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文檔簡介

1、第六章 金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管6-3在受主濃度為的P型硅襯底上的理想MOS電容具有0.1um厚度的氧化層， ，在下列條件下電容值為若干？（a）和，（b） 和，（c）和。解答： （1）， 由 則 ，則 b) ， ，低頻 c) , ，因為高頻，總電容為與串聯(lián) 則 6-4采用疊加法證明當氧化層中電荷分布為時，相應(yīng)的平帶電壓變化可用下式表示：解答：如右圖所示， 消除電荷電荷片0的影響所需平帶電壓：0由 積分： 6-6利用習題6-3中的結(jié)果對下列情形進行比較。(a) 在MOS結(jié)構(gòu)的氧化層中均勻分布著的正電荷，若氧化層的厚度為150nm，計算出這種電荷引起的平帶電壓。(b) 若全部電荷都位于硅-

2、氧化硅的界面上，重復(fù)(a)。(c) 若電荷成三角分布，它的峰值在，在處為零，重復(fù)(a)。解答：（1) 電荷分布，因為電荷均勻分布，所以b) c) 電荷分布成三角形，峰值在，在處為零，由此可設(shè)（），cost。（）， 6-8 一MOS結(jié)構(gòu)中由的P型襯底，100nm的氧化層以及鋁接觸構(gòu)成，測得閾值電壓為2.5V，計算表面電荷密度。解答： 閥值電壓 6-9 一P溝道鋁柵極MOS晶體管具有下列參數(shù)： ， ，計算在等于-4V和-8V時的，并繪出電流-電壓特性。解： 飽和時： 當時，當時，電流-電壓特性曲線 6-11在習題6-9中的MOS晶體管中，令。（a） 計算氧化層電容和截止頻率。（b） 若，及，重復(fù)（a）。解答：（1）氧化層電容為： 由等效電路， （2）氧化層電容為： 截止頻率為： 6-13一 N溝MOSFET，假設(shè)線性區(qū)漏電流在 時固定不變，。求溝道內(nèi)載流子遷移率。解：線性區(qū) 則 代入數(shù)據(jù)： 解出 。說明：這個習題給出了一個測定載流子遷移率和

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