2019年場效應管檢測方法

1、場效應管檢測方法一、用指針式萬用表對場效應管進行(1)用測電阻法判別結型場效應管的電極根據(jù)場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在 RX1k檔上，任選兩個 電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相 等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極 D和源極So因為對結 型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可 以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極，另一只表筆依 次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值。當出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似 相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極

2、。若兩次測出的電阻值均很大，說明是PN結的反向，即都是反向電阻，可以判定是N溝道場效應管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻 值均很小，說明是正向PN結，即是正向電阻，判定為P溝道場效應管， 黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況，可以調換黑、紅表筆按上述 方法進行測試，直到判別出柵極為止。(2)用測電阻法判別場效應管的好壞測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G 1與柵極G 2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于RXI?；騌X100檔，測量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范 圍(在手冊中可知，

3、各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的)，如 果測得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測得阻值是無 窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于R XI 0 k檔，再測柵極G 1 與G 2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電 阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路， 則說明管是壞的。要注意，若兩個柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進 行檢測。(3)用感應信號輸人法估測場效應管的放大能力具體方法：用萬用表電阻的 RX100檔，紅表筆接源極S,黑表筆接漏 極D ,給場效應管加上1.5 V的電源電壓，此時表針指示出的漏源極間 的電阻值。然后用手捏住結型場效

4、應管的柵極G,將人體的感應電壓信 號加到柵極上。這樣，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流I b都要發(fā)生變化，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化， 由此可以觀察到表 針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小，說明管的放大能力 較差；表針擺動較大，表明管的放大能力大；若表針不動，說明管是壞 的。根據(jù)上述方法，我們用萬用表的 RX100檔，測結型場效應管3DJ2F。先將管的G極開路，測得漏源電阻RDS為600Q,用手捏住G極后，表針向左擺動，指示的電阻RDS為12kQ,表針擺動的幅度較大，說明該 管是好的，并有較大的放大能力。運用這種方法時要說明幾點：首先，在測試場效應管用手捏住柵極時， 萬用

5、表針可能向右擺動（電阻值減小），也可能向左擺動（電阻值增加）c 這是由于人體感應的交流電壓較高， 而不同的場效應管用電阻檔測量時 的工作點可能不同（或者工作在飽和區(qū)或者在不飽和區(qū)）所致，試驗表 明，多數(shù)管的RDS增大，即表針向左擺動；少數(shù)管的 RDS減小，使表 針向右擺動。但無論表針擺動方向如何，只要表針擺動幅度較大，就說 明管有較大的放大能力。第二，此方法對 MOS場效應管也適用。但要 注意，MOS場效應管的輸入電阻高，柵極G允許的感應電壓不應過高， 所以不要直接用手去捏柵極，必須用于握螺絲刀的絕緣柄，用金屬桿去 碰觸柵極，以防止人體感應電荷直接加到柵極，引起柵極擊穿。第三， 每次測量完畢，

6、應當 G-S極間短路一下。這是因為 G-S結電容上會充 有少量電荷，建立起V GS電壓，造成再進行測量時表針可能不動，只 有將G-S極間電荷短路放掉才行。（4）用測電阻法判別無標志的場效應管首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳， 也就是源極S和漏極 D,余下兩個腳為第一柵極 G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測的源 極S與漏極D之間的電阻值記下來，對調表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極D;紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S、D極，還可以用估 測其管的放大能力的方法進行驗證， 即放大能力大的黑表筆所接的是D極；紅表筆所接地是8極，兩

7、種方法檢測結果均應一樣。當確定了漏極D、源極S的位置后，按D、S的對應位置裝人電路，一般 G1、G2也會依次對準位置，這就確定了兩個柵極 G1、G2的位置，從而就確定了D、S、G1、G2管腳的順序。(5)用測反向電阻值的變化判斷跨導的大小對VMOS N溝道增強型場效應管測量跨導性能時，可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D,這就相當于在源、漏極之間加了一個反向電壓。此時柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬用表的歐姆檔選在RX 10kQ的高阻檔，此時表內(nèi)電壓較高。當用手接觸柵極G時，會 發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化， 其變化越大，說明管的跨導值越高； 如果被測管的跨導很小，用此法測時，反

8、向阻值變化不大。二、.場效應管的使用注意事項(1)為了安全使用場效應管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率，最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。(2)各類型場效應管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接人電路中， 要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是PN結，N 溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負偏壓，等等。(3) MOS場效應管由于輸入阻抗極高，所以在運輸、貯藏中必須將引 出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其 要注意，不能將MOS場效應管放人塑料盒子內(nèi)，保存時最好放在金屬 盒內(nèi)，同時也要注意管的防潮。(4)為了防止場效應管柵極感應擊

9、穿，要求一切測試儀器、工作臺、 電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在 連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接 材料去掉；從元器件架上取下管時，應以適當?shù)姆绞酱_保人體接地如采 用接地環(huán)等；當然，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵，焊接場效應管是 比較方便的，并且確保安全；在未關斷電源時，絕對不可以把管插人電 路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應管時必須注意。(5)在安裝場效應管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時，應當 大于根部尺寸5毫米處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。對于功率型場

10、效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高 負荷條件下運用，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值， 使器件長期穩(wěn)定可靠地工作?？傊_保場效應管安全使用，要注意的事項是多種多樣，采取的安全 措施也是各種各樣，廣大的專業(yè)技術人員，特別是廣大的電子愛好者， 都要根據(jù)自己的實際情況出發(fā)，采取切實可行的辦法，安全有效地用好 場效應管。三.VMOS場效應管VMOS場效應管（VMOSFET ）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全 稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、 功率開關器件。它不僅繼承了 MOS場效應管輸入阻抗高（2108叫、 驅動電流?。?.1仙A左右

11、），還具有耐壓高（最高 1200V）、工作電流 大（1.5A100A）、輸出功率高（1250W）、跨導的線性好、開關 速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一 身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍）、功率放大器、開 關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。VMOS場效應功率管具有極高的輸入阻 抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點，尤其是其 具有負的電流溫度系數(shù)，即在柵-源電壓不 變的情況下，導通電流會隨管溫升高而減 小，故不存在由于 二次擊穿現(xiàn)象所引起 的管子損壞現(xiàn)象。因此，VMOS管的并聯(lián) 得到廣泛應用眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極、源極和漏極大大致處于同一 水平面的芯片上，

12、其工作電流基本上是沿水平方向流動。 VMOS管則不 同，從圖1上可以看出其兩大結構特點：第一，金屬柵極采用 V型槽結 構；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以 ID 不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜 N+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過P溝 道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，最后垂直向下到達漏極 Do電流方向如圖中箭 頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片 之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。國內(nèi)生產(chǎn)VMOS場效應管的主要廠家有877廠、天津半導體器件四廠、 杭州電子管廠等，典型產(chǎn)品有 VN401、VN672、VMPT2等。下面介紹檢測VMOS管的方

13、法。.判定柵極G 將萬用表撥至RX 1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其 字兩腳的電阻均呈無窮大，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。.判定源極S、漏極D由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結，因此根據(jù)PN結正、反向電阻 存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻 值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻，此時黑表筆的 是S極，紅表筆接D極。.測量漏-源通態(tài)電阻RDS (on)將G-S極短路，選擇萬用表的RX1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極, 阻值應為幾歐至十幾歐。由于測試條件不同，測出的 RDS (on)值比手冊中給出

14、的典型值要高 一些。例如用500型萬用表RX1檔實測一只IRFPC50型VMOS管， RDS (on) =3.2W,大于 0.58W (典型值)。.檢查跨導將萬用表置于RX 1k (或RX100)檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極, 手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈 高。注意事項：VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于 N溝 道管。對于P溝道管，測量時應交換表筆的位置。(2)有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護二極管，本檢測方法中的1、 2項不再適用。(3)目前市場上還有一種 VMOS管功率模塊，專供交流電機調速器、 逆變器使用。例如美國IR公司生產(chǎn)的I

15、RFT001型模塊，內(nèi)部有N溝道、 P溝道管各三只，構成三相橋式結構。(4)現(xiàn)在市售VNF系列(N溝道)產(chǎn)品，是美國Supertex公司生產(chǎn) 的超高頻功率場效應管，其最高工作頻率fp=120MHz , IDSM=1A ,PDM=30W ,共源小信號低頻跨導 gm=2000D。適用于高速開關電路 和廣播、通信設備中。(5)使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。 以VNF306為例，該管 子加裝140X140X4 (mm)的散熱器后，最大功率才能達到 30W。(6)多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高 頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯(lián)復 合管管子一般

16、不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電 阻?？煽毓铏z測方法可控硅(SCR )國際通用名稱為Thyyistoy ,中文簡稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積 小等優(yōu)點，它是大功率開關型半導體器件，廣泛應用在電力、電 子線路中。.可控硅的特性?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓?、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極 G三個引出腳。雙向可控硅有第一陽極 A1 (T1), 第二陽極A2 (T2)、控制極 G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài)，陽極 A與陰

17、極K間壓降約IV。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導通狀態(tài)。只有把陽極 A電壓拆除或陽極 A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時，單向可控硅才由低阻導通狀態(tài)轉換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導通。 單向可控硅的導通與截止狀態(tài)相當于開關的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點開關雙向可控硅第一陽極A1與第二陽極 A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極 G和第一陽極 A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導通呈低阻狀態(tài)

18、。此時A1、A2間壓降也約為IV。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續(xù)保持導通狀態(tài)。 只有當?shù)谝魂枠O A1、第二陽極 A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發(fā)電壓方可導通。.單向可控硅的檢測。萬用表選電阻 R*1Q擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正 反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制極 G,紅表筆的引腳為陰極K,另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A,紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短線瞬間短接陽極A和控制極G ,此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數(shù)為10歐姆

19、左右。如陽極 A接黑表筆，陰極 K接紅表筆時，萬用表指針發(fā)生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。.雙向可控硅的檢測。用萬用表電阻 R*1Q擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正 反向電阻，結果其中兩組讀數(shù)為無窮大。若一組為數(shù)十歐姆時， 該組紅、黑表所接的兩引腳為第一陽極A1和控制極 G,另一空腳即為第二陽極 A2。確定A1、G極后，再仔細測量A1、G極間正、反向電阻，讀數(shù)相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳 為第一陽極 A1 ,紅表筆所接引腳為控制極Go將黑表筆接已確定的第二陽極 A2 ,紅表筆接第一陽極A1 ,此時萬用表指針不應發(fā)生偏轉，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上

20、正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線，萬用表讀數(shù)應保持10歐姆左右?；Q紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極 A2 ,黑表筆接第一陽極A1。同樣萬用表指針應不發(fā)生偏轉，阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給 G極加上負的觸發(fā)電壓， A1、A2間的 阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數(shù)應不變，保持在10歐姆左右。符合以上規(guī)律，說明被測雙向可控硅未損壞且三個引腳極性判斷正確。檢測較大功率可控硅時，需要在萬用表黑筆中串接一節(jié)1.5V干電池，以提高觸發(fā)電壓。晶閘管（可控硅）的管腳判別晶閘管管腳的判別可用下述方法：先用萬用表 R*1K擋

21、測量三腳之間的阻值，阻值小的兩腳分別為控制極和陰極，所剩的一腳 為陽極。再將萬用表置于R*10K擋，用手指捏住陽極和另一腳，且不讓兩腳接觸，黑表筆接陽極，紅表筆接剩下的一腳，如表針 向右擺動，說明紅表筆所接為陰極，不擺動則為控制極。三極管的檢測方法(a)判定基極。用萬用表RX100或RX1k擋測量三極管三個電極中每兩 個極之間的正、反向電阻值。當用第一根表筆接某一電極，而第二表筆 先后接觸另外兩個電極均測得低阻值時，則第一根表筆所接的那個電極即為基極bo這時，要注意萬用表表筆的極性，如果紅表筆接的是基極 bo黑表筆分別接在其他兩極時，測得的阻值都較小，則可判定被測三 極管為PNP型管；如果黑表

22、筆接的是基極 b,紅表筆分別接觸其他兩 極時，測得的阻值較小，則被測三極管為NPN型管。(b)判定集電極c和發(fā)射極e。(以PNP為例)將萬用表置于RX100 或RX 1K擋，紅表筆基極b,用黑表筆分別接觸另外兩個管腳時，所測 得的兩個電阻值會是一個大一些， 一個小一些。在阻值小的一次測量中, 黑表筆所接管腳為集電極；在阻值較大的一次測量中，黑表筆所接管腳為發(fā)射極。C判別高頻管與低頻管高頻管的截止頻率大于3MHz ,而低頻管的截止頻率則小于 3MHz , 一般情況下，二者是不能互換的。D在路電壓檢測判斷法在實際應用中、小功率三極管多直接焊接在印刷電路板上，由于元 件的安裝密度大，拆卸比較麻煩，所

23、以在檢測時常常通過用萬用表直流 電壓擋，去測量被測三極管各引腳的電壓值，來推斷其工作是否正常， 進而判斷其好壞。2大功率晶體三極管的檢測利用萬用表檢測中、小功率三極管的極性、管型及性能的各種方法， 對檢測大功率三極管來說基本上適用。但是，由于大功率三極管的工作 電流比較大，因而其 PN結的面積也較大。PN結較大，其反向飽和電 流也必然增大。所以，若像測量中、小功率三極管極間電阻那樣，使用 萬用表的RX 1k擋測量，必然測得的電阻值很小，好像極間短路一樣， 所以通常使用RX10或RX1擋檢測大功率三極管。3普通達林頓管的檢測用萬用表對普通達林頓管的檢測包括識別電極、區(qū)分PNP和NPN類型、估測放

24、大能力等項內(nèi)容。因為達林頓管的EB極之間包含多個發(fā)射結，所以應該使用萬用表能提供較高電壓的RX10K擋進行測量。4大功率達林頓管的檢測檢測大功率達林頓管的方法與檢測普通達林頓管基本相同。但由于大功率達林頓管內(nèi)部設置了 V3、R1、R2等保護和泄放漏電流元件，所 以在檢測量應將這些元件對測量數(shù)據(jù)的影響加以區(qū)分，以免造成誤判。 具體可按下述幾個步驟進行：A用萬用表RX 10K擋測量B、C之間PN結電阻值，應明顯測出 具有單向導電性能。正、反向電阻值應有較大差異。B在大功率達林頓管B-E之間有兩個PN結，并且接有電阻R1 和R2。用萬用表電阻擋檢測時，當正向測量時，測到的阻值是B-E結正向電阻與R1

25、、R2阻值并聯(lián)的結果；當反向測量時，發(fā)射結截止， 測出的則是（R1 + R2）電阻之和，大約為幾百歐，且阻值固定，不隨電阻 擋位的變換而改變。但需要注意的是，有些大功率達林頓管在R1、R2、 上還并有二極管，此時所測得的則不是 （R1 +R2）之和，而是（R1 + R2） 與兩只二極管正向電阻之和的并聯(lián)電阻值。5帶阻尼行輸出三極管的檢 測將萬用表置于RX1擋，通過單獨測量帶阻尼行輸出三極管各電極 之間的電阻值，即可判斷其是否正常。具體測試原理，方法及步驟如下：A將紅表筆接E,黑表筆接B,此時相當于測量大功率管 BE結的等 效二極管與保護電阻R并聯(lián)后的阻值，由于等效二極管的正向電阻較 小，而保護

26、電阻R的阻值一般也僅有2050，所以，二者并聯(lián)后的阻 值也較?。环粗?，將表筆對調，即紅表筆接 B,黑表筆接E,則測得的 是大功率管B-E結等效二極管的反向電阻值與保護電阻 R的并聯(lián)阻 值，由于等效二極管反向電阻值較大，所以，此時測得的阻值即是保護 電阻R的值，此值仍然較小。B將紅表筆接C,黑表筆接B,此時相當于測量管內(nèi)大功率管 B C結 等效二極管的正向電阻，一般測得的阻值也較?。粚⒓t、黑表筆對調， 即將紅表筆接B,黑表筆接C,則相當于測量管內(nèi)大功率管 B C結等 效二極管的反向電阻，測得的阻值通常為無窮大。C將紅表筆接E,黑表筆接C,相當于測量管內(nèi)阻尼二極管的反向 電阻，測得的阻值一般都較大

27、，約 300 x；將紅、黑表筆對調，即紅 表筆接C,黑表筆接E,則相當于測量管內(nèi)阻尼二極管的正向電阻，測 得的阻值一般都較小，約幾歐至幾十歐。國產(chǎn)三極管用顏色表示放大倍數(shù)時，一般顏色與放大倍數(shù)對應關系如下：顏色棕紅橙黃綠蘭紫hFE7-1515-2525-4040-5555-80n80-120用萬用表定性判斷場效應管、三極管的好壞一、定性判斷MOS型場效應管的好壞先用萬用表RX 10kQ擋（內(nèi)置有9V或15V電池），把負表筆（黑）接柵極 （G）,正表筆（紅）接源極（S）。給柵、源極之間充電，此時萬用表指針有 輕微偏轉。再改用萬用表 RX 1Q擋，將負表筆接漏極（D）,正筆接源極（S）,萬用表指示

28、值若為幾歐姆，則說明場效應管是好的。二、定性判斷結型場效應管的電極將萬用表撥至RX100檔，紅表筆任意接一個腳管，黑表筆則接另一個 腳管，使第三腳懸空。若發(fā)現(xiàn)表針有輕微擺動，就證明第三腳為柵極。 欲獲得更明顯的觀察效果，還可利用人體靠近或者用手指觸摸懸空腳， 只要看到表針作大幅度偏轉，即說明懸空腳是柵極，其余二腳分別是源極和漏極。判斷理由：JFET的輸入電阻大于100MD ,并且跨導很高，當柵極開路 時空間電磁場很容易在柵極上感應出電壓信號，使管子趨于截止，或趨 于導通。若將人體感應電壓直接加在柵極上，由于輸入干擾信號較強， 上述現(xiàn)象會更加明顯。如表針向左側大幅度偏轉，就意味著管子趨于截止，漏

29、-源極間電阻RDS增大，漏-源極間電流減小IDS。反之，表針向 右側大幅度偏轉，說明管子趨向導通， RDS , IDST。但表針究竟向哪 個方向偏轉，應視感應電壓的極性（正向電壓或反向電壓）及管子的工作點而定。注意事項：（1）試驗表明，當兩手與 D、S極絕緣，只摸柵極時，表針一般向左偏轉。但是，如果兩手分別接觸 D、S極，并且用手指摸住柵極時，有可能觀察到表針向右偏轉的情形。 其原因是人體幾個部位和電阻對場效應管起到偏置作用，使之進入飽和區(qū)。（2）也可以用舌尖舔住柵極，現(xiàn)象同上。三、晶體三極管管腳判別三極管是由管芯（兩個 PN結）、三個電極和管殼組成，三個電極分別 叫集電極c、發(fā)射極e和基極b

30、,目前常見的三極管是硅平面管，又分 PNP和NPN型兩類?，F(xiàn)在楮合金管已經(jīng)少見了。這里向大家介紹如何用萬用表測量三極管的三個管腳的簡單方法。.找出基極，并判定管型（NPN或PNP）對于PNP型三極管，C、E極分別為其內(nèi)部兩個PN結的正極，B極為 它們共同的負極，而對于NPN型三極管而言，則正好相反：C、E極分 別為兩個PN結的負極，而B極則為它們共用的正極，根據(jù) PN結正向 電阻小反向電阻大的特性就可以很方便的判斷基極和管子的類型。 具體方法如下：將萬用表撥在RX100或RX1K檔上。紅筆接觸某一管腳，用黑表筆分 別接另外兩個管腳，這樣就可得到三組（每組兩次）的讀數(shù)，當其中一 組二次測量都是幾

31、百歐的低阻值時，若公共管腳是紅表筆，所接觸的是 基極，且三極管的管型為 PNP型；若公共管腳是黑表筆，所接觸的是 也是基極，且三極管的管型為 NPN型。.判別發(fā)射極和集電極由于三極管在制作時，兩個 P區(qū)或兩個N區(qū)的摻雜濃度不同，如果發(fā) 射極、集電極使用正確，三極管具有很強的放大能力，反之，如果發(fā)射 極、集電極互換使用，則放大能力非常弱，由此即可把管子的發(fā)射極、集電極區(qū)別開來。在判別出管型和基極b后，可用下列方法來判別集電極和發(fā)射極。將萬用表撥在RX1K檔上。用手將基極與另一管腳捏在一起（注意 不要讓電極直接相碰），為使測量現(xiàn)象明顯，可將手指濕潤一下，將紅 表筆接在與基極捏在一起的管腳上，黑表筆

32、接另一管腳，注意觀察萬用 表指針向右擺動的幅度。然后將兩個管腳對調，重復上述測量步驟。比 較兩次測量中表針向右擺動的幅度，找出擺動幅度大的一次。對 PNP 型三極管，則將黑表筆接在與基極捏在一起的管腳上，重復上述實驗， 找出表針擺動幅度大的一次，對于 NPN型，黑表筆接的是集電極，紅 表筆接的是發(fā)射極。對于 PNP型，紅表筆接的是集電極，黑表筆接的是發(fā)射極。這種判別電極方法的原理是，利用萬用表內(nèi)部的電池，給三極管的集電極、發(fā)射極加上電壓，使其具有放大能力。有手捏其基極、集電極時，就等于通過手的電阻給三極管加一正向偏流，使其導通，此時表針向右擺動幅度就反映出其放大能力的大小，因此可正確判別出發(fā)射

33、極、集電極來。MOS場效應管2009-10-28 20:11MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor ）,屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬 柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015 Q）。它也分N溝道管和P溝道管，符號如圖1所示。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當Vgs=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的 Vgs后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而增強”了該區(qū)域的

34、載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當 Vgs=0時即形成溝道，加上正確的Vgs時，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而 耗盡”了載流子，使管子轉向截止。以N溝道為例，它是在 P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區(qū)N+和漏擴散區(qū)N + ,再分別引出源極 S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。圖 1 （a）符號中的 前頭方向是從外向電，表示從 P型材料（襯底）指身 N型溝道。當漏接電源正極，源極接電源負極并使Vgs=0時，溝道電流（即漏極電流）Id=。隨著Vgs逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴散區(qū)之間就感應出帶負電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當Vgs大于管子的開啟電壓

35、 Vtn （一般約為+2V）時，N溝道管開始導通，形成漏極電流Id。國產(chǎn)N溝道 MOSFET 的典型產(chǎn)品有（雙柵管）。它們的管腳排列（底視圖）見圖3DO1、3DO2、3DO4 （以上均為單柵管）， 4DO12。MOS場效應管比較 嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q/C ）,G極與S極呈等電位，防將管子損壞。因此了廠時各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內(nèi)，使 止積累靜電荷。管子不用時，全部引線也應短接。在測量時應格外小心，并采取相應的防靜電 感措施。下面介紹檢測方法。.準備工作測量之前，

36、先把人體對地短路后，才能摸觸 MOSFET的管腳。最好在手腕上接一條導線 與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然后拆掉導線。.判定電極將萬用表撥于 RX100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極Go交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是 S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品，S極與管殼接通，據(jù)此 很容易確定S極。.檢查放大能力（跨導）將G極懸空，黑表筆接 D極，紅表筆接 S極，然后用手指觸摸 G極，表針應有較大的偏 轉。雙柵MOS場效應管有兩個柵極 GG20為區(qū)分之，可用手分別觸摸Gi、G

37、2極，其中表針向左側偏轉幅度較大的為G2極。目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護二極管，平時就不需要把各管腳短路了MO我效應管的測量N溝道的有國產(chǎn)的3D01 , 4D01 ,日產(chǎn)的3SK系列。G極（柵極）的確定：利用萬用表的二極管檔。若某腳與其他兩腳間的正反壓降均大于2V,即顯示“1,”此腳即為柵極 G。再交換表筆測量其余兩腳，壓降小的那次中，黑表筆接的是D極（漏極），紅表筆接的是 S極（源極）。絕緣柵型場效應管實用檢測方法與技巧絕緣柵型場效應管（MOSFET）除了放大能力稍弱，在導通電阻、開關速度、噪聲及抗干擾能力等 方面較雙極型三極管均有著明顯的優(yōu)勢。由于輸入阻抗極高，MOSFET

38、管柵極微量感應電荷產(chǎn)生的電勢足以擊穿絕緣層而損壞器件。過去許多介紹絕緣柵型場效應管的資料中，一般都需要用捆扎（短接）器件的三只管腳，待MOS管焊接到電路板之后再剪去捆扎線如圖1所示，使用非常煩瑣。目前市場上銷售的 MOS管的種類、封裝很多，如圖 2所示。其中的大多數(shù)MOS管，尤其是功率型 MOS管，內(nèi)部集成有完善的保護環(huán)節(jié)，使用起來與雙極 型三極管一樣方便。不過，保護單元的存在卻又使得 MOS管內(nèi)部結構變得更加復雜，測試方法也與 傳統(tǒng)雙極型三極管大相徑庭。一、基本類型MOS管測試MOS管內(nèi)部的保護環(huán)節(jié)有多種類型，這就決定了測量過程存在著多樣性，常見的 NMOS管內(nèi) 部結構如圖3、圖4所示。圖3

39、、圖4所示NMOS管的D-S間均并聯(lián)有一只寄生二極管 (InternalDiode)。與圖3稍有不同， 圖4所示NMOS管的G-S之間還設計了一只類似于雙向穩(wěn)壓管的元件保護二極管,由于保護二極管的開啟電壓較高，用萬用表一般無法測量出該二極管的單向導電性。因此，這兩種管子的測量方法基 本類似，具體測試步驟如下：. MOS管柵極與漏、源兩極之間絕緣阻值很高，因此在測試過程中G-D、G-S之間均表現(xiàn)出很高的電阻值。而寄生二極管的存在將使D、S兩只管腳間表現(xiàn)出正反向阻值差異很大的現(xiàn)象。選擇指針萬用表的RX 1kQ擋，輪流測試任意兩只管腳之間的電阻值。當指針出現(xiàn)較大幅度偏轉時，與黑筆相接的管腳即為NMO

40、S管的S極，與紅筆相接的管腳為漏極 D,剩余第3腳則為柵極G,如圖5所 示。.短接G、D、S三只電極，泄放掉 G-S極間等效結電容在前面測試過程中臨時存儲電荷所建 立起的電壓UGS。圖4所示MOS管的G-s極間接有雙向保護二極管，可跳過這一步。.萬用表電阻擋切換到的 RX 10kQ擋(內(nèi)置9V電池)后調零。將黑筆接漏極 D、紅筆接源極S, 經(jīng)過上一步的短接放電后，UGS降為0V, MOS管尚未導通，其 D-S間電阻RDS為人，故指針不會發(fā)生偏轉，如圖6所示。RxlkC動。黑筆紅筆4.有以下兩種方法能夠對 MOS管的質量與性能作出準確的判斷：第一種方法：用手指碰觸G-D極，此時指針向右發(fā)生偏轉，

41、如圖 7所示。手指松開后，指針略微有一些擺用手指捏住G-S極，形成放電通道，此時指針緩慢回轉至電阻通勺位置，如圖8所示。圖4所示MOS管的G-S間接有保護二極管，手指撤離 G-D極后即使不去接觸 G-S極，指針也 將自動回到電阻8的位置。值得注意的是，測試過程中手指不要接觸與測試步驟不相關的管腳，包括 與漏極D相連的散熱片，避免后續(xù)測量過程中因萬用表指針偏轉異常而造成誤判。第二種方法：用紅筆接源極S,黑筆接柵極G,對G-S之間的等效結電容進行充電，此時可以忽略萬用表 指針的輕微偏轉，如圖 9所示。RxiOkfl切換到RX 1Q擋，換擋后須及時對擋位進行調零。將紅筆接到源極S,黑筆移到漏極D,此時MOS管的D-S極導通