半導(dǎo)體行業(yè)全球半導(dǎo)體觀察（11月）：數(shù)據(jù)中心回暖5G出貨量指引好于預(yù)期

1、目錄 TOC o 1-5 h z HYPERLINK l bookmark32 o Current Document 行業(yè)動態(tài)3 HYPERLINK l bookmark44 o Current Document 各板塊動態(tài)7計算芯片7無線通訊芯片8晶圓代工10存儲器12半導(dǎo)體設(shè)備15硅片17圖表圖表1：全球半導(dǎo)體月度銷售額同比增速VS.費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)3圖表2:費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)P/E估值vs,標(biāo)普500 P/E估值 3 HYPERLINK l bookmark34 o Current Document 圖表3:全球主要半導(dǎo)體公司業(yè)績預(yù)覽及近期股價變化情況4圖表4:全球半導(dǎo)體公司估值表 5 HYP

2、ERLINK l bookmark40 o Current Document 圖表5: A股半導(dǎo)體公司估值表6圖表6:英特爾P/E Band8 HYPERLINK l bookmark24 o Current Document 圖表7:英偉達(dá)P/E Band8圖表 8: 超威半導(dǎo)體 P/E Band8圖表 9: Skyworks P/E Band9圖表 10: Qorvo P/E Band9圖表11：臺積電月度經(jīng)營數(shù)據(jù)10圖表12: UMC聯(lián)電月度經(jīng)營數(shù)據(jù)10圖表13:世界先進(jìn)月度經(jīng)營數(shù)據(jù)11圖表14:臺積電P/E Band11圖表15:臺積電P/B Band11圖表 16:聯(lián)電 P/E Ba

3、nd11圖表 17:聯(lián)電 P/B Band11圖表18:世界先進(jìn)P/E Band12圖表19:世界先進(jìn)P/B Band12圖表20:主流DRAM現(xiàn)貨價格12圖表21:主流NAND Wafer現(xiàn)貨價格 12圖表22:主流 Mobile DRAM 合約價格 13圖表23:主流Server DRAM合約價格13圖表24:主流Commodity DRAM合約價格13圖表25:主流NANDSSD合約價格13圖表26:三星電子P/B Band15圖表 27: SK 海力士 P/B Band15圖表 28:鎂光 P/B Band15圖表 29: 西部數(shù)據(jù) P/B Band15圖表30:北美/日本半導(dǎo)體設(shè)備商

4、出貨額及同比增速16圖表31:應(yīng)用材料P/E Band16圖表32:拉姆研究P/E Band16圖表33:阿斯麥P/E Band17圖表34:東京電子P/E Band17圖表35:全球硅晶圓出貨面積（按季度）17 HYPERLINK l bookmark26 o Current Document 圖表36:信越化學(xué)P/E Band18圖表 37:勝高 P/E Band18圖表13:世界先進(jìn)月度經(jīng)營數(shù)據(jù)資料來源：公司官網(wǎng),從估值方面看，臺積電股價目前對應(yīng)19.8X 12月前向P/E, 4.4x 12月前向P/B,估值水 平持續(xù)提升，P/E估值已經(jīng)觸及歷史估值頂部。聯(lián)電估值水平近一個月維持平穩(wěn)，目

5、前股 價對應(yīng)20.8X 12月前向P/E, 0.8x 12月前向P/B,低于歷史區(qū)間中樞。世界先進(jìn)目前股價 對應(yīng)17.5x12月前向P/E以及3.4x12月前向P/B,估值水平相比上月有所下滑。圖表14:臺積電P/EBand圖表15:臺積電P/B Band80,696e 80,36L0e 8960,8L0e 800co8e80,6040e 8060403 80,60,9L0e 80,80,9L0e80,699878060,98、 8?60GL0e 80,co00e 80,60,coL0e8060COL0S 8960&L03 BO4o&Loe80,69二 ON 80?Le80,600L0e 8o

6、，gooLoe，8960,633 80CO960Z 8960OO0N 80,88 LON 80,6040。 800,ZL0e 8960,9L0e 89eo998e 8969goN 809SL0a 80,604Loe 89CO0GL0Z 80,60607 8OOON 896O&OZ 89800183 896。，二 OCM 80CO。二0 a 896OOLOCM W0.8.05W oPrice 10 x12.5x15x17.5x20 x資料來源：萬得資訊，彭博資訊,圖表16:聯(lián)電P/EBandPrice 2.5x 3x 3.5x 4x 4.5x資料來源：萬得資訊，彭博資訊,圖表17:聯(lián)電P/B B

7、and8960,657 806963OJ80,6983。80g8OZ 896040、8OO9Z8C 89699L0e 80,3987806H gogssCM8960&8CM806043OJ 80,6063780,80,80。 89603L0780，co0&L0e8969L3CM806。二80J896OO8CM 806063OJPrice12.5x17.5x22.5x27.5x35x706050403020100Price 0.5x0.7x0.9x1.1x1.3x資料來源：萬得資訊，彭博資訊,資料來源：萬得資訊，彭博資訊,圖表18:世界先進(jìn)P/EBand圖表19:世界先進(jìn)P/B BandPric

8、e5x10.5x15.5x21x26x資料來源：萬得資訊，彭博資訊,2000806040200Price1x 1.7x2.5x3.3x4.2x資料來源：萬得資訊，彭博資訊,908070o o o o o o O 6 5 4 3 2 1存儲器現(xiàn)貨市場因現(xiàn)貨市場交易量萎縮至較低水平，目前DRAM現(xiàn)貨價格容易在情緒而影響下產(chǎn)生較大 波動。隨著日本恢復(fù)對韓電子化學(xué)品供應(yīng)已有一段時間，內(nèi)存供需緊俏的擔(dān)憂也已經(jīng)基 本消除，近一月內(nèi)(10/26-11/25), DDR4 8G/DDR4 4G產(chǎn)品現(xiàn)貨價分別下跌5.3%/5.0%, 已經(jīng)跌破7月日韓貿(mào)易摩擦漲價前價位。NAND Wafer現(xiàn)貨價格走勢略優(yōu)于DR

9、AM,四季 度以來繼續(xù)呈緩慢下行趨勢，近一月內(nèi)(10/2611/25) 256GB TLC Wafer/512GB TLC Wafer 現(xiàn)貨價分別下跌5.2%/2.1%o我們認(rèn)為，因整個現(xiàn)貨市場交易量較小，短期內(nèi)假設(shè)再次受到行業(yè)內(nèi)情緒面不確定性因素 影響，價格仍可能發(fā)生明顯波動。同樣，目前DRAM/NAND Wafer現(xiàn)貨價持續(xù)走低的情形 并不影響我們對合約市場基本面邊際改善的判斷。圖表20:主流現(xiàn)貨價格資料來源：DRAMeXchange,，注：數(shù)據(jù)更新至2019/11/25圖表21:主流NAND Wo/er現(xiàn)貨價格資料來源：DRAMeXchange,注：數(shù)據(jù)更新至2019/12/25合約市場

10、本月DRAM合約價格再度調(diào)整，NAND價格回升趨勢明顯。根據(jù)Inspectrum Tech數(shù)據(jù)， 10月主流Mobile DRAM合約價格環(huán)比下跌4.9%,比上月跌幅擴(kuò)大2.5ppts,主流Server DRAM合約價格環(huán)比下跌4.6%,比上月擴(kuò)大4.6pptSo主流Commodity DRAM合約價基本 維持穩(wěn)定，相比上月僅有0.4%下跌。閃存方面，10月TLC256GBNANDSSD合約價環(huán)比 大幅上漲11.7%,繼續(xù)確認(rèn)基本面轉(zhuǎn)好趨勢。我們繼續(xù)維持對存儲器合約市場基本面見底的看法。1) DRAM方面，由于四季度以來下 游備貨意愿逐漸增強(qiáng)，近期交易量逐步成長，DRAMeXchange預(yù)估四

11、季度DRAM合約價 跌幅約為5%左右，相比三季度的15%20%下跌明顯縮小。從供需基本面來看，我們認(rèn)為 三星資本開支將投入于lZnm制程轉(zhuǎn)換，導(dǎo)致位元出貨有一定增加，明年平澤廠二期開 出也會帶來投片量上升。但是，三季度業(yè)績會中公司也明確指出，鑒于CIS需求的強(qiáng)勢， 將會在1Q20合理優(yōu)化QS及存儲器產(chǎn)能配置，我們預(yù)計產(chǎn)能轉(zhuǎn)換將從一定程度上抵消供給 端增長壓力。SK海力土三季度業(yè)績會中說明2020年資本開支會趨于保守，對供需關(guān)系 平衡構(gòu)成利好。鎂光方面暫未披露明年資本開支計劃指引。中國廠商方面，我們認(rèn)為合 肥長鑫短期內(nèi)規(guī)劃產(chǎn)能僅2萬片，且在良率提升方面仍需一定時間，因此對整體供給端 位元出貨增加

12、貢獻(xiàn)不大。隨著下游庫存逐漸消化，廠商備貨意愿增強(qiáng)，我們預(yù)計1Q20淡 季過后DRAM合約價格有望正式進(jìn)入上行通道。2) NAND方面，由于價格下探較早， 目前合約價已經(jīng)呈較明顯的上漲態(tài)勢。供給端來看，三星2D NAND減產(chǎn)計劃持續(xù)，3D NAND投片量基本維持不變；SK海力士也同步削減2D NAND產(chǎn)能，3D NAND方面小幅擴(kuò) 產(chǎn)；東芝/西部數(shù)據(jù)方面，之前斷電的四日市工廠已經(jīng)全面恢復(fù)營運(yùn)，2020年上半年K1 工廠可能有局部產(chǎn)能開出。整體來看，我們排除供需情況再度趨于嚴(yán)重失衡的可能。我 們認(rèn)為隨5G/AI等新應(yīng)用逐步落地，進(jìn)入明年NAND合約市場將繼續(xù)呈現(xiàn)觸底回升態(tài)勢， 合約價繼續(xù)上行的可能

13、性大。圖表22:主流MobeDRA/W合約價格LPDDR4 32GB contract price (LHS) MoM (RHS)資料來源：/spectrum Tech,圖表23:主流Server DRAM合約價格DDR4 32GB Reg-DIMM 2133MHz contract price (LHS) A MoM (RHS)資料來源：/“spectrum Tech,圖表24:主流Commod/tyDRAM合約價格資料來源:Inspectrum Tech,圖表25:主流N4VDSS。合約價格TLC 5SD 256GB contract price MoM資料來源:Inspectrum Te

14、ch,從公司情況來看，根據(jù)Trendforce統(tǒng)計，受益于出貨量的增長，各DRAM廠商三季度營 收均呈環(huán)比上升態(tài)勢，而毛利率及營業(yè)利潤率受價格持續(xù)下跌影響仍然不盡人意。值得 注意的是，盡管西部數(shù)據(jù)在10月底公布了符合市場預(yù)期的1QFY20財季業(yè)績及2QFY20 展望，但近一月內(nèi)(10/26-11/25 )西部數(shù)據(jù)股價仍下跌19%。我們認(rèn)為相比同業(yè)者其在 二級市場的異常表現(xiàn)歸因于以下兩點(diǎn)因素：1)盡管公司披露其NAND閃存價格基本和上 季度環(huán)比持平，但公司當(dāng)季毛利率為24.8%, 2QFY20指引為25.5%,改善幅度弱于投資 者預(yù)期，投資者預(yù)期NAND市場回暖更加快速；2)公司CEO提出退休計

15、劃，未來人選仍 未公布，對公司管理上帶來一定不確定性。我們?nèi)匀粚γ髂甑具^后存儲器整體市場回暖維持樂觀。估值方面來看，目前三星電子 股價對應(yīng)L3倍12月遠(yuǎn)期P/B, SK海力土股價對應(yīng)1.1倍12月遠(yuǎn)期P/B,鎂光股價對應(yīng) 1.4倍12月遠(yuǎn)期P/B,西部數(shù)據(jù)股價對應(yīng)L5倍12月遠(yuǎn)期P/Eo圖表 27: SK 海力士 P/B Band圖表26:三星電子P/B Band90,00080,00070,00060,00050,00040,00030,00020,00010,00080,60,600480,80,6 Loe80.60,8 京80,60:oe80,co0;L0e80,60,9 Loe8O6

16、99OCM80,60,g La80,60,9 Loe80,6060780.6065CXJ go+OSLOe 80,60&L0g80,coo&oe8o,6o二ocm80,69二0。80,6003780,60,0 Loeac.CTC.QEa 80000,6804 80,60,8 Loe 89800087 80,604 oe 80gz8e 80,60,9se 80,39 Loe B9699OCM 8。，巴。 89604Loe 80g 寸SCJ 8960,807 80，co0，co8e B960&8e Bocoo&oe 80,69二 oe 80s。，二 oe B96OOOCM 800000804Pri

17、ce 0.5x0.85x1.2x1.6x1.95x1.5x1.9x1.1x0.7x0.3xPrice資料來源：萬得資訊，彭博資訊,資料來源：萬得資訊，彭博資訊,圖表28:鎂光P/B Band圖表29:西部數(shù)據(jù)P/B Bando o o o o o o7 6 5 4 3 2 180.6960。8000,687 S.8.W8W80,38 Loe80,60、Loe 80co0:8e80,60,9 L0780,393780,601n8OJ gcoolooe80,604878M043CXJ80,6060CM8OOOO8。 8960&0CXJ 80CO0&0Z80,69二 oe80,80,二 0780,6

18、003780,30 Loe80,60,68。 8000,607 80,60,807 8000CO0CM 8969z8e 8ogzoe 80,60,987 80,39 L。 80.60,9 LON 80,3 g。 896043CM 80M043CM 80,60,8 L02 SOCOOOOCM 8960&0C 8OOO&O。 8。，60,二0。 89CO0 二3e 80,6008。80.30 LodPrice 0.7x1.1x1.5x1.9x2.3x2x1.6x0.8x1.2x0.4xPrice資料來源：萬得資訊，彭博資訊,資料來源：萬得資訊，彭博資訊,半導(dǎo)體設(shè)備本月北美及日本半導(dǎo)體設(shè)備商出貨情況

19、均呈現(xiàn)環(huán)比反彈趨勢，行業(yè)逐漸從底部走出。根 據(jù)SEMI披露，2019年10月北美半導(dǎo)體設(shè)備商出貨額到達(dá)21.09億美元，環(huán)比反彈7.7%, 同比增長3.9%,繼9月同比跌幅收窄至6%后，實(shí)現(xiàn)今年首個單月同比正增長；同期，根 據(jù)SEAJ數(shù)據(jù)，日本半導(dǎo)體設(shè)備商出貨額到達(dá)1806.9億日元，環(huán)比增長1.4%,同比減少 9.7%,同比跌幅相比上月減少7.1ppts,收窄至雙位數(shù)以內(nèi)。以月末匯率計算，10月北美 與日本半導(dǎo)體設(shè)備商合計出貨額為37.89億美元，環(huán)比繼續(xù)回升5%，為自2019年7月 來連續(xù)第四個月環(huán)比回升，且環(huán)比增長幅度有擴(kuò)大趨勢，反映2H19以來受到全球先進(jìn)制 程邏輯投資加速驅(qū)動，存儲制

20、造設(shè)備市場略有回暖，全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)開始觸底反彈。從全球主要半導(dǎo)體設(shè)備商的業(yè)績來看，應(yīng)用材料、拉姆研究與東京電子最新財季業(yè)績均 有超預(yù)期表現(xiàn)，邏輯/代工業(yè)務(wù)成為設(shè)備商業(yè)績成長的主要動力，設(shè)備商對2020年展望 趨于樂觀，邏輯/代工業(yè)務(wù)需求旺盛，存儲業(yè)務(wù)回暖跡象開始顯現(xiàn)。AMAT 4QFY19代工/ 邏輯業(yè)務(wù)環(huán)比增長20%,同比增長18%,同時1QFY20業(yè)績指引同樣超出市場預(yù)期，代工 /邏輯業(yè)務(wù)有望保持連續(xù)高速增長，AMAT釋出了對2020年半導(dǎo)體前道設(shè)備(WFE, wafer-front-end)的樂觀預(yù)期，看好代工/邏輯業(yè)務(wù)需求維持增長勢頭，同時存儲器業(yè)務(wù) 也有望在2020年逐步改善，預(yù)

21、期NAND回暖要先于DRAM。Lam Research上調(diào)2019年全 球半導(dǎo)體設(shè)備市場預(yù)期至450億美元，以反映邏輯/代工需求強(qiáng)勁以及中國市場快速增長， Lam Research表示，已看到NAND市場開始復(fù)蘇的跡象，并預(yù)期NAND行業(yè)庫存有望在1H20恢復(fù)到正常水平。東京電子上調(diào)了全年?duì)I業(yè)利潤額至2,250億日元，反映邏輯/代工 業(yè)務(wù)需求強(qiáng)勁，展望2020年，東京電子看好邏輯/代工業(yè)務(wù)的增長延續(xù)性，以及下游存 儲器廠商重啟資本開支投入，預(yù)計NAND市場與DRAM市場分別有望在1H20及2H20復(fù) 蘇反彈。1H20恢復(fù)到正常水平。東京電子上調(diào)了全年?duì)I業(yè)利潤額至2,250億日元，反映邏輯/代工

22、 業(yè)務(wù)需求強(qiáng)勁，展望2020年，東京電子看好邏輯/代工業(yè)務(wù)的增長延續(xù)性，以及下游存 儲器廠商重啟資本開支投入，預(yù)計NAND市場與DRAM市場分別有望在1H20及2H20復(fù) 蘇反彈。圖表30:北美/日本半導(dǎo)體設(shè)備商出貨額及同比增速3,000.0 r（USD mn）2,500.0 -Ar 300%250%200%2,000.01,500.01,000.0500.0150%100%50%0%-50%6I0ZW 6I0S/1 6I0ZA/1 8I0Z/0S 8n Z.I0S01二 mN Z.IOZn/1 9I0Z/0S 91 盡5T/1 SIOZ/Ol二 二。n SIOZ:/I 寸 losol 二 寸

23、loss qlozw 寸loz/I/l mloz/os rnI&ZA sozm ZIOSOI/T ZI0ZW ZIOZ/CI ZIOZ/I/l IIOSOS II0z ln/l OIOZOS 0 Hzi 0 Hzi OIOSI/l 600Z/01二 600Z/S 60&寸/1 60 盡 I/l 800z/0l 800ZQ/1 gooss sooznn ZOOSOS sss zooz 900Z/0S 900SZ/1 90m 90&I/1Japan semiconductor equipment billingsJapan semiconductor equipment billingsNorth

24、 America semiconductor equipment billingsNorth America semiconductor equipment billings YoY (RHS)Japan semiconductor equipment billings YoY (RHS)資料來源：SEMI, SEAJ,注：數(shù)據(jù)更新至2019年20月從個股估值情況來看，近期全球半導(dǎo)體設(shè)備復(fù)蘇信號逐漸增強(qiáng)，應(yīng)用材料、拉姆研究、阿 斯麥及東京電子估值持續(xù)提升，均升至歷史高位（應(yīng)用材料15.7X,拉姆研究17.9X,東 京電子20.7X,阿斯麥32.4x）, 10月中旬隨著臺積電大幅上調(diào)資本開支提振

25、市場情緒，主 要設(shè)備廠商估值均爬升至歷史高位，而近期業(yè)績超預(yù)期、指引樂觀等市場信號那么驅(qū)動設(shè)備 商估值開始觸及歷史頂部，我們建議投資者關(guān)注持續(xù)下游邏輯芯片、晶圓代工、存儲器等 廠商的資本開支情況，以驗(yàn)證行業(yè)高估值是否可持續(xù)。圖表31:應(yīng)用材料P/EBand圖表32:拉姆研究P/E Band90 r (USD)807090 r (USD)80706050403080,60,60。8O696OCM7. 80co0coL0e-1 80,6040。 80,80、L0Z5X1 80,60,9L0e 8， 80,80,9 Lo。X / 80,6020。12.5 ,I BogsLoe M - 80.60dL

26、0。X 一- 80,804 Loe 1 e 80,60907 ，80,38 Loe7.5X 一 80.60&L0。 J 80,60&L0e 80,6。二locmpri 、羊 80g 二。- , 80,60,0L0e 二 80,30L0e o o o2 180,60,607 89co0,63oj80,60coL0e8060COL02 80,6040。8060;oe89699ON80699L0CJ80,60,9 LON806020380,604L0e 89CO0/L0C8O.6OOLOS80，coocooe 896O&OCU8060&0。80,60,二 0。 8989LO7896OOOZ 80，c

27、oooLoePrice7.5x10 x12.5x15x17.5x資料來源：萬得資訊，彭博資訊,資料來源：萬得資訊，彭博資訊,資料來源：萬得資訊，彭博資訊,圖表33:阿斯麥P/EBand圖表33:阿斯麥P/EBand圖表34:東樂電子P/E BandPrice15x -20 x25x30 x35xOOOOOOOO 5 0 5 0 5 0 5 3 3 2 2 1 135,00030,00025,00020,00015,00010,0005,0000(JPY)1 Price17x21x8960,6L& 8960COL02 893857 8。，69二 02 893ZS7 89699L02 8。，60,

28、9 Loe 8。-6aos 89398。 80-604L02 80604 La -8。，6。202 B0.8983CM -80.60&L02 8060&8Z 8969二 02 8060,二 OS 896OOL8 -898OOL8資料來源：萬得資訊，彭博資訊,資料來源：萬得資訊，彭博資訊,硅片根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2019年三季度全球硅晶圓出貨面積為29.32億平方英寸，環(huán)比下滑1.7%,環(huán) 比跌幅持續(xù)收窄。勝高公布了 3QFY19業(yè)績，營業(yè)利潤超出市場預(yù)期，但四季度指引低于市 場預(yù)期，勝高在業(yè)績會中指出，目前12寸邏輯芯片需求持續(xù)強(qiáng)勁，但存儲器晶圓需求仍未 見明顯起色，下游廠商仍處于庫存調(diào)整期，預(yù)

29、計需求有望在2H20年后開始回曖；8寸晶 圓方面，需求仍然疲軟，尤其是工業(yè)/消費(fèi)類應(yīng)用需求較弱，公司表示，由于全球經(jīng)濟(jì)放 緩影響，8寸晶圓的需求回暖預(yù)計會慢于12寸晶圓；價格方面，目前長期合約價格保持 穩(wěn)定，局部現(xiàn)貨產(chǎn)品價格承壓。信越化學(xué)2QFY20業(yè)績符合市場預(yù)期，晶圓出貨基本符合行 業(yè)趨勢，但小尺寸晶圓出貨量面臨一定壓力，信越化學(xué)并未對晶圓行業(yè)給出明確指引，但 認(rèn)為數(shù)據(jù)中心回暖、5G等將構(gòu)成利好因素。估值方面來看，近一個月信越化學(xué)估值略有下滑，12月前向P/E到達(dá)15.4X,接近歷史中 樞水平。10月大漲后勝高股價開始回落，目前12月前向P/E為15.5X,與信越化學(xué)趨近， 仍處于歷史相對

30、高位。我們維持上個月對硅片市場的判斷,整體市場回暖將略滯后于下 游廠商12個季度，2H20硅片市場有望重回景氣。圖表35:全球硅晶圓出貨面積（按季度）35302520155 o6TBW 8Td S 8Tew zTd s 9Td s 9Tew gTd s SEBW 寸Las 寸TcoTd s COEBW eEBW 二，d s 二，BW oTd s oTew 69d s 60,pw 89d s 89ew ds 99d s 92PZ gold s InOLPW 寸OCLs 寸。COOCLCDS硅片出貨量（億平方英寸）資料來源：SEMI,彭博資訊,圖表37:月生圖P/E Band圖表36:信越化學(xué)P/

31、EBand(JPY)4,0003,5003,0002,5002,0001,5001,00050018,00016,00014,00012,00010,0008,0006,0004,0002,000 Loe8OOO.6LO2 8960CO8Z8000001.0280,60、Loe 80，co0,ZL0e 80,60,9L0e 80699L0280,602 oe 80,8020。80,6。，寸 Loe 80604LOS80,69coL0e 8000COL0280,60,6L0e 80,36578960,853BOCOOOOLOOJ 80,604。 80gz3e 8960,93d80g9SN B96

32、995CM80，co0usL0e 80,60/8e 80000437 896065N80CO06SCUBogese 8060&3C 8。，6。，二 oe 8069L3e80,60057 80，co0,0L0e15x17.5x7.5x10 x12.5xPrice12.5x15x17.5x20 x22.5xPrice資料來源：萬得資訊，彭博資訊,資料來源：萬得資訊，彭博資訊,行業(yè)動態(tài)根據(jù)WSTS披露，2019年9月全球半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)銷售額355.7億美元，同比下滑14.6%, 環(huán)比上升3.4%,實(shí)現(xiàn)自7月以來連續(xù)第三個月環(huán)比上升，環(huán)比增幅逐漸擴(kuò)大，與去年同 期相比，下滑幅度也收縮1.3pptSo市

33、場表現(xiàn)上，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)近一月內(nèi)(10/26-11/25) 漲幅達(dá)5.1%,收于173L95點(diǎn)，期間最高觸及1758.26點(diǎn)，創(chuàng)下歷史新高。受半導(dǎo)體廠 商業(yè)績超預(yù)期驅(qū)動，費(fèi)指自9月起已連續(xù)三個月表現(xiàn)強(qiáng)勢，反映市場對行業(yè)復(fù)蘇持樂觀 態(tài)度。估值方面，受到數(shù)據(jù)中心需求回暖、先進(jìn)邏輯需求持續(xù)強(qiáng)勁等因素拉動，半導(dǎo)體行業(yè)基 本面持續(xù)改善，近期計算芯片廠商英特爾、英偉達(dá)、AMD以及先進(jìn)制程代工廠臺積電等 股價均有強(qiáng)勢表現(xiàn)，拉動板塊估值持續(xù)上升。截止11月25日，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)P/E相 對標(biāo)普500溢價率為7.8%o圖表I：全球半導(dǎo)體月度銷售額同比增速vs.費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)2.0001,8001,6001,40

34、01,2001.000800600400200(Revenue growth y-y)doe L/I76L0Z L/Z/80OJ L/V8OZ L/Z/Z8CM L/LLoe L/Z/9O。 L/ngLoe L/Ngoe L/L、goe L/zmoe l/u 寸OOJ L/z/eoOJ L/vmoe L/Z/ZOCJ Tznoe l/l 二oe L/NOLOe L/V08CXJ L/z7600e L/V600CJ L/Ngooe L/U800Z L/z/zooe L/czooe L/z/gooe L/U900Z L/z/s。 L/cgooe LE 寸 Ooe L/ooe L/z/coooe L

35、/cgooOJ L/z/eo。60%50%40%-30%20%10%0%-10%-20%-30%PHLX Semiconductor Sector (LHS)Semiconductor monthly sales growth YoY (RHS)，注：數(shù)據(jù)截止于2019/11/25，注：數(shù)據(jù)截止于2019/11/25資料來源：W575, SIA, Yahoo Financef圖表2:費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)P/E估值 吸標(biāo)普500P/E估值資料來源：彭博資訊，注：數(shù)據(jù)截止于2019/11/25圖表3:全球主要半導(dǎo)體公司業(yè)績預(yù)覽及近期股價變化情況公司名稱BBG TickerRevenue growth Y

36、oY (%)|Net profit growth YoY (%)|Price change (%) |4Q19E (or current FQ)1Q20E (or +1FQ)2019E (or current FY)|4Q19E(or current FQ)1Q20E (or +1FQ)2019E|(or current FY)1Mytd|計算芯片全球英特爾(Intel)INTC US EQUITY370-611-4528英偉達(dá)(Nvidia)NVDA US EQUITY3428-810774-17866超威半導(dǎo)體(AMD)AMD US EQUITY484743222884422116無線通訊

37、全球思佳訊(Skyworks)SWKS US EQUITY-9-31-13-711253科沃(Qorvo)QRVO US EQUITY262-15-10-73272博通(Broadcom)AVGO US EQUITY508-7-201029高通(Qualcomm)QCOM US EQUIT發(fā)科(MediaTek)2454 TT EQUITY61437266121082模擬芯片全球德州儀器(TI)TXNUS EQUITY-14-11-10-20-17-9-129矽力杰(Silergy)6415 TT EQUITY26289544119490晶圓代工全球臺積電(TSM

38、C)2330 TT EQUITY92941152-3536聯(lián)電(UMC)2303 TT EQUITY1417-3N.A.917433世界先進(jìn)(Vanguard)5347 TT EQUITY-810-3-25-9-6716中芯國際(SMIC)*981 HK EQUITY718-7979851648華虹半導(dǎo)體(Hua Hong)*1347 HK EQUITY0121-16-11-3-14-5穩(wěn)懋(Win Semi)3105 TT EQUITY585023122514409148存儲器-全球三星電子(Samsung)005930 KS EQUITY310-5-361-51234SK海力士 (SK H

39、ynix)000660 KS EQUITY-34-8-34-92-79-84-135鎂光(Micron)MU US EQUITY-37-17-12-85-74-63-150西部數(shù)據(jù)(WD)WDCUS EQUITY09-1-59274-48-1939半導(dǎo)體設(shè)備-全球應(yīng)用材料(AM AT)AMAT US EQUITY8121382320581阿斯麥(ASML)ASML US EQUITY2544741136-1377拉姆研究(LRCX)LRCX US EQUITY-152-80-30101ASM太平洋(ASM Pacific)*522 HK EQUITY-185-2031180-66-440硅片全

40、球信越化學(xué)(Shin-Etsu)4063 JP EQUITY-40-1-712-338勝高(SUMCO)3436 JP EQUITY-13-10-7-67-51-43-738資料來源：萬得資訊，彭博資訊，注：*為中金覆蓋公司，采用中金預(yù)測，其余預(yù)測來自市場一致預(yù)期；數(shù)據(jù)截止2019/11/25近一月內(nèi)（10/26-11/25）,中金跟蹤的26家全球半導(dǎo)體公司中，有17家公司上漲，9家 下跌。從板塊表現(xiàn)來看，受數(shù)據(jù)中心需求回暖驅(qū)動，計算芯片漲幅最高（+7.4%）,無線 通訊芯片位列第二（+7.2%）。晶圓代工（+4.6%）板塊股價同樣呈現(xiàn)上漲；半導(dǎo)體設(shè)備板 塊先揚(yáng)后抑，漲幅為2.4%；硅片（.4

41、.0%）、模擬芯片（-1.0%,主要受TI影響）、存儲器 （-0.2%）板塊受基本面影響表現(xiàn)仍然偏弱。個股情況來看，近一月內(nèi)異動明顯的為AMD （+22%）、Qorvo （+32%）、西部數(shù)據(jù)（19%）、 華虹半導(dǎo)體（-14%）,具體原因分析請見正文。圖表4:全球半導(dǎo)體公司估值表彭博代碼公司名稱中金股價P/EP/BROE(%)EPS增長率Price change (%)評級 26/11/20192019E2020E2019E2020E2019E2020E5D1MYTDAMD US超微半導(dǎo)體NA38.9963.837.217.411.931.871%-119111NVDA US英偉達(dá)NA217.

42、0042.831.211.79.929.337%3663XLNX US賽靈思NA91.2423.621.27.35.932.411%1-39SWKS US思佳訊NA99.1216.714.94.34.026.312%31050QRVO US科沃NA104.1119.918.22.82.711.59%33271AVGO US博通NA316.2714.813.16.56.731.913%0928QCOM US高通NA84.6327.117.548.4n.a.n.a.55%-16532454 TT聯(lián)發(fā)科NA420.0027.922.52.32.28.624%311833034 TT聯(lián)詠NA225.5

43、016.815.94.24.125.96%415598299 TT群聯(lián)電子NA289.5013.412.02.01.915.612%02274966 TT譜瑞NA595.0019.616.54.23.623.118%3238SIMO US慧榮科技NA44.3121.315.82.82.612.935%21233海外及臺灣地區(qū)芯片設(shè)計-平均值 海外及臺灣地區(qū)芯片設(shè)計中間值25.620.619.717.09.54.25.04.06963 JP羅姆半導(dǎo)體NA9,270.0034.621.71.21.24.659%1732INTC US英特爾NA58.9013.513.23.32.924.52%152

44、96723 JP瑞薩電子NA729.0055.620.22.01.92.5175%5246TXN US德州儀器NA119.1322.020.613.613.259.57%3-030STM US意法微電子NA24.8426.320.83.53.213.927%51181ON US安森美半導(dǎo)體NA21.9214.012.62.52.113.811%61433MCHP US微芯半導(dǎo)體NA95.3716.514.43.93.221.915%52356981 JP村田NA6,405.0022.420.52.42.311.89%910-576976 JP太陽誘電NA2,914.0015.413.91.71

45、.512.010%5078005930 KS三星電子NA51,800.0016.212.71.41.38.528%2234000660 KSSK海力士NA82,300.0025.614.51.21.14.977%2-136MU US鎂光NA46.7214.214.01.51.316.41%3-347WDC US西部數(shù)據(jù)NA48.7136.710.21.41.30.9260%2-20362330 TT臺積電NA307.0024.220.44.64.319.519%-15362303 TT聯(lián)電NA15.2025.620.30.90.92.726%46355347 TT世界先進(jìn)NA72.0020.1

46、19.33.93.919.84%81221海外及臺灣地區(qū)IDM/晶圓代工平均值 海外及臺灣地區(qū)IDM/晶圓代工中間值23.922.216.816.93.12.22.82.03711 TT日月光投控NA77.3019.214.11.61.57.936%0-333AMKR US安靠NA12.32148.428.41.61.5-0.6422%01488海外封裝測試-平均值 海外封裝測試-中間值83.883.821.321.31.61.61.51.5AMAT US應(yīng)用材料NA57.5719.516.36.45.937.620%2479ASML US阿斯麥NA271.4744.231.79.28.221

47、.139%2377LRCX US拉姆研究NA269.5619.917.18.38.140.517%2-0101KLAC US科天半導(dǎo)體NA162.1320.016.09.17.854.325%0-4868035 JP東京電子NA22,805.0020.820.54.23.921.01%5482TER US泰瑞達(dá)NA63.6725.420.57.98.428.424%301046857 JP愛德萬NA5,430.0032.125.85.14.521.124%4-2142海外半導(dǎo)體設(shè)備-平均值 海外半導(dǎo)體設(shè)備-中間值26.020.821.120.57.27.96.77.84063 JP口本信越NA

48、11,800.0015.714.91.91.712.46%2-3383436 JP日本勝高NA1,729.0014.214.71.71.612.3-3%4-541APD US美國空氣化工NA234.4027.424.14.33.916.214%-110494186 JP 海外半導(dǎo)體彳 海外半導(dǎo)體彳東京應(yīng)化NA3,970.0029.922.31.11.14.134%1-934才料-平均值 才料中間值21.821.619.018.62.21.82.11.6資料來源：萬得資訊，彭博資訊，注：預(yù)測來自市場一致預(yù)期，圖中股價均對應(yīng)當(dāng)?shù)刎泿艌D表5:4股半導(dǎo)體公司估值表彭博代碼公司名稱中金評級股價一2019

49、/11/28P/EP/B_ROE(%)EPS增長率Price change (%)12019E2020E2019E2020E2019E2020E5D1MYTD603160 CH匯頂科技*跑贏行業(yè)195.6435.332.410.79.533.411%-54149300327 CH中穎電子*跑贏行業(yè)23.0527.226.15.65.119.54%-6-342603501 CH韋爾股份NA125.85182.462.618.814.812.8191%624330300661 CH圣邦股份NA214.39134.896.621.518.114.840%-410308300782 CH卓勝微*跑贏行

50、業(yè)420.4490.058.723.716.921.853%315n.a.688008 CH瀾起科技*中性65.4281.163.510.79.417.328%-38n.a.688018 CH樂鑫科技NA159.5093.365.911.79.920.442%-19n.a.300474 CH景嘉微NA59.5099.269.27.26.67.543%-2665688002 CH睿創(chuàng)微納NA31.6768.849.58.37.212.739%-1-21n.a.6415 TT矽力杰NA902.0042.033.15.64.913.127%1799300223 CH北京君正NA62.68122.99

51、3.613.813.15.631%228244603068 CH博通集成NA88.9733.726.610.17.434.927%-5-18n.a.300613 CH富瀚微NA150.1162.855.05.75.28.714%-3567中國芯片設(shè)計-平均值82.656.411.89.9中國芯片設(shè)計-中間值81.158.710.79.4981 HK中芯國際*跑贏行業(yè)10.3437.755.91.21.23.3-33%27511347 HK華虹半導(dǎo)體*跑贏行業(yè)14.4213.213.41.01.08.2-1%6-71600745 CH聞泰科技NA99.0087.262.817.015.414.0

52、39%839369300373 CH揚(yáng)杰科技NA14.5422.818.32.62.410.824%-2-62600460 CH士蘭微NA14.3982.559.55.55.16.839%-6-378600360 CH華微電子NA5.5232.525.12.01.96.229%1-621300623 CH捷捷微電NA23.1834.629.74.03.710.616%41249中國IDM/晶圓代工平均值44.337.84.84.4中國IDM/晶圓代工中間值34.629.72.62.4601231 CH環(huán)旭電子*跑嬴行業(yè)15.8425.318.83.43.014.027%11578600584

53、CH長電科技*跑贏行業(yè)21.02n.a.47.22.42.30.14228%412155002185 CH華天科技*跑贏行業(yè)6.0561.625.52.22.04.1142%61467002156 CH通富微電*跑贏行業(yè)12.78n.a.43.32.42.30.12802%51680中國封裝測試-平均值43.533.72.62.4|中國封裝測試-中間值43.534.42.42.3002371 CH北方華創(chuàng)NA77.0097.165.08.77.69.349%615104300604 CH長川科技NA19.4570.144.09.48.212.559%-5-721522 HKASM太平洋*跑贏行

54、業(yè)103.4045.620.23.53.17.3125%1-741中國半導(dǎo)體設(shè)備-平均值70.943.17.26.3中國半導(dǎo)體設(shè)備-中間值70.144.08.77.6300236 CH上海新陽*中性21.8514.149.82.72.721.1-72%-4-1132300054 CH鼎龍股份NA7.9722.018.01.91.78.722%-1-1525300666 CH江豐電子NA36.69137.0100.510.59.68.136%-1-6-11002409 CH雅克科技NA18.6033.826.42.01.85.828%2-235中國半導(dǎo)體材料-平均值51.748.74.34.0中

55、國半導(dǎo)體材料-中間值27.938.12.32.3資料來源：萬得資訊，彭博資訊，注：*為中金覆蓋公司，采用中金預(yù)測，其余預(yù)測來自市場一致預(yù)期，圖中股價均對應(yīng)當(dāng)?shù)刎泿鸥靼鍓K動態(tài)計算芯片計算芯片板塊方面，最值得注意的是近一月（10/26-11/25 ） AMD股價上漲22%，年迄今漲 幅高達(dá)116%我們認(rèn)為這主要是由于：1）三季度云廠商資本開支開始回暖，數(shù)據(jù)中心需 求反彈強(qiáng)勁，AMD服務(wù)器CPU收入環(huán)比增長50%,英特爾數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)環(huán)比反彈28%, 英偉達(dá)數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)反彈幅度稍弱，到達(dá)ll%o 2）得益于臺積電7nm工藝，AMD首次 在技術(shù)工藝上領(lǐng)先于英特爾，驅(qū)動其在桌面、PC、服務(wù)器端CPU等多個

56、平臺競爭力得到 增強(qiáng)，市占率快速提升；3） AMD沿產(chǎn)品路線圖穩(wěn)步前進(jìn)，2H19已陸續(xù)推出多款基于7nm 技術(shù)平臺的處理器產(chǎn)品，包括EPYC Rome（服務(wù)器CPU）、Navi GPU、Ryzen Pro（桌面CPU） 等，2020年產(chǎn)品線將大量采用7nm工藝，持續(xù)迭代GPU、CPU等處理器產(chǎn)品。從業(yè)績來看，AMD3Q19實(shí)現(xiàn)營收18億美元，環(huán)比增長18%,符合公司指引及市場一致 預(yù)期。計算與圖形（Computing and Graphics）業(yè)務(wù)環(huán)比/同比均大幅提升36%,主要因?yàn)?7nm Ryzen桌面處理器出貨量快速提升，驅(qū)動PC CPU業(yè)務(wù)ASP大幅上漲。商業(yè)、嵌入式 與定制化（Ent

57、erprise, Embedded and Semi-Custom）業(yè)務(wù)收入環(huán)比下滑11%,同比減少27%, EPYC Rome處理器增長強(qiáng)勁，帶動服務(wù)器CPU收入環(huán)比增長50%,但定制化收入仍然疲 軟，拖累業(yè)務(wù)成長。AMD維持四季度與2019全年指引不變，4Q19收入指引中位數(shù)為21 億美元，環(huán)比增長17%,毛利率繼續(xù)提升至44%o其余公司方面，英特爾PC CPU短缺問題本月繼續(xù)發(fā)酵，英特爾表示，雖然公司在下半年 對PC CPU實(shí)行了擴(kuò)產(chǎn)，提升了 14nm/10nm的產(chǎn)能，出貨量增長幅度已到達(dá)兩位數(shù)百分 比，但供需問題仍未得到顯著改善。公司管理層也在業(yè)績會中指出，假設(shè)短缺問題持續(xù)發(fā) 酵，未來

58、英特爾不排除將CPU制造交由第三方代工解決，以解決產(chǎn)能緊張問題。此外， 英特爾CFO George Davis本月表示，英特爾將在2H21開始全力量產(chǎn)與推廣7nm產(chǎn)品，7nm 工藝將率先應(yīng)用于Xe獨(dú)顯GPU產(chǎn)品上，而非CPU產(chǎn)品。管理層坦言，未來18-24個月 內(nèi)，公司與AMD在服務(wù)器市場的競爭將加劇，而英特爾的收入與利潤有望在2023年后 開啟顯著成長。英偉達(dá)于11月14日公布3QFY20業(yè)績，報告期內(nèi)共實(shí)現(xiàn)營收30.1億美元，環(huán)比增長, 同比減少5%,高于市場一致預(yù)期的29.1億美元，游戲業(yè)務(wù)繼續(xù)保持強(qiáng)勁增長（+26% QoQ）, SUPER RTX光線追蹤平臺逐漸放量，3A大作陸續(xù)推出催

59、化市場需求，新一代SUPER GTX 系列近期開始出售，性能相比前代提升近50%,并主打高性價比；受益于云廠商資本開 支開始回暖，英偉達(dá)數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)環(huán)比反彈11%,但汽車業(yè)務(wù)表現(xiàn)不佳，同比/環(huán)比分別 下降6%/22%。展望4Q FY20,英偉達(dá)預(yù)期公司營收將到達(dá)29.5億美元，環(huán)比下跌2%, 但同比增長34%,略低于市場一致預(yù)期的30.7億美元，主要由于游戲業(yè)務(wù)的季節(jié)性放緩，但 英偉達(dá)預(yù)期數(shù)據(jù)中心收入仍將延續(xù)增長動能，4QFY20有望繼續(xù)保持雙位數(shù)的環(huán)比增長， 主要由于云廠商資本開支投入已呈現(xiàn)回暖，行業(yè)能見度相對較高。英偉達(dá)同時透露，面 向推理層的T4 Tesla GPU出貨量持續(xù)提升，同比來

60、看呈現(xiàn)翻倍增長，占數(shù)據(jù)中心收入已到達(dá) 雙位數(shù)，這也是T4 GPU的出貨量首次超越V100 GPU,反映推理端需求增速持續(xù)提升，已 經(jīng)超過訓(xùn)練端。估值方面，目前英特爾股價對應(yīng)12.4X 12月前向P/E,英偉達(dá)股價對應(yīng)37.8X 12月前向P/E, AMD股價對應(yīng)39.8x12月前向P/E。受數(shù)據(jù)中心需求回暖、業(yè)績超預(yù)期等因素驅(qū)動，本月 三家計算芯片廠商估值均有所提升，均到達(dá)歷史上較高水平。圖表6:英特爾P/E BandPrice資料來源：萬得資訊，彭博資訊,5x 15x25x35x45x圖表7:英偉達(dá)P/E Band80706050403020100Z9696L02 689685 369883