半導(dǎo)體物理器件第3章習(xí)題及答案_第1頁
半導(dǎo)體物理器件第3章習(xí)題及答案_第2頁
半導(dǎo)體物理器件第3章習(xí)題及答案_第3頁
半導(dǎo)體物理器件第3章習(xí)題及答案_第4頁
半導(dǎo)體物理器件第3章習(xí)題及答案_第5頁
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1、第三章習(xí)題答案32考慮一個(gè)NPN硅晶體管，具有這樣一些參數(shù)：，在均勻摻雜基區(qū)。若集電結(jié)被反向偏置，計(jì)算在發(fā)射結(jié)基區(qū)一邊的過量電子密度,發(fā)射結(jié)電壓以及基區(qū)輸運(yùn)因子。解： 發(fā)射結(jié)電壓： 流入基區(qū)過量載流子濃度： 基區(qū)輸運(yùn)因子：361）忽略空間電荷區(qū)的復(fù)合電流，證明晶體管共發(fā)射極輸出特性的精確表達(dá)式為 V2）若II且，證明上式化為解答： 1）由E-M方程： (3-4-10)將代入（3-4-10）：上式代入到E-M方程 （3-4-11）中從中解出 （1）類似地，由（3-4-11）中解得代入到（3-4-10）中，用代替，解出 （2）并利用 V- （3）（3）即為可證。（注：按約定，）2）. II且于是（

2、3）式可寫成 （4）令， 有 解法2：1）由 由E-M模型等效電路：同解法1）。3-12硅NPN晶體管在300K具有如下參數(shù)：IE=1mA,CTE=1pF, Dn=25cm2/S, rSC=2.4m, CTC=0,2pF，hFE=100。求發(fā)射區(qū)集電區(qū)渡越時(shí)間和截止頻率。解答：發(fā)射結(jié)電容充電時(shí)間：基區(qū)渡越時(shí)間：集電結(jié)耗盡區(qū)渡越時(shí)間： 集電結(jié)電容充電時(shí)間： 于是，發(fā)射區(qū)集電區(qū)渡越時(shí)間為： 共基極截止頻率：特征頻率fT共發(fā)射極截止頻率：。 3-15.一均勻基區(qū)硅BJT，基區(qū)寬度為，基區(qū)雜質(zhì)濃度。若穿通電壓期望值為BVBC=25V，集電區(qū)摻雜濃度為若干？如果不使集電區(qū)穿通，集電區(qū)寬度至少應(yīng)大于多少？解答: 由 ，有解得 N型集電區(qū)的摻雜濃度必須保證耗盡區(qū)延伸到集電區(qū)而不使集電區(qū)發(fā)生穿通。集電區(qū)空間電

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