集成電路版圖分析與設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書(shū)

1、集成電路版圖分析與設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書(shū)本科上海建橋?qū)W院機(jī)電學(xué)院2015年8月目 錄 TOC o 1-3 h z u HYPERLINK l _Toc356414591 實(shí)驗(yàn)一 熟悉Unix 操作命令 PAGEREF _Toc356414591 h 3 HYPERLINK l _Toc356414592 實(shí)驗(yàn)二 建立設(shè)計(jì)庫(kù)及繪圖技術(shù) PAGEREF _Toc356414592 h 9 HYPERLINK l _Toc356414593 實(shí)驗(yàn)三 Virtuoso 設(shè)計(jì)CMOS反相器版圖 PAGEREF _Toc356414593 h 16 HYPERLINK l _Toc356414594 實(shí)驗(yàn)四 CM

2、OS門(mén)電路版圖設(shè)計(jì) PAGEREF _Toc356414594 h 27 HYPERLINK l _Toc356414595 實(shí)驗(yàn)五 版圖DRC/LVS驗(yàn)證 PAGEREF _Toc356414595 h 32 HYPERLINK l _Toc356414596 實(shí)驗(yàn)六 高級(jí)門(mén)級(jí)電路版圖設(shè)計(jì) PAGEREF _Toc356414596 h 60 HYPERLINK l _Toc356414597 實(shí)驗(yàn)七 CMOS 模擬電路版圖設(shè)計(jì)（一） PAGEREF _Toc356414597 h 62 HYPERLINK l _Toc356414598 實(shí)驗(yàn)八 CMOS 模擬電路版圖設(shè)計(jì)（二） PAGER

3、EF _Toc356414598 h 76實(shí)驗(yàn)一 熟悉Unix 操作命令一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、熟悉Unix系統(tǒng)環(huán)境；2、了解目錄和文件的操作命令, 並要掌握常用的目錄操作命令和文件操作命令；3、學(xué)會(huì)使用Vi 編輯器。二、實(shí)驗(yàn)原理Unix操作系統(tǒng)是Cadence軟件工具安裝的平臺(tái)，使用Cadence工具創(chuàng)建、生成文件需要保存成文件。（一）文件及目錄操作1、Unix系統(tǒng)以目錄樹(shù)結(jié)構(gòu)組織文件和目錄，如圖1-1所示。圖1-1 Unix系統(tǒng)目錄樹(shù)結(jié)構(gòu)2、目錄操作命令在進(jìn)行系統(tǒng)管理時(shí)，需要知道當(dāng)前處在哪個(gè)文件（目錄）層，以及如何從文件所在目錄更換到另一個(gè)目錄上。（1）cd命令：改變當(dāng)前目錄到新的目錄格式：cd

4、新的目錄路徑cd . 返回上級(jí)目錄cd . 當(dāng)前目錄cd 返回家目錄cd / 返回根目錄cd /home/shiyan1 返回/home/shiyan1目錄（2）pwd命令：顯示當(dāng)前工作目錄Pwd（3）ls命令：列出目錄內(nèi)容格式： ls -ltrfda 目錄路徑名ls -l以長(zhǎng)格式列出當(dāng)前目錄內(nèi)容ls -l/home/shiyan1以長(zhǎng)格式列出/home/shiyan1目錄內(nèi)容ls -lt /home/shiyan1 以長(zhǎng)格式、時(shí)間排序列出/home/shiyan1目錄內(nèi)容ls -al /home/shiyan2以長(zhǎng)格式列出/home/shiyan2目錄（包含.文件）內(nèi)容（4）mkdir命令：

5、創(chuàng)建目錄格式： mkdir -p 新的目錄名mkdir invert在當(dāng)前目錄下創(chuàng)建invert文件目錄mkdir -p /home/shiyan1/temp創(chuàng)建/home/shiyan1/temp目錄，如果父目錄不存在，則創(chuàng)建父目錄（5）rmdir命令：刪除目錄格式： rmdir -f 目錄名rmdir invert刪除當(dāng)前目錄文件invertrmdir /home/shiyan1/temp刪除/home/shiyan1/temp目錄rmdir -f /home/shiyan1/temp 強(qiáng)制刪除/home/shiyan1/temp目錄（6）mv命令：更改目錄名格式： mv 舊目錄名 新目錄

6、名mv /home/shiyan1 /home/shiyan23、文件操作命令（1）cat命令：列出文件內(nèi)容格式： cat -n 文件名cat /home/shiyan1/myfile 列出/home/shiyan1/myfile文件內(nèi)容cat -n /home/shiyan1/myfile列出/home/shiyan1/myfile文件內(nèi)容，并給出行號(hào)（2）cp命令：文件復(fù)制格式： cp -rf 舊文件（目錄）名 新文件（目錄）名cp /home/shiyan1/myfile /home/shiyan1/myfile-temp 復(fù)制/home/shiyan1/myfile文件為/home/s

7、hiyan1/myfile-tempcp -rf /home/shiyan1/temp /home/shiyan1/tmp復(fù)制/home/shiyan1/temp目錄為/home/shiyan1/tmp（3）mv命令：移動(dòng)文件或換名格式： mv 舊文件名 新文件名mv /home/shiyan1/temp /home/shiyan1/tmp將/home/shiyan1/temp換名為/home/shiyan1/tmp（4）rm命令：刪除文件或目錄格式： rm -f 文件（目錄）名rm -f /home/shiyan1/tmp 強(qiáng)制刪除/home/shiyan1/tmp目錄（5）？、*：通配符？

8、 匹配單個(gè)字符*匹配任意目錄字符（6）find命令：查找文件格式： find -option path name filename printfind / -name *.jpg 在根目錄中查找所有.jpg的文件，并顯示所有.jpg文件名（7）grep命令：文件中查找指定內(nèi)容格式： grep -inR string 文件名grep DRC /home/shiyan1/myfile在/home/shiyan1/myfile中查找DRC字符串grep -i DRC /home/shiyan1/myfile在/home/shiyan1/myfile中查找DRC字符串，忽略大小寫(xiě)（8）more命令：瀏

9、覽文件格式： more 文件名more /home/shiyan1/myfile4、文件存取權(quán)限（1）ls查看文件權(quán)限r(nóng) 讀權(quán)限w 寫(xiě)權(quán)限x 執(zhí)行權(quán)限- 無(wú)此權(quán)限u 用戶主g 用戶組o 其他用戶a 所有用戶（2）chmod命令：改變文件權(quán)限格式： chmod -R mod 文件（目錄）名（二）shell與進(jìn)程1、ShellCshell、kshell、bshell、tshell2、進(jìn)程（1）& 后臺(tái)進(jìn)程（2）權(quán)限為x的文件為可執(zhí)行文件（3）ps命令：查看進(jìn)程信息格式： ps -options 進(jìn)程名（4）kill命令：終止進(jìn)程格式： kill -options 進(jìn)程號(hào)（三）使用vi文本編輯器1、

10、vi編輯器有三種不同的模式：插入模式這個(gè)模式是通過(guò)在命令模式按下“i”鍵進(jìn)入的。命令模式這是用戶輸入單鍵命令的模式。在其他模式中按下ESC鍵就可以進(jìn)入命令模式。 常見(jiàn)的執(zhí)行刪除操作的命令有： dd 刪除整個(gè)行 #dd 按照輸入的數(shù)字（），從當(dāng)前行刪除幾行 D 刪除光標(biāo)位置后面全部?jī)?nèi)容 dw 刪除光標(biāo)所在位置的單詞冒號(hào)模式從命令模式輸入一個(gè)冒號(hào)（：）就可以進(jìn)入這個(gè)模式。常見(jiàn)的冒號(hào)模式命令有：wq 保存且退出編輯器：w 保存但不退出：q 退出且不保存：q! 強(qiáng)行退出vi，不保存。：help 獲取幫助在系統(tǒng)提示符（$）下輸入命令vi和想要編輯（建立）的文件名vi test.c 按鍵I進(jìn)入插入模式。屏

11、幕上看不到字符i，屏幕下方出現(xiàn)-INSERT-字樣。2、常用編輯命令（1）光標(biāo)移動(dòng)：、（行首）、$（行尾）、w（下一單詞）、b（上一單詞）、W（忽略標(biāo)點(diǎn)）、B（忽略標(biāo)點(diǎn)）、3B、3W（下3個(gè)單詞）、 n(（前n句開(kāi)頭）、n)（后n句開(kāi)頭）、H（屏幕頂）、M（屏幕中）、L（屏幕底）、nG（光標(biāo)移動(dòng)到第n行）、G（移動(dòng)到最后一行）、Ctrl+U（前卷）、Ctrl+D（后卷）、Ctrl+L（清屏）、（2）編輯命令刪除字符：x刪除單詞：dw、DW、3dw刪除行：dd、3dd、d（刪除行首到光標(biāo)）、d$(刪除光標(biāo)到行尾)、d(、d)刪除段：d（刪除一段）、3d、d（刪除段首到光標(biāo)）、3d（3）移動(dòng)正文

12、將光標(biāo)移動(dòng)到位置x 用刪除命令刪除要移動(dòng)的正文 再將光標(biāo)移至新位置y 用P或p命令插入新位置（4）查找與替換/string 查找 n 向下查找 N向上查找/string/substring 替換 /g 全部替換三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及步驟（一）文件及目錄操作1、打開(kāi)terminal，返回到根目錄下，列出根目錄內(nèi)容，并依次瀏覽目錄，貼圖填寫(xiě)表1-1：表1-1 根目錄以下三層結(jié)構(gòu)圖2、在家目錄中創(chuàng)建名為shiyan1的文件夾，查看該文件夾的默認(rèn)權(quán)限，并記錄shiyan1文件夾權(quán)限：shiyan1文件夾權(quán)限：drwxr-xr-x將shiyuan1文件夾權(quán)限修改為，同組具有w權(quán)限，其它組無(wú)權(quán)限，并將修改后的sh

13、iyan1文件夾權(quán)限記錄下來(lái)：drwxrwx（同組w權(quán)限、其他組無(wú)權(quán)限）shiyan1文件夾權(quán)限：mkdir ./shiyan1ls rthlchmod g+w ./shiyan1chmod o-r ./shiyan1chmod o-x ./shiyan1ls -rthl3、在家目錄中，使用vi編輯器創(chuàng)建名為myfile的文件，正確輸入以下內(nèi)容，并一截圖方式將結(jié)果粘貼在表1-2./*（40）#include void my_print(char *);void my_print2(char *);main () char my_string = “hello world”;my_print (

14、my_string); my_print2 (my_string); void my_print(char *string) printf(“The string is %sn”, string); void my_print2(char *string) char *string2; int size, I; size = strlen (string); string2 = (char *) malloc (size + 1); for (I = 0; I size; i+) string2size i = stringi; string2size+1 = 0; printf (“The

15、string printed backward is %sn”, string2); free(string2);表1-2 myfile文件截圖四、注意事項(xiàng)1、本實(shí)驗(yàn)要求獨(dú)立完成，并做好相關(guān)記錄；2、對(duì)自己的家目錄維護(hù)好；要求創(chuàng)建temp文件夾，用于保存臨時(shí)文件，保證文件結(jié)構(gòu)清晰合理；3、仔細(xì)閱讀實(shí)驗(yàn)步驟和內(nèi)容；3、請(qǐng)遵守實(shí)驗(yàn)室規(guī)章制度。五、實(shí)驗(yàn)結(jié)果、總結(jié)和思考1、對(duì)實(shí)驗(yàn)作出小結(jié)，說(shuō)明收獲和不足；2、分析不足的原因，提出改進(jìn)措施。六、實(shí)驗(yàn)環(huán)境和設(shè)備1、臺(tái)式PC機(jī)2、Linux 5 操作系統(tǒng)平臺(tái)實(shí)驗(yàn)二 建立設(shè)計(jì)庫(kù)及繪圖技術(shù)一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、掌握Cadence 版圖設(shè)計(jì)的環(huán)境設(shè)置；2、了解圖編輯窗內(nèi)

16、繪制MOS器件的初步技術(shù)；3、熟悉Virtuoso編輯工具。二、實(shí)驗(yàn)原理（一）Cadence版圖設(shè)計(jì)環(huán)境設(shè)置1、在家目錄中建立shiyan2文件夾，用于保存本次試驗(yàn)內(nèi)容；2、將(.cdsinit) 、庫(kù)文件(techfile.tf)及顯示初始化文件(display.drf)拷貝至工作目錄shiyan2中；3、啟動(dòng)icfb &4、配置工藝庫(kù)路徑在Library Path Editor中指定工藝庫(kù)路徑。該步的操作結(jié)果將保存到工作目錄下的cds.lib文件中。注意1：所有的庫(kù)或其他任何一個(gè)設(shè)計(jì)目錄要被3)所啟動(dòng)的CIW所使用，都必須使用前先在工作目錄下的cds.lib文件作定義，指明其引用名稱（在c

17、adence環(huán)境中的標(biāo)識(shí)名）及絕對(duì)路徑。注意2為了能使用Cadence自帶的一些庫(kù)（如畫(huà)電路圖時(shí)的Basic symbols），需要在cds.lib文件的開(kāi)頭部分添加 “INCLUDE /share/cdssetup/cds.lib”。在命令行中輸入instdir可查看工具IC的可執(zhí)行程序所在目錄。 例在線路組ic_linux上命令行模式輸入instdir可得到：/usr/cadence/ic5033/tools.lnx86/dfII，則工具IC的安裝目錄為/usr/cadence/ic5033/,需要添加的內(nèi)容為”INCLUDE /usr/cadence/ic5033/share/cdsse

18、tup/cds.lib”在本次設(shè)計(jì)中工藝庫(kù)完全通過(guò)techfile.tf提供，需要用technology file manager來(lái)導(dǎo)入工藝文件。csmc06目錄上傳到 / 目錄下（csmc06中包含了n管，p管，電阻，電容以及金屬1與金屬2連接，金屬1與poly連接等等的pcell，方便以后繪制版圖）CIW窗口ToolsTechnology File ManagerNEW 如圖2-1所示創(chuàng)建庫(kù)圖2-1 ToolsTechnology File Manager圖2-2 創(chuàng)建庫(kù)在Technology Library Name中輸入工藝庫(kù)的名字， csmc06；在Load ASCII Techno

19、logy File 中輸入techfile.tf 單擊OK，程序會(huì)將techfile.tf中的數(shù)據(jù)導(dǎo)入至文件夾csmc06中。此時(shí)用Library Path Editor可以查看到剛才添加的庫(kù)文件。如果還有其他的庫(kù)文件，則在technology file tool box 中選擇LOAD，在ASCII Technology File輸入框 輸入包含*.tf的文件名（如devices.tf），在Classes多選項(xiàng)里，根據(jù)*.tf 中提供的內(nèi)容以及期望導(dǎo)入的內(nèi)容決定。在Technology Library多選一框里，選擇對(duì)應(yīng)的庫(kù)。在多選一框下方，有 Merge Replace 二選一，選 Mer

20、ge則新導(dǎo)入的*.tf庫(kù)是補(bǔ)充原有的庫(kù)；選Replace則新導(dǎo)入的*.tf將覆蓋對(duì)應(yīng)庫(kù)的原有內(nèi)容。點(diǎn)擊 OK 按鈕3、開(kāi)始一個(gè)新的設(shè)計(jì)編輯電路圖與版圖。（二）新建一個(gè)設(shè)計(jì)庫(kù)在 CIW 窗口，點(diǎn)擊 File New Library 彈出 New Library 窗口. 在 Name 輸入框中輸入設(shè)計(jì)庫(kù)名字，在右邊 Technology File 處選擇 Attach to an existing techfile。點(diǎn)擊 OK。 一般每個(gè)芯片設(shè)計(jì)都采用一個(gè)對(duì)應(yīng)的設(shè)計(jì)庫(kù)。然后在這個(gè)設(shè)計(jì)庫(kù)下面創(chuàng)建各個(gè)子模塊。（三）創(chuàng)建新設(shè)計(jì)在 CIW 窗口，點(diǎn)擊 File New Cellview, 彈出 Creat

21、e New File窗口， 在 Create New File窗口，將 Library Name 項(xiàng)選擇為 剛才所創(chuàng)建的庫(kù), 在 Cell Name 項(xiàng)輸入要?jiǎng)?chuàng)建的Cell 名，在 Tool 項(xiàng)，選擇Composer-Schematic 則為編輯電原理圖，選擇Virtuoso 則為編輯版圖；點(diǎn)擊 OK。（四）編輯版圖用3)的方法為一個(gè)cell創(chuàng)建一個(gè)Layout view。用Virtuoso編輯版圖。打開(kāi)Vituoso編輯窗口的同時(shí),會(huì)彈出一個(gè)細(xì)長(zhǎng)型的窗口，其名稱為L(zhǎng)SW,該窗口定義了版圖各層的顯示特性。畫(huà)版圖的基本操作步驟為：在LSW中選定相應(yīng)層，然后在版圖編輯窗口的Create下選要畫(huà)的幾

22、何形狀，再在可編輯區(qū)域完成繪圖。而且可以調(diào)用前面創(chuàng)建的csmc06庫(kù)中的pcell。版圖編輯有很多快捷鍵可用。它們的定義都可以在相應(yīng)的菜單項(xiàng)上找到。（五）可以根據(jù)習(xí)慣改變版圖的層次顯示特性方法為L(zhǎng)SW-Edit-Display Resource Editor；在彈出的窗口中可以重新定義個(gè)層次的顯示特性（邊框線型及顏色、填充類(lèi)型及顏色等等）；定義之后單擊Apply按鈕，LSW中將發(fā)生相應(yīng)改變。退出Display Resource Editor時(shí)可以選擇保存到Display.drf中，從而使得這次修改在每次icfb&啟動(dòng)之后都能生效；否則，選擇No退出，再次打開(kāi)LSW后的設(shè)置將恢復(fù)到本次修改之前的

23、形式。三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及步驟（一）Cadence版圖設(shè)計(jì)環(huán)境設(shè)置1、在家目錄中建立shiyan文件夾，用于保存本次實(shí)驗(yàn)內(nèi)容；2、將(.cdsinit) 、庫(kù)文件(techfile.tf)及顯示初始化文件(display.drf)拷貝至工作目錄shiyan中；3、啟動(dòng)icfb &4、配置工藝庫(kù)路徑在Library Path Editor中指定工藝庫(kù)路徑。該步的操作結(jié)果將保存到工作目錄下的cds.lib文件中。執(zhí)行l(wèi)s al命令，將結(jié)果截圖（包含.cdsinit、techfile.tf、display.drf）到表2-1中。表2-1 Cadence版圖設(shè)計(jì)環(huán)境結(jié)果截圖在 CIW 窗口，點(diǎn)擊 File

24、New Library 彈出 New Library 窗口。Name 輸入框中輸入設(shè)計(jì)庫(kù)名字，在右邊 Technology File 處選擇 Attach to an existing techfile。點(diǎn)擊 OK。 一般每個(gè)芯片設(shè)計(jì)都采用一個(gè)對(duì)應(yīng)的設(shè)計(jì)庫(kù)。然后在這個(gè)設(shè)計(jì)庫(kù)下面創(chuàng)建各個(gè)子模塊。如圖2-1所示，創(chuàng)建clock設(shè)計(jì)庫(kù)。 圖2-3 New Library（二）Attach庫(kù)在彈出的 Attach Design Library to Technology File 窗口，將 Technology Library 一項(xiàng)選擇為相應(yīng)的庫(kù)，在本設(shè)計(jì)中應(yīng)為剛才添加的csmc06，點(diǎn)擊 OK。如圖

25、2-4所示。將設(shè)計(jì)庫(kù)clock attach到定義的工藝庫(kù)csmc06。 圖2-4 Attach工藝庫(kù)（三）創(chuàng)建新設(shè)計(jì)在 CIW 窗口，點(diǎn)擊 File New Cellview, 彈出 Create New File窗口， 在 Create New File窗口，將 Library Name 項(xiàng)選擇為 剛才所創(chuàng)建的庫(kù), 在 Cell Name 項(xiàng)輸入要?jiǎng)?chuàng)建的Cell 名，在 Tool 項(xiàng)，選擇Composer-Schematic 則為編輯電原理圖，選擇Virtuoso 則為編輯版圖；點(diǎn)擊 OK。如圖2-5所示，圖2-5 New File（四）LSW窗口及版圖編輯窗口如圖2-6所示，編輯inve

26、rter的layout view。 圖2-6 LSW窗口及版圖編輯窗口（五）編輯版圖用3)的方法為一個(gè)cell創(chuàng)建一個(gè)Layout view。用Virtuoso編輯版圖。打開(kāi)Vituoso編輯窗口的同時(shí),會(huì)彈出一個(gè)細(xì)長(zhǎng)型的窗口，其名稱為L(zhǎng)SW,該窗口定義了版圖各層的顯示特性。畫(huà)版圖的基本操作步驟為：在LSW中選定相應(yīng)層，然后在版圖編輯窗口的Create下選要畫(huà)的幾何形狀，再在可編輯區(qū)域完成繪圖。而且可以調(diào)用前面創(chuàng)建的csmc06庫(kù)中的pcell。版圖編輯有很多快捷鍵可用。它們的定義都可以在相應(yīng)的菜單項(xiàng)上找到。1、生成PMOS的instance，并根據(jù)PMOS模型，重畫(huà)2L*2W的PMOS，保存

27、截圖結(jié)果到表2-2表2-2 2L*2W PMOS版圖截圖2、生成NMOS的instance，并根據(jù)PMOS模型，重畫(huà)2L*2W的NMOS，保存截圖結(jié)果到表2-3表2-3 2L*2W NMOS版圖截圖（五）可以根據(jù)習(xí)慣改變版圖的層次顯示特性方法為L(zhǎng)SW-Edit-Display Resource Editor；在彈出的窗口中可以重新定義個(gè)層次的顯示特性（邊框線型及顏色、填充類(lèi)型及顏色等等）；定義之后單擊Apply按鈕，LSW中將發(fā)生相應(yīng)改變。退出Display Resource Editor時(shí)可以選擇保存到Display.drf中，從而使得這次修改在每次icfb&啟動(dòng)之后都能生效；否則，選擇No

28、退出，再次打開(kāi)LSW后的設(shè)置將恢復(fù)到本次修改之前的形式。圖2-7 Display Resource Editor將你的LSW截圖粘貼到表2-4.表2-4 LSW四、注意事項(xiàng)1、本實(shí)驗(yàn)要求獨(dú)立完成，并做好相關(guān)記錄；2、仔細(xì)閱讀實(shí)驗(yàn)步驟和內(nèi)容；3、請(qǐng)遵守實(shí)驗(yàn)室規(guī)章制度。五、實(shí)驗(yàn)結(jié)果、總結(jié)和思考1、對(duì)實(shí)驗(yàn)作出小結(jié)，說(shuō)明收獲和不足；2、分析不足的原因，提出改進(jìn)措施；3、提交實(shí)驗(yàn)報(bào)告。六、實(shí)驗(yàn)環(huán)境和設(shè)備1、臺(tái)式PC機(jī)2、Linux 5 操作系統(tǒng)平臺(tái)3、Cadence軟件工具實(shí)驗(yàn)三 Virtuoso 設(shè)計(jì)CMOS反相器版圖一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、了解版圖設(shè)計(jì)有關(guān)命令菜單；2、掌握版圖設(shè)計(jì)常用命令；3、在版圖編輯窗

29、內(nèi), 應(yīng)用版圖設(shè)計(jì)工具 Virtuoso 進(jìn)行CMOS反相器的版圖設(shè)計(jì)；4、學(xué)習(xí)版圖初步設(shè)計(jì)。二、實(shí)驗(yàn)原理表3-1 常用的指令及相應(yīng)的快捷鍵Zoom In 放大 (z) Zoom out by 2縮小 2倍(Z) Save 保存編輯 (f2) Delete 刪除編輯 (Del) Undo 取消編輯 (u) Redo 恢復(fù)編輯 (U) Move 移動(dòng)(m) Stretch 伸縮 (s) Rectangle 編輯矩形圖形 (r) Polygon 編輯多邊形圖形 (P) Path 編輯布線路徑 (p) Copy 復(fù)制編輯 (c)Layout窗口介紹：版圖窗口由三部分組成： Icon menu , m

30、enu banner , status banner，Icon menu (圖標(biāo)菜單)缺省時(shí)位于版圖圖框的左邊，列出了一些最常用的命令的圖標(biāo) ,要查看圖標(biāo)所代表的指令，只需要將鼠標(biāo)滑動(dòng)到想要查看的圖標(biāo)上，圖標(biāo)下方即會(huì)顯示出相應(yīng)的指令。 menu banner（菜單欄）,包含了編輯版圖所需要的各項(xiàng)指令，并按相應(yīng)的類(lèi)別分組。 status banner（狀態(tài)顯示欄），位于 menu banner的上方，顯示的是坐標(biāo)、當(dāng)前編輯指令等狀態(tài)信息。layout選項(xiàng)設(shè)置： layout窗口中選中 Options display，會(huì)出現(xiàn)一個(gè)display選項(xiàng)設(shè)置窗口。將其中的 X snap spacing和

31、Y snap spacing設(shè)置為 0.01, 然后點(diǎn)“OK”關(guān)掉該設(shè)置窗口。在開(kāi)始正式的版圖設(shè)計(jì)之前，最好可以先熟悉一下 layout窗口中各個(gè)菜單和圖標(biāo)，尤其是各個(gè)編輯功能的使用方法。隨便繪制一些圖形。以下是已經(jīng)繪制好的反相器版圖設(shè)計(jì)，如圖3-1所示：該圖所用的圖層已經(jīng)做了相應(yīng)的標(biāo)注，大家可以觀察一下。版圖中上半部分為一個(gè) PMOS晶體管，下半部分為一個(gè) NMOS晶體管，最上和最下方分別是接通電源（VDD）和地（GND）的金屬連線。可以看到，多晶硅（ GT）與有源區(qū)（ TO）相交，就形成了一個(gè)晶體管，其中 GT是柵極， 圖3.1 CMOS反相器版圖TO層被GT層相隔形成的兩個(gè)方形區(qū)域分別是

32、源極和漏極。這個(gè)晶體管是 NMOS還是PMOS是通過(guò)覆蓋有源區(qū)的離子注入層是 SP（P+注入?yún)^(qū)，則為 PMOS），還是 SN（N+注入?yún)^(qū)，則為NMOS）來(lái)進(jìn)行區(qū)別的。而PMOS晶體管或者 NMOS晶體管的三個(gè)極必須有與電源、地之間的連接以及其他連接，才能形成一個(gè)邏輯門(mén)，這是通過(guò)在有源區(qū)（ TO）、多晶硅（ GT）上放置接觸孔（ W1）,連接到金屬層（A1），進(jìn)而實(shí)現(xiàn)連接的。圖3-1 已經(jīng)繪制好的反向器版圖注意：在繪制版圖的過(guò)程中，注意多進(jìn)行幾次保存，（快捷鍵 F2，或者菜單中 DesignSave），以免因誤操作或者其他意外使完成的設(shè)計(jì)丟失。三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及步驟1、畫(huà) pmos部分（1）、畫(huà)出有

33、源區(qū)在LSW中，點(diǎn)擊選中 TO（dg），注意這時(shí) LSW頂部顯示 TO字樣，說(shuō)明 TO層為當(dāng)前所選中的繪圖層。然后回到Layout窗口中。點(diǎn)擊 icon menu（窗口左側(cè)）中的點(diǎn)擊 icon menu（窗口左側(cè)）中的（或者使用快捷鍵 r，或者使用頂部菜單中的 creatrectangle），在窗口中畫(huà)一個(gè)寬為 3.8u，長(zhǎng)為 2.8u的矩形。畫(huà)一個(gè)指定尺寸的 rectangle有很多種方法，這里列舉其中的三種：A、點(diǎn)后在繪圖區(qū)點(diǎn)鼠標(biāo)左鍵確定方形的第一個(gè)頂點(diǎn)，然后斜向上劃出一個(gè)矩形，注意觀察窗口頂部顯示的 dx dy值，當(dāng)改變?yōu)?dx 3.8 dy 2.8時(shí)松開(kāi)鼠標(biāo)。 B、先畫(huà)一個(gè)任意尺寸的矩

34、形，然后使用標(biāo)尺 ruler（點(diǎn)，或使用快捷鍵 k，或從 creat菜單中選擇）從一個(gè)端點(diǎn)開(kāi)始量出想要設(shè)定的尺寸，然后使用 stretch命令（快捷鍵 s，或者從 Edit菜單中選擇）改變 rectangle的大小。0.6uC、先畫(huà)一個(gè)任意尺寸的矩形，然后按 ESC鍵從畫(huà) rectangle狀態(tài)回到選擇狀態(tài)，用鼠標(biāo)左鍵點(diǎn)矩形的邊框，選中該矩形（變?yōu)榘咨?，然后按快捷鍵 p（或 edit菜單中選 properties選項(xiàng)），從出現(xiàn)的屬性設(shè)置窗口中設(shè)置頂點(diǎn)坐標(biāo)，從而得到想要的尺寸。1.6u 圖3-2 柵與與有源區(qū)的位置關(guān)系（2）、畫(huà)柵在LSW中，點(diǎn)擊 GT（dg），畫(huà)矩形。與有源區(qū)的位置關(guān)系如圖3

35、-2所示： 可以先畫(huà)出一個(gè)寬度為 0.6u的矩形，然后從有源區(qū)的一條邊量出 1.6u的距離，然后選中 GT矩形，使用move命令（快捷鍵m,或edit菜單），將其移動(dòng)到想要放置的位置。（3）畫(huà)注入?yún)^(qū)和N阱一個(gè)完整的PMOS晶體管在有源區(qū)之外，還應(yīng)該有 P+離子注入?yún)^(qū)和 N阱。分別對(duì)應(yīng) SP和 TB層。所以需要在剛才圖形的基礎(chǔ)上添加一個(gè)SP層的矩形，這一矩形需要從 TO的矩形向外延伸至少0.6u。接著，我們還要再使用 TB層畫(huà)一個(gè)矩形，它至少需要從 SP矩形向外延伸 1.8u。如圖3-3所示：N+ implantPWELL圖3-3 注入?yún)^(qū)和阱這樣，一個(gè) pmos的版圖就大致完成了。接著我們要給這

36、個(gè)管子布線。（4）布線 pmos管必須連接到輸入信號(hào)源和電源上，因此我們必須在原圖基礎(chǔ)上布金屬線。如圖3-4。a、首先我們要完成有源區(qū)（源區(qū)和漏區(qū)）的連接。在源區(qū)和漏區(qū)上用 W1（dg）層畫(huà)contact接觸孔，尺寸為 0.6u乘0.6u的矩形。b、我們需要使用多個(gè)通孔，但沒(méi)有必要每個(gè)都畫(huà)一遍，可以使用 copy命令（選中通孔后按快捷鍵 c，或者使用 edit菜單），將一個(gè)通孔拷貝為多個(gè)。c、將兩個(gè) contact上下對(duì)齊擺放，間距為 0.8u, 然后用金屬層 A1畫(huà)一個(gè)寬為 1.2u的矩形，覆蓋在 contact上，注意兩邊延伸出去的金屬都為 0.3u。然后將該金屬和 contace的組合復(fù)

37、制一份，分別放在源區(qū)和漏區(qū)，注意 contact到 GT的最小距離為0.6u。圖3-4 布線PMOS管布線完畢后的版圖如圖3-5所示：圖3-5 布好線的PMOS管（5）熟悉make cell 和flatten。按ESC鍵回到選擇狀態(tài)，然后按住鼠標(biāo)左鍵圈選畫(huà)好的全部版圖，然后使用 Edit|Hierarchy|make cell, 在出現(xiàn)的對(duì)話框中cell一欄輸入pmos，這樣，就建立了一個(gè)新的 cell, cell名稱為pmos?？梢允褂胠ibrary manager查看test1庫(kù)中的變化。注意：這個(gè)時(shí)候 inv_1 版圖窗口中前面所繪制的版圖，變成了對(duì) cell pmos的一個(gè)調(diào)用，如果不

38、想保持這種調(diào)用關(guān)系，可以選中這個(gè) instance, 然后用Edit|Hierarchy|flatten來(lái)去除與pmos cell之間的調(diào)用關(guān)系。2、畫(huà) NMOS部分我們注意到，其實(shí) NMOS可以從 PMOS的版圖中修改得到，這樣就沒(méi)有必要再?gòu)牧汩_(kāi)始來(lái)畫(huà)NMOS了。（1）、在inv_1的layout窗口中按快捷鍵i（或使用 create instance），在窗口中輸入 Library: test1 Cell: pmos View: layout，或者點(diǎn)“browse”，然后在出現(xiàn)的窗口中依次選中 test1,pmos,layout,然后點(diǎn)“close”，可以達(dá)到跟上面直接輸入同樣的效果。然后

39、點(diǎn)“ hide”,會(huì)看到一個(gè)黃色的圖形出現(xiàn)，在layout窗口中合適的位置上點(diǎn)擊鼠標(biāo)左鍵，就添加了一個(gè) pmos的instance，如圖3-6所示，然后按ESC鍵，結(jié)束添加 instance命令，回到選擇狀態(tài)。然后選中這個(gè) instance, 用Edit|Hierarchy|flatten來(lái)進(jìn)行flatten。這時(shí)，該部分圖形中的每個(gè)層又可以單獨(dú)進(jìn)行編輯了。（2）、選中該部分中的 NWELL層，刪除（del 鍵），然后選中SP層，按快捷鍵 q（或使用Edit Properties），在出現(xiàn)的窗口中將 layer一欄由SP改為SN，如圖3-7所示。圖3-6 添加了一個(gè) pmos的instance

40、這時(shí)，一個(gè) NMOS晶體管已經(jīng)完成了，但我們?yōu)榱藢?PMOS、NMOS的寬度比改為 2：1，再進(jìn)行一下修改，將 NMOS晶體管的寬度改為 1.4u?？梢酝ㄟ^(guò)刪除和 stretch命令，來(lái)達(dá)到修改的目的。將橫向并排的兩個(gè) contact刪除掉，然后按快捷鍵 s（或者使用 EditStretch），進(jìn)入 stretch命令狀態(tài)。在 nmos圖形的左側(cè)開(kāi)始，按鼠標(biāo)左鍵，框選住下半部分，即劃出一個(gè)如圖3-8所示的黃框：圖3-8 stretch命令狀態(tài)松開(kāi)鼠標(biāo)左鍵，把鼠標(biāo)移回到 nmos下方，然后再點(diǎn)一次鼠標(biāo)左鍵，松開(kāi)后上下移動(dòng)鼠標(biāo)，會(huì)發(fā)現(xiàn)下半部的圖形隨之移動(dòng)。這時(shí)如果原先設(shè)定了一個(gè)標(biāo)尺，可以將其精確的

41、移動(dòng)到想要移動(dòng)的位置；或者在沒(méi)有標(biāo)尺可以參照的情況下，也可以計(jì)算一下想要移動(dòng)的距離，例如這里是需要向上移動(dòng) 1.4u，那么可以按F3鍵，然后在彈出的窗口中“ Y”那一欄輸入 1.4，然后點(diǎn)“ Apply XY”，“Hide”，也可以達(dá)到移動(dòng)的目的，如圖3-9所示。3、完成反相器版圖。在完成了PMOS和NMOS的版圖后，還需要做一些工作來(lái)完成整個(gè)反相器的版圖。主要包括完成電源、地線、輸出節(jié)點(diǎn)的連接、添加 NWELL和襯底接地的TAP、添加label來(lái)作為pin的標(biāo)記。（1）pmos的N阱（N well）必須連接到vdd，NMOS的襯底必須連到 GND。這是通過(guò)在其上放置有源區(qū)，并連接到 VDD或

42、者GND上來(lái)實(shí)現(xiàn)的。首先，畫(huà)一個(gè) 1.4u乘1.4u的TO矩形；然后把這個(gè)矩形包圍一層 SN層（從TO矩形向外延伸 0.6u）。在中間畫(huà)一個(gè) contact（W1層）,并用金屬 1（A1層）覆蓋住。尺寸如圖3-10所示。圖3-9 修改stretch尺寸 圖3-10 繪制襯底觸孔（2）連接電源在PMOS版圖上放畫(huà)一條寬為 3u的金屬w1,并與PMOS的源極相接，將前面畫(huà)好的 PTAP也連接到這跟電源線上，并將原 TB矩形拉長(zhǎng)，包住PTAP。選中圖層A1TEXT，按快捷鍵l（或createlabel），添加一個(gè) label。在出現(xiàn)的對(duì)話框中 label一欄填入“VDD!”，然后點(diǎn) “hide”，將

43、label放置到電源線上。如圖3-11所示：圖3-11 PMOS與VDD的連接最后將PMOS的N阱（TB層）的矩形拉長(zhǎng)，包住該部分。（3）對(duì)NMOS部分進(jìn)行類(lèi)似的處理，只是添加的 TAP中將SP層改為SN層（可以copy后修改該圖層的屬性）；添加的label名稱改為“ GND!”（4）連接輸入輸出節(jié)點(diǎn)使用金屬將PMOS、NMOS的漏極連接起來(lái)，并在金屬上添加 label “out”。添加一個(gè)poly contact(用TG層畫(huà)一個(gè)1.4u * 1.4u的矩形，中間放置一個(gè) contact)，在連接?xùn)艠O的金屬上添加 label “in”。實(shí)驗(yàn)完成。將完成的反相器結(jié)果截圖粘貼在圖3-12。圖3-1

44、2 反相器版圖四、注意事項(xiàng)1、本實(shí)驗(yàn)要求獨(dú)立完成，并做好相關(guān)記錄；2、對(duì)自己的家目錄維護(hù)好；要求創(chuàng)建temp文件夾，用于保存臨時(shí)文件，保證文件結(jié)構(gòu)清晰合理；3、仔細(xì)閱讀實(shí)驗(yàn)步驟和內(nèi)容；4、請(qǐng)遵守實(shí)驗(yàn)室規(guī)章制度。五、實(shí)驗(yàn)結(jié)果、總結(jié)和思考1、對(duì)實(shí)驗(yàn)作出小結(jié)，說(shuō)明收獲和不足；2、分析不足的原因，提出改進(jìn)措施。六、實(shí)驗(yàn)環(huán)境和設(shè)備1、臺(tái)式PC機(jī)2、Linux 5 操作系統(tǒng)平臺(tái)3、Cadence軟件工具實(shí)驗(yàn)四 CMOS門(mén)電路版圖設(shè)計(jì)一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、了解CMOS數(shù)字電路的版圖設(shè)計(jì)基本規(guī)則；2、掌握CMOS邏輯門(mén)電路的版圖設(shè)計(jì)方法和技巧；3、進(jìn)一步熟悉使用Cadence工具；二、實(shí)驗(yàn)原理和反相器一樣，傳輸門(mén)也

45、是CMOS電路的基本單元。傳輸門(mén)包含一個(gè)PMOS管和一個(gè)NMOS管，和反相器的區(qū)別在于：傳輸門(mén)由一個(gè)PMOS和一個(gè)NMOS并聯(lián)而成，而且兩個(gè)器件的柵極分別接到CP和。此外，傳輸門(mén)是雙向開(kāi)關(guān)，輸入輸出可以互換。由于傳輸門(mén)包含的管子和反相器一樣，其版圖可以采用畫(huà)反相器的方法進(jìn)行。但是PMOS管和NMOS管的柵極各自獨(dú)立，不能共用一條多晶硅。由于傳輸門(mén)的兩個(gè)器件并聯(lián)，PMOS管的源S端和NMOS的漏D端連接，PMOS的漏D端和NMOS的源S端連接，用金屬層實(shí)現(xiàn)連接，成為傳輸門(mén)的輸入輸出。注意：如果把傳輸門(mén)單獨(dú)制成集成電路，PMOS管襯底必須連接到VDD，NMOS管襯底必須連接到VSS。因?yàn)閺膫鬏旈T(mén)的

46、電路圖可見(jiàn)，電源電壓是通過(guò)PMOS管和NMOS管的襯底加到傳輸門(mén)上的，否則，傳輸門(mén)就沒(méi)有接通電源。按上述要求畫(huà)出的CMOS傳輸門(mén)的版圖如圖4-1所示。NwellLI/OI/OVDDVSSCPVSSSDI/OI/ONwellLDSCPVDD 圖4-1 CMOS傳輸門(mén)版圖 圖4-2 反相器和傳輸門(mén)組合的版圖當(dāng)傳輸門(mén)和其它電路集成在一起，例如，傳輸門(mén)與反相器結(jié)合，由反相器為傳輸門(mén)提供信號(hào)，在這個(gè)電路中，傳輸門(mén)和反相器共用襯底連接，傳輸門(mén)的襯底接觸可以省略不畫(huà)，版圖如圖4-2所示。圖中VDD和VSS金屬導(dǎo)線的右邊都是空的，按理可以在VSS線下多畫(huà)幾個(gè)襯底觸孔，在VSS線右邊再畫(huà)一個(gè)接觸孔。這涉及版圖設(shè)

47、計(jì)技巧。版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則：版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則可看作是對(duì)光刻掩模版制備要求。這些規(guī)則在生產(chǎn)階段為電路設(shè)計(jì)師和工藝工程師提供了一種必要的信息聯(lián)系。與版圖規(guī)則相聯(lián)系的主要目標(biāo)是獲得有最佳成品率的電路，而幾何尺寸則盡可能地小，又不影響器件電路的可靠性。 集成電路的版圖設(shè)計(jì)規(guī)則通常有多種方法來(lái)描述，其中包括以微米分辨率來(lái)規(guī)定的微米規(guī)則和以特征尺寸為基準(zhǔn)的規(guī)則。 表4-1 N阱硅柵工藝的部分工藝層工藝層表示描述標(biāo)記圖NWELLN阱層LocosN+或P+有源區(qū)層Poly多晶硅層Contact接觸孔層Metal金屬層Pad焊盤(pán)鈍化層幾何設(shè)計(jì)規(guī)則： 表4-2為N阱層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則及其示意圖（圖4-3所示） 表4-

48、2為N阱層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則編號(hào)描述尺寸（m）目的與作用1.1N阱最小寬度10.0保證光刻精度和器件尺寸1.2N阱最小間距10.0防止不同電位的阱之間相互干擾1.3N阱內(nèi)N阱覆蓋P+2.0保證N阱四周的場(chǎng)注N區(qū)內(nèi)環(huán)的尺寸1.4N阱外N阱到N+距離8.0減少閂鎖效應(yīng) 圖4-3 N阱層先關(guān)設(shè)計(jì)規(guī)則示意圖 圖4-4 P+、N+有源區(qū)層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則示意圖表4-3為P+、N+有源區(qū)層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則，示意圖如圖4-4所示。 表4-3 P+、N+有源區(qū)層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則編號(hào)描述尺寸（m）目的與作用2.1P+、N+有源區(qū)寬度3.5保證器件尺寸，較少窄溝道效應(yīng)2.2P+、N+有源區(qū)間距3.5減少寄生效應(yīng)表4-4為P

49、oly層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則，示意圖如圖4-5所示。 表4-4 Poly層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則編號(hào)描述尺寸（m）目的與作用3.1多晶硅最小寬度3.0保證多晶硅線條的必要電導(dǎo)3.2多晶硅間距2.0防止多晶硅連條3.3與有源區(qū)最小間距1.0防止短路和寄生效應(yīng)3.4多晶硅深處有源區(qū)1.5保證源、漏區(qū)以柵長(zhǎng)為界而隔離3.5與有源區(qū)最小內(nèi)間距3.0保證電流在整個(gè)柵寬范圍內(nèi)均勻流動(dòng) 圖4-5 Poly層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則示意圖 圖4-6 Contact層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則示意圖表4-5為Contact層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則，示意圖如圖4-6所示。 表4-5 Contact層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則編號(hào)描述尺寸（m）目的與作用4.1接觸孔大小

50、2.02.0保證與金屬布線的良好接觸4.2接觸孔間距2.0保證良好接觸4.3多晶硅覆蓋孔1.0防止漏電和短路4.4有源區(qū)覆蓋孔1.5防止PN結(jié)漏電和短路4.5有源區(qū)孔到柵距離1.5防止源、漏區(qū)與柵極短路4.6多晶硅孔到有源區(qū)距離1.5防止源、漏區(qū)與柵極短路4.7金屬覆蓋孔1.0保證接觸，防止斷條表4-6為Metal層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則，示意圖如圖4-7所示。 表4-6 Metal層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則編號(hào)描述尺寸（m）目的與作用5.1金屬寬度2.5保證金屬線的良好電導(dǎo)5.2金屬間距2.0防止金屬條連條圖4-7 Metal層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則示意圖 圖4-8 Pad層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則示意圖表4-7為Pad層相關(guān)

51、的設(shè)計(jì)規(guī)則，示意圖如圖4-8所示。表4-7 Pad層相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則編號(hào)描述尺寸（m）目的與作用6.1最小焊盤(pán)大小90封裝、壓焊的需要6.2最小焊盤(pán)邊間距80防止信號(hào)之間串燒6.3最小金屬覆蓋焊盤(pán)6.0保證良好接觸6.4焊盤(pán)外到有源區(qū)最小距離5.0提高可靠性三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及步驟1、新建視圖為Virtuoso的版圖，名為tran_1；2、PMOS管制作在N阱中，N阱制作在P型襯底上，采用多晶硅柵，如圖4-9所示；為器件打上Label。圖4-9 PMOS管制作在N阱中 圖4-10 NMOS管制作在P型襯底中3、NMOS管直接制作在P型襯底上，采用多晶硅柵，如圖4-10所示；為器件打上Label。4、完

52、成傳輸門(mén)與反相器組合的版圖，如圖4-2所示。5、將完成的傳輸門(mén)版圖截圖粘貼為圖4-11；將完成的傳輸門(mén)與反相器組合的版圖截圖粘貼為表4-12。圖4-11 傳輸門(mén)版圖圖4-12 傳輸門(mén)與反相器組合的版圖四、注意事項(xiàng)1、本實(shí)驗(yàn)要求獨(dú)立完成，并做好相關(guān)記錄；2、對(duì)自己的家目錄維護(hù)好；要求創(chuàng)建temp文件夾，用于保存臨時(shí)文件，保證文件結(jié)構(gòu)清晰合理；3、仔細(xì)閱讀實(shí)驗(yàn)步驟和內(nèi)容；3、請(qǐng)遵守實(shí)驗(yàn)室規(guī)章制度。五、總結(jié)和思考1、對(duì)實(shí)驗(yàn)作出小結(jié)，說(shuō)明收獲和不足；2、分析不足的原因，提出改進(jìn)措施。六、實(shí)驗(yàn)環(huán)境和設(shè)備1、臺(tái)式PC機(jī)；2、Linux 5 操作系統(tǒng)平臺(tái)；3、Cadence軟件工具。實(shí)驗(yàn)五 版圖DRC/LV

53、S驗(yàn)證一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、了解版圖設(shè)計(jì)DRC/LVS驗(yàn)證的基本規(guī)則和驗(yàn)證方法；2、掌握版圖DRS/LVS驗(yàn)證技術(shù)和技巧。二、實(shí)驗(yàn)原理 版圖驗(yàn)證項(xiàng)目包括五項(xiàng)（如圖5-1所示）Layout CellviewsLayerProcessingDRCNetworkExtractionPRELPESchematic CellviewsERCLVSLayoutDesignCircuitIntegrityDesignMatchingPost-LayoutSimulatiion圖5-1 版圖驗(yàn)證過(guò)程(1) DRC (Design Rule Check) 設(shè)計(jì)規(guī)則檢查。(2) ERC(Electrical Rule

54、Check) 電學(xué)規(guī)則檢查。(3) LVS(Layout Versus Schemati) 版圖和電路圖一致性比較(4) LPE(Layout Parameter Extruction) 版圖寄生參數(shù)提取(5) PRE(Parasitic Resistance Extruction) 寄生電阻提取其中，DRC和LVS是必做的驗(yàn)證，其余為可選項(xiàng)目。凡做過(guò)DRC和LVS驗(yàn)證的版圖設(shè)計(jì)，基本上能一次流片成功。 Cadence軟件包含兩種驗(yàn)證工具：Diva和Dracula 1. Diva是與版圖編輯器完全集成的交互式驗(yàn)證工具集,它嵌入在Cadence的主體框架中，屬于在線驗(yàn)證工具，在版圖設(shè)計(jì)過(guò)程中能夠

55、隨時(shí)迅速啟動(dòng)Diva驗(yàn)證。有速度較快、使用方便的特點(diǎn)。在運(yùn)行 Diva前，事先要準(zhǔn)備驗(yàn)證的規(guī)則文件。 2. Dracula有運(yùn)算速度快，功能強(qiáng)大，能驗(yàn)證和提取較大電路的特點(diǎn)，一般在交付制版之前都用Dracula驗(yàn)證產(chǎn)品來(lái)發(fā)現(xiàn)設(shè)計(jì)錯(cuò)誤。但驗(yàn)證過(guò)程要復(fù)雜一些。做DRC選用Diva，完成后用 Dracula運(yùn)行LVS。用Dracula進(jìn)行版圖驗(yàn)證過(guò)程包括的過(guò)程如圖5-2所示： 圖5-2 Dracula版圖驗(yàn)證過(guò)程 (1) 建立規(guī)則文件(Rule File) (2) 編譯規(guī)則文件 (3) 運(yùn)行Dracula程序。 (4) 如果Dracula發(fā)現(xiàn)驗(yàn)證的錯(cuò)誤，它會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤報(bào)告和出錯(cuò)的數(shù)據(jù)庫(kù)，包含可以用來(lái)消

56、除版圖中錯(cuò)誤的信息。糾正錯(cuò)誤后重新進(jìn)行驗(yàn)證工作，繼續(xù)消除錯(cuò)誤直到獲得正確的版圖。 Dracula規(guī)則文件.1 Dracula規(guī)則文件的結(jié)構(gòu)1. 規(guī)則文件的模塊 規(guī)則文件包含4個(gè)塊，每個(gè)塊從“*塊名”開(kāi)始，塊的最后一行以“*END”語(yǔ)句結(jié)束。 (1) 描述塊 (Description Block) (2) 輸入層塊（Input-Layer Block) (3) 操作塊 (Operation Block) (4) 繪畫(huà)塊 (Plotting Block)2. 語(yǔ)法 在Dracula規(guī)則文件中使用的一些特殊字符總結(jié)為下表。 Dracula規(guī)則文件語(yǔ)法 字 符 說(shuō) 明 例 空白 分隔變量 AND ND

57、IFF POLY NGATE 間隔 ，逗號(hào) 分隔變量 GROUND-NODY = VSS1，VSS2，GND = 等號(hào) 分隔變量 AUTOMATCH = YES * 星號(hào) 表示控制語(yǔ)句、單元定義或斷 *END 點(diǎn),必須在第一行 & 表示and 表示連接規(guī)則,必須在第一行的 EXT lay1 lay2 LT 1 & 的符號(hào) 最后一個(gè)字符 EXT lay1 lay3 LT 1 & EXT lay1Olay3 LT OUTPUT err1 23 括號(hào) 包圍選項(xiàng),不能放空白在括號(hào)中 ENCT ptie pwell SELLT 10 bodptie ； 分號(hào) 引入注釋,可放在命令行或分開(kāi) * INPUT

58、-LAYER 的行,輸入到分號(hào)右邊的是注釋 diff=1；diffusion input layer poly=5；polysilicon input layer metal=7；metal input layer 3. Dracula規(guī)則文件例 * DESCRIPTION ； ； System description data input section ； PRIMARY = iomux SYSTEM = GDS2 INDISK = 1234 OUTDISK = 5678 SCALE = .001 MICRON MODE = EXEC NOW RESOLUITON = .25 MICRON

59、 . . * END ； * INPUTLAYER ； ； Layer mnemonic name definition section ； poly = 5 diff = 7 implant = 2 metal = 9 mcl = 10 epi = 11CONNECTLAYER = diff poly metal PADLAYER = vapox *END ； *OPERATION ； ；Logical，resizing，connection，and spacing operations ； AND poly diff gate SIZE gate BY 1 ovgate AND diff

60、ovgate difgate ENCO difgate implant LT 4 OUTPUT rule01 5 . . CONNECT metal poly BY mc1 CONNECT poly diff BY epi CONNECT metal diff BY mc1 . . *END. 2 建立Dracula規(guī)則文件1、Dracula規(guī)則文件至Diva規(guī)則文件的轉(zhuǎn)換 （1）從Dracula規(guī)則文件轉(zhuǎn)換為Diva規(guī)則文件的方法。 程序轉(zhuǎn)換的過(guò)程和命令如下： % DraculaToDiva :/get filenamenolist ;nolist選項(xiàng)使規(guī)則文件在屏幕上不顯示 :/finis