出席國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議心得報(bào)告

1、.：.；出席國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議心得報(bào)告 計(jì)畫(huà)編號(hào)計(jì)畫(huà)名稱出國(guó)人員姓名服務(wù)機(jī)關(guān)及職稱鄒一德 交通大學(xué)/光電工程學(xué)系 博士生會(huì)議時(shí)間地點(diǎn)2021.10.122021.10.18 Hawaii (U.S.A)會(huì)議名稱ECST 2021發(fā)表論文題目Effect of passivation layer on the reliability of flexible a-Si:H TFTs參加會(huì)議經(jīng)過(guò)本次很榮幸地能夠參與一一的國(guó)際電化學(xué)協(xié)會(huì)(The Electrochemical Society Transactions)所主辦之年度會(huì)報(bào)；本次大會(huì)地點(diǎn)選擇在美國(guó)，夏威夷群島中的歐胡島舉行，離上一次於同樣地點(diǎn)舉辦

2、，已經(jīng)是五年前的事了。大會(huì)舉日期為2021年10月12號(hào)至10月18號(hào)，一共6天整整。會(huì)議內(nèi)容主要分為10個(gè)session，包括有燃料電池與新源開(kāi)發(fā)轉(zhuǎn)換(Batteries, Fuel Cells, and Energy Conversion)、生物醫(yī)學(xué)與有機(jī)電化學(xué)(Biomedical Applications and Organic Electrochemistry)、電化學(xué)之物理與分析(Physical and Analytical Electrochemistry)、感測(cè)器與顯示器原理、資料、與製程開(kāi)發(fā)(Sensors and Displays: Principles, Materia

3、ls, and Processing)，及我所參加之新穎式介電、半導(dǎo)體資料開(kāi)發(fā)與元件製程(Dielectric and Semiconductor Materials, Devices, and Processing)等，及6個(gè)短期各別研討會(huì)，超過(guò)50間的贊助廠商。The Electrochemical Society Transactions(ECST 2021)主要大會(huì)的會(huì)場(chǎng)分別分散為兩個(gè)地方、亦為歐胡島之著名景點(diǎn)，分別為：希爾頓大飯店(Hiliton Hawaiian Village)、及我們的報(bào)告地點(diǎn)：夏威夷國(guó)際會(huì)議中心(Hawaii Convention Center)。大會(huì)註冊(cè)會(huì)場(chǎng)

4、與展現(xiàn)會(huì)場(chǎng)(exhibition)皆舉辦在希爾頓大飯店(Hiliton Hawaiian Village)，圖一為希爾頓大飯店報(bào)到會(huì)場(chǎng)之照片，圖二為邀請(qǐng)演講之會(huì)場(chǎng)。 圖一 希爾頓大飯店報(bào)到會(huì)場(chǎng)之照片 圖二邀請(qǐng)演講之會(huì)場(chǎng)展現(xiàn)會(huì)場(chǎng)由各參與之贊助廠商的展現(xiàn)其閜關(guān)產(chǎn)品與公司介紹，如圖三與圖四所示，包含日本Panasonic、MITSUBISHI CHEMICAL、MITSUBISHI、TOYOTA、法國(guó)的AIR LIQUIDE等大廠；惋惜本次未見(jiàn)到國(guó)內(nèi)相關(guān)大廠之參與。由各參展之廠商業(yè)界展現(xiàn)的儀器來(lái)看，薄膜沉積與分析技術(shù)隨著高科技一年一年明顯進(jìn)步當(dāng)中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與光電相關(guān)產(chǎn)業(yè)仍有很大的發(fā)展前景。而由分析

5、儀器廠商部份，也代表產(chǎn)業(yè)界對(duì)固障與排除分析的重視，因?yàn)槿允怯行н_(dá)成降低本錢，提高生產(chǎn)效率的最正確方法之一。各種新穎儀器之介紹與展現(xiàn)，皆讓我所學(xué)良多、嘆為觀止。 圖三 參展廠商_1圖四 參展廠商_2而海報(bào)會(huì)場(chǎng)緊臨廠商展現(xiàn)會(huì)場(chǎng)，一共有四天的海報(bào)展現(xiàn)場(chǎng)次。由我的主題相關(guān)主要場(chǎng)次為14號(hào)，也就是第三天晚上的部份，主要是關(guān)於薄膜沉積與元件製程。本次海報(bào)展現(xiàn)部份主題非常豐富，內(nèi)容囊括各領(lǐng)域?qū)ｉL(zhǎng)，包括薄膜分析、薄膜沉積、元件製程、元件特性討論分析與先進(jìn)元件結(jié)構(gòu)。許多新穎式的技術(shù)，包括奈米點(diǎn)記憶體、新穎式有機(jī)薄膜電晶體之開(kāi)發(fā)與透明氧化物半導(dǎo)體之新應(yīng)用等主題之海報(bào)展現(xiàn)。圖五為海報(bào)展現(xiàn)處入口，圖六為與研討大會(huì)此次

6、相關(guān)的書(shū)藉出賣與展現(xiàn)。 圖六 為海報(bào)展現(xiàn)處入口圖七 相關(guān)的書(shū)藉出賣與展現(xiàn)_1口頭報(bào)告部份，圖七與圖八為我上臺(tái)報(bào)告本次主題：Effect of passivation layer on the reliability of flexible a-Si:H TFTs，中文名稱為：覆蓋層對(duì)可撓式非晶矽薄膜電晶體之可靠影響之報(bào)過(guò)的過(guò)程。報(bào)告會(huì)場(chǎng)外觀，相當(dāng)輕鬆自在又不失研討會(huì)專業(yè)與典雅風(fēng)格。本次參予大會(huì)，是以口頭報(bào)告發(fā)表為主軸，很榮幸上臺(tái)報(bào)告非晶矽薄膜電晶體於撓曲狀態(tài)時(shí)特性表性之相關(guān)研穿成果。此會(huì)場(chǎng)期間，聽(tīng)許多國(guó)外研討學(xué)者的報(bào)告及其他研討主題的口頭演講，並且針對(duì)內(nèi)容提出一些問(wèn)題，皆得到臺(tái)上演講者的回答與

7、完好解釋。由於這場(chǎng)次口頭報(bào)告主題群與我的研討主題也相近之處，成果也相當(dāng)亮眼，故於這次會(huì)場(chǎng)參與過(guò)程中，所學(xué)不少。 圖七 我上臺(tái)報(bào)告之情況_1圖八 我上臺(tái)報(bào)告之情況_2與會(huì)心得與今年這次國(guó)際電化學(xué)協(xié)會(huì)(The Electrochemical Society Transactions)大會(huì)，讓我吸收到許多寶貴知；原來(lái)單純薄膜電晶體簡(jiǎn)單五道製程當(dāng)中，能演化出如此豐富之應(yīng)用與開(kāi)發(fā)。一個(gè)元件中只需經(jīng)過(guò)一些小小改變的步驟，竟可變化出了如此豐富又多樣化的演變。更不用提更複雜之積體電路之整個(gè)元件的製程了，決不是簡(jiǎn)簡(jiǎn)單單如我發(fā)表文章中，只需元件電特性分析一個(gè)方向而已。在我的學(xué)問(wèn)追求道路上，經(jīng)歷過(guò)這一系列的大會(huì)活動(dòng)

8、後，與各國(guó)人士討論，爭(zhēng)論過(guò)程中，得確引起了我許多另一方向的反向思索與研討想法。在未來(lái)博士班生涯中，著實(shí)打開(kāi)了另一片全新不同的視野，對(duì)我未來(lái)博士班生涯中，亦打開(kāi)另一片全新不同的視野。我的口頭報(bào)告主題為Effect of passivation layer on the reliability of flexible a-Si:H TFTs，主要方向?yàn)樘接懛蔷∧る娋w於撓曲條件下，多加後續(xù)處理之特性改變與可靠度分析。並以額外增薄膜沉積之製程步驟，再搭配特殊後置處理，以有效增進(jìn)提昇元件可靠度表現(xiàn)。而在口頭報(bào)告期間，也認(rèn)真得與臺(tái)下來(lái)自世界自國(guó)之專家們討論，並盡量說(shuō)明成果所表達(dá)之物理意義部份。在與海報(bào)張貼並於會(huì)場(chǎng)講解研討據(jù)與內(nèi)容期間，很容幸看到許多來(lái)自其他各國(guó)，包含對(duì)岸大陸的學(xué)術(shù)研討人員之研討成果，我亦對(duì)許多不同領(lǐng)域之研討相當(dāng)有興趣，也彼此交換了許多豐富的心得與經(jīng)驗(yàn)分享，我也很熱心的提供了他們我的研討經(jīng)驗(yàn)，置信在他們回國(guó)中後，也能和我一樣，不會(huì)忘記這個(gè)來(lái)自遠(yuǎn)方島國(guó)、臺(tái)灣一段愉快的學(xué)術(shù)交流與