晶體管放大電路

1、2、晶體管放大電路原理2.1晶體管和FET的工作原理2.1.1晶體管和FET的放大工作的理解晶體管和FET的放大作用：晶體管或FET的輸入信號(hào)通過器件而出來，晶體管或FET吸收此時(shí)輸入 信號(hào)的振幅信息，由電源重新產(chǎn)生輸出信號(hào)，由于該輸出信號(hào)比輸入信號(hào)大，可以看成將輸入信號(hào)放大而 成為輸出信號(hào)。這就是放大的原理。2.1.2晶體管和FET的工作原理1、雙極型晶體管的工作原理集電極（輸出端）晶體管內(nèi)部工作原理：對(duì)流過基極與發(fā)射極之間的電流進(jìn)行不斷地監(jiān)視，并控制集電極-發(fā)射極間電流 源使基極-發(fā)射極間電流的B倍的電流流在集電極與發(fā)射極之間。就是說，晶體管是用基極電流來控制集電 極-發(fā)射極電流的器件。2

2、、FET的工作原理漏極（輸出端）FET的內(nèi)部原理FET內(nèi)部工作原理：對(duì)加在柵極與源極之間的電壓進(jìn)行不斷地監(jiān)視，并控制漏極-源極間電流源使柵極 -源極間電壓的g/倍的電流流在漏極與源極之間。就是說，F(xiàn)ET是用柵極電壓來控制漏極-源極電流的器件。 2.1.3分立元件放大電路的組成原理放大電路的組成原理（應(yīng)具備的條件）1放大器件工作在放大區(qū)（三極管的發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置；結(jié)型FET與耗盡型MOSFET 可采用自偏壓方式或分壓式偏置或混合偏置方式，增強(qiáng)型MOSFET則一定要采用分壓式偏置或混合偏置 方式）即要保證合適的直流偏置；（2）：輸入信號(hào)能輸送至放大器件的輸入端；（3）：有信號(hào)電壓輸出

3、。判斷放大電路是否具有放大作用，就是根據(jù)這幾點(diǎn)，它們必須同時(shí)具備。2.1.4晶體管放大電路的直流工作狀態(tài)分析（以晶體管電路為例）直流通路：在沒有信號(hào)輸入時(shí)，估算晶體管的各極直流電流和極間直流電壓，將放大電路中的電容視 為開路，電感視為短路即得。它又被稱為靜態(tài)分析。直流工作點(diǎn)：又稱為靜態(tài)工作點(diǎn)，簡稱Q點(diǎn)。在進(jìn)行靜態(tài)分析時(shí)，晶體管放大電路主要是求基極直流 電流IB、集電極直流電流IC、集電極與發(fā)射極間的直流電壓UCE。FET放大電路主要是求柵源電壓UGS， 漏極直流電流ID，漏極與原極間的直流電壓uds。1、公式法計(jì)算Q點(diǎn)1）共接法A郵 血口 UIb=（Ucc-Ube）/RbT l-MO1 WUB

4、 4口 T口Uce=Ucc-IcRc1自偏壓式共射極接法在II時(shí)，可認(rèn)為I QI ,I 1 * H at l。， 彳少i c，1 B12于是RB 2RbR2 C分壓式聯(lián)射極接法Uce= UCC-C ( Rc+ RE )4=52)共b接法Ucc=IbRb+Ube+IeRe= IbRb+Ube+ U+B)Ib ReIc =撰UCE= ULc ( RE )自偏壓式共基接法Ub Q 土 CU - U=BBERE分壓式共基接法UCE= ULc (RC + R)分壓式共集接法UCE = UCC - ICRE2、圖解法計(jì)算Q點(diǎn)三極管的電流、電壓關(guān)系可用輸入特性曲線和輸出特性曲線表示，可以在特性曲線上，直接用

5、作圖的 方法來確定靜態(tài)工作點(diǎn)。用圖解法的關(guān)鍵是正確的作出直流負(fù)載線，通過直流負(fù)載線與i=IBQ的特性曲線 的交點(diǎn)，即為Q點(diǎn)。讀出它的坐標(biāo)即得七和UCE 圖解法求Q點(diǎn)的步驟為：1）：通過直流負(fù)載方程畫出直流負(fù)載線，2）：由基極回路求出婦B3）：找出i=IB這一條輸出特性曲線與直流負(fù)載線的交點(diǎn)就是Q點(diǎn)。讀出Q點(diǎn)的坐標(biāo)即為所求。共射極放大電路 為例輸出回路直流負(fù)載線，求icq、uceq2.1.5 FET放大電路的直流工作狀態(tài)分析1、解析法已知電流方式及柵源直流負(fù)載線方程，聯(lián)立求解即可求得工作點(diǎn)。如:U 、d = LsS (1 -廣 GSoffu =-i R將下式代入上式，解一個(gè)iD的二次方程，有兩個(gè)

6、根， 2、圖解法D畫出N溝道場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖所示。對(duì)于自偏壓方式，柵源回路直流負(fù)載線方程為u =-i R在轉(zhuǎn)移特性坐標(biāo)上畫出該負(fù)載線方程如圖（a）所 示。分別求出JFET的工作點(diǎn)為Q1點(diǎn)，耗盡型 MOSFET的工作點(diǎn)為Q2點(diǎn)，而與增強(qiáng)型MOSFET 轉(zhuǎn)移特性則無交點(diǎn)。對(duì)于混合偏置方式，柵源回路直流負(fù)載線方 程為舍去不合理的一個(gè)根，留下合理的一個(gè)根便是idq。(a)(b)圖解法求直流工作點(diǎn)（a）自偏壓方式；（b）混合偏置方式u = g 2GS R + RUdd*RsG1G 2畫出該負(fù)載線如圖（b）所示，對(duì)于三種不同類型的場效應(yīng)管的工作點(diǎn)分別為Q廣Q 2及Q3。這里要特別 注意的是，對(duì)JFE

7、T，RG2過大，或RS太小，都會(huì)導(dǎo)致工作點(diǎn)不合適，如圖（b）虛線所示。2.1.6晶體管放大電路的交流工作狀態(tài)分析（以共射極晶體管電路為例）1、圖解法交流圖解分析是在輸入信號(hào)作用下，通過作圖來確定放大管各級(jí) 電流和極間電壓的變化量。此時(shí)，放大器的交流通路如圖所示。由圖 可知，由于輸入電壓連同Ube 一起直接加在發(fā)射結(jié)上，因此，瞬時(shí)工 作點(diǎn)將圍繞Q點(diǎn)沿輸入特性曲線上下移動(dòng)，從而產(chǎn)生zb的變化，如圖 所示。瞬時(shí)工作點(diǎn)移動(dòng)的斜率為：&k工=-1叩CEk；交流通路放大器的交流圖解分析- 輸入回路的工作波形ICQCECE放大器的交流圖解分析輸出回路的工作波形畫出交流負(fù)載線之后，根據(jù)電流iB的變化規(guī)律，可畫

8、出對(duì)應(yīng)的i和u的波形。在圖中，當(dāng)輸入正弦C CE電壓使i按圖示的正弦規(guī)律變化時(shí)，在一個(gè)周期內(nèi)Q點(diǎn)沿交流負(fù)載線在Q到Q之間上下移動(dòng)，從而引起 i和u分別圍繞I和U作相應(yīng)的正弦變化。由圖可以看出，兩者的變化 正好相反，即i增大，u既減小；反之，i減小，則u增大。交流負(fù)載線的特點(diǎn)：（1）必須通過靜態(tài)工作點(diǎn)（2）交流負(fù)載線的斜率由Rl 表示（Rl=Rc/Rl）交流負(fù)載線的畫法（有兩種）：1）先作出直流負(fù)載線，找出Q點(diǎn)；作出一條斜率為RL的輔助線，然后過Q點(diǎn)作它的平行線即得。（此法為 點(diǎn)斜式）2）先求出uce坐標(biāo)的截距（通過方程ucc=uce+icRl）連接Q點(diǎn)和UCC點(diǎn)即為交流負(fù)載線。（此法為兩點(diǎn)式）

9、共射極放大器的電壓、電流波形根據(jù)上述交流圖解分析，可以畫出在輸入正弦電壓下，放大管各極電 流和極間電壓的波形，如圖所示。觀察這些波形，可以得出以下幾點(diǎn)結(jié)論: 1）放大器輸入交變電壓時(shí)，晶體管各極電流的方向和極間電壓的極性始終不 變，只是圍繞各自的靜態(tài)值，按輸入信號(hào)規(guī)律近似呈線性變化。2）晶體管各極電流、電壓的瞬時(shí)波形中，只有交流分量才能反映輸入信號(hào)的變化，因此，需要放大器輸出 的是交流量。3）將輸出與輸入的波形對(duì)照，可知兩者的變化規(guī)律正好相反，通常稱這種波形關(guān)系為反相或倒相。2、微變等效電路法采用微變等效電路法的思想是：當(dāng)信號(hào)變化的范圍很小（微變）時(shí)，可以認(rèn)為三極管電壓、電流變化 量之間的關(guān)系

10、是線性的。根據(jù)導(dǎo)出的方法不同，晶體管交流小信號(hào)電路模型可分為兩類：一類是物理型電 路模型，它是模擬晶體管結(jié)構(gòu)及放大過程導(dǎo)出的電路模型，它有多種形式，其中較為通用的是混合n型電 路模型；另一類是網(wǎng)絡(luò)參數(shù)模型，它是將晶體管看成一個(gè)雙端口網(wǎng)絡(luò)，根據(jù)端口的電壓、電流關(guān)系導(dǎo)出的 電路模型，其中應(yīng)用最廣的是H參數(shù)電路模型。不論按哪種方法導(dǎo)出的電路模型，它們都應(yīng)當(dāng)是等價(jià)的， 因而相互間可以進(jìn)行轉(zhuǎn)換。2.1.6晶體管放大電路的非線性失真分析（以共射極晶體管電路為例）在使用放大電路時(shí)，一般是要求輸出信號(hào)盡可能的大，但是它要受到三極管非線性的限制。有時(shí)輸入 信號(hào)過大或者工作點(diǎn)選擇不恰當(dāng)，輸出電壓波形就會(huì)產(chǎn)生失真。

11、這種失真是由于三極管的非線性引起的， 所以它被稱為非線性失真。1、輸入信號(hào)過大引起的非線性失真它主要表現(xiàn)在輸入特性的起始彎曲部分，輸出特性的間距不勻，當(dāng)輸入又比較大時(shí)，就會(huì)使Ib、Uce和IC的正負(fù)半周不對(duì)稱，即產(chǎn)生非線性失真。如圖所示2、 工作點(diǎn)不合適引起的失真=、當(dāng)工作點(diǎn)設(shè)置過低，在輸入信號(hào)的負(fù)半周，工作狀態(tài)進(jìn)入截止輸入信號(hào)過大引起的非線性失真區(qū)，從而引起Ib uce和Ic的波形失真，稱為截止失真如圖所示當(dāng)工作點(diǎn)設(shè)置過高，在輸入信號(hào)的正半周，工作狀態(tài)進(jìn)入飽和區(qū)，此時(shí)Ib繼續(xù)增大而Ic不再隨之增大， 因此引起Ic和uce的波形失真，稱為飽和失真。如圖所示由于放大電路有失真問題，因此它存在最大

12、不失真輸出電壓幅值uom。最大不失真輸出電壓是指：當(dāng) 工作狀態(tài)一定的前提下，逐漸增大輸入信號(hào)，三極管還沒有進(jìn)入截止或飽和時(shí)，輸出所能獲得的最大電壓 輸出。當(dāng)電壓受飽和區(qū)限制時(shí)Uom = UCEQ -UCES，當(dāng)電壓受截止區(qū)限制時(shí)Uom = IcqRl2.1.7晶體管偏置電路”沔m L晶體管在放大應(yīng)用時(shí)，要求外電路將晶體管偏置在放大區(qū)，而且在信號(hào)的變化范圍內(nèi)，管子始終工作 在放大狀態(tài)。此時(shí)，對(duì)偏置電路的要求是：電路形式要簡單。例如采用一路電源，盡可能少用電阻等； 偏置下的工作點(diǎn)在環(huán)境溫度變化或更換管子時(shí)應(yīng)力求保持穩(wěn)定；對(duì)信號(hào)的傳輸損耗應(yīng)盡可能小。1、固定偏流偏置電路固定偏流電路由圖可知，UCC通

13、過RB使e結(jié)正偏，則基極偏流為I =UBF,(質(zhì))BQ RB只要合理選擇Rb,Rc的阻值，晶體管將處于放大狀態(tài)。此時(shí)I = p ICQ BQUCFQ = UCC - ICQRC這種偏置電路雖然簡單，但主要缺點(diǎn)是工作點(diǎn)的穩(wěn)定性差。由上式可知，當(dāng)溫度變化或更換管子引起 b,icbo改變時(shí)，由于外電路將IBQ固定，所以管子參數(shù)的改變都將集中反映到Icq，Uceq的變化上。結(jié)果 會(huì)造成工作點(diǎn)較大的漂移，甚至使管子進(jìn)入飽和或截止?fàn)顟B(tài)。電流負(fù)反饋型偏置電路使工作點(diǎn)穩(wěn)定的基本原理，是在電路中引入自動(dòng)調(diào)節(jié)機(jī)制，用IB的相反變化去自動(dòng)抑制IC的變化，電流負(fù)反饋型偏置電路從而使ICQ穩(wěn)定。這種機(jī)制通常稱為負(fù)反饋。

14、實(shí)現(xiàn)方法是在管子的發(fā)射極串接 電阻re。由圖可知，不管何種原因，如果使ICQ有增大趨向時(shí)，電路會(huì)產(chǎn)生如 下自我調(diào)節(jié)過程：ICQ 一依 f 一 UEQ(=IEQRE) f;ICQ J eq ubeq(= ueq -Ueq)結(jié)果，因IBQ的減小而阻止了 ICQ的增大；反之亦然?？梢姡ㄟ^re對(duì)ICQ的 取樣和調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)了工作點(diǎn)的穩(wěn)定。顯然，re的阻值越大，調(diào)節(jié)作用越強(qiáng)，則 工作點(diǎn)越穩(wěn)定。但Re過大時(shí)，因UCEQ過小會(huì)使Q點(diǎn)靠近飽和區(qū)。因此，要二 者兼顧，合理選擇Re的阻值。2、分壓式偏置電路分壓式偏置電路如圖所示，它是電流負(fù)反饋型偏置電路的改進(jìn)電路。由圖可知，通過增加一個(gè)電阻RB2, 可將基極電位

15、UB固定。這樣由ICQ引起的UE變化就是UBE的變化，因而增強(qiáng)了 UBE對(duì)ICQ的調(diào)節(jié)作用，(a)(b)分壓式偏置電路(a)電路;(b)用戴文寧定理等效后的電路有利于Q點(diǎn)的近一步穩(wěn)定。從分析的角度看，在該電路的基極端用戴文寧定 理等效，可得如圖的等效電路。圖中，rb=rb1 HRB2, UBB=UCCRB2/(RB1 +RB2)。此時(shí)，I = CCRF (cn)bq R + (1 +p ) RI = PIECQ BQUCEQ= RC + RE)如果rb1、rB2取值不大，在估算工作點(diǎn)時(shí)，則icq 可按下式直接求出：U - UI k I = RBRE, (cn)EU BB=U B = RRT U

16、CC BlB 23、電流源偏置電路rm在電子電路中，特別是模擬集成電 路中，廣泛使用不同類型的電流源，為 各種基本放大電路提供穩(wěn)定的偏置電流 或作有源負(fù)載。(1)三極管電流源當(dāng)IB 一定時(shí)，只要晶體管不飽和也不擊穿，IC就基本恒定。因此，固定偏流的晶體管，從集電極看進(jìn) 去相當(dāng)于一個(gè)恒流源。由交流等效電路知，它的動(dòng)態(tài)內(nèi)阻為rce ，是一個(gè)很大的電阻。為了使IC更加穩(wěn) 定，可以采用分壓式偏置電路(即引入電流負(fù)反饋)，便得到圖(b)所示的單管電流源電路。圖(c)為該電路等 效的電流源表示法，圖中Ro為等效電流源的動(dòng)態(tài)內(nèi)阻。利用圖(b)電路的交流等效電路可以證明，Ro近似 為R Q Le (1 + r

17、 + R 3+ R) be 3 B式中，RB=R1 H R2需要指出，晶體管實(shí)現(xiàn)恒流特性是有條件的，即要保證恒流管始終工作在放大狀態(tài)，否則將失去恒流作用。這一點(diǎn)對(duì)所有晶體管電流源都適用。帶補(bǔ)償?shù)娜龢O管電流源利用二極管來補(bǔ)償三極管VBE隨溫度變化的影響。集成電路中，常用三極管接成二極管來實(shí)現(xiàn)。(2)基本電流源在單管電流源中，要用三個(gè)電阻，所以不便集成。為此，用一個(gè)完全相同的晶體管 七,將集電極和基極短接在一起來代替電阻rB2和re，便得到圖所示的鏡像電流源電路。 由圖可知，參考電流Ir為I= UCC UBEr Rr由于兩管的e結(jié)連在一起，所以IB相同，IC也相同。由圖可知IC 2 = IC1 =

18、 1-2IB = I, - 2 令, 旗I因此可得Ic 2 = p 1 + 2如果B1,則IC2F?？梢姡灰? 一定，IC2就恒定；改變/ ,IC2也跟12 rr2r 2著改變。兩者的關(guān)系好比物與鏡中的物像一樣，故稱為鏡像電流源。將上述原理推廣，可得多路鏡像電流源，如圖所示。圖中為三路電 流源，七管是為了提高各路電流的精度而設(shè)置的。因?yàn)樵跊]有七管時(shí)， I =Ir-4I，加了 V 管后，I = Ir - 4I /(1+B )，故此可得C1 B15C1B15I = I = I = P1(1 +P5)IC 2C 3C 4。(1 +。)+ 4 r鏡像電流源多路鏡像電流源因B1(1+B5)4容易滿足，

19、所以各路電流更接近I，并且受B 的溫度影響也小。在集成電路中，多路鏡像電流源是由多集電極晶體管實(shí) 現(xiàn)的，圖(a)電路就是一個(gè)例子。它利用一個(gè)三集電極橫向 PNP管組成雙路電流源(橫向PNP管是采用標(biāo)準(zhǔn)工藝，在制 作NPN管過程中同時(shí)制作出來的一種PNP管，其等價(jià)電路 如圖(b)所示。(3)比例電流源(a)(b)多集電極晶體管鏡像電流源(a)三集電極橫向PNP管電路；(b)等價(jià)電路如果希望電流源的電流與參考電流成某一比例關(guān)系，可采用圖所示的比例電流源電路。由圖可知U +1 R = U +1 RBE1E 1 1BE2E22因?yàn)閁BE1=UnIE1IS1UBE2=UTlnE2-IS2I=E2S2所以

20、UBE 1-UBE 2=Uln E1-T IE2= - Uln E2T IE1IrIE1C2IlIE2當(dāng)兩管的射極電流相差10倍以內(nèi)時(shí)：| UBE1- UBE2 | = | UT In 婦 | = UT ln10 牝 60mVE 2比例電流即室溫下，兩管的UBE相差不到60mV，僅為此時(shí)兩管UBE電壓(600mV)的10%。因此，可近似認(rèn)為UBE12朋笊這樣，式U +1 R = U +1 R 簡化為I R = I RBE2BE1E1 1 BE 2E 2 2E1 1E2 2若B1，則If產(chǎn)Ir, I QI*，由此得出I Q烏I E1 r E2 C2C 2 R r2可見，IC2與Ir成比例關(guān)系，其

21、比值由R1和R2確定。參考電流Ir現(xiàn)在應(yīng)按下式計(jì)算:I =U BE1 Q -CCr R + RR + R(4)微電流電流源在集成電路中，有時(shí)需要微安級(jí)的小電流。如果采用鏡像電流源，Rr 勢必過大。這時(shí)可令比例電流源電路圖中的R1=0，便得到圖所示的微電流電 流源電路。U - U = U ln L = -U ln 二BE1BE1BE2TITIE2E1Ir微電流電流源所以 I = ；(U- U ) = &ln JE2 RBE1BE2 R I當(dāng)加1時(shí)，IfU 2，由此可得R = U ln 二1E1 r E2 C22此式表明，當(dāng)Ir和所需要的小電流一定時(shí)，可計(jì)算出所需的電阻r2。2.1.8 FET偏置

22、電路種類電壓增強(qiáng)型耗盡型NMOSPMOSN結(jié)型P結(jié)型NMOSPMOSV GS正負(fù)負(fù)正負(fù)(或正)正(或負(fù))V DS正負(fù)正負(fù)正負(fù)UGs=-iDRs如果場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線可表示為則靜態(tài)工作點(diǎn)Q也可以通過計(jì)算來確定。I - 1-2 rJdss / 匕-；1小人 / 匕S DSSPS DSSPD2 R 21/ U 2S DSS PlD3、混合偏置電路UGS R +2R Ed12(b)1、 固定偏壓電路I世Dugsq=eg要確定IDQ和UDSQ，可以在輸出特性曲線上根據(jù)輸出回路的直流負(fù)載線方程 u =E -I r DS D D D2、自偏壓電路自偏壓電路利用漏極直流電流ID在源極電阻RS上產(chǎn)生的壓降形

23、成自偏壓。由圖可知，輸入回路的直流偏置電壓方程為4、恒流源電路(a)(c)場效應(yīng)管電流源(a)基本電流源；(b)多路輸出電流源；(c)威爾遜電流源2.2晶體管放大器三種基本組態(tài)2.2.1共射()放大電路共射晶體放大器的輸入端為基極和發(fā)射極，輸出端為集電極和發(fā)射極，發(fā)射極是公共端，故稱為共射 放大器。1、分壓式共射極接法分壓式聯(lián)射極接法有CE時(shí):電壓放大倍數(shù)AU u由圖可知U =欽=I 俄 II R )=阿(R | R )c C Lb C LUoUi。(R1R2 =rberber + (1 + P )rbberbbpRrL-rbe+ P(Q)I q (mV)RL電流放大倍數(shù)A.i=RRlI =

24、I Rc o c R + R + R B R = RR-=PBRb+其中，=PIRcb RC + RlA = oi Ii若滿足rb r, RLA q P輸入電阻R.iRi = Rbb 2*be/ RB 2RcR + R%。時(shí)，則有A俐一RUE DCu RE與此同時(shí)，從b極看進(jìn)去的輸入電阻R i變?yōu)镽 = U = r + (1+P )Reb虬(踣umU, 1摭 he即射極電阻Re折合到基極支路應(yīng)擴(kuò)大(1+B)倍。因此，放大器的輸入電阻為&=% H 如 II R i顯然，此時(shí)，輸入電阻明顯增大了。對(duì)于輸出電阻，盡管Ic更加穩(wěn)定，但從輸出端看進(jìn)去的電阻仍為RC，即Ro=RC。2、自偏壓式共射極接法電

25、流放大倍數(shù)理 iI h IAt = = fb = hf i i b 輸入電阻R. iR. = = R h. i中頻電壓放大倍數(shù)Aum和A式中“-”號(hào)，說明輸出電壓Uo與輸入電壓Uj反相。,UU. UR.,ums =疽U X U R + R um s s i i S輸出電阻RoR0 = Rc順便指出，如果晶體管hoe不可忽略，則R =/ R o h Coe2.2.2共集()放大電路1、分壓式共集接法電壓放大倍數(shù)A”U = I (RR ) = (1 +p)I R TOC o 1-5 h z o e E Lb LU = I r + U = I r + (1+P)I Ri b be o b beb L

26、U _ (1 +p) R寸r +(1+。)Ri beLRL=5lAu恒小于1，一般情況下，滿足(1+B R Lrbe，因而又接近于1,且輸出電壓與輸入電壓同相。換 句話說，輸出電壓幾乎跟隨輸入電壓變化。因此，共集電極放大器又稱為射極跟隨器。電流放大倍數(shù)A.圖中，當(dāng)忽略rBi、rB2的分流作用時(shí)，則Ib=4，而流過rl的輸出電流io為I = I = (1+P ) IReo e Re + Rlb Re + RlA = o = (1 + P )Ei IRe + Rl輸入電阻R.從基極看進(jìn)去的電阻R i為R = r + (1+P ) RL beLRi=rrb 2l Ri與共射電路相比，由于R i顯著增

27、大，因而共集電路的輸入電阻大大提高了。 輸出電阻RoI1當(dāng)輸出端外加電壓Uo，而將Us短路并保留內(nèi)阻Rs時(shí)，可得圖所示電路。 由圖可得I (rbe + R )Rs= EH R2I = I =-(1 +P ) Ioeb則由e極看進(jìn)去的電阻RR= U = o I1+P所以，輸出電阻Uberrs1+pIUs=0ob2、自偏式共集接法電流放大倍數(shù)A- ir + R=RRlbIb Rb(hie + (1 + hfe)Rl )/Rb中頻電壓放大倍數(shù)A呃和A*:um歐 +(1 + 白亍Rl )Ibiehe + (1 + h) RlumsumR + h + (1 + h )Riefe輸出電阻Ro： 由圖(c)

28、可知=(1 + hfeie1+hie2U v=0s1+hfe(R +h )RieR + h + (1 + h ) Riefe2.2.3共基(CB)放大電路1、分壓式共基接法1戶，+ C1_UF(卜+Uo虧(a)電壓放大倍數(shù)Au uU = I r ,U = pI (R R )i b be o b C LA _U _ PRA. o Lu U rRl= R) Re電流放大倍數(shù)A.i_ R由于輸入電流I-I，而輸出電流1 = 1C-i eo c R + RA -。-= a*i I I Rc + RlRc + Rl顯然，A.V1。若 RCRL, 率增益。輸入電阻R.i則 Aja，I(b)cUohR即共基

29、極放大器沒有電流放大能力。但因Au1，所以仍有功RLerbe1 + p輸出電阻Ro若 U=0,則 Ib=0,BIb=0，顯然有 R= RC2、自偏式共基接法自偏壓式共基接法電流放大倍數(shù)A.:A - L f-b ai I(1 + hqr= U = 4RM = h + ri I,(1 + hfe)Ibie B中頻電壓放大倍數(shù)盅頒和氣時(shí);Ufe b L=fe L, U U U RA = o = , x o =iAums U U U R + R umum U,(hie + RB) Ibhie + RB輸出電阻Ro：Ro=RC如果晶體管hoe不可忽略，則求輸出電阻的等效電路如圖所示, 不難得到s s i

30、h Rh + (1+ hRR = U I= R /(h + R ) + 工(1 + h)/ R。 匕 Us=0s 論 BhoeRs + he + RBC2.3 FET放大器三種基本組態(tài)2.3.1共源(CS)放大電路1、分壓式共源接法(。)電壓放大倍數(shù)Aumu =-g u (rd /Rd/Rl)A = U = -g (r / R / R )um Um ds D Li輸入電阻R: iR = * = Rg + Ry/ R2i輸入電阻R0：通常有rgr1 r2,于是R RgRo=r rd共源電路及等效電路(a)電路;(b)等效電路源極具有電阻的電路(a)電路;(b)等效電路;(c)變換電路;(d)求R

31、j電路grur + R (1 + g r )Rds Lm ds S5RU LiAumr + R + (1 + g r )R_g r R7Lm ds Sm ds L+(1+E rs2、固定偏壓共源接法3、自偏壓式共源接法2.3.2共漏()放大電路1、分壓式共漏接法共漏電路及其等效電路(a)電路；(b)等效電路電壓放大倍數(shù)4uU DDRG1q +g Um gsgm1 + gRF VTd(RJR)=-U/ iLgmG2RL+.Uog R(a)1 + gR計(jì)算共漏電路輸出電阻 虬的等效電路輸出電阻Ro=+ 尸 oLRS=-gmUgs=-gm (U) UU TJ 苛+g UR mSIIs gm輸入電阻R,i=RG= RG 3 + RgJI2、自偏壓式共漏接法UgsUo=U - Ug U (r / R / R )m gs ds S LAumU _ g (r / R / R )。mdsSLU 1 + g (r / R / R )im ds S LRi=RG由求輸出電