)_0001、02任務(wù)_0001、03任務(wù)_0001、04任務(wù)_0001試卷就可以按照該套試卷答案答題。做考題時，利用本文檔中的查找工具，把考題中的關(guān)鍵字輸?shù)讲檎夜ぞ叩牟檎覂?nèi)容框內(nèi)，就可迅速查找到該題答案。本文庫還有其他教學考一體化答案，敬請查看。01任務(wù) 01任務(wù)_0001 一、單項選擇題共10道試題，共20分。1.關(guān)于四氯

2、化硅以下說法錯誤的選項是A.無色而有刺鼻氣味的液體 B.熔點-70，沸點57.6 C.可以經(jīng)吸入、食入、經(jīng)皮吸收，對眼睛及上呼吸道有強烈刺激作用 D.不溶于苯、氯仿、石油醚等多數(shù)有機溶劑 2.觀察晶體中位錯最簡單的方法是。A.浸蝕觀察法 B.透射電鏡法 C.手觸感覺法 D.肉眼觀察法 3.室溫一個大氣壓下，液態(tài)水的自由度為。A.1 B.2 C.3 D.0 4.西門子法作為硅的提純工藝，所用的原料主要是A.99.9999%6個9的為太陽能級硅 B.99.999999999%11個9的為電子級硅 C.95%-99%的冶金級硅 D.P型硅半導體 5.二元相圖通常采用的坐標系。A.溫度-壓力T-p圖

3、B.溫度-濃度T-_圖 C.三棱柱模型 D.壓強-濃度p-_圖 6.關(guān)于硅單質(zhì)說法錯誤的選項是。A.原子晶體，是深灰色而帶有金屬光澤的晶體 B.熔點為1420，沸點為2355 C.在常壓下具有金剛石型構(gòu)造 D.具有類似金屬的塑性 7.以下不是自然界中的硅同位素。A.28Si B.29Si C.30Si D.32Si 8.關(guān)于二氧化硅以下說法錯誤的選項是A.制造冶金硅的主要原料之一 B.能與HF反響 C.SiO2不溶于水，但能于熱的濃堿溶液反響生成硅酸鹽，反響較快 D.石英是地殼中分布很少的礦物 9.雜質(zhì)原子與基體原子尺寸相當，容易形成A.空位 B.置換原子 C.間隙原子 D.位錯 10.關(guān)于位

4、錯密度說法錯誤的選項是。A.是單位體積晶體中所包含的位錯線總長度 B.也可理解為穿越單位截面積的位錯線的數(shù)目 C.位錯密度大或小，相應(yīng)材料的力學性能均較佳 D.通常情況下制得位錯密度較小的材料 二、判斷題共10道試題，共20分。1.在絕對溫度零度和無外界激發(fā)的條件下，硅晶體沒有自由電子存在，完全不導電。A.錯誤 B.正確 2.可很方便制備得到位錯很少的多晶硅片。A.錯誤 B.正確 3.硅晶體的半導體性于共價鍵。A.錯誤 B.正確 4.點缺陷的平衡濃度隨溫度升高呈指數(shù)關(guān)系增加。A.錯誤 B.正確 5.硅在地殼中的豐度為25.90%，僅次于氧，硅的含量在所有元素中居第二位。A.錯誤 B.正確 6.

5、柏氏矢量說明了畸變發(fā)生在什么晶向，是一個沒有大小的量。A.錯誤 B.正確 7.內(nèi)能是隨缺陷增加而增加的，所以空位越多越不穩(wěn)定。A.錯誤 B.正確 8.硅烷就是甲硅烷。A.錯誤 B.正確 9.硅是通過自由電子導電的，所以載流子就是自由電子。A.錯誤 B.正確 10.刃型位錯和螺型位錯的判斷可以通過晶體發(fā)生部分滑移的方向是與位錯線垂直還是平行來區(qū)分。A.錯誤 B.正確 三、連線題共10道試題，共30分。1.將晶體的特性與解釋一一對應(yīng)。1各向異性A.晶體常具有沿某些確定方位的晶面劈裂的性質(zhì) 2長程有序B.粒子排列具有三維周期性、對稱性 3解理性C.在不同方向上，晶體的物理性質(zhì)不同，如電阻率、導電性能

6、、導熱性能、介電常數(shù)、光的折射、彈性、硬度等 1C 2B 3A 2.將晶體構(gòu)造與晶胞中原子數(shù)一一對應(yīng)。1簡單立方構(gòu)造A.4 2體心立方構(gòu)造B.2 3面心立方構(gòu)造C.1 1C 2B 3A 3.將各種硅化合物與描繪一一對應(yīng)。1二氧化硅A.沸點31.5，室溫下無色透明液體 2三氯氫硅B.可以從河砂中水洗去掉粘土等雜質(zhì)和進展篩分得到 3四氯化硅C.在潮濕空氣中與水蒸氣發(fā)生水解作用會產(chǎn)生煙霧 1B 2A 3C 4. 1A 2B 3C 5.將硅材料與描繪一一對應(yīng)。1電子級硅A.99.9999% 2冶金級硅B.99.999999999% 3太陽能級硅C.95%-99% 1B 2C 3A 6.將晶體生長方式與

7、實例一一對應(yīng)。1固相生長A.水汽凝結(jié)為冰晶 2液相生長B.鹽水溶液結(jié)晶 3汽相生長C.石墨在高溫高壓的條件下轉(zhuǎn)變?yōu)榻饎偸?1C 2B 3A 7.將各種硅化合物與作用一一對應(yīng)。1二氧化硅A.可作為西門子法提純硅材料的中間產(chǎn)物 2三氯氫硅B.制造冶金硅的主要原料之一 3甲硅烷C.大量地用于制高純硅，高溫易熱解 1B 2A 3C 8.將各類晶體缺陷與實例一一對應(yīng)。1點缺陷A.位錯 2線缺陷B.空位 3面缺陷C.相界 1B 2A 3C 9.將硅的用處與性質(zhì)一一對應(yīng)。1二極管A.通過掩蔽、光刻、擴散等工藝，可在一個或幾個很小的硅晶片上集結(jié)成一個或幾個完好的電路 2集成電路B.可以把光能轉(zhuǎn)化成電能 3光電

8、池C.制成晶體二極管后即能整流又能檢波 1C 2A 3B 10.將各種硅化合物與熔沸點一一對應(yīng)。1四氯化硅A.熔點-185，沸點-111.8 2三氯氫硅B.熔點-70，沸點57.6 3甲硅烷C.熔點-128，沸點31.5 1B 2C 3A 四、不定項選擇題共10道試題，共30分。1.關(guān)于硅的電阻率說法錯誤的選項是。A.在高純硅中摻入極微量的電活性雜質(zhì)，其電阻率會顯著下降 B.硅的電導率對外界因素如光、熱、磁等高度敏感 C.N型半導體中也有自由電子，但數(shù)量很少，稱為少數(shù)載流子 D.N型半導體和P型半導體的導電才能都比本征半導體大得多 2.關(guān)于石英說法錯誤的選項是。A.與晶體硅一樣是原子晶體 B.

9、每個硅原子以SP3雜化形式同四個氧原子結(jié)合，形成SiO4四面體構(gòu)造單元 C.由一個個的簡單SiO2分子組成 D.石英砂開采、加工本錢較低 3.以下屬于晶體的宏觀特性的有A.長程有序 B.固定熔點 C.解理性 D.各向異性 4.金剛石構(gòu)造的晶胞中原子數(shù)為，配位數(shù)為。A.4、4 B.8、4 C.8、8 D.12、4 5.兩側(cè)晶粒位向差為1的晶界屬于。A.亞晶界 B.小角度晶界 C.大角度晶界 D.刃位錯 6.不能用于區(qū)分晶體與非晶體的是A.原子排練是否有序 B.是否具有確定的熔點 C.密度的大小 D.熔點的上下 7.關(guān)于固溶體與中間相說法錯誤的選項是。A.某一組元作為溶劑，其他組元為溶質(zhì)，所形成的

10、與溶劑有一樣晶體構(gòu)造、晶格常數(shù)稍有變化的固相，稱為固溶體 B.形成的新相的晶體構(gòu)造不同于任一組元，新形成的固相叫中間相 C.固熔體一般具有較高的熔點及硬度 D.Cu-Ni合金屬于中間相 8.關(guān)于臨界晶核說法錯誤的選項是。A.當晶胚的尺寸小于臨界晶核，晶胚不穩(wěn)定，難以長大，最終熔化而消失 B.晶胚的尺寸大于臨界晶核，晶胚就成為穩(wěn)定的晶核而后繼續(xù)長大 C.均勻形核與非均勻形核的臨界晶核大小不同 D.臨界半徑與過冷度T無關(guān) 9.關(guān)于硅的鹵化物說法錯誤的選項是。A.都是無色的 B.都是共價化合物 C.一般都是無毒的 D.熔點、沸點都比擬低 10.解理面通常是晶面間距較大的晶面。在金剛石構(gòu)造中，下面晶面

11、的晶面間距最大的是。A.111 B.100 C.110 D.120 02任務(wù) 02任務(wù)_0001 一、單項選擇題共10道試題，共20分。1.關(guān)于采用區(qū)域提純法去除硅中硼雜的區(qū)域提純雜質(zhì)描繪正確的選項是A.幾乎無法效果去除 B.效果一般完全去除 C.取決于溫度效果顯著 D.取決于硼的含量 2.占據(jù)晶格間隙位置的雜質(zhì)原子為。A.間隙雜質(zhì)原子 B.替位雜質(zhì)原子 C.本征點缺陷 D.原生長缺陷 3.在工業(yè)硅的消費爐中，溫度在20_0以上的部分，。A.只有熔煉過程中生成的SiC B.底下是SiC，其上面是產(chǎn)品工業(yè)硅 C.全部都是產(chǎn)品工業(yè)硅 D.以上皆不是 4.消費直拉單晶硅消費時，單晶爐內(nèi)需要通入作為保

12、護氣體爐體內(nèi)通常是。A.常壓的空氣 B.氧氣低壓的空氣 C.低壓的氬氣 D.低壓的氮氣氫氣 5.太陽電池用直拉單晶硅中的主要缺陷是。A.空位 B.雜質(zhì)原子 C.位錯 D.二次缺陷 6.金剛石構(gòu)造的晶體中位錯滑移最容易產(chǎn)生的滑移面是。A.110面 B.111面 C.100面 D.面 7.Dash工藝主要解決的是。A.參加轉(zhuǎn)晶 B.減少缺陷位錯C.放肩 D.熱應(yīng)力 8.CZ法生長單晶硅工藝依次有加料、熔化以及。A.放肩生長、縮頸生長、等徑生長、尾部生長 B.等徑生長、縮頸生長、放肩生長、尾部生長 C.縮頸生長、放肩生長、等徑生長、尾部生長 D.縮頸生長、等徑生長、放肩生長、尾部生長 9.吸附時不發(fā)

13、生任何化學變化，是。A.化學吸附 B.不可逆過程 C.物理吸附 D.以上皆不是 10.區(qū)熔法制備單晶硅時，需要。A.不需要坩堝 B.需要一個石英坩堝用于溶化 C.需要一個石英坩堝和一個石墨坩堝 D.需要一個石墨坩堝 二、不定項選擇題共10道試題，共30分。1.關(guān)于對czCZ法和fzFZ法說法描繪正確的選項是。A.生長時都需借助要采用籽晶 B.熔化時都需要采用坩堝 C.都需要采用真空氣氛保護 D.都需要使用縮頸工藝 2.磷在硅中很容易去除，在于。A.磷在硅熔液中很快得到蒸發(fā) B.磷的密度小 C.磷在硅中的分配系數(shù)小于1 D.磷的熔點低 3.無坩堝區(qū)域提純。A.也可用于晶體生長 B.防止了坩堝的污

14、染 C.熔硅不會流動是由于其很大的外表張力 D.硅也能采用程度區(qū)域提純法 4.化學法提純高純多晶硅的工藝包括。A.中間化合物的合成 B.中間化合物的別離提純 C.中間產(chǎn)物被復原或者是分解成高純硅復原成高純硅 D.區(qū)域提純 5.關(guān)于完全互溶的A、B雙組分的溶液與其混合蒸汽所組成的相圖，說法正確的選項是。A.被兩條曲線分為三個區(qū)域 B.降溫到液相線上，正好產(chǎn)生第一個氣泡，故液相線又稱為泡點曲線 C.升溫到氣相線上，正好產(chǎn)生第一個氣泡，故氣相線又稱為泡點曲線 D.降溫到液相線，產(chǎn)生第一個液滴，故液相線稱為露點曲線 6.關(guān)于晶轉(zhuǎn)說法正確的選項是。A.晶體和坩堝的旋轉(zhuǎn)方向一樣，以改善熱場的對稱性 B.吊

15、索和晶體出現(xiàn)共振時效果最好 C.過高的晶轉(zhuǎn)會使固液界的形狀太凹 D.在某些晶轉(zhuǎn)下，棱線或者小平面與直徑的讀取同步，引起直徑的讀值和拉速的大幅度跳動 7.具有金剛石構(gòu)造的的晶體中的解理面包括位錯線的優(yōu)先方向為。A.100晶向晶面族 B.211211晶面族晶向 C.111晶面族111晶向 D.210晶向110晶面族 8.直拉單晶爐的主室包括。A.石英坩堝 B.石墨坩堝 C.石墨加熱器 D.熱絕緣筒和地盤 9.工業(yè)吸附對于吸附劑的要求包括。A.具有較大的內(nèi)外表，吸附容量大 B.選擇性高 C.具有一定的機械強度，抗磨損 D.有良好的物理及化學性能，耐熱沖擊，耐腐蝕 10.以下對吸附描繪正確的選項是升溫

16、和降壓有助于。A.物理吸附的進展吸附是可逆的 B.脫咐的進展物理吸附是不可逆的 C.升溫對于物理吸附影響很小化學吸附是可逆的 D.化學吸附是不可逆的降壓只是讓水蒸氣更容易揮發(fā) 三、判斷題共10道試題，共20分。1.FZ硅占領(lǐng)了85%以上的硅單晶市場。A.錯誤 B.正確 2.冶金法制備高純多晶硅與改進西門子法相比，前者的本錢更低，但是電耗更多。A.錯誤 B.正確 3.只通過濕法冶金技術(shù)來提純硅材料，是很難將工業(yè)硅提純到滿足制作太陽能電池所需的要求。A.錯誤 B.正確 4.化學吸附是放熱過程，而物理吸附是吸熱過程。A.錯誤 B.正確 5.改進西門子法是一個閉路循環(huán)系統(tǒng)，多晶硅消費中的各種無聊得到充

17、分的利用，排出的廢料極少。A.錯誤 B.正確 6.改進西門子法能對產(chǎn)生的氫氣、氯化氫、氯硅烷等副產(chǎn)物進展回收利用。A.錯誤 B.正確 7.硅是自然界分布最廣泛的元素之一，是介于金屬和非金屬之間的半金屬。A.錯誤 B.正確 8.分子篩具有極性，對非極性分子具有較強的親和力。A.錯誤 B.正確 9.MCZ法磁致粘滯性控制了流體的運動，也減少了熔體的溫度波動。A.錯誤 B.正確 10.改進西門子法的原料主要是硅石。A.錯誤 B.正確 四、連線題共10道試題，共30分。1.將化學反響與作用一一對應(yīng)。1SiHCl3+H2Si+3HClA.中間產(chǎn)物的合成 2Si+3HClSiHCl3+H2B.工業(yè)硅的合成

18、 33SiO2+2SiC=Si+4SiO+2COC.中間產(chǎn)物的復原 1C 2A 3B 2.將元素及其在硅熔體中的分凝系數(shù)一一對應(yīng)。1OA.1.25 2CB.0.07 3BC.0.8 1A 2B 3)C 3.將Cz法中的設(shè)備與描繪一一對應(yīng)。1石英坩堝A.底部比擬厚，以起到較好的絕熱效果 2石墨坩堝B.電阻會隨著使用次數(shù)的增加而升高 3石墨加熱器C.純度和耐熱性能要求很搞 1C 2A 3B 4.將工業(yè)硅消費過程中的考前須知與作用一一對應(yīng)。1保持適宜的SiO2與碳的分子比A.防止爐內(nèi)過熱造成硅的揮發(fā)或再氧化生成SiO 2保證反響區(qū)有足夠高的溫度B.分解生成的SiC使反響向有利于生成硅的方向進展 3及

19、時搗爐，幫助沉料C.防止過多的SiC生成 1C 2B 3A 5.將氧的存在方式及其描繪一一對應(yīng)。1熱施主A.熱處理溫度處于550850 2新施主B.處理溫度處于300500 3氧沉淀C.適當?shù)臏囟认逻M展熱處理時會脫溶 1B 2A 3C 6.將FZ單晶硅中的雜質(zhì)與描繪一一對應(yīng)。1OA.危害大 2CB.濃度低，影響小 3NC.增強機械性能 1A 2B 3C 7.將工藝與提純方法一一對應(yīng)。1硅烷法A.精餾 2改進西門子法B.吸附 3冶金C.物理提純 1B 2A 3C 8.將Cz法中的工藝與描繪一一對應(yīng)。1縮頸生長A.減少位錯 2放肩生長B.硅片取材的部位 3等徑生長C.肩部夾角接近180，這樣可以進

20、步多晶硅的利用率 1A 2C 3B 9.將工業(yè)硅的應(yīng)用與用量一一對應(yīng)。1消費合金A.5% 2有機硅B.40% 3半導體器件和太陽能電池C.55% 1C 2B 3A 10.將吸附的設(shè)備與工藝一一對應(yīng)。1流體和固體吸附劑置于同一容器內(nèi)A.半連續(xù)操 2固定吸附床B.連續(xù)操作 3挪動吸附器C.間歇操作 1C 2A 3B 03任務(wù) 03任務(wù)_0001 一、單項選擇題共10道試題，共20分。1.硅片中磷擴散進展摻雜的原料是。A.PH3 B.PH5 C.POCl3 D.B2O3 2.消費1kg鑄造多晶硅所需的能耗是kWh。A.30 B.1840 C.815 D.以上都不對 3.最常用于測試半導體材料電阻率的

21、方法是。A.擴展電阻法 B.四探針法 C.兩探針法 D.范德堡法 4.一般制造一個重量為250300kg的鑄造多晶硅錠需要時間。A.3545h B.2535h C.5565h D.1525h 5.用于測試硅片中少數(shù)載流子類型的測試是。A.四探針法 B._射線法 C.整流法 D.顯微鏡觀察法 6.鑄造多晶硅制備目前最常用的方法是。A.布里奇曼法 B.電磁鑄錠法 C.澆鑄法 D.熱交換法 7.電磁鑄錠法說法錯誤的選項是。A.熔體與坩堝不直接接觸 B.電磁力對硅熔體的作用，可能使硅熔體中摻雜劑的分布更為均勻 C.硅錠中晶粒較細小 D.較少晶體缺陷 8.硅的熔點約為。A.120_ B.800 C.22

22、0_ D.1420 9.鑄造多晶硅的晶粒的大小一般為。A.10cm左右 B.1mm左右 C.100m左右 D.10mm左右 10.單晶硅片的電阻率一般控制在。A.24cm左右 B.0.52cm左右 C.0.10.3cm左右 D.13cm左右 二、不定項選擇題共10道試題，共30分。1.硅片清洗的作用是。A.進步絕緣性能 B.去除邊緣腐蝕時的油污、水氣、灰塵 C.降低雜質(zhì)離子對P-N結(jié)性能的影響 D.降低雜質(zhì)的存在帶來的硅片的電阻率不穩(wěn)定 2.以下哪些工藝是熱交換法制備多晶硅必須的。A.化料 B.晶體生長 C.退火 D.坩鍋噴涂 3.鑄造多晶硅相對于直拉單晶硅的優(yōu)點有。A.材料利用率高 B.能耗

23、小 C.本錢低 D.轉(zhuǎn)換效率高 4.金屬雜質(zhì)的吸雜工藝一般包括。A.升溫熔化金屬雜質(zhì) B.原金屬沉淀的溶解 C.金屬原子的擴散 D.金屬雜質(zhì)在吸雜點處的重新沉淀 5.澆鑄法的缺點在于。A.熔融和結(jié)晶使用不同的坩堝，會導致二次污染 B.有坩堝翻轉(zhuǎn)機構(gòu)及引錠機構(gòu)，使得其構(gòu)造相對較復雜 C.消費效率低 D.能耗高 6.多晶硅錠的低質(zhì)量區(qū)雜質(zhì)較多是由于。A.與坩堝接觸部分引入了雜質(zhì) B.晶粒尺寸較小 C.晶體凝固的分凝作用 D.熱應(yīng)力 7.太陽電池用單晶硅的切片通常采用。A.外圓切割機 B.內(nèi)圓切割機 C.線切割 D.帶式切割機 8.按照硅的存在形式，可將硅基太陽電池分為。A.多晶硅太陽電池 B.單晶

24、硅太陽電池 C.非晶硅太陽電池 D.化合物太陽電池 9.影響鑄造多晶硅晶體生長的主要因素包括。A.固液界面 B.熱應(yīng)力 C.來自坩堝的污染等 D.保護氣氛 10.鑄造多晶硅的制備方法有。A.布里奇曼法 B.熱交換法 C.電磁鑄錠法 D.澆鑄法 三、判斷題共10道試題，共20分。1.目前的技術(shù)，大規(guī)模消費制造p型摻硼鑄造多晶硅、摻鎵的p型鑄造多晶硅都是沒有問題的。A.錯誤 B.正確 2.與高純石英坩堝相比，高純石墨坩堝的本錢更低，但更可能引入碳污染和金屬雜質(zhì)污染。A.錯誤 B.正確 3.硅錠與坩堝壁接觸的底部與四周都是晶粒較大的區(qū)域。A.錯誤 B.正確 4.通常晶體的生長速率越快，消費效率越高，

25、但其溫度梯度也越大，最終導致熱應(yīng)力越大，而高的熱應(yīng)力會導致高密度的位錯，嚴重影響材料的質(zhì)量。A.錯誤 B.正確 5.直流光電導衰退法可用于測量少子壽命，不需要接觸硅片。A.錯誤 B.正確 6.影響鑄造多晶硅晶體生長的主要因素是晶粒尺寸、固液界面、熱應(yīng)力、來自坩堝的污染等。A.錯誤 B.正確 7.多晶硅錠中晶粒越細小，晶界越少。A.錯誤 B.正確 8.澆鑄法是很有應(yīng)用前景的鑄造多晶硅消費的新技術(shù)。A.錯誤 B.正確 9.熱交換法的鑄錠爐底部不需要水冷。A.錯誤 B.正確 10.純潔的晶界也具有電活性，會影響多晶硅的電學性能。A.錯誤 B.正確 四、連線題共10道試題，共30分。1.將化學反響與作

26、用一一對應(yīng)。13Si+4HNO3=3SiO2+2H2O+4NOA.去除硅外表的致密保護膜 2SiO2+6HF=H2SiF6+2H2OB.堿腐蝕 3SiH2O+2NaOH=Na2SiO3+2H2C.酸腐蝕 1A 2C 3B 2.將制備方法與描繪一一對應(yīng)。1布里曼法A.坩堝需升降 2熱交換法B.固液界面比擬平穩(wěn) 3澆鑄法C.熔化和結(jié)晶在兩個不同的坩堝中進展 1A 2B 3C 3.將測試方法與作用一一對應(yīng)。1整流法A.少子壽命 2四探針法B.電阻率 3光電導衰退法C.導電型號 1C 2B 3A 4.將清洗時試劑與作用一一對應(yīng)。1無機酸A.去除鎂、鋁、銅、銀、金、氧化鋁、氧化鎂、二氧化硅等雜質(zhì) 2有機

27、溶劑B.對一些難溶物質(zhì)轉(zhuǎn)化為易溶物質(zhì) 3過氧化氫C.相似相溶 1A 2C 3B 5.將各工藝與能耗一一對應(yīng)。1區(qū)熔單晶硅A.815kWh/Kg 2直拉單晶硅B.1840kWh/Kg 3鑄造多晶硅C.30kWh/Kg 1C 2B 3A 6.將吸雜工藝與描繪一一對應(yīng)。1磷吸雜A.去除磷硅玻璃，將其中的金屬雜質(zhì)一并去除 2鋁吸雜B.利用濺射、蒸發(fā)等技術(shù)制備一薄層，熱處理合金化 3磷-鋁共吸雜C.除雜效果最正確 1A 2C 3B 7.將硅片參數(shù)與作用一一對應(yīng)。1BOWA.彎曲度 2TTVB.平整度的一種量度 3TIRC.總厚度偏向 1A 2C 3B 8.將各種硅消費工藝與特點一一對應(yīng)。1mc-SiA.

28、消費本錢最高 2cz-SiB.對硅料的要求一般 3fz-SiC.轉(zhuǎn)換效率一般最低 1C 2B 3A 9.將硅中的各種元素與影響一一對應(yīng)。1BA.危害較大 2OB.有鈍化效果 3HC.特意參加，形成摻雜 1C 2A 3B 10.將拋光工藝與描繪一一對應(yīng)。1機械拋光法A.現(xiàn)代半導體工業(yè)中普遍應(yīng)用 2化學拋光法B.采用細磨料顆料 3化學機械拋光法C.硝酸與氫氟酸混合腐蝕液 1B 2C 3A 04任務(wù) 04任務(wù)_0001 一、單項選擇題共10道試題，共20分。1.銅銦鎵硒薄膜太陽電池最高轉(zhuǎn)換效率的記錄。A.25% B.10.1% C.19.4% D.16.7% 2.二氧化鈦的幾種晶體構(gòu)造中最合適用于太

29、陽電池的是。A.金紅石 B.銳鈦礦 C.板鈦礦 D.都差不多 3.非晶硅的PIN構(gòu)造的P部分是采用形成的。A.PH3加BH3 B.SiH4加PH3 C.SiH4加B2H6 D.SiH4加BH3 4.非晶硅的禁帶寬度為。A.1.5eV，并且在一定程度上可調(diào) B.1.12eV C.1.6eV D.2.12eV 5.關(guān)于染料敏化太陽電池中的納米晶要求錯誤的選項是。A.高的比外表積和大量的孔隙 B.盡可能多的吸附染料 C.晶粒越大越好 D.最大限度的與電解質(zhì)嚴密接觸 6.非晶硅太陽電池的轉(zhuǎn)換效率約為。A.5 B.20 C.15 D.10 7.非晶硅薄膜的厚度約為。A.數(shù)百微米 B.數(shù)百納米 C.數(shù)十毫

30、米 D.數(shù)十微米 8.銳鈦礦相二氧化鈦晶體的禁帶寬度為。A.2.2eV B.2.8eV C.3.0eV D.3.2eV 9.以下太陽電池本錢單位：美元/W最低的是。A.非晶硅薄膜 B.多晶硅 C.銅銦鎵硒 D.微晶硅薄膜 10.銦儲量最多的國家是。A.中國 B.日本 C.美國 D.俄羅斯 二、不定項選擇題共10道試題，共30分。1.旋涂成膜存在的問題有。A.溶解性 B.揮發(fā)性 C.溶劑殘留 D.薄膜的均勻性難以保證 2.化學氣相沉積直接制備多晶硅薄膜的方法有。A.等離子增強化學氣相沉積 B.低壓化學氣相沉積制備多晶硅 C.熱絲化學氣相沉積制備多晶硅 D.非晶硅晶化制備多晶硅薄膜 3.輝光放電系

31、統(tǒng)中的I-V特性曲線可分為階段。A.湯森放電 B.正常放電 C.異常放電 D.電弧放電 4.可用于多孔納米晶薄膜的材料有。A.TiO2 B.ZnO C.SnO2 D.Al2O3 5.常用的多晶硅薄膜的制備方法有。A.利用化學氣相沉積直接制備多晶硅薄膜 B.非晶硅晶化制備 C.將多晶硅片切薄 D.對多晶硅片進展熱處理 6.關(guān)于D/A界面說法正確的選項是。A.電離電勢IP較小的材料被稱為電子施主，相當于無機半導體中的N型材料 B.具有大電子親和能EA的材料被稱為作電子受主，相當于無機半導體中的P型材料 C.類似于無機太陽電池中的PN結(jié) D.D/A界面處D型材料和A型材料存在能級差 7.有機太陽電池

32、產(chǎn)生電流的流程。A.吸收光子 B.產(chǎn)生激子 C.電子空穴別離 D.運輸?shù)紻/A界面處 8.關(guān)于光致衰減效應(yīng)說法正確的選項是。A.簡稱S-W效應(yīng) B.在長期輻照下，其光電導和暗電導同時下降，導致光電轉(zhuǎn)換效率降低 C.在15020_熱處理又可以恢復原來的狀態(tài) D.鑄造多晶硅沒有光致衰減 9.染料敏化太陽電池的根本構(gòu)造包括。A.多孔納米晶薄膜 B.染料敏化劑 C.電解質(zhì) D.對電極 10.有機太陽電池根本的構(gòu)造模型有。A.PIN構(gòu)造 B.單層同異質(zhì)結(jié)構(gòu)造 C.雙層異質(zhì)結(jié)構(gòu)造 D.單層混合膜異質(zhì)結(jié)構(gòu)造 三、判斷題共10道試題，共20分。1.有機太陽電池中電離電勢IP較小的材料被稱為電子施主Donor，

33、簡稱D型材料，相當于無機半導體中的P型材料。A.錯誤 B.正確 2.非晶硅太陽電池中也存在晶體硅太陽電池中一樣的pn節(jié)構(gòu)造。A.錯誤 B.正確 3.非晶硅太陽電池消費出來以后，轉(zhuǎn)換效率不會隨時間發(fā)生改變。A.錯誤 B.正確 4.高純硅原料價格增加，對薄膜太陽電池的本錢影響不大。A.錯誤 B.正確 5.苝衍生物是一種應(yīng)用較多的光敏劑和A型材料，在450到600nm波段內(nèi)具有較強的吸收，在光照條件下穩(wěn)定性好，本錢低。A.錯誤 B.正確 6.單晶硅與多晶硅的物理特性是各向異性，而非晶硅的物理特性是各向異性 A.錯誤 B.正確 7.隨著非晶硅中氫含量的增加，其能隙寬度從1.5eV可以增加到1.8eV。A.錯誤 B.正確 8.在15020_熱處理，可以使得因為S-W效應(yīng)而效率降低的非晶硅