一維MT正演實(shí)驗(yàn)

1、電法資料處理與解釋實(shí)驗(yàn)六一維MT正演實(shí)驗(yàn)專業(yè)名稱：地球物理學(xué)學(xué)生姓名：學(xué)生學(xué)號(hào)：指導(dǎo)老師：馮兵、周建美完成時(shí)間：2016.12.24一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、掌握MT的一維正演理論；2、編制一維正演程序；3、掌握視電阻率和阻抗相位的概念；4、通過(guò)對(duì)一維地電模型的模擬，在不同厚度低阻層、不同電阻率差異、不同深 度情況下進(jìn)行理論模型正演計(jì)算，考查該方法對(duì)一維地電模型的縱向分辨力。二、實(shí)驗(yàn)要求1、了解一維正演理論的基本原理，能夠正確運(yùn)用程序計(jì)算一維模型的視電阻；2、了解程序基本思路，能夠自己修改輸入輸出參數(shù)；3、不斷改變模型參數(shù)進(jìn)行計(jì)算，并繪制剖面曲線圖，比較由于電阻率變化或厚 度變化引起的剖面曲線變化，對(duì)測(cè)

2、試結(jié)果作理論上的分析；4、完成實(shí)驗(yàn)報(bào)告，word排版，格式合理。三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1、均勻半空間模型模擬；2、兩層D、G型地電模型模擬；3、三層H型地電模型模擬；4、五層地電模型模擬。5、與CSAMT視電阻率曲線做一比較，區(qū)分他們特征。四、實(shí)驗(yàn)原理1、計(jì)算視電阻率和視相位的通式分別為：?= IZ F 隊(duì)州2 V (0)2 e= tan 叫料口 叩 11RelZ (0)N均勻半空間模型：hl T 3 nr徂 P =P cth(ik h ) T1 R (o)= 1 祁日日土勺勺*中間防徂(1，可得 a 1，ll ， N ，說(shuō)明均勻半空間所得視電阻率就是真的電阻率，是一個(gè)常數(shù)，即P1，因此后邊結(jié)果中將不再

3、對(duì)均勻 半空間情況做討論。（2）相位是常數(shù)（-45。），這也說(shuō)明了模型是電性均一的，相位差不變。2、兩層地電模型:（1）視電阻率公式為:i:p = p cth ik h + cth1-1 1p = p th ik h + th- 82G2P2W（2）當(dāng)時(shí)，（P2 3/叩 時(shí)，視電阻率僅與上面兩層縱向電導(dǎo)率有關(guān)，而與其下的單個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān);（4）S等值性，當(dāng)H型地電斷面中第二層為薄層時(shí)，視電阻率值只和這一層的縱向電導(dǎo)有關(guān)。坐標(biāo)表示方法:,、土 區(qū)口 方 而 ak 占人而寸斗He土；= log p 一 log p + log FKlogX logh ） 口（1）視電阻率曲線的雙對(duì)數(shù)坐標(biāo)表廠c j- /

4、 |yLi nzi U-U l-l J /W/4 a1112 ；（2）相位曲線一般用單對(duì)數(shù)坐標(biāo);（3）歸一化，將電阻率p a用p 1歸一化，厚度入1用深度hl歸一化，可得:log（匕）=log FP1iX、log,日h21I1 7i五、實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析1、均勻半空間模型（P 1= 500）1000由圖1,均勻半空間 視電阻率為一條直線。Illi I I I | 11 II pill 1111| 11 I I | Illi I | I II | I I I I心 0 id 1S.10.011T1Z圖1.均勻半空間視電阻率曲線圖LI FIIEIl II III2、兩層D型地電模型（p 1=500，p

5、 2=100）Ge心-扣=3&1=5)11=1180Q.D1圖2.均勻半空間視電阻率曲線圖由圖2,對(duì)于兩層D 型模型，高頻時(shí)測(cè)量深 度較淺，視電阻率趨于 上層電阻率值；隨著頻 率的減小，測(cè)量深度增 加，受下層電阻率影響 變大。當(dāng)上層厚度較小 時(shí)，側(cè)身曲線無(wú)法正確 反應(yīng)上層電阻率值，即 在高頻點(diǎn)視電阻率無(wú)法 達(dá)到一個(gè)穩(wěn)定值；隨著 上層厚度的增大，高頻 點(diǎn)視電阻率趨于上層真 實(shí)電阻率值。3、兩層G型地電模型(p 1=100, p 2=500)由圖3,對(duì)于兩層G 型模型，高頻點(diǎn)處的視 電阻率值趨于穩(wěn)定水 平，接近真實(shí)電阻率； 但在低頻點(diǎn)處，由于低 頻不夠低，故此處視電 阻率值不等于第二層電 阻率。h

6、lWO- hl=12S0I I I II ni|I I I in ii|0.1-I 11 II |I I I IIIII10TTrn|Ilin ni| 10030I I I II lll|10D1000fkz圖3.兩層G型地電模型視電阻率曲線圖hi=100)4、三層 H 型地電模型(p 1=500，p 2=100，p 3=800，由圖4,當(dāng)?shù)诙雍?度較小時(shí)，曲線變化幅 度小，很難測(cè)出第二層 電阻率變化，隨著第二 層厚度的增加，曲線迅 速下降，且最低點(diǎn)的電 阻率接近第二層真實(shí)電 阻率。隨著第二層厚度的增 大，曲線的最小值漸漸 向低頻方向移動(dòng)，且高 頻的視電阻率值大于第 一層的真實(shí)電阻率。5、五層地電模型(p 1=500, p 2=100, p 3=500, p 4=100, p 5=500, h1=100, h3=100)TTTTr由圖5,可以看出， 第二層與第四層的厚度 越大，在同一頻率下測(cè) 出的視電阻率值越小， 所有曲線在高頻段比較 匯集，低頻段比較發(fā)散。0.010.11ia w 1000 ioaoa ioaoao筮-筮主瑚司00六、實(shí)驗(yàn)總結(jié)通過(guò)本