半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略報(bào)告

1、半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略報(bào)告電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新與格局重構(gòu)請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分目錄70半導(dǎo)體制造：經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型之引擎，新基建之支柱代工材料設(shè)備封裝測(cè)試請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分2.1成熟工藝需求旺盛，先進(jìn)制程打開國(guó)產(chǎn)代工上升空間1新興應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，半導(dǎo)體將邁入新一輪高景氣成長(zhǎng)周期半導(dǎo)體行業(yè)存在周期性，主要受兩個(gè)因素影響，宏觀經(jīng)濟(jì)和技術(shù)革新。1）宏觀經(jīng)濟(jì)變化影響人們消費(fèi)能力和意愿， 通過下游市場(chǎng)需求影響整個(gè)行業(yè)景氣度；2）技術(shù)革新通過刺激下游消費(fèi)意愿甚至強(qiáng)制改變市場(chǎng)格局。代工企業(yè)和行業(yè)發(fā)展聯(lián)系緊密，將充分享受新興市場(chǎng)初期高速增長(zhǎng)紅利。以2020年為錨，5G商用化、數(shù)據(jù)中心、 物聯(lián)網(wǎng)、智慧城市、

2、汽車電子等一系列新技術(shù)及市場(chǎng)需求做驅(qū)動(dòng)，半導(dǎo)體將邁入新一輪高景氣成長(zhǎng)周期。資料來源：Wind，國(guó)元證券研究所圖：全球半導(dǎo)體銷售額及周期性劃分請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分2.1成熟工藝需求旺盛，先進(jìn)制程打開國(guó)產(chǎn)代工上升空間1新興應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，半導(dǎo)體將邁入新一輪高景氣成長(zhǎng)周期2020年疫情導(dǎo)致眾多產(chǎn)業(yè)受到?jīng)_擊，然受惠于遠(yuǎn)距辦公與教學(xué)的新生活常態(tài)，加上5G智能手機(jī)以及相關(guān)基礎(chǔ)建 設(shè)需求強(qiáng)勁，使全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逆勢(shì)上揚(yáng)，預(yù)估2020年全球晶圓代工產(chǎn)值達(dá)726億美元，增速18.77%。各企業(yè)在積極推進(jìn)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。從接單狀況來看，半導(dǎo)體代工產(chǎn)能吃緊趨勢(shì)預(yù)計(jì)至少延續(xù)到21H1，14nm以下先進(jìn) 制程方面，臺(tái)積

3、電與三星產(chǎn)能近乎滿載，28nm以上制程在CIS、SDDI、RF射頻、TV芯片、WiFi、藍(lán)芽、TWS 等眾多需求支撐，加上WiFi 6、AI Memory異質(zhì)整合等新興應(yīng)用助力，產(chǎn)能亦有日益緊缺的趨勢(shì)。資料來源：IC Insights，國(guó)元證券研究所圖：全球晶圓代工產(chǎn)值（億美元）圖：部分晶圓代工企業(yè)產(chǎn)能及產(chǎn)能利用率資料來源：公司官網(wǎng)，國(guó)元證券研究所-5%0%5%10%15%20%10009008007006005004003002001000全球晶圓代工行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模（億美元）增長(zhǎng)率100%90%80%70%60%50%10008006004002000八寸晶圓當(dāng)量華虹產(chǎn)能（千片/月） 中芯產(chǎn)能

4、（千片/月） 聯(lián)電產(chǎn)能利用率聯(lián)電產(chǎn)能（千片/月） 華虹產(chǎn)能利用率中芯產(chǎn)能利用率請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分2.1成熟工藝需求旺盛，先進(jìn)制程打開國(guó)產(chǎn)代工上升空間2先進(jìn)制程拓寬國(guó)產(chǎn)代工能力，未來有望承接更多國(guó)內(nèi)客戶需求經(jīng)過長(zhǎng)期的工藝競(jìng)技，先進(jìn)制程向龍頭集中。具有14nm及以下節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)能力的玩家目前只剩下臺(tái)積電、三星、 英特爾、格羅方德、聯(lián)華電子和中芯國(guó)際，由于先進(jìn)制程研發(fā)的高投入，格羅方德、聯(lián)華電子均已宣布停止 14nm以后先進(jìn)制程的研發(fā)，目前僅余中芯國(guó)際一家先進(jìn)制程追趕者。中芯國(guó)際代表大陸代工技術(shù)最高水平，對(duì)比國(guó)際龍頭臺(tái)積電尚存巨大差距。中芯國(guó)際14nmFinFET于2019年第 三季度實(shí)現(xiàn)

5、量產(chǎn)且良率達(dá)到業(yè)界量產(chǎn)水平，第二代先進(jìn)工藝技術(shù)“N+1”正在做客戶產(chǎn)品驗(yàn)證，已進(jìn)行小量試產(chǎn)。 臺(tái)積電5nm制程在20Q3開始貢獻(xiàn)營(yíng)收，計(jì)劃到2022年實(shí)現(xiàn)3nm量產(chǎn)，整體領(lǐng)先中芯國(guó)際3代制程工藝節(jié)點(diǎn)。資料來源：集成電路產(chǎn)業(yè)全書，國(guó)元證券研究所圖：晶圓代工行業(yè)格局變遷表：晶圓代工企業(yè)工藝節(jié)點(diǎn)狀態(tài)國(guó)際主要晶圓代工企業(yè) 2011 2012 2013臺(tái)積電282014 2015 2016 2017 2018 201920161071412281428145525格羅方德3228聯(lián)華電子中芯國(guó)際40力晶科技90華虹集團(tuán)655528高塔半導(dǎo)體65/45資料來源：各公司官網(wǎng)，國(guó)元證券研究所請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后

6、的免責(zé)條款部分0%10%20%30%40%50%60%0100200300400500600700800900202020212022202320242025先進(jìn)工藝市場(chǎng)規(guī)模（億美元）成熟工藝市場(chǎng)規(guī)模（億美元）先進(jìn)工藝占比2.1成熟工藝需求旺盛，先進(jìn)制程打開國(guó)產(chǎn)代工上升空間資料來源：集成電路產(chǎn)業(yè)全書，國(guó)元證券研究所資料來源：ittbank，中芯國(guó)際官網(wǎng)，國(guó)元證券研究所2先進(jìn)制程拓寬國(guó)產(chǎn)代工能力，未來有望承接更多國(guó)內(nèi)客戶需求先進(jìn)工藝市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)迅速，有望成為公司未來業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)點(diǎn)。據(jù)IHS Markit預(yù)測(cè)，未來成熟工藝市場(chǎng)規(guī)模保持在 400億美元左右，而先進(jìn)工藝市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)以16.5%的年復(fù)合增速

7、增長(zhǎng)，產(chǎn)值占比2025年有望提升至50%以上。先進(jìn)制程的突破且良率達(dá)到業(yè)內(nèi)量產(chǎn)水平，意味著國(guó)產(chǎn)晶圓代工業(yè)務(wù)渠道口徑拓寬，以及承接更多高端芯片設(shè) 計(jì)訂單的能力。目前中芯國(guó)際14nm應(yīng)用主要是智能手機(jī)AP/SoC、安防、機(jī)頂盒和礦機(jī)ASIC方面，未來會(huì)向高 性能運(yùn)算、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、顯卡等領(lǐng)域拓展。圖：先進(jìn)工藝市場(chǎng)規(guī)模及占比預(yù)測(cè)圖：先進(jìn)制程尺寸對(duì)應(yīng)下游應(yīng)用需求請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分020406080201720182019202020212022電源+特殊性存儲(chǔ)+CIS市場(chǎng)規(guī)模藍(lán)牙市場(chǎng)規(guī)模指紋識(shí)別與高壓驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)規(guī)模1002.1成熟工藝需求旺盛，先進(jìn)制程打開國(guó)產(chǎn)代工上升空間資料來源：公開

8、資料整理，國(guó)元證券研究所資料來源：公開資料整理，國(guó)元證券研究所3萬物互聯(lián)時(shí)代到來，特色工藝有望迎來新增長(zhǎng)不是所有產(chǎn)品都需要先進(jìn)制程，成熟制程下游市場(chǎng)相對(duì)穩(wěn)定且盈利性更好。40-110nm對(duì)應(yīng)的是CIS、圖像傳感 器、NOR Flash、WiFi藍(lán)牙射頻芯片等；130-350nm主要對(duì)應(yīng)的是eNVM、電源管理、中低端CIS、高壓控制芯 片。根據(jù)中芯國(guó)際季報(bào)數(shù)據(jù)，電源管理+特殊性存儲(chǔ)+CIS合計(jì)市場(chǎng)規(guī)模約800億美元，藍(lán)牙市場(chǎng)規(guī)模約40億美元， 指紋識(shí)別和高壓驅(qū)動(dòng)芯片市場(chǎng)規(guī)模70億美元。40/45nm節(jié)點(diǎn)主要對(duì)應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)產(chǎn)品，隨著智能家居、智能支付終端、可穿戴設(shè)備等物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的迅速發(fā)展， IoT

9、無線通信芯片領(lǐng)域迎來良好的發(fā)展時(shí)期。55/65nm節(jié)點(diǎn)主要對(duì)應(yīng)Nor Flash存儲(chǔ)，隨著AMOLED、TDDI、汽 車電子、TWS耳機(jī)市場(chǎng)快速發(fā)展，NOR Flash需求旺盛。圖：成熟制程尺寸對(duì)應(yīng)下游應(yīng)用需求圖：成熟制程細(xì)分市場(chǎng)規(guī)模（十億美元）請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分2.2擴(kuò)產(chǎn)與國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)共振，設(shè)備企業(yè)迎來最佳成長(zhǎng)期1設(shè)備行業(yè)周期受產(chǎn)能和技術(shù)迭代驅(qū)動(dòng)，晶圓處理設(shè)備市場(chǎng)空間巨大全球半導(dǎo)體設(shè)備總市值大概600億美元，支撐全球上萬億的電子軟硬件大生態(tài)。設(shè)備對(duì)整個(gè)半導(dǎo) 體行業(yè)來說有放大和支撐作用，確立了整個(gè)產(chǎn)業(yè)可達(dá)到的硬性尺寸標(biāo)準(zhǔn)邊際值。資料來源：日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)，國(guó)元證券研究所圖：

10、全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額及同比資料來源：國(guó)元證券研究所圖：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)-100%-50%0%50%100%150%200%250%300%420201816141210862005-032005-092006-032006-092007-032007-092008-032008-092009-032009-092010-032010-092011-032011-092012-032012-092013-032013-092014-032014-092015-032015-092016-032016-092017-032017-092018-032018-092019-032019-092020

11、-03全球半導(dǎo)體設(shè)備季度銷售額（十億美元）同比（%）請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分2.2擴(kuò)產(chǎn)與國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)共振，設(shè)備企業(yè)迎來最佳成長(zhǎng)期資料來源：TEL公司公告，國(guó)元證券研究所1設(shè)備行業(yè)周期受產(chǎn)能和技術(shù)迭代驅(qū)動(dòng)，晶圓處理設(shè)備市場(chǎng)空間巨大半導(dǎo)體設(shè)備對(duì)行業(yè)周期變化敏感，行業(yè)周期性變化必然伴隨產(chǎn)能的增減和產(chǎn)品技術(shù)的迭代。工藝變革對(duì)應(yīng)設(shè)備 技術(shù)的迭代，產(chǎn)能變化對(duì)應(yīng)設(shè)備數(shù)量需求的變化，新一輪增長(zhǎng)周期有望帶動(dòng)設(shè)備需求。1）技術(shù)迭代：尺縮和3D結(jié)構(gòu)化是先進(jìn)集成電路發(fā)展的主要趨勢(shì)，對(duì)應(yīng)的是線寬和深寬比兩個(gè)重要指標(biāo)，為實(shí)現(xiàn) 器件微觀結(jié)構(gòu)的加工制造，設(shè)備端需不斷開發(fā)新技術(shù)以及升級(jí)改良已有技術(shù)。圖：集成電路技術(shù)發(fā)展

12、的兩個(gè)趨勢(shì)請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分13020151 1123342282110 0402468101214美國(guó)中國(guó)大陸歐洲日本韓國(guó)東南亞中國(guó)臺(tái)灣2019202020212.2擴(kuò)產(chǎn)與國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)共振，設(shè)備企業(yè)迎來最佳成長(zhǎng)期1設(shè)備行業(yè)周期受產(chǎn)能和技術(shù)迭代驅(qū)動(dòng)，晶圓處理設(shè)備市場(chǎng)空間巨大2）產(chǎn)能變化：中國(guó)大陸地區(qū)晶圓制造產(chǎn)能增速最快，SEMI數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2020年月產(chǎn)能達(dá)400萬片， 2021年達(dá)460萬片。以中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體、長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)為首的晶圓制造企業(yè)產(chǎn)能正在 有序建設(shè)中，未來兩年進(jìn)入新產(chǎn)線建設(shè)高峰，直接對(duì)應(yīng)設(shè)備數(shù)量需求的大幅度增長(zhǎng)。除中國(guó)大陸地 區(qū)，其他地區(qū)晶圓制造廠應(yīng)對(duì)新興需

13、求和升級(jí)也在擴(kuò)產(chǎn)，整體半導(dǎo)體設(shè)備需求量趨勢(shì)向上。資料來源：SEMI，國(guó)元證券研究所圖：各地區(qū)新建晶圓廠數(shù)量（座）資料來源：SEMI，國(guó)元證券研究所圖：各地區(qū)晶圓產(chǎn)能（千片8寸晶圓/月）010002000300040005000美國(guó)中國(guó)大陸歐洲日本韓國(guó)東南亞中國(guó)臺(tái)灣201920202021請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分81%9%4%6%晶圓處理設(shè)備測(cè)試設(shè)備 封裝設(shè)備 其他2.2擴(kuò)產(chǎn)與國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)共振，設(shè)備企業(yè)迎來最佳成長(zhǎng)期1設(shè)備行業(yè)周期受產(chǎn)能和技術(shù)迭代驅(qū)動(dòng)，晶圓處理設(shè)備市場(chǎng)空間巨大晶圓處理領(lǐng)域需求約占設(shè)備總市場(chǎng)80%，折合市場(chǎng)空間達(dá)500億美元，封裝和測(cè)試類設(shè)備占15%， 其余是廠務(wù)、光罩等設(shè)

14、備。晶圓制造過程中，從前道到后道會(huì)經(jīng)過上千道加工工序，涉及到的 設(shè)備種類主要分9類，細(xì)分又可以劃出100-120種不同的機(jī)臺(tái)，具體種類上電路和存儲(chǔ)制造約有 40%的差異。資料來源：SEMI，國(guó)元證券研究所圖：半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)分布資料來源：國(guó)元證券研究所圖：半導(dǎo)體設(shè)備分類及所處位置請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分2.2擴(kuò)產(chǎn)與國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)共振，設(shè)備企業(yè)迎來最佳成長(zhǎng)期2國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備大環(huán)境向好，處于“0-1”向“1-n”階段過渡期1）供給端：全球半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)鏈被海外龍頭把控，美國(guó)占40%，日本占10%，歐洲占20%。 海外設(shè)備供應(yīng)商業(yè)務(wù)成熟且市場(chǎng)地位穩(wěn)定，商業(yè)模式多是在細(xì)分領(lǐng)域處于寡頭壟斷地位，同時(shí)

15、 還布局多個(gè)業(yè)務(wù)實(shí)行平臺(tái)化展開。表：2019年全球前十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商排名公司總部占比（%）1應(yīng)用材料美國(guó)20%2阿斯麥荷蘭20%3東京電子日本19%4泛林半導(dǎo)體美國(guó)18%5KLA美國(guó)7%6SCREEN日本4%7Advantest日本3%8ASM太平洋新加坡3%9Teradyne美國(guó)3%10日立高科日本3%資料來源：芯思想，國(guó)元證券研究所請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分-10%0%10%20%30%40%50%60%02468101214162014201520162017201820192020F中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)（十億美元）增長(zhǎng)率（%）自己率（%）2.2擴(kuò)產(chǎn)與國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)共振，設(shè)備企業(yè)迎來

16、最佳成長(zhǎng)期資料來源：SEMI，國(guó)元證券研究所資料來源：中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備年會(huì)，國(guó)元證券研究所2國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備大環(huán)境向好，處于“0-1”向“1-n”階段過渡期根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，預(yù)計(jì)2020年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)為149.2億美元，同比增長(zhǎng)16%，自給率上升 至23%，尚有巨大替換空間。2019年國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備為173億元，集成電路和光伏細(xì)分領(lǐng)域增長(zhǎng) 較快，2019年國(guó)產(chǎn)集成電路設(shè)備為67億元。集成電路設(shè)備作為占比最大的細(xì)分市場(chǎng)，國(guó)產(chǎn)化率 很低，重度依賴進(jìn)口為我國(guó)依靠半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為產(chǎn)業(yè)升級(jí)的新引擎埋下隱患。華為制裁升級(jí)已 經(jīng)初窺端倪，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代勢(shì)在必行。圖：中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)（十億美元）

17、及自給率圖：各細(xì)分領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)設(shè)備銷售額（億元）01020304050607080201420152016201720182019集成電路光伏LED其他請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分2.2擴(kuò)產(chǎn)與國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)共振，設(shè)備企業(yè)迎來最佳成長(zhǎng)期2國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備大環(huán)境向好，處于“0-1”向“1-n”階段過渡期通過外延并購或是自主研發(fā)，目前我國(guó)自研裝備品種覆蓋率達(dá)40%，總體水平達(dá)到28nm，部分 進(jìn)入14/7nm，開始進(jìn)入海內(nèi)外市場(chǎng)銷售。9大類半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)內(nèi)企業(yè)均有布局，細(xì)分領(lǐng)域存在1- 2個(gè)龍頭公司。表：國(guó)內(nèi)外晶圓制造設(shè)備供應(yīng)商不完全統(tǒng)計(jì)設(shè)備名稱國(guó)內(nèi)廠商國(guó)外廠商介質(zhì)刻蝕中微LAM/TEL/AMAT硅刻蝕北

18、方華創(chuàng)LAM/TEL/AMAT深硅刻蝕北方華創(chuàng)/中微LAM/TELPVD北方華創(chuàng)AMAT/LAM/TELCVD北方華創(chuàng)AMAT/LAM/TELPECVD沈陽拓荊TEL/AMAT光刻機(jī)SMEEASML/Nikon/Canon涂膠顯影沈陽芯源/盛美ASML/DNS/TEL離子注入中科信/凱世通AMAT/Axcells/日立熱氧化北方華創(chuàng)TEL/AMAT/日立單片退火北方華創(chuàng)TEL/日立晶圓清洗北方華創(chuàng)/至純科技/盛美DNS/LAM/TELCMP華海清科/中電裝AMAT/EBARA光罩清洗常州瑞擇TEL/DNS光學(xué)工藝檢測(cè)睿勵(lì)KLA資料來源：中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備年會(huì)，國(guó)元證券研究所請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)

19、條款部分2.2擴(kuò)產(chǎn)與國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)共振，設(shè)備企業(yè)迎來最佳成長(zhǎng)期2國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備大環(huán)境向好，處于“0-1”向“1-n”階段過渡期國(guó)家大力支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，在政策、資金、人才都給予相應(yīng)鼓勵(lì)方案，外圍生態(tài)環(huán)境大幅度改善，同時(shí)國(guó) 產(chǎn)設(shè)備龍頭公司內(nèi)部也進(jìn)入從初期核心技術(shù)突破到經(jīng)驗(yàn)積累與技術(shù)升級(jí)的拐點(diǎn)。改善1：逐漸從早期最艱難的核 心技術(shù)突破“0-1”階段向盈利逐漸改善的“1-n”階段轉(zhuǎn)換。改善2：早期晶圓制造廠商不愿承擔(dān)更大風(fēng)險(xiǎn)去引入 不成熟的國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商進(jìn)入產(chǎn)線，下游設(shè)備廠商開發(fā)進(jìn)度緩慢、缺少量產(chǎn)數(shù)據(jù)反饋等問題。目前國(guó)內(nèi)晶圓廠和設(shè) 備公司積極合作，形成縮短技術(shù)開發(fā)周期、減輕研發(fā)支出壓力等雙向互利良性格局

20、。資料來源：上海集成電路創(chuàng)新峰會(huì)，國(guó)元證券研究所圖：國(guó)家支持半導(dǎo)體發(fā)展框架資料來源：國(guó)元證券研究所圖：半導(dǎo)體設(shè)備公司不同階段發(fā)展假設(shè)請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分2.2擴(kuò)產(chǎn)與國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)共振，設(shè)備企業(yè)迎來最佳成長(zhǎng)期2國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備大環(huán)境向好，處于“0-1”向“1-n”階段過渡期2）需求端：國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備需求主要受三個(gè)因素影響：1）中國(guó)大陸建廠擴(kuò)產(chǎn)洪峰期已至；2）美國(guó)制裁政策催化下 國(guó)內(nèi)制造企業(yè)基于安全考慮加快國(guó)產(chǎn)替代速度；3）國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)產(chǎn)品已逐步獲得客戶認(rèn)知，部分龍頭技術(shù)以 追趕上國(guó)際主流水平。根據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，國(guó)內(nèi)在建的集成電路、功率器件和先進(jìn)封裝產(chǎn)線有14條，規(guī)劃中的產(chǎn)線有13條。

21、國(guó)內(nèi)供應(yīng)商短期受益于產(chǎn)線建設(shè)潮，長(zhǎng)期受益于技術(shù)進(jìn)步和自身產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的提高。表：國(guó)內(nèi)在建及規(guī)劃晶圓制造產(chǎn)線狀態(tài)公司名稱晶圓尺寸mm地點(diǎn)生產(chǎn)項(xiàng)目/產(chǎn)品技術(shù)節(jié)點(diǎn)規(guī)劃產(chǎn)能（K/月）在建中芯國(guó)際寧波高壓模擬半導(dǎo)體以及包括射頻與光電特色器件Fanout42.5在建中芯國(guó)際200紹興微機(jī)電和功率器件RF PA/Swich0.35-0.18um Power IC100在建華力集成300上海邏輯，射頻28-14nm40在建華虹無錫300無錫Power MOS（IGBT、SI、DMOS、SGT）CIS、BCM、55LP55-90nm40在建芯恩集成300青島logic、Power MOS40-28nm5在建芯恩集

22、成200青島IGBT，Power0.13um（一期20）在建粵芯半導(dǎo)體300廣州BCD、MCU、VDMOS、CIS0.35um55nm70在建士蘭微（廈門）300廈門功率器件，IGBT0.25um-55nm CMOS110在建美國(guó)AOS300重慶MOSFET,(50封測(cè)）0.13um20在建SK海力士300無錫90在建SK海力士（海辰半導(dǎo)體）200無錫CIS100在建富士康300山東bumping, RDL, WLCSP100在建泉芯300濟(jì)南14nm60在建杭州富芯300杭州模擬電路65nm60規(guī)劃中芯國(guó)際200紹興微機(jī)電和功率器件RF PA/Swich0.35-0.18um Power I

23、C100規(guī)劃積塔半導(dǎo)體300上海NA0.350.18um CMOS47規(guī)劃積塔半導(dǎo)體300上海BCD、Power MOS55-65nm3規(guī)劃華潤(rùn)微電子300重慶功率半導(dǎo)體90-65nm30（TBD）規(guī)劃上海新進(jìn)芯200上海0.25m20規(guī)劃三星300西安100規(guī)劃中芯國(guó)際創(chuàng)新中心300北京集成電路國(guó)產(chǎn)化推進(jìn)65nmminiline規(guī)劃北京碳基集成電路研究院200北京Carbon Nano Tube3Xnmminiline規(guī)劃聯(lián)合微電子研發(fā)重慶CIS20規(guī)劃上海格科微300上海CIS、BSI90-28nm60規(guī)劃上海華虹FAB8300上海邏輯，射頻7-14nm40規(guī)劃比亞迪(長(zhǎng)沙)半導(dǎo)體有限公司

24、200長(zhǎng)沙Power IC/IGBT0.18um IGBT20規(guī)劃紹興同芯成集成電路有限公司200紹興Power IC/CIS55nm60資料來源：公開資料整理，國(guó)元證券研究所請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分2.3中國(guó)大陸產(chǎn)能逐步釋放，半導(dǎo)體材料預(yù)計(jì)進(jìn)入長(zhǎng)期上 行空間資料來源：SEMI，國(guó)元證券研究所資料來源：SEMI，國(guó)元證券研究所1半導(dǎo)體材料主要受晶圓制造產(chǎn)能和行業(yè)景氣度變化影響半導(dǎo)體材料隨全球產(chǎn)能據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，2019年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)銷售額為521.4億美元，較上 一年下降1.1%。中國(guó)大陸是全球第三大市場(chǎng)且長(zhǎng)期保持上升趨勢(shì)，2019年銷售額同比增長(zhǎng)1.9%， 全球占比進(jìn)一步提升至

25、16.7%。2010-2019年，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)和韓國(guó)銷售額受周期影響波動(dòng)較大， 北美和歐洲市場(chǎng)增長(zhǎng)緩慢，日本處于負(fù)增長(zhǎng)狀態(tài)，只有中國(guó)大陸地區(qū)呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)的狀態(tài)，在 2016-2018年增速超過10%。圖：全球半導(dǎo)體材料銷售額及增速（十億美元）圖：各地區(qū)半導(dǎo)體材料銷售占比-30%-20%-10%0%10%20%30%0102030405060全球半導(dǎo)體材料銷售額（十億美元）同比（%）10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%0%2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019日本北美歐洲

26、韓國(guó)中國(guó)臺(tái)灣中國(guó)大陸其他地區(qū)請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分2.3中國(guó)大陸產(chǎn)能逐步釋放，半導(dǎo)體材料預(yù)計(jì)進(jìn)入長(zhǎng)期上 行空間資料來源：IC Insights，國(guó)元證券研究所1半導(dǎo)體材料主要受晶圓制造產(chǎn)能和行業(yè)景氣度變化影響半導(dǎo)體材料市場(chǎng)主要受晶圓制造產(chǎn)能和行業(yè)景氣度影響，產(chǎn)能決定了材料市場(chǎng)空間，景氣度決定了產(chǎn)能利用率 進(jìn)而影響材料需求。根據(jù)IC Insights統(tǒng)計(jì)，2020年全球半導(dǎo)體晶圓年產(chǎn)能預(yù)計(jì)達(dá)到2.49億片8英寸等效晶圓，未 來2-3年中國(guó)大陸和臺(tái)灣地區(qū)進(jìn)入擴(kuò)產(chǎn)高峰期，2024年全球產(chǎn)能有望突破3億片。產(chǎn)能擴(kuò)建上修材料市場(chǎng)空間， 且5G、AIOT、汽車電子等新興應(yīng)用有望帶來新一輪高景氣周

27、期，鑒于產(chǎn)能釋放主要在大陸和臺(tái)灣地區(qū)，國(guó)產(chǎn)半 導(dǎo)體材料供應(yīng)商有望享受長(zhǎng)期增長(zhǎng)紅利。圖：全球半導(dǎo)體晶圓年產(chǎn)能及變化（右軸）-100102030-120-60060120180240300360產(chǎn)能變化（百萬片8寸等效晶圓）全球半導(dǎo)體晶圓年產(chǎn)能（百萬片8寸等效晶圓）請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分2.3中國(guó)大陸產(chǎn)能逐步釋放，半導(dǎo)體材料預(yù)計(jì)進(jìn)入長(zhǎng)期上 行空間資料來源：安集科技招股書，SEMI，國(guó)元證券研究所2晶圓制造材料細(xì)分領(lǐng)域低端已能自給，高端尚待突破半導(dǎo)體材料處于整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游環(huán)節(jié)，對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到支撐作用。根據(jù)制造流程 又可分為前道晶圓制造材料和后道封裝材料，晶圓制造材料可分為硅片、

28、光掩模、光刻膠及輔 助材料、CMP拋光材料、工藝化學(xué)品、靶材和電子特氣，封裝材料可分為引線框架、基板、陶 瓷封體、鍵合線、包封材料和芯片粘結(jié)材料。圖：半導(dǎo)體材料分類及產(chǎn)業(yè)鏈請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分2.3中國(guó)大陸產(chǎn)能逐步釋放，半導(dǎo)體材料預(yù)計(jì)進(jìn)入長(zhǎng)期上 行空間2晶圓制造材料細(xì)分領(lǐng)域低端已能自給，高端尚待突破據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，2019年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)銷售額合計(jì)520億美元，其中晶圓制造材料為328億 美元，封裝材料為192億美元。對(duì)比往期晶圓制造材料細(xì)分市場(chǎng)占比，各類材料占比保持相對(duì)穩(wěn) 定。根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，硅片、電子氣體、光掩膜市場(chǎng)規(guī)模占比排名前三，占比分別為37%、13%、 13%，對(duì)

29、應(yīng)細(xì)分市場(chǎng)空間為124億美元、44億美元、42億美元。資料來源：SEMI，國(guó)元證券研究所圖：全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模及增速資料來源：SEMI，國(guó)元證券研究所圖：2019年半導(dǎo)體晶圓制造材料市場(chǎng)構(gòu)成-40%-30%-20%-10%0%10%20%30%40%05101520253035晶圓制造材料（十億美元）封裝材料（十億美元）晶圓制造YoY封裝YoY37%13%5%7%5%13%3%7%10%硅片光掩模光刻膠光刻膠輔助材料工藝化學(xué)品電子特氣靶材CMP拋光材料 其他請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分2.3中國(guó)大陸產(chǎn)能逐步釋放，半導(dǎo)體材料預(yù)計(jì)進(jìn)入長(zhǎng)期上 行空間2晶圓制造材料細(xì)分領(lǐng)域低端已能自給，高端尚

30、待突破細(xì)分領(lǐng)域中，海外企業(yè)占主導(dǎo)地位，大陸材料供應(yīng)商在全球市場(chǎng)份額占比較少。目前國(guó)內(nèi)供應(yīng) 商情況是通過內(nèi)生+外延實(shí)現(xiàn)晶圓制造材料全產(chǎn)業(yè)鏈布局，但產(chǎn)品整體以中低端應(yīng)用為主，少部 分產(chǎn)品在高端領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程從易到難循序漸進(jìn)，靶材、電子特氣、濕法電 子化學(xué)品等替代速度較快，光刻膠、12寸硅片相對(duì)滯后。表：晶圓制造材料細(xì)分市場(chǎng)國(guó)內(nèi)外供應(yīng)商材料名稱硅片靶材CMP拋光光刻膠濕法電子化學(xué)品電子特氣光掩膜市場(chǎng)規(guī)模（億美元）113.813.720.11316.142.740.4日本信越JX日礦CabotJSR株式會(huì)社巴斯夫空氣化工日本凸版印刷SUMCOHoneyWell日立化成日本信越默克液化空

31、氣日本DNP海外世創(chuàng)東曹株式會(huì)社Fujimi住友化學(xué)AVANTOR德國(guó)林德HOYALG SiltronVersum東京應(yīng)化關(guān)東化學(xué)普萊克斯福尼克斯陶氏化學(xué)杜邦住友化學(xué)昭和電工SKE 臺(tái)灣光罩中環(huán)股份阿石創(chuàng)安集科技上海新陽晶瑞股份華特氣體華潤(rùn)微滬硅產(chǎn)業(yè)江豐電子鼎龍股份容大感光上海新陽金宏氣體清溢光電中國(guó)大陸金瑞泓有研新材南大光電飛凱材料雅克科技中芯國(guó)際超硅半導(dǎo)體飛凱材料江化微南大光電華虹宏力雅克科技中船重工菲力華資料來源：SEMI，國(guó)元證券研究所請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分半導(dǎo)體材料特點(diǎn)有產(chǎn)品種類多、認(rèn)證周期長(zhǎng)、 客戶粘性大、配方開發(fā)難度高但是生命周期 長(zhǎng)等特點(diǎn)。晶圓制造大概會(huì)涉及到600多

32、步 加工單元，使用材料種類多達(dá)10000種，加 工過程中任何一類材料質(zhì)量不合格導(dǎo)致化學(xué) 或物理污染和缺陷都可能造成某一批次或多 類產(chǎn)品良率降低甚至直接報(bào)廢，直接和間接 造成巨額損失。因此半導(dǎo)體材料供應(yīng)商認(rèn)證 壁壘極高，且一旦確定通常不會(huì)輕易更換合 作對(duì)象。作為晶圓制造的日常耗材，大陸逐步承接半 導(dǎo)體制造產(chǎn)能，國(guó)產(chǎn)材料市場(chǎng)需求擴(kuò)容。5G、AIOT、汽車電子等多種新興領(lǐng)域支撐 行業(yè)景氣度和長(zhǎng)期市場(chǎng)需求，一旦國(guó)產(chǎn)材料 公司產(chǎn)品達(dá)到認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，在國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)下有望享受長(zhǎng)期增長(zhǎng)紅利。2.3中國(guó)大陸產(chǎn)能逐步釋放，半導(dǎo)體材料預(yù)計(jì)進(jìn)入長(zhǎng)期上 行空間3半導(dǎo)體材料遵循長(zhǎng)期增長(zhǎng)邏輯，靜待高端產(chǎn)品突破分享紅利資料來源：

33、國(guó)元證券研究所圖：國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)容量變化影響因素請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分2.4后摩爾時(shí)代，先進(jìn)封裝技術(shù)是未來主要發(fā)展方向1我國(guó)IC封測(cè)已處于世界先進(jìn)，下一步是“量變”向“質(zhì)變”轉(zhuǎn)化根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體封裝測(cè)試產(chǎn)值達(dá)2350億元，同比+7%，占半 導(dǎo)體行業(yè)銷售總額31%。封裝測(cè)試產(chǎn)值持續(xù)增長(zhǎng)的同時(shí)占比逐漸下降，封測(cè)作為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn) 業(yè)最早重點(diǎn)發(fā)展的環(huán)節(jié)起到了產(chǎn)業(yè)帶頭作用，在技術(shù)和規(guī)模上已經(jīng)達(dá)到世界前列，并且與制造、 設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)產(chǎn)值分配比逐漸趨于合理。資料來源：中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)，國(guó)元證券研究所圖：中國(guó)半導(dǎo)體封裝測(cè)試產(chǎn)值及同比資料來源：中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)，國(guó)元

34、證券研究所圖：中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈三個(gè)環(huán)節(jié)產(chǎn)值占比2,350-30%-20%-10%0%10%20%30%40%50%60%05001000150020002500封裝測(cè)試業(yè)（億元）封測(cè)同比（%）31%0%10%20%30%40%50%60%設(shè)計(jì)制造封測(cè)請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分2.4后摩爾時(shí)代，先進(jìn)封裝技術(shù)是未來主要發(fā)展方向1我國(guó)IC封測(cè)已處于世界先進(jìn)，下一步是“量變”向“質(zhì)變”轉(zhuǎn)化根據(jù)芯思想數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2019年世界前十大半導(dǎo)體封測(cè)公司主要集中在中國(guó)臺(tái)灣和大陸地區(qū)，合 計(jì)占比達(dá)90%以上。日月光收購矽品后合計(jì)市占率達(dá)30.5%，大陸封測(cè)龍頭企業(yè)長(zhǎng)電科技、華天 科技和通富微電總占比約20.1

35、%。表：2019年全球封測(cè)前十強(qiáng)企業(yè)排名排名公司地區(qū)2019年?duì)I收（百萬人民幣）2019年市占率1日月光中國(guó)臺(tái)灣3804620.0%2安靠美國(guó)2784614.6%3長(zhǎng)電科技中國(guó)大陸2146611.3%4矽品中國(guó)臺(tái)灣1995510.5%5力成中國(guó)臺(tái)灣152238.0%6通富微電中國(guó)大陸84054.4%7華天科技中國(guó)大陸83574.4%8京元電中國(guó)大陸58343.1%9聯(lián)合科技新加坡48642.6%10欣邦中國(guó)臺(tái)灣46922.5%其他3585818.8%全球合計(jì)190546100.0%資料來源：芯思想，國(guó)元證券研究所請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分0%5%10%15%20%25%30%0500,0

36、00,500,0002211,50020152016201720182019年產(chǎn)能（億塊）YoY2.4后摩爾時(shí)代，先進(jìn)封裝技術(shù)是未來主要發(fā)展方向資料來源：中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)，國(guó)元證券研究所資料來源：中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)，國(guó)元證券研究所1我國(guó)IC封測(cè)已處于世界先進(jìn)，下一步是“量變”向“質(zhì)變”轉(zhuǎn)化國(guó)內(nèi)傳統(tǒng)封裝種類與產(chǎn)能規(guī)模達(dá)到世界第一，高端技術(shù)覆蓋率已達(dá)到90%。在國(guó)家資金、政策 支持下，國(guó)內(nèi)IC封測(cè)市場(chǎng)內(nèi)資企業(yè)保持領(lǐng)先地位，前三內(nèi)資龍頭企業(yè)合計(jì)占比27.1%。大陸IC封 測(cè)產(chǎn)能逐年增長(zhǎng)，2019年達(dá)2375.6億塊，同比增長(zhǎng)9.3%。2008年前國(guó)內(nèi)封測(cè)技術(shù)還處于低端水 平，隨著技術(shù)逐步追趕，目前

37、國(guó)內(nèi)龍頭企業(yè)先進(jìn)封裝技術(shù)已進(jìn)入世界第一梯隊(duì)，基本實(shí)現(xiàn)自主 可控。圖：2019年中國(guó)大陸IC封測(cè)企業(yè)營(yíng)收占比分布圖：中國(guó)大陸IC封測(cè)產(chǎn)能變化11.4%10.9%4.9%4.0%3.0%2.9%2.5%1.9%1.8%1.6%55.1%長(zhǎng)電科技通富微電華天科技恩智浦威訊聯(lián)合三星電子（蘇州）記憶科技海太半導(dǎo)體安靠（上海）全訊射頻其他請(qǐng)務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)條款部分2.4后摩爾時(shí)代，先進(jìn)封裝技術(shù)是未來主要發(fā)展方向資料來源：2020年中國(guó)半導(dǎo)體封測(cè)年會(huì)，國(guó)元證券研究所資料來源：Wind，國(guó)元證券研究所2016-032016-052016-072016-092016-112017-012017-03201

38、7-052017-072017-092017-112018-012018-032018-052018-072018-092018-112019-012019-032019-052019-072019-092019-112020-012020-032020-052020-072020-091我國(guó)IC封測(cè)已處于世界先進(jìn)，下一步是“量變”向“質(zhì)變”轉(zhuǎn)化我國(guó)封測(cè)行業(yè)未來發(fā)展方向?qū)⒂伞傲康脑鲩L(zhǎng)”向“質(zhì)的提升”轉(zhuǎn)化。中國(guó)IC封測(cè)環(huán)節(jié)，經(jīng)過幾年的外延并購+內(nèi) 生自主創(chuàng)新結(jié)合，在傳統(tǒng)封測(cè)領(lǐng)域已經(jīng)企穩(wěn)，在先進(jìn)封裝領(lǐng)域處于技術(shù)布局不斷完善的階段。后續(xù)隨著國(guó)內(nèi)代 工企業(yè)成長(zhǎng)以及5G+AIOT帶來的多樣化需求，國(guó)內(nèi)封