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1、評(píng)估電子元器件的散熱對(duì)周邊器件的影響在熱設(shè)計(jì)可行性分析的評(píng)估中,需要對(duì)熱源器件,如 DC/DC電源 模塊、LDO電源模塊和功率消耗大的IC等進(jìn)行歸類。在進(jìn)行PCB的 布局時(shí),應(yīng)將此類器件遠(yuǎn)離對(duì)溫度敏感的器件,如晶振、時(shí)鐘芯片、 對(duì)溫度敏感的存儲(chǔ)器和Y5V電容等。在進(jìn)行散熱可行性分析時(shí),需要 根據(jù)產(chǎn)品工作的環(huán)境進(jìn)行器件的選型, 系統(tǒng)工作在不同的環(huán)境下,對(duì) 器件的性能要求不同,例如,電容根據(jù)器件容值隨溫度的變化可以分 為NPQ X7R Z5U和Y5V,其容值特性隨溫度的變化如圖2-30所示。S2-30電容容值特性隨溫度的變化3.評(píng)估PCB上的散熱通道在前期的熱設(shè)計(jì)可行性分析中,評(píng)估 PCB上的散熱
2、通道主要是為了在PCBW足結(jié)構(gòu)裝配性的前提下,在利于PCB整體散熱的情況下, 把控整個(gè)PCB的布局。在明確風(fēng)道,即 PCB的進(jìn)風(fēng)口時(shí),需要根據(jù) 風(fēng)道確定散熱片的擺放位置,在安裝散熱片時(shí),使散熱片的齒型凸起 與風(fēng)向平行;在滿足結(jié)構(gòu)裝配和PCB功能的需求下,矮個(gè)的器件要布 置在上風(fēng)口 ;冷卻風(fēng)的方向是從進(jìn)風(fēng)口到出風(fēng)口,在進(jìn)行器件布局時(shí), 需要把熱量高的器件即熱源布置在下風(fēng)道,如果布置在上風(fēng)口,則相對(duì)于下風(fēng)口的器件來說,上風(fēng)口的熱源會(huì)分給下風(fēng)口的器件, 這不利 于散熱的處理。對(duì)于系統(tǒng)的熱分析,在前期設(shè)計(jì)時(shí)可以采用Flotherm進(jìn)行建模分析(工作界面如圖2-31所示),再根據(jù)后期的測(cè)試對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化
3、更 改。某無線BTS3812E EBBS帶單板,器件布局如圖2-32所示,EBBI 單板尺寸為233.35mm x 460mm,總熱耗為72.2W。使用1個(gè)電源模 塊供電,電源模塊熱耗為 7.23W;單板上的DSR FPG價(jià)口 SD6103力口 裝散熱器。系統(tǒng)散熱風(fēng)道是從下到上,器件按垂直風(fēng)道方式排列,以 減小各器件之間相互的熱影響?;宓姆抡鏈y(cè)試結(jié)果如圖2-33所示, 仿真測(cè)試報(bào)告如圖2-34所示。afMlOl”ncrr【,”Xewu疝而 A“ 不 ?212 UA Utalw SeA、a n 日七.-& d fVxw 3DF.l U.S4w ! Mb l.v * ,c” VXG O : /1
4、,俑 c : B 、R 離方 an .E2-31 Flotherm 工作界面J 圖 a國(guó)AV&l 00圖3-32基板的布局圖示國(guó)2-羽 基板的俏宜甜試結(jié)果芯片名稱單個(gè)芯片功幡(Wi許可溫度C)彷直溫度mDSP3.S州max X7SD61023.51回96 1SD6I036 56】M96PPC S3605 (?】D095.6帽以6.7284HFPGA37476DDR20 5心HflHX 8SLPLL0.5130小FLASH0 35三79JT82O71S570.2AVQIQQ7.29583.4PCB均布I1J8W74L:, 4小,-汩任上心|綜合以上分析,為滿足結(jié)構(gòu)與熱設(shè)計(jì)的可行性,需要遵循的基本
5、原則 如下。(1)熱設(shè)計(jì)器件布局的基本原則是:發(fā)熱器件應(yīng)盡可能分散布置, 使得單板表面的熱耗均勻,有利于散熱;不要使熱敏感器件或功耗大 的器件彼此靠近放置,使熱敏感器件遠(yuǎn)離高溫發(fā)熱器件, 常見的熱敏感器件包括晶振、內(nèi)存和 CPU等;要把熱敏感元器件安排在最冷區(qū) 域。對(duì)于自然對(duì)流冷卻設(shè)備,如果外殼密封,要把熱敏感器件置于底 部,其他元器件置于上部;如果外殼不密封,要把熱敏感器件置于冷空氣的入口處。對(duì)于強(qiáng)迫對(duì)流冷卻設(shè)備,可以把熱敏感元器件置于氣流入口處。布局思路如圖2-35所/J oAitfl 5VObsirucuonHot pmPleniifulVentingHigh Dissipationji
6、car Top1 igh DensityLayoutLow DcnsitvLavout| PowerPowerp* SLlppHigh Dissipationnciir Bottommt9 0 0。Good Design0Inaclequnie VentingPoor Design圖2-35熱設(shè)計(jì)好的布局思路與不好的布局對(duì)比(2)強(qiáng)迫風(fēng)冷的器件布局原則:參考板內(nèi)流速分布特點(diǎn)進(jìn)行器件布局設(shè)計(jì),在特定風(fēng)道內(nèi)面積較大的單板表面流速不可避免存在不均勻 問題,流速大的區(qū)域有利于散熱,充分考慮這一因素進(jìn)行布局設(shè)計(jì)將 會(huì)使單板獲得較優(yōu)良的散熱設(shè)計(jì);對(duì)于通過 PWB散熱的器件,由于 依靠白是PWB的整體面積來散熱,因此即使器件處于局部風(fēng)速低的 區(qū)域內(nèi),也并不一定會(huì)有散熱問題,在進(jìn)行充分熱分析驗(yàn)證的基礎(chǔ)上, 沒有必要片面要求單板表面風(fēng)速均勻;當(dāng)沿著氣流來流方向布置的一系列器件都需要加散熱器時(shí),器件應(yīng)盡量沿著氣流方向錯(cuò)列布置, 這 樣可以降低上下游器件相互間的影響, 如果無法交錯(cuò)排列,也需要避 免將高大的元器件(結(jié)構(gòu)件等)放在高發(fā)熱元器件的上方,高發(fā)熱器 件布局優(yōu)化前后對(duì)比如圖2-36和圖2-37所示;對(duì)于安裝散熱器的器 件,空氣流經(jīng)該器件時(shí)會(huì)產(chǎn)生繞流,對(duì)該器件兩側(cè)的器件會(huì)起到換熱 系數(shù)強(qiáng)化作用;對(duì)該器件下游的器件,換熱系數(shù)可能會(huì)加強(qiáng),也可能 會(huì)減弱,因此對(duì)于被散熱器遮擋的器件需要進(jìn)行特別關(guān)注;注意
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