哈工程材料物理復(fù)試考試題

1、一.填空題1.實(shí)際晶體結(jié)構(gòu)中，按晶體缺陷分布的幾何特征，可分為三類：點(diǎn)缺陷包括肖脫基空位、弗侖克爾空位與雜質(zhì)原子等；線缺陷主要指位錯(cuò)，位錯(cuò)包括柏氏矢量與位錯(cuò)線垂直的刃型位錯(cuò)，柏氏矢量與位錯(cuò)線平行的螺型位錯(cuò)；面缺陷包括亞晶界、孿晶界和相界等。2.材料的結(jié)構(gòu)可由四個(gè)層次構(gòu)成，包括原子結(jié)構(gòu)、原子結(jié)合鍵、原子空間排列和纖維組織。3.金屬中的自由電子在外電場(chǎng)E的作用下發(fā)生散射，電子每兩次碰撞之間平均時(shí)間稱為弛豫時(shí)間并用表示，與晶格缺陷和原子振動(dòng)有關(guān)，溫度越高，晶體缺陷越多，電子散射幾率越多，越小。4.刃型位錯(cuò)沿垂直于滑移面的運(yùn)動(dòng)稱為位錯(cuò)攀移，壓應(yīng)力有利于刃型位錯(cuò)的正攀移，拉應(yīng)力有利于負(fù)攀移。攀移需要原子

2、擴(kuò)散和空位轉(zhuǎn)移。5.化合物SiC及A族中的C、Si和Ge元素，具有金剛石型晶體結(jié)構(gòu)。6.相律是表示在平衡條件下，系統(tǒng)的組元、相數(shù)、自由度數(shù)之間的關(guān)系式。7.原子的磁矩來源于電子軌道磁矩和自旋磁矩。8.材料的抗磁性和順磁性有三個(gè)來源：一是組成原子的電子的固有自旋，二是電子繞核旋轉(zhuǎn)的軌道角動(dòng)量，三是外加磁場(chǎng)所感生的軌道矩改變。前兩個(gè)對(duì)順磁性有貢獻(xiàn)，第三個(gè)對(duì)抗磁性有貢獻(xiàn)。9.材料的擴(kuò)散律n隨入射光的頻率減?。ɑ虿ㄩL增大）而減小的現(xiàn)象，稱為光折射率的色散。10.許多電導(dǎo)率很低的材料，在電場(chǎng)作用下沿電場(chǎng)方向產(chǎn)生電偶極矩，在靠近電極的材料表面會(huì)產(chǎn)生束縛電荷，這種材料稱介電體或電介質(zhì)。二.選擇題1.電子化合

3、物以化學(xué)分子式表示，但它的成分是一定范圍內(nèi)變化的，相當(dāng)于以化合物為基的第二類固溶體。2.使用超冷技術(shù)，有可能使液態(tài)合金在凝固過程中保持液態(tài)金屬的短程有序結(jié)構(gòu)，但長程有序被破壞，這種固體被稱為3.由置換互溶原子因相對(duì)擴(kuò)散速度不同而引起的標(biāo)記移動(dòng)的不均衡現(xiàn)象，稱柯肯達(dá)爾效應(yīng)。4.一般選用流動(dòng)性好、易形成縮孔、熱裂和偏析傾向小的 合金作為鑄造合金。5.面心立方晶胞的晶胞原子數(shù)為4.三.簡述題1.簡述固態(tài)相變的類型及特點(diǎn)（按相變過程中形核與長大特點(diǎn)進(jìn)行分類）。形核-長大型相變：在很小范圍內(nèi)，發(fā)生原子相當(dāng)激烈的重排，生成了新相的核心，新相與母相之間產(chǎn)生了相界，靠不斷生核與晶核的長大實(shí)現(xiàn)相轉(zhuǎn)變；連續(xù)型相變：在很大范圍內(nèi)，原子發(fā)生輕微重排，相變的起始狀態(tài)和最終狀態(tài)之間存在一系列連續(xù)狀態(tài)，不需形核，靠連續(xù)漲落形成新相，這種相變?yōu)檫B續(xù)型相變。2.說明C、N、Cr、Ni等原子在金屬晶體中的擴(kuò)散機(jī)制。1）C、N原子應(yīng)為間隙擴(kuò)散機(jī)制：在間隙固溶體中，溶質(zhì)原子的擴(kuò)散是從一個(gè)間隙位置跳動(dòng)到另一間隙位置，發(fā)生間隙擴(kuò)散；Cr、Ni原子屬于空位擴(kuò)散機(jī)制：晶體中存在大量空位在不斷移動(dòng)位置。擴(kuò)散原子近