產(chǎn)100噸(Φ150mm～Φ200mm)硅單晶系列產(chǎn)品項目項目建議書

1、年產(chǎn)100噸（150mm200mm）硅單晶系列產(chǎn)品項目項目建議書一、 項目概況項目名稱：年產(chǎn)100噸（150mm200mm）硅單晶系列產(chǎn)品項目項目選址：XXX省XXX工業(yè)園區(qū)項目固定資產(chǎn)總投資：6000萬元（注：硅單晶項目可根據(jù)規(guī)模大小定投資額）本項目產(chǎn)品先進(jìn)，市場前景看好，經(jīng)濟(jì)效益顯著，符合國家產(chǎn)業(yè)導(dǎo)向和企業(yè)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整的要求，具有良好的社會和經(jīng)濟(jì)效益，且具有一定的抗風(fēng)險能力，因而項目是可行的。二市場分析單晶硅也稱硅單晶，是電子信息材料中最基礎(chǔ)性材料，屬半導(dǎo)體材料類。單晶硅已滲透到國民經(jīng)濟(jì)和國防科技中各個領(lǐng)域，當(dāng)今全球超過2000億美元的電子通信半導(dǎo)體市場中95%以上的半導(dǎo)體器件及99%以上

2、的集成電路用硅。硅單晶的另一用途是生產(chǎn)太陽能電池。單晶硅可以廣泛用于太陽能電池級單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造。 1、 太陽能電池產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢 豐富的太陽輻射能是重要的能源，是取之不盡、用之不竭的、無污染、廉價、人類能夠自由利用的能源。太陽能每秒鐘到達(dá)地面的能量高達(dá)80萬千瓦，假如把地球表面0.1%的太陽能轉(zhuǎn)為電能，轉(zhuǎn)變率5%，每年發(fā)電量可達(dá)5.61012千瓦小時，相當(dāng)于目前世界上能耗的40倍。當(dāng)電力、煤炭、石油等不可再生能源頻頻告急，能源問題日益成為制約國際社會經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸時，越來越多的國家開始實行“陽光計劃”，開發(fā)太陽能資源，尋求經(jīng)濟(jì)發(fā)展的新動力。歐洲一些高水平的核研究機(jī)構(gòu)也開始轉(zhuǎn)向可再生能

3、源。截至2002年底，太陽能光伏發(fā)電制造能力已達(dá)56萬KW，實際裝機(jī)容量近400萬KW，太陽能電池組件成本下降到3.5美元WP。預(yù)計，2020年光伏組件的價格將下降到1美元WP以下。我國太陽能資源非常豐富，理論儲量達(dá)每年17000億噸標(biāo)準(zhǔn)煤。太陽能資源開發(fā)利用的潛力非常廣闊，我國地處北半球，南北距離和東西距離都在5000公里以上。在我國廣闊的土地上，有著豐富的太陽能資源。大多數(shù)地區(qū)年平均日輻射量在每平方米千瓦時以上，西藏日輻射量最高達(dá)每平米千瓦時。年日照時數(shù)大于2000小時。與同緯度的其他國家相比，與美國相近，比歐洲、日本優(yōu)越得多,因而有巨大的開發(fā)潛能。在國際光伏市場巨大潛力的推動下，各國的太

4、陽能電池制造業(yè)爭相投入巨資，擴(kuò)大生產(chǎn)，以爭一席之地。從國際情況看，世界硅電池太陽能電池組件產(chǎn)量上世紀(jì)末最后10 年的平均增長率為20，從1991年的55兆瓦增長到2000 年的287 兆瓦。2000年后，全球硅電池太陽能電池組件的年均增長率更是高達(dá)30以上，2004年全球的產(chǎn)量達(dá)到了1200 兆瓦。硅電池太陽能電池產(chǎn)業(yè)成為全球發(fā)展最快的新興行業(yè)之一。隨著太陽能光伏產(chǎn)品成本逐漸降低，推動了世界光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率是降低太陽電池組件成本的主要途徑。世界各國科技人員積極研究高效率硅電池、多帶隙電池、聚光電池和薄膜電池，為進(jìn)一步降低成本而努力。目前，高效率、長壽命、低成本成為

5、太陽電池發(fā)展的總趨勢。目前，晶體硅太陽電池占據(jù)了90%的世界太陽能光伏市場，在未來510年內(nèi)仍將主導(dǎo)太陽能光伏市場。表面鈍化和光吸收是過去510年中硅電池效率提高的主要手段，如PERL結(jié)構(gòu)電池效率達(dá)到24.7%。目前，各國研究人員正在進(jìn)一步優(yōu)化這些技術(shù)，并擴(kuò)大應(yīng)用領(lǐng)域。與國際上蓬勃發(fā)展的光伏發(fā)電相比，我國落后于發(fā)達(dá)國家1015年，甚至明顯落后于印度。但是，我國光伏產(chǎn)業(yè)正以每年30%的速度增長，2005年底國內(nèi)太陽能電池生產(chǎn)能力已達(dá)200MW以上。2006年我國太陽能電池生產(chǎn)能力將超過300兆瓦。在今后的十幾年中，太陽電池的市場走向?qū)l(fā)生很大的改變，到2010年以前中國太陽電池多數(shù)是用于獨(dú)立光伏

6、發(fā)電系統(tǒng)，從2011年到2020年，中國光伏發(fā)電的市場主流將會由獨(dú)立發(fā)電系統(tǒng)轉(zhuǎn)向并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)，包括沙漠電站和城市屋頂發(fā)電系統(tǒng)。在國家各部委立項支持下，目前我國實驗室太陽能電池的效率已達(dá)21%，可商業(yè)化的光伏組件效率達(dá)1415%，一般商業(yè)化電池效率1013%。目前我國太陽能光伏電池生產(chǎn)成本已大幅下降，太陽能電池的價格逐漸從2000年的40元 / 瓦降到2003年的33元/瓦，2004年已經(jīng)降到27元/瓦。這對國內(nèi)太陽能市場走向壯大與成熟起到了決定作用，對實現(xiàn)與國際光伏市場接軌具有重要意義。按照中國可再生能源中長期發(fā)展規(guī)劃，至2010年，我國太陽能光伏發(fā)電總?cè)萘繛?0萬千瓦，2020年為220萬千

7、瓦。2010年太陽能光伏電池市場為156億元，2020年市場為858億元?？梢娭袊鴮⒊蔀榫薮蟮墓夥袌?。按照日本新能源計劃、歐盟可再生能源白皮書、美國硅電池太陽能電池計劃等推算，2010年全球硅電池太陽能電池發(fā)電并網(wǎng)裝機(jī)容量將達(dá)到15GW（1500萬千瓦，屆時仍不到全球發(fā)電總裝機(jī)容量的1），2030年硅電池太陽能電池發(fā)電并網(wǎng)裝機(jī)容量將達(dá)到300GW, 屆時,整個產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值有可能突破3000 億美元，至2040 年光伏發(fā)電將達(dá)到全球發(fā)電總量的1520。作為21世紀(jì)最有潛力的能源，太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?jié)摿薮?。太陽能產(chǎn)業(yè)是新興的朝陽行業(yè)，再加上良好的政策環(huán)境、行業(yè)本身的特性，使得太陽能電池產(chǎn)業(yè)具有較高

8、的投資價值和發(fā)展?jié)摿ΑＤ壳埃柲茈姵丶捌湎嚓P(guān)產(chǎn)業(yè)成長性好，是非常好的投資機(jī)會。2、集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢2000年國務(wù)院頒布18號文件，從此中國集成電路產(chǎn)業(yè)開始進(jìn)入全面快速發(fā)展的新階段。國內(nèi)集成電路行業(yè)規(guī)模正在迅速擴(kuò)大，2004年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入總規(guī)模達(dá)到540億元，同比增長率接近54%。產(chǎn)業(yè)鏈格局也日漸完善，中國集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成了IC設(shè)計、芯片制造、封裝測試三業(yè)及支撐配套業(yè)共同發(fā)展的較為完善的產(chǎn)業(yè)鏈格局。技術(shù)水平取得突破性發(fā)展，國內(nèi)芯片大生產(chǎn)技術(shù)的主體正在由5英寸、6英寸、0.5微米以上工藝水平向8英寸、0.25微米-0.18微米過渡，甚至有企業(yè)已經(jīng)達(dá)到12英寸、0.11微米的國

9、際先進(jìn)水平。目前集成電路投資熱使中國的集成電路制造業(yè)得到了快速的發(fā)展，集成電路封裝企業(yè)的封裝能力超過每年250 億塊，我國的芯片制造業(yè)已進(jìn)入到國際集成電路大生產(chǎn)的主流技術(shù)領(lǐng)域。但是產(chǎn)業(yè)規(guī)模較小、技術(shù)和市場開拓能力較弱、經(jīng)營管理水平較低、機(jī)制不夠靈活仍然是現(xiàn)實情況，與先進(jìn)國家相比還有相當(dāng)大的差距。另外，目前全球集成電路產(chǎn)業(yè)增速趨緩，也在一定程度上影響我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。雖然全球集成電路產(chǎn)業(yè)的增速放緩，但是通信類集成電路市場會一枝獨(dú)秀，將會以高于平均增速發(fā)展，2005年全球通信IC芯片市場銷售額已達(dá)到904億美元。在中國，隨著網(wǎng)絡(luò)通信的廣泛應(yīng)用以及3G 標(biāo)準(zhǔn)的呼之欲出，2005年通信IC市場由

10、2004的586 億元人民幣增長到692 億元人民幣，其中手機(jī)芯片已達(dá)到212億元，網(wǎng)絡(luò)設(shè)備用芯片達(dá)250億元，無繩電話等其它產(chǎn)品用芯片達(dá)到230億元。國內(nèi)移動通信市場的發(fā)展一日千里，手機(jī)用戶總數(shù)已經(jīng)超過3.7 億戶，中國已經(jīng)成為名副其實的移動通信大國。移動通信市場的繁榮發(fā)展使移動通信終端芯片和移動通信系統(tǒng)及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備芯片市場增長迅猛。中國3G 牌照發(fā)放在即，一個更大的市場即將全面啟動，這對國內(nèi)通信集成電路產(chǎn)業(yè)將是一次絕佳的振興機(jī)會。 長期困擾我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的投資瓶頸取得有效突破，外國企業(yè)紛紛來華合資或獨(dú)資建立集成電路企業(yè)，現(xiàn)有企業(yè)的融資渠道也有了很大拓展，股票上市正在成為國內(nèi)集成電路企業(yè)

11、的一種重要融資方式。集成電路的產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境也日臻完善，中國政府先后采取了多項優(yōu)惠措施，同時頒布了半導(dǎo)體集成電路布圖設(shè)計保護(hù)條例，極大地推動了我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶動了通信專用集成電路市場的繁榮，同時通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展為通信集成電路市場的發(fā)展注入了強(qiáng)勁的活力，為推動我國整個集成電路市場的發(fā)展和成熟發(fā)揮了主力軍的作用。近年來通信集成電路IC芯片的需求大幅度增長，給全球半導(dǎo)體業(yè)注入了新的活力。在最近兩年里，三網(wǎng)融合的大趨勢有力地推動了芯片業(yè)的發(fā)展，通信芯片在移動通信、無線Internet和無線數(shù)據(jù)傳輸業(yè)的發(fā)展，開始超過了PC機(jī)芯片的發(fā)展。通信IC芯片，尤其是支持第三代移動通信系

12、統(tǒng)的IC芯片，將成為21世紀(jì)初全球半導(dǎo)體芯片業(yè)最大的應(yīng)用市場。同時隨著電子產(chǎn)品制造業(yè)繼續(xù)從高成本地區(qū)向我國轉(zhuǎn)移，使得國內(nèi)該領(lǐng)域的運(yùn)轉(zhuǎn)消費(fèi)市場快速增長，產(chǎn)品出口穩(wěn)步增長，我國這個全球制造業(yè)的發(fā)動機(jī)正在加速運(yùn)轉(zhuǎn)。在全球半導(dǎo)體市場持續(xù)繁榮和國內(nèi)宏觀經(jīng)濟(jì)高速增長的帶動下，我國集成電路市場將呈現(xiàn)高速發(fā)展的態(tài)勢。3、 硅單晶需求預(yù)測單晶硅材料是信息技術(shù)的基礎(chǔ)，是微電子技術(shù)和電力技術(shù)最主要的功能材料，全世界以集成電路為核心的電子元器件，95以上是用硅材料制成的，而其中直拉硅單晶的用量超過85。目前全球的電子信息產(chǎn)業(yè)正進(jìn)入高速增長期，其帶動了相關(guān)的集成電路制造業(yè)的飛速發(fā)展，作為集成電路的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料硅單晶外延

13、片及硅外延片的襯底材料硅單晶拋光片的市場需求也日益增長，2000年全球硅片的需求量總面積為50億平方英寸，其中硅外延片需求量總面積10億平方英寸，產(chǎn)品市場前景十分廣闊。當(dāng)今世界正處在信息化時代，信息化程度的高低已成為衡量一個國家現(xiàn)代化水平的標(biāo)志。大規(guī)模集成電路是信息產(chǎn)業(yè)的核心，是推動國民經(jīng)濟(jì)和社會信息化發(fā)展最主要的高新技術(shù)之一。隨著超大規(guī)模集成電路集成度的進(jìn)一步提高，芯片面積不斷增大，線寬越來越細(xì)，為提高集成度和降低單元制造成本，迫切要求集成電路的生產(chǎn)制造采用更大直徑的直拉硅單晶拋光片。目前，直徑8英寸（200mm）硅拋光片已成為國際半導(dǎo)體市場上的主流產(chǎn)品，隨著新的半導(dǎo)體技術(shù)在8英寸硅拋光片上

14、的實現(xiàn)，其應(yīng)用期限將進(jìn)一步延長，顯示出強(qiáng)勁的生命力。2001年全球8英寸IC硅單晶的需求量已達(dá)到1800噸左右，因而市場前景十分廣闊。二十多年來，集成電路的平均年增長率超過17%，其中最高時達(dá)46%，呈現(xiàn)波浪式上升發(fā)展趨勢。據(jù)預(yù)測，2010年我國電子信息產(chǎn)業(yè)市場容量將達(dá)到60000萬億元，國際輿論普遍認(rèn)為，中國將發(fā)展成為全球最大的電子信息市場。目前國際半導(dǎo)體市場的發(fā)展已進(jìn)入新的高潮，國內(nèi)也呈現(xiàn)出一片欣欣向榮的局面。國務(wù)院于去年6月發(fā)布了關(guān)于鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策，這些都為本項目的實施創(chuàng)造了良好的政策環(huán)境和市場氛圍。本項目的建成投產(chǎn)，對滿足國內(nèi)半導(dǎo)體器件市場需求，促進(jìn)我國集成電

15、路的技術(shù)進(jìn)步，實現(xiàn)我國信息產(chǎn)業(yè)的跨越式發(fā)展具有深遠(yuǎn)的戰(zhàn)略意義。從1995年開始，我國硅單晶的年均增長速度約為30%，在短短幾年中，我國內(nèi)地硅單晶的年產(chǎn)量增長2030倍。受太陽能電池快速發(fā)展的拉動，2004年硅單晶年產(chǎn)量1700余噸，2005年產(chǎn)量增長47%，總產(chǎn)量達(dá)到約2700噸，總銷售額約50億元，其中太陽能電池硅單晶產(chǎn)量近2000噸。2005年，單晶硅出口1406.31噸，出口額13658.73萬美元；單晶硅片出口479.38噸，出口額11674.08萬美元。隨著集成電路產(chǎn)業(yè)和太陽能電池產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，預(yù)計單晶硅每年全世界消耗量有1.5萬多噸，2005年，國內(nèi)集成電路和硅太陽能電池對單晶硅的實

16、際需求量也達(dá)到了4500噸左右，所以市場前景十分巨大。目前，中國單晶硅產(chǎn)品的總體水平仍然較低，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)以4英寸、5英寸、6英寸硅單晶片為主流。鑒于硅材料在整個半導(dǎo)體工業(yè)中的地位，世界各發(fā)達(dá)國家和一些發(fā)展中國家都非常重視硅材料的發(fā)展生產(chǎn)和研究，像美國、日本每年增長幅度都在15以上，我國自第九個五年計劃以來每年增長速度超過30以上。盡管是這樣，我國的生產(chǎn)總量占世界總產(chǎn)量還不到%， 也只有臺灣省產(chǎn)量的20，三、 項目工藝流程和主要工藝說明（一）主要工藝流程工藝流程：清洗爐膛裝料抽真空保護(hù)氣升溫化料溫度穩(wěn)定烤晶籽種晶引晶縮頸放肩等徑收尾去頭尾滾圓或切方切片清洗包裝（二）主要工藝說明熔融的單質(zhì)硅在凝固時

17、硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。直拉法生長的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。本項目采用直拉法生產(chǎn)硅單晶，從熔融硅中控制硅單晶，合格硅晶經(jīng)外園滾磨、切片、倒角、研磨，加工成可供分立器件直接使用的硅單晶研磨片和可繼續(xù)加工成硅單晶的拋光片、外延片，然后清洗測試，包裝出廠。（三） 設(shè)備選用本項目購置150mm200mm硅單晶生長設(shè)備及切、磨硅片等加工設(shè)備，進(jìn)口部分關(guān)鍵設(shè)備(切割、倒角設(shè)備)，新增主要生產(chǎn)設(shè)備105臺（套），其中：單晶爐16臺、單晶棒帶鋸機(jī)4臺、單晶棒滾磨車床6臺、多線切割機(jī)2臺(瑞士進(jìn)口)、多晶